JPS6278906A - 弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置の製造方法Info
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- JPS6278906A JPS6278906A JP21869485A JP21869485A JPS6278906A JP S6278906 A JPS6278906 A JP S6278906A JP 21869485 A JP21869485 A JP 21869485A JP 21869485 A JP21869485 A JP 21869485A JP S6278906 A JPS6278906 A JP S6278906A
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- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- conductive material
- material film
- wave device
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
この発明は、弾性表面波装置に係り、特に弾性表面波を
応用した弾性表面波装置の製造方法に関する。
応用した弾性表面波装置の製造方法に関する。
[発明の技術的背景とその問題点]
弾性表面波装置例えば、従来から広く知られている弾性
表面波共振子の基本構成は、クリントン・シルベスタ−
・ハートマンらによる発明(特公昭5B−16289)
に基づくものである。すなわち、第3図に示すように圧
電基板1上に、該基板1上を伝搬する弾性表面波の波長
をλとしたとき、幅λ/4の弾性表面波反射ストリップ
2を多数本λ/2周期で配列してなるグレーティング反
Q′J器4と幅λ/4の電極指3からなるインターディ
ジタル変換器5が設けられて構成される。このような弾
性表面波共振子の特性は主にグレーティング反射器で決
定されるため、グレーティング反則器の特性向上は、極
めて重要な課題である。一般に、ストリップ、リッジ、
グループ等の弾性表面波の電極指(以下、反射体と称す
)1本当りの反射率εが大きい時には反射体の本数は少
なくてよいが、εが小さくなるに従い反射体は、多数本
必要となる。
表面波共振子の基本構成は、クリントン・シルベスタ−
・ハートマンらによる発明(特公昭5B−16289)
に基づくものである。すなわち、第3図に示すように圧
電基板1上に、該基板1上を伝搬する弾性表面波の波長
をλとしたとき、幅λ/4の弾性表面波反射ストリップ
2を多数本λ/2周期で配列してなるグレーティング反
Q′J器4と幅λ/4の電極指3からなるインターディ
ジタル変換器5が設けられて構成される。このような弾
性表面波共振子の特性は主にグレーティング反射器で決
定されるため、グレーティング反則器の特性向上は、極
めて重要な課題である。一般に、ストリップ、リッジ、
グループ等の弾性表面波の電極指(以下、反射体と称す
)1本当りの反射率εが大きい時には反射体の本数は少
なくてよいが、εが小さくなるに従い反射体は、多数本
必要となる。
したがって、一般に共振器ではグレーティング反射器を
2個以上使用することを考慮にいれると、共振器全体が
、非常に大きくなってしまうという問題がある。一方、
反射体1本当りのεを増加させるためにストリップの厚
さ、リッジの高さ、グループの深さをそれぞれ大きくし
てゆくと、それに従い弾性表面波からバルク波へのモー
ド変換が増加し、その変換損失により共振器のQの低下
を18<。
2個以上使用することを考慮にいれると、共振器全体が
、非常に大きくなってしまうという問題がある。一方、
反射体1本当りのεを増加させるためにストリップの厚
さ、リッジの高さ、グループの深さをそれぞれ大きくし
てゆくと、それに従い弾性表面波からバルク波へのモー
ド変換が増加し、その変換損失により共振器のQの低下
を18<。
これらの問題を解決する手段として、使用周波数の表面
波波長λに対してλ/8幅で、かつ反射係数が互いに逆
である2種の反射体を交互にλ/4周期で配列したグレ
ーティング反射器を提案した電子通信月会超音波研究会
での電子通信学会技術研究報告(文献:通信学会技術報
告US84−30昭和59年9月)がある。この技術研
究報告に示されたグレーティング反射器では、正の反射
係数を有する反射体での反射波と負の反射係数を有する
反射体での反射波とが、相加されることにより、反射体
をλ/2周期で配列した従来一般のグレーティング反射
器に比べ、単位長さ当りの反射量は2倍近く増加する。
波波長λに対してλ/8幅で、かつ反射係数が互いに逆
である2種の反射体を交互にλ/4周期で配列したグレ
ーティング反射器を提案した電子通信月会超音波研究会
での電子通信学会技術研究報告(文献:通信学会技術報
告US84−30昭和59年9月)がある。この技術研
究報告に示されたグレーティング反射器では、正の反射
係数を有する反射体での反射波と負の反射係数を有する
反射体での反射波とが、相加されることにより、反射体
をλ/2周期で配列した従来一般のグレーティング反射
器に比べ、単位長さ当りの反射量は2倍近く増加する。
一方、バルク波へのモード変換損失は1.4倍程度の増
加にとどまる。従って従来一般のものと反射量と同一に
して比較すると、バルク波へのモード変換損失が低減さ
れることになる。
加にとどまる。従って従来一般のものと反射量と同一に
して比較すると、バルク波へのモード変換損失が低減さ
れることになる。
このような、反射器の具体的な実現方法として、第4図
に示すように、圧電性基板としての32゜回転Y板から
なる水晶基板1上に、該基板1上を伝搬する弾性表面波
の波長をλとして、線幅λ/8で膜厚λ/200 (1
00H1fzの場合、1600人に相当)の金薄膜によ
る第1の弾性表面波反射ストリップ6と線幅λ/8で膜
厚λ150 (100川11の場合、6400人に相
当)のアルミニウムFyJW/AにJ−る第2の弾性表
面波反射ストリップ7とがλ/4周期で交互に配列され
た弾性表面波共振子がめる。この弾性表面波共振子では
、水晶基板上に形成された金薄膜およびアルミニウム薄
膜による弾性表面波反射ストリップの反射率は、金薄膜
による反射ストリップでは負、アルミニウム薄膜による
反射ストリップでは正と、互いに逆であり、かつその膜
厚依存性は金薄膜による弾性表面波反射ストリップの反
射率の方が、アルミニウム薄膜による弾性表面波反射ス
トリップの反射率に比べ4倍大きい。従って、絶対値で
同じ反射率とするには、金薄膜の膜厚はアルミニウム薄
膜の膜厚の174でよい。
に示すように、圧電性基板としての32゜回転Y板から
なる水晶基板1上に、該基板1上を伝搬する弾性表面波
の波長をλとして、線幅λ/8で膜厚λ/200 (1
00H1fzの場合、1600人に相当)の金薄膜によ
る第1の弾性表面波反射ストリップ6と線幅λ/8で膜
厚λ150 (100川11の場合、6400人に相
当)のアルミニウムFyJW/AにJ−る第2の弾性表
面波反射ストリップ7とがλ/4周期で交互に配列され
た弾性表面波共振子がめる。この弾性表面波共振子では
、水晶基板上に形成された金薄膜およびアルミニウム薄
膜による弾性表面波反射ストリップの反射率は、金薄膜
による反射ストリップでは負、アルミニウム薄膜による
反射ストリップでは正と、互いに逆であり、かつその膜
厚依存性は金薄膜による弾性表面波反射ストリップの反
射率の方が、アルミニウム薄膜による弾性表面波反射ス
トリップの反射率に比べ4倍大きい。従って、絶対値で
同じ反射率とするには、金薄膜の膜厚はアルミニウム薄
膜の膜厚の174でよい。
このような構造とすることにより、グレーディング反射
器4での単位長さ当りの弾性表面波の反射率が高くなる
ことで、小型化が可能となる。従来、この第4図に示し
た弾性表面波共振子の製造では、異なる導電性材料の反
射ストリップパターンに対応した2種類のフォトマスク
を用いたフォトリックラフイーを2回行なうプロセスを
用いている。この製造プロセスを、第5図を用いて説明
する。まず第5図(a)に示すように、水晶基板1上全
面に、蒸着あるいはスパッタ法等により金薄膜6−を付
着させる。なお、この付着性の向上の目的で金薄膜6′
の下にクロムないしはチタン等の極く薄い層からなる下
地層(図示せず)を付ける場合もある。次に、レジスト
塗布、金薄膜の電極パターンに対応したフォトマスクを
用いた露光。
器4での単位長さ当りの弾性表面波の反射率が高くなる
ことで、小型化が可能となる。従来、この第4図に示し
た弾性表面波共振子の製造では、異なる導電性材料の反
射ストリップパターンに対応した2種類のフォトマスク
を用いたフォトリックラフイーを2回行なうプロセスを
用いている。この製造プロセスを、第5図を用いて説明
する。まず第5図(a)に示すように、水晶基板1上全
面に、蒸着あるいはスパッタ法等により金薄膜6−を付
着させる。なお、この付着性の向上の目的で金薄膜6′
の下にクロムないしはチタン等の極く薄い層からなる下
地層(図示せず)を付ける場合もある。次に、レジスト
塗布、金薄膜の電極パターンに対応したフォトマスクを
用いた露光。
現像、エツチングによるフォトリソグラフィー技術によ
って第5図(b)に示すように、線幅λ/8゜周期λ/
2の金薄膜による第1の弾性表面波反射ストリップ6を
形成する。下地層がある場合は、それらも金薄膜と同時
にエツチングで除去する。
って第5図(b)に示すように、線幅λ/8゜周期λ/
2の金薄膜による第1の弾性表面波反射ストリップ6を
形成する。下地層がある場合は、それらも金薄膜と同時
にエツチングで除去する。
次いで、第5図(C)に示すように全面にわたってアル
ミニウム薄膜 7−を金薄膜6′のほぼ4倍の膜厚に蒸
着あるいはスパッタ法等により付若させる。そして前記
マスクとは異なるアルミニウム薄膜の電極パターンに対
応したマスクを用いた、フォトリソグラフィー技術によ
って第5図(d)に示すように、線幅λ/82周期λ/
2のアルミニウム薄膜による第2の弾性表面波反射スト
リップ7を金薄膜による第1の弾性表面波ストリップ6
のほぼ中間に位置するように形成する。この場合、アル
ミニウム薄膜7−を形成すると、その下にある金薄膜に
よる第1の弾性表面波反射ストリップ6は見えなくなる
。このため、第5図(d)の工程においてフォトマスク
合せを行なう目的で、第5図(b)の工程でクレーティ
ング反射器の形成領域外にマスク合せ用のマーク8を形
成しておき、さらに、同図(C)の工程で、水晶基板1
上の少なくとも上記マーク8が形成された領域はアルミ
ニウム薄膜で覆われないようにする必要がある。
ミニウム薄膜 7−を金薄膜6′のほぼ4倍の膜厚に蒸
着あるいはスパッタ法等により付若させる。そして前記
マスクとは異なるアルミニウム薄膜の電極パターンに対
応したマスクを用いた、フォトリソグラフィー技術によ
って第5図(d)に示すように、線幅λ/82周期λ/
2のアルミニウム薄膜による第2の弾性表面波反射スト
リップ7を金薄膜による第1の弾性表面波ストリップ6
のほぼ中間に位置するように形成する。この場合、アル
ミニウム薄膜7−を形成すると、その下にある金薄膜に
よる第1の弾性表面波反射ストリップ6は見えなくなる
。このため、第5図(d)の工程においてフォトマスク
合せを行なう目的で、第5図(b)の工程でクレーティ
ング反射器の形成領域外にマスク合せ用のマーク8を形
成しておき、さらに、同図(C)の工程で、水晶基板1
上の少なくとも上記マーク8が形成された領域はアルミ
ニウム薄膜で覆われないようにする必要がある。
しかしながら、このような工程で、弾性表面波共振子を
製造する場合、金薄膜のパターンに対応したフォトマス
クと、アルミニウム薄膜に対応したフォトマスクとの2
種類のマスクを用いなりればならない。その上、アルミ
ニウム薄膜によるパターンを形成する際のフォトリソグ
ラフィ一工程で、マスク合せを行なう場合に、金薄膜の
弾性表面波反射ストリップの中間に、アルミニウム簿膜
のパターンが形成されるように厳密に位置合せしなけれ
ばならない。
製造する場合、金薄膜のパターンに対応したフォトマス
クと、アルミニウム薄膜に対応したフォトマスクとの2
種類のマスクを用いなりればならない。その上、アルミ
ニウム薄膜によるパターンを形成する際のフォトリソグ
ラフィ一工程で、マスク合せを行なう場合に、金薄膜の
弾性表面波反射ストリップの中間に、アルミニウム簿膜
のパターンが形成されるように厳密に位置合せしなけれ
ばならない。
特に、周波数が高くなるにしたがい、弾性表面波反射ス
トリップの線幅は、狭くなり、位置合せ精度はより高い
ものが要求される。たとえば、周波数79QMHzの弾
性表面波共振子の場合には、λは約4μmとなり、弾性
表面波反射ストリップの線幅λ/8は約0.5μで、±
5%以内の位置精度を実現するためには、±0.025
μm以内の位置ずれにおさえなければならず、非常に厳
しい位置精度が要求される。
トリップの線幅は、狭くなり、位置合せ精度はより高い
ものが要求される。たとえば、周波数79QMHzの弾
性表面波共振子の場合には、λは約4μmとなり、弾性
表面波反射ストリップの線幅λ/8は約0.5μで、±
5%以内の位置精度を実現するためには、±0.025
μm以内の位置ずれにおさえなければならず、非常に厳
しい位置精度が要求される。
このように、異なる導電性材料の薄膜で正負の反射係数
を有した弾性表面波反射体を配列して構成されている弾
性表面波装置を従来の方法で製造する場合、フォトマス
クも2種類必要であり、フォトリソグラフィ一工程も2
回行なわなければならなく、ざらにマスクの位置合せも
非常に厳しい精度が要求される為、弾性表面波装置例え
ば第4図に示す弾性表面波共振子の再環性がきわめて低
くなる。したがって、工場等で量産を行なうことは、非
常に困難をきわめた。
を有した弾性表面波反射体を配列して構成されている弾
性表面波装置を従来の方法で製造する場合、フォトマス
クも2種類必要であり、フォトリソグラフィ一工程も2
回行なわなければならなく、ざらにマスクの位置合せも
非常に厳しい精度が要求される為、弾性表面波装置例え
ば第4図に示す弾性表面波共振子の再環性がきわめて低
くなる。したがって、工場等で量産を行なうことは、非
常に困難をきわめた。
[発明の目的]
本発明は上述した問題点に鑑みてなされたものであり、
簡易な方法によりきわめて生産性の高い弾性表面波装置
の製造方法を掟供することを目的間波装置の製造方法は
、圧電基板上に第1の電極指群を構成する第1の導電性
材料膜を形成する工程と、前記第1の導電性材料膜の上
にオーバハング構造を有したレジストパターンを形成す
る工程と、前記第1の導電性材料膜の一部を前記レジス
トパターンを介して除去し少なくとも前記第1の電極指
群を形成する工程と、前記第1の導電性材料膜と異なる
材料からなり、且つ第2の電極指群を構成する第2の導
電性材料膜を前記レジストパターンの間隙の前記圧電基
板上に形成して少なくとも第2の電極指群を形成する工
程と、前記レジストパターンを除去する工程とを少なく
とも具備することを特徴とするものである。これにより
、弾性表面波装置の電極パターン用の単一のフォトマス
クを用いるだけで、異なる導電材料膜のパターンを形成
でき、厳密な位置合せが不要となる。
簡易な方法によりきわめて生産性の高い弾性表面波装置
の製造方法を掟供することを目的間波装置の製造方法は
、圧電基板上に第1の電極指群を構成する第1の導電性
材料膜を形成する工程と、前記第1の導電性材料膜の上
にオーバハング構造を有したレジストパターンを形成す
る工程と、前記第1の導電性材料膜の一部を前記レジス
トパターンを介して除去し少なくとも前記第1の電極指
群を形成する工程と、前記第1の導電性材料膜と異なる
材料からなり、且つ第2の電極指群を構成する第2の導
電性材料膜を前記レジストパターンの間隙の前記圧電基
板上に形成して少なくとも第2の電極指群を形成する工
程と、前記レジストパターンを除去する工程とを少なく
とも具備することを特徴とするものである。これにより
、弾性表面波装置の電極パターン用の単一のフォトマス
クを用いるだけで、異なる導電材料膜のパターンを形成
でき、厳密な位置合せが不要となる。
[発明の実施例]
以下、本発明の弾性表面波装置の実施例を図面を参照し
て説明する。なお、本発明の実施例を述べるにあたり、
弾性表面波装置子を例にとり説明する。
て説明する。なお、本発明の実施例を述べるにあたり、
弾性表面波装置子を例にとり説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る弾性表面波共振子の製
造方法を示したものである。第1図において、圧電性基
板としての32°回転Y板からなる水晶基板1の全面に
第1図(a>に示すように、蒸着あるいはスパッタ法等
により、該基板1上を伝搬する弾性表面波の波長をλと
して、膜厚λ/200 (100HIIZの場合、1
600人に相当)金薄膜6′を付着させた後、この金薄
膜6−上にフォトレジスト10−を塗布する。次いで、
第1図(b)に示すように反射器形成予定部分に対応し
た単純な窓用のフォトマスク8を用いて通常のフォトリ
ソグラフィーにより、第1図(C)に示すように、反射
器部分以外はエツチングで除去し、反射器部分のみに金
薄膜6′を残す。なお付着性の向上の目的で金薄膜6′
の下にクロムないしはチタン等の極く薄い層からなる下
地層(図示せず)を付ける場合もあり、それらも金薄膜
と同時にエツチングで除去する。
造方法を示したものである。第1図において、圧電性基
板としての32°回転Y板からなる水晶基板1の全面に
第1図(a>に示すように、蒸着あるいはスパッタ法等
により、該基板1上を伝搬する弾性表面波の波長をλと
して、膜厚λ/200 (100HIIZの場合、1
600人に相当)金薄膜6′を付着させた後、この金薄
膜6−上にフォトレジスト10−を塗布する。次いで、
第1図(b)に示すように反射器形成予定部分に対応し
た単純な窓用のフォトマスク8を用いて通常のフォトリ
ソグラフィーにより、第1図(C)に示すように、反射
器部分以外はエツチングで除去し、反射器部分のみに金
薄膜6′を残す。なお付着性の向上の目的で金薄膜6′
の下にクロムないしはチタン等の極く薄い層からなる下
地層(図示せず)を付ける場合もあり、それらも金薄膜
と同時にエツチングで除去する。
次いで、第1図(d)に示すように再度、基板にフォト
レジスト10′を塗布し、アルミニウムの電極(反射器
およびインターデジタル変換器)のネガパターン(光が
照射した部分のみフォトレジスト10−が除去される。
レジスト10′を塗布し、アルミニウムの電極(反射器
およびインターデジタル変換器)のネガパターン(光が
照射した部分のみフォトレジスト10−が除去される。
)に対応したフォトマスク11を用いて、パターン全体
を露光する。そして、基板をクロロベンゼンに数分間以
上浸漬した俊現像を行ない、第1図(e)に示す基板1
側で幅狭の断面形状を有するオーバハング構造を持った
レジストパターン10を形成する。この際、このレジス
トパターン10とレジストパターン10との間隙をλ/
8とし、レジストパターン10の根元をλ/8、先端を
3λ/8とする。これを達成するためには、フォトレジ
スト10”の厚さを1脚とし、フォトマスク11のマス
ク幅を3λ/8、間隔をλ/8とし、クロロベンゼン(
純度99%)に10分間浸漬すれば良い。
を露光する。そして、基板をクロロベンゼンに数分間以
上浸漬した俊現像を行ない、第1図(e)に示す基板1
側で幅狭の断面形状を有するオーバハング構造を持った
レジストパターン10を形成する。この際、このレジス
トパターン10とレジストパターン10との間隙をλ/
8とし、レジストパターン10の根元をλ/8、先端を
3λ/8とする。これを達成するためには、フォトレジ
スト10”の厚さを1脚とし、フォトマスク11のマス
ク幅を3λ/8、間隔をλ/8とし、クロロベンゼン(
純度99%)に10分間浸漬すれば良い。
次に、レジストの無い部分の金薄膜6′をエツチングに
より除去し、第1図(f>に示すようにレジストの下に
、金薄膜6′による弾性表面波反射ストリップ6を形成
する。その後、第1図1)に示すようにレジストパター
ンの上からアルミニウム7′を金11136−のほぼ4
倍の膜厚(該基板1上を伝搬する弾性表面波の波長をλ
として、膜厚λ150 (100)i112の場合、6
400人に相当))に蒸着あるいはスパッタ法により形
成する。次いで、レジストパターン上のアルミニウム7
′をリフトオフし、最債にレジストを除去する。これに
より最終的に、第1図(h)に示すように、アルミニウ
ムストリップ7と金ストリップ6からなる反射器と、ア
ルミニウムストリップだけからなるインタディジタル変
換器のパターン9が形成される。このような製造方法を
用いれば、弾性表面波反射共振子の電極パターンに対応
したガラスマスクは一種類だけでよく、従来の製造方法
のように、アルミニウム薄膜の反射ストリップと、金薄
膜の反射ストリップの相対位置を、フォトマスク合せに
よって厳密に合せるような工程を必要としない。
より除去し、第1図(f>に示すようにレジストの下に
、金薄膜6′による弾性表面波反射ストリップ6を形成
する。その後、第1図1)に示すようにレジストパター
ンの上からアルミニウム7′を金11136−のほぼ4
倍の膜厚(該基板1上を伝搬する弾性表面波の波長をλ
として、膜厚λ150 (100)i112の場合、6
400人に相当))に蒸着あるいはスパッタ法により形
成する。次いで、レジストパターン上のアルミニウム7
′をリフトオフし、最債にレジストを除去する。これに
より最終的に、第1図(h)に示すように、アルミニウ
ムストリップ7と金ストリップ6からなる反射器と、ア
ルミニウムストリップだけからなるインタディジタル変
換器のパターン9が形成される。このような製造方法を
用いれば、弾性表面波反射共振子の電極パターンに対応
したガラスマスクは一種類だけでよく、従来の製造方法
のように、アルミニウム薄膜の反射ストリップと、金薄
膜の反射ストリップの相対位置を、フォトマスク合せに
よって厳密に合せるような工程を必要としない。
この実施例では、第1図(C)の反射器部分の金薄膜6
−の形成はフォトリソグラフィーを用いて行なったが、
これに限るものではなく、蒸着あるいはスパッタ法等の
金薄膜を圧電基板に付着される工程で、反射器部分に対
応する部分に窓をあけたマスクを用いて行なっても良い
。
−の形成はフォトリソグラフィーを用いて行なったが、
これに限るものではなく、蒸着あるいはスパッタ法等の
金薄膜を圧電基板に付着される工程で、反射器部分に対
応する部分に窓をあけたマスクを用いて行なっても良い
。
第2図は、本発明の他の実施例に係る弾性表面波共振子
の製造方法を示したものである。以下他の実施例につい
て説明する。
の製造方法を示したものである。以下他の実施例につい
て説明する。
第2図(a)に示すように圧電基板1の全面に、蒸着あ
るいはスパッタ法等により、アルミニウム薄膜7−を付
着させた侵、フォトレジスト10”を被着する。次いで
第2図(b)に示すように、アルミニウムの電極(反射
器およびインターデジタル変換器)のポジパターン(光
が照射されなかつた部分のみフォトレジスト10′が除
去される。)に対応したフォトマスク12を用いて、パ
ターン全体を露光する。そして、基板をクロロベンゼン
に数分間以上浸漬した後現像を行ない、第2図(C)に
示すように、オーバハング構造を持ったレジストパター
ン10を形成する。次に、レジストの無い部分のアルミ
ニウム薄膜7′をエツチングにより除去し、第2図(d
)に示すように、レジスト10”アルミニウム薄膜によ
る反射器用ストリップ7およびインターデジタル変換器
9を形成する。
るいはスパッタ法等により、アルミニウム薄膜7−を付
着させた侵、フォトレジスト10”を被着する。次いで
第2図(b)に示すように、アルミニウムの電極(反射
器およびインターデジタル変換器)のポジパターン(光
が照射されなかつた部分のみフォトレジスト10′が除
去される。)に対応したフォトマスク12を用いて、パ
ターン全体を露光する。そして、基板をクロロベンゼン
に数分間以上浸漬した後現像を行ない、第2図(C)に
示すように、オーバハング構造を持ったレジストパター
ン10を形成する。次に、レジストの無い部分のアルミ
ニウム薄膜7′をエツチングにより除去し、第2図(d
)に示すように、レジスト10”アルミニウム薄膜によ
る反射器用ストリップ7およびインターデジタル変換器
9を形成する。
次に、第2図(0)に示すように、反射器の部分のみ窓
をあけたマスク13を用いて、蒸着あるいはスパッタ法
等により反射器部分に金薄膜6′を形成し、次いでレジ
ストパターンの金薄膜6−をリフトオフする。@後に、
レジストを除去し、最終的に第2図(f)に示すように
、アルミニウムストリップ7と金ストリップ6からなる
反射器と、アルミニウムストリップだけからなるインタ
ディジタル変換器9のパターンが形成される。このよう
な製造方法の場合も第1図の実施例と同様に、アルミニ
ウム薄膜の反射ストリップと、金薄の反射ストリップの
相対位置をフォトマスク合せによって厳密に合せるよう
な工程を必要とせず、生産性を高めることができる。
をあけたマスク13を用いて、蒸着あるいはスパッタ法
等により反射器部分に金薄膜6′を形成し、次いでレジ
ストパターンの金薄膜6−をリフトオフする。@後に、
レジストを除去し、最終的に第2図(f)に示すように
、アルミニウムストリップ7と金ストリップ6からなる
反射器と、アルミニウムストリップだけからなるインタ
ディジタル変換器9のパターンが形成される。このよう
な製造方法の場合も第1図の実施例と同様に、アルミニ
ウム薄膜の反射ストリップと、金薄の反射ストリップの
相対位置をフォトマスク合せによって厳密に合せるよう
な工程を必要とせず、生産性を高めることができる。
本発明は以上述べた実施例以外にも、次のように種々変
形して実施することができる。
形して実施することができる。
例えば、圧電性基板としては32°回転Y板を用いると
説明したが、必ずしもこの角度にこだわるものではなく
、他の切断角の水晶基板でも良く、また、例えば、L
i TaO3基板を用いても良い。
説明したが、必ずしもこの角度にこだわるものではなく
、他の切断角の水晶基板でも良く、また、例えば、L
i TaO3基板を用いても良い。
又、弾性表面波と称した場合、一般にはレーリー波を指
すが、必ずしも、本振動モードに限るものではなく、例
えば、水晶基板の−50,5°回転Y板上をX軸に直角
に伝搬する擬似弾性表面波や、105°±10’回転Y
板、X軸伝搬の擬似弾性表面波を用いた弾性表面波共振
器にも適用できる。
すが、必ずしも、本振動モードに限るものではなく、例
えば、水晶基板の−50,5°回転Y板上をX軸に直角
に伝搬する擬似弾性表面波や、105°±10’回転Y
板、X軸伝搬の擬似弾性表面波を用いた弾性表面波共振
器にも適用できる。
又、実施例で使用した金薄膜や、アルミニウム薄膜は、
数%以下の、微量の添加物が含まれていても差支えなく
、特に、アルミニウムに銅やシリコンを0.1〜4重量
%ドープすれば、メタルマイグレーションを抑圧でき、
弾性表面波共振子の耐電力特性(耐励娠強U)の向上に
寄与することができる。
数%以下の、微量の添加物が含まれていても差支えなく
、特に、アルミニウムに銅やシリコンを0.1〜4重量
%ドープすれば、メタルマイグレーションを抑圧でき、
弾性表面波共振子の耐電力特性(耐励娠強U)の向上に
寄与することができる。
又、実施例では、反射器の部分のみに、金薄膜とアルミ
ニウム薄膜のストリップが配列されている場合を説明し
たが、インタディジタル変換器の部分も、金薄膜とアル
ミニウム薄膜のストリップが配置されている構造のもの
も金薄膜を形成する部分を変えるだけで、同様な製造工
程を用いることかできる。すなわち、1個の電極例えば
片側の反射器またはインターデジチル変換器のみに本発
明の製造方法を用いても同等の効果が得られる。
ニウム薄膜のストリップが配列されている場合を説明し
たが、インタディジタル変換器の部分も、金薄膜とアル
ミニウム薄膜のストリップが配置されている構造のもの
も金薄膜を形成する部分を変えるだけで、同様な製造工
程を用いることかできる。すなわち、1個の電極例えば
片側の反射器またはインターデジチル変換器のみに本発
明の製造方法を用いても同等の効果が得られる。
さらに、弾性表面波反射体および電極指に使用するスト
リップの線幅、あるいはグループの幅についても、λ/
8に正確に規定される必要はなく、一般にこれらの線幅
ないしグループの幅に対し、弾性表面波の反射量は10
%の偏差で反射量が8%変わる程度であるから、数10
%程度までの幅の偏差は許容される。すなわち、オーバ
ハング構造をもったレジストパターンの形状は、必ずし
も上記の形状に正確に形成されなくても実用性充分な特
性の弾性表面波装置が得られる。
リップの線幅、あるいはグループの幅についても、λ/
8に正確に規定される必要はなく、一般にこれらの線幅
ないしグループの幅に対し、弾性表面波の反射量は10
%の偏差で反射量が8%変わる程度であるから、数10
%程度までの幅の偏差は許容される。すなわち、オーバ
ハング構造をもったレジストパターンの形状は、必ずし
も上記の形状に正確に形成されなくても実用性充分な特
性の弾性表面波装置が得られる。
なお、第1図および第2図に示した実施例においては、
弾性表面波共振子を用いて説明したが、本発明はこれに
限られるものではなく、弾性表面波フィルタ等の一般の
弾性表面波装置の製造方法に用いられることは言うまで
もない。
弾性表面波共振子を用いて説明したが、本発明はこれに
限られるものではなく、弾性表面波フィルタ等の一般の
弾性表面波装置の製造方法に用いられることは言うまで
もない。
[発明の効果]
上記の構成をとる本発明の弾性表面波装置の製造方法は
、弾性表面波装置の電極及び反射器等パターン用の単一
のフォトマスクを用いるだけで、異なる導電性材料薄膜
ストリップの正負の反射係数をもった弾性表面波反射体
を形成できるので、各々の反射体間の相対位置を厳密に
合せる工程が不要となり、生産性がきわめて良くなる。
、弾性表面波装置の電極及び反射器等パターン用の単一
のフォトマスクを用いるだけで、異なる導電性材料薄膜
ストリップの正負の反射係数をもった弾性表面波反射体
を形成できるので、各々の反射体間の相対位置を厳密に
合せる工程が不要となり、生産性がきわめて良くなる。
第1図(a)乃至第1図(h)は本発明の弾性表面波装
置の製造方法の一実施例を示す工程簡略図。 第2図(a)乃至第2図げ)は本発明の弾性表面波装置
の製造方法の他の実施例を示す工程簡略図、第3図は従
来の弾性表面波共振子の基本構成を示す斜視図、第4図
は本発明を説明する為の弾性表面波共振子の基本構成を
示す斜視図、第5図(a)乃至第5図(d)は従来の弾
性表面波装置の製造方法を示す工程簡略図である。 1・・・・・・・・・水晶基板 6・・・・・・・・・金ストリップ 6′・・・・・・金薄膜 7・・・・・・・・・アルミニウムストリップ7′・・
・・・・アルミニウム 8・・・・・・・・・フォトマスク 9・・・・・・・・・インターデジタル変換器10・・
・・・・レジストパターン 10−・・・フォトレジスト 11・・・・・・フォトマスク 代理人弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 (cL) <b) (ハ 第 1 図 (f) (プフ 第 1 図 (a) (b) O (d) (e)
置の製造方法の一実施例を示す工程簡略図。 第2図(a)乃至第2図げ)は本発明の弾性表面波装置
の製造方法の他の実施例を示す工程簡略図、第3図は従
来の弾性表面波共振子の基本構成を示す斜視図、第4図
は本発明を説明する為の弾性表面波共振子の基本構成を
示す斜視図、第5図(a)乃至第5図(d)は従来の弾
性表面波装置の製造方法を示す工程簡略図である。 1・・・・・・・・・水晶基板 6・・・・・・・・・金ストリップ 6′・・・・・・金薄膜 7・・・・・・・・・アルミニウムストリップ7′・・
・・・・アルミニウム 8・・・・・・・・・フォトマスク 9・・・・・・・・・インターデジタル変換器10・・
・・・・レジストパターン 10−・・・フォトレジスト 11・・・・・・フォトマスク 代理人弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 (cL) <b) (ハ 第 1 図 (f) (プフ 第 1 図 (a) (b) O (d) (e)
Claims (8)
- (1)圧電基板上に第1の電極指群を構成する第1の導
電性材料膜を形成する工程と、 前記第1の導電性材料膜の上にオーバハング構造を有し
たレジストパターンを形成する工程と、 前記第1の導電性材料膜の一部を前記レジストパターン
を介して除去し少なくとも前記第1の電極指群を形成す
る工程と、 前記第1の導電性材料膜と異なる材料からなり、且つ第
2の電極指群を構成する第2の導電性材料膜を前記レジ
ストパターンの間隙の前記圧電基板上に形成して少なく
とも第2の電極指群を形成する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程とを少なくとも具
備することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。 - (2)前記第1の導電性材料膜の一部を前記レジストタ
ーンを介して除去し前記第1の電極指群を少なくとも形
成する工程は、前記第1の電極指群と同時に他の電極を
形成する工程であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の弾性表面波装置の製造方法。 - (3)前記第2の電極指群を構成する第2の導電性材料
膜を前記レジストパターンの間隙の前記圧電基板上に形
成して少なくとも第2の電極指群を形成する工程は、前
記第2の電極指群と同時に他の電極を形成する工程であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の弾性表
面波装置の製造方法。 - (4)前記第2の電極指群を構成する第2の導電性材料
膜を前記レジストパターンの間隙の前記圧電基板上に形
成して少なくとも第2の電極指群を形成する工程は、前
記圧電基板上を伝搬する弾性表面波に比較して前記第1
の電極指群と異極の反射係数を有する前記第2の導電性
材料膜を前記レジストパターンの間隙に形成して少なく
とも第2の電極指群を形成する工程であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の弾性表面波装置の製造
方法。 - (5)前記レジストパターンを除去する工程は、前記レ
ジストパターンを除去することにより前記第1の電極指
と交互に、且つ前記圧電基板上に伝搬する弾性表面波の
波長の実質的に1/4の周期で配列するように少なくと
も前記第2の電極指群を形成する工程であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の弾性表面波装置の製
造方法。 - (6)前記圧電基板は、水晶またはLiTaO_3基板
のいずれかであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の弾性表面波装置の製造方法。 - (7)前記第1の導電性材料膜と前記第2の導電性材料
膜とは、いずれか一方がアルミニウムを主成分とする導
電性材料膜であり、且つ他方が金を主成分とする導電性
材料膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の弾性表面波装置の製造方法。 - (8)前記アルミニウムを主成分とする導電性材料膜は
、銅またはシリコンの少なくとも一方をドープした膜で
あることを特徴とする特許請求の範囲第7項記載の弾性
表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21869485A JPS6278906A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21869485A JPS6278906A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6278906A true JPS6278906A (ja) | 1987-04-11 |
JPH0351326B2 JPH0351326B2 (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=16723947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21869485A Granted JPS6278906A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6278906A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339840A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶振動子 |
FR3114931A1 (fr) * | 2020-10-01 | 2022-04-08 | Frec'n'sys | Structure réflectrice pour dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) |
-
1985
- 1985-10-01 JP JP21869485A patent/JPS6278906A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339840A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶振動子 |
FR3114931A1 (fr) * | 2020-10-01 | 2022-04-08 | Frec'n'sys | Structure réflectrice pour dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) |
WO2022069573A3 (en) * | 2020-10-01 | 2022-05-27 | Frec'n'sys | Reflective structure for surface acoustic wave devices (saw) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0351326B2 (ja) | 1991-08-06 |
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---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |