JPS627685A - 後続金属化を伴うセラミツク体の化学的処理方法 - Google Patents
後続金属化を伴うセラミツク体の化学的処理方法Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、少なくとも１回の後続金属化によって少なく
とも１個の電気回路がその上に作られるセラミック体の
、後続金属化を伴う化学的処理方法に関する。特に本発
明は、アルカリ水酸化物溶融液中で処理されたセラミッ
ク板に関しておシ、このものは後続の金属化によって後
加工されて電気回路に作られる。
とも１個の電気回路がその上に作られるセラミック体の
、後続金属化を伴う化学的処理方法に関する。特に本発
明は、アルカリ水酸化物溶融液中で処理されたセラミッ
ク板に関しておシ、このものは後続の金属化によって後
加工されて電気回路に作られる。
従来の技術
セラミック体は、その作用特性、例えば電気的特性、熱
伝導性、耐食性、耐摩耗性または装飾性を変化させ、改
良しまたは増大させるために金属化される。このよう々
金属化の場合には、セラミックに対する金属層の付着力
が常に極めて重要である。層の付着は、極めて一般的に
言えば、層材料と支持材料との間の比較的弱い相互作用
（所謂゛ファンデルワールス引力”）Ｋよるかまたは化
学的結合または機械的固定またはこれらの作用要素の組
合せによって起こる。
伝導性、耐食性、耐摩耗性または装飾性を変化させ、改
良しまたは増大させるために金属化される。このよう々
金属化の場合には、セラミックに対する金属層の付着力
が常に極めて重要である。層の付着は、極めて一般的に
言えば、層材料と支持材料との間の比較的弱い相互作用
（所謂゛ファンデルワールス引力”）Ｋよるかまたは化
学的結合または機械的固定またはこれらの作用要素の組
合せによって起こる。
これらの個々の作用要素の割合は特にセラミック支持体
の前処理および選択される金属化方式に依存している。
の前処理および選択される金属化方式に依存している。
電気工学でプリント配線板等の用途に関してセラミック
体、特にセラミック板を金属化するためには、しばしば
高価な若干の方法が知られている。例えば所謂薄膜回路
の場合のスフＩＪ −ン印刷した貴金属ペーストの焼付
けまたは真空蒸着または陰極スパッタリングによる所謂
薄膜回路の製造が挙げられる。これらの方法は、それら
の不経済性に依るのみならず、またこれらの方法によっ
て得られた金属化物の、方法に制約された種々の不利な
特性に基いて特定の用途に限定されている。すなわち金
または銅層用薄膜法の場合には、クロム、チタンまたは
モリブデンから成る付着促進性異種層が必要であり、厚
膜法の場合には導体材料は、埋込まれたガラス成分のた
めに著しく低下された導電性を有し、さらにまたスクリ
ーン印刷法に依シ幅約２００μｍよりも著しく細く施す
ことができない。
体、特にセラミック板を金属化するためには、しばしば
高価な若干の方法が知られている。例えば所謂薄膜回路
の場合のスフＩＪ −ン印刷した貴金属ペーストの焼付
けまたは真空蒸着または陰極スパッタリングによる所謂
薄膜回路の製造が挙げられる。これらの方法は、それら
の不経済性に依るのみならず、またこれらの方法によっ
て得られた金属化物の、方法に制約された種々の不利な
特性に基いて特定の用途に限定されている。すなわち金
または銅層用薄膜法の場合には、クロム、チタンまたは
モリブデンから成る付着促進性異種層が必要であり、厚
膜法の場合には導体材料は、埋込まれたガラス成分のた
めに著しく低下された導電性を有し、さらにまたスクリ
ーン印刷法に依シ幅約２００μｍよりも著しく細く施す
ことができない。
従来は、純金属、特に銅から成る導体をセラミック表面
上に直接施すという試みはなかった。 □それと
いうのもこれらの導体が比較的大きい導電性を有するの
で、比較的小さい条導体断面を要求するからである。こ
のような方法は、触媒的に活性な核の被覆されたセラミ
ック表面における銅の無電流化学的ないしは電気メッキ
的析出を基礎としている。公知法の場合には銅層の付着
力が十分でないかまたは銅層が欠陥過多で □あ
って、細い条導体パターンの信頼できる製造に適してい
ない。
上に直接施すという試みはなかった。 □それと
いうのもこれらの導体が比較的大きい導電性を有するの
で、比較的小さい条導体断面を要求するからである。こ
のような方法は、触媒的に活性な核の被覆されたセラミ
ック表面における銅の無電流化学的ないしは電気メッキ
的析出を基礎としている。公知法の場合には銅層の付着
力が十分でないかまたは銅層が欠陥過多で □あ
って、細い条導体パターンの信頼できる製造に適してい
ない。
発明が解決しようとする問題点
従って本発明は、セラミック支持体上に均一な付着性銅
層を安価にして確実に形成することができ、この際少な
（とも肌４ Ｎ ／ ＩＩｍの衝撃強さが得られ、かつ
特にプリント配線板の工業的大量生産の際に、前記衝撃
強さを保持しつつ微細構造の銅層を形成することができ
る冒頭記載の方法を開発するという課題を基礎にしてい
る。
層を安価にして確実に形成することができ、この際少な
（とも肌４ Ｎ ／ ＩＩｍの衝撃強さが得られ、かつ
特にプリント配線板の工業的大量生産の際に、前記衝撃
強さを保持しつつ微細構造の銅層を形成することができ
る冒頭記載の方法を開発するという課題を基礎にしてい
る。
問題点を解決するための手段
前記課題は、
−セラミック体を先づ予熱し、
−予熱されたセラミック体を、添加物を含有するアルカ
リ水酸化物溶融液で１ ｓｅｃ〜１０ｈ１好ましくは１
〜３０−の範囲の時間の間処理し、 一同処理を保護ガス雰囲気中で行い、 −次にセラミック体に熱的および化学的後処理を施しか
つ 一次に金属化を行う ことを特徴とする冒頭記載の方法によって解決される。
リ水酸化物溶融液で１ ｓｅｃ〜１０ｈ１好ましくは１
〜３０−の範囲の時間の間処理し、 一同処理を保護ガス雰囲気中で行い、 −次にセラミック体に熱的および化学的後処理を施しか
つ 一次に金属化を行う ことを特徴とする冒頭記載の方法によって解決される。
本発明は次の実施態様において有利に行うことができる
ニ ーセラミック体を、アルカリ水酸化物溶融液の温度に等
しいかまたは同温度よυもあまシ低くない温度に予熱す
る。
ニ ーセラミック体を、アルカリ水酸化物溶融液の温度に等
しいかまたは同温度よυもあまシ低くない温度に予熱す
る。
−アルカリ水酸化物溶融液は、融点を下げる添加物、エ
ツチング速度を高める添加物またはエツチング物体の溶
解性を改善する添加物を含有することができる。
ツチング速度を高める添加物またはエツチング物体の溶
解性を改善する添加物を含有することができる。
一該溶融液に好ましくは０．０１〜８０″ｉｔチ、好ま
しくは１〜５重量−の範囲の特定量の水を加える。
しくは１〜５重量−の範囲の特定量の水を加える。
一該溶融液によるセラミック体の処理を浸漬、スプレー
、ロール塗布または他の機械的方法によって行う。
、ロール塗布または他の機械的方法によって行う。
一保腰ガス雰囲気は不活性ガス、好ましくは窒素または
貴ガスから成る。保護ガスに水蒸気を加えてもよい。
貴ガスから成る。保護ガスに水蒸気を加えてもよい。
−アルカリ水酸化物溶融液で湿潤されたセラミック体の
後処理は、少なくとも同溶融液の温度に等しい温度に加
熱することである。
後処理は、少なくとも同溶融液の温度に等しい温度に加
熱することである。
−引続き行われる後処理は、８〜１１の範囲のｐＨ［を
有する溶液中でセラミック体を洗浄すること、または鉱
物を除去した水中でセラミック体を洗浄しかつ窒素気流
中で乾燥することである。
有する溶液中でセラミック体を洗浄すること、または鉱
物を除去した水中でセラミック体を洗浄しかつ窒素気流
中で乾燥することである。
一金属化は、無電流化学的および／または電気メッキ的
に行う。
に行う。
一セラミックは酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物およ
び珪化物なる物質群から成る。
び珪化物なる物質群から成る。
本発明は、触媒的核の均一な、信頼できる大きさの被覆
密度ならびに無電流化学的に析出された銅層の均一に高
い付着力を決定する前提力ζセラミック表面の清浄さ、
湿潤性および粗面化エツチング作用に関して再現可能の
前処理を達成することであって、これは公知方法では考
慮されていなかったという認識から出発する。
密度ならびに無電流化学的に析出された銅層の均一に高
い付着力を決定する前提力ζセラミック表面の清浄さ、
湿潤性および粗面化エツチング作用に関して再現可能の
前処理を達成することであって、これは公知方法では考
慮されていなかったという認識から出発する。
本発明は、特に、大部分のセラミック特性を化学的に不
活性化する所謂°ガラス状燃焼膜（ｇｌａｓａｒｔｉｇ
ｅ Ｂｒｅｎｎｈａｕｔ） ” ｆ再現可能に除去する
ことを基礎にしている。この方法によればセラミック表
面は清浄されるのみならず、化学的種類の除去方法によ
ってむしろ活性化され、ひいては露出されたセラミック
結晶の表面に対する化学的結合が起こシうる。しかしこ
の除去方法は狭面を過度に強く粗化してはならないし、
また材料組織を弛緩してもならない。それというのもそ
うでなければ必要な機械的結合が容易に破壊するからで
ある。従って１ガラス状燃焼膜”が−次的にそれによっ
て除去される化学的エツチング法が最適である。電子工
学で最も多く使用されるセラミック支持体材料である酸
化アルミニウムの場合には、文献〔例えばＲ，ｆｆツク
（Ｂｏｃｋ） ：アウフシュルスメトーデン・デル・ア
ルオルガニッチエン・ラント・オルガニツクエン・ヒエ
ミー（ＡｕｆｓｃｈｌｕＬ＆ｍｅｔｈｏａｅｎ ｄｅｒ
ａｖｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ ｕｎｄ ｏｒｇａｎｉｓ
ｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ） 、ヴアインハイム／ベルク
シュトラーセ（Ｗ６１ｎｈｅｉｍ／ Ｂｅｒｇｓｔｒａ
ｌＢｅ）在フエルラーク・ヒエミー（’Ｖｅｒｌａｇ
Ｃｈｅｍｉｅ） 、 １９７２参照〕から多数のエツ
チング剤が公知である。すなわち例えば燐酸、硫酸、硝
酸および弗化水素または弗化水素アンモニウムならびに
苛性ソーダ溶液または水酸化ナトリウム溶融液が知られ
ている。しかし酸は初めには極めて高い温度でセラミッ
ク表面に作用するが、次には作用が強すぎるかまたは不
均一になる。例えば***国特許出願公開第３１５０３９
９号から公知の方法を苛性ソーダ溶液の浸漬被覆に適用
する場合には、このようにして作られた層を先づ乾燥し
くこの際炭酸化の危険が生じる）、次に極めて高い温度
（約５００°Ｃ）で熱処理する、この際少量のアルカリ
水酸化物が不均一に分配されて支持体と迅速に反応し、
その結果それ以上のエツチング作用は起こシえない。ま
た水酸化ナトリウム溶融液中での浸漬処理の方法の場合
にもＮａＯＨの融点（ｍｐ＝３１８６０）を越える温度
でも著しく強いエツチング作用は起こりえない。
活性化する所謂°ガラス状燃焼膜（ｇｌａｓａｒｔｉｇ
ｅ Ｂｒｅｎｎｈａｕｔ） ” ｆ再現可能に除去する
ことを基礎にしている。この方法によればセラミック表
面は清浄されるのみならず、化学的種類の除去方法によ
ってむしろ活性化され、ひいては露出されたセラミック
結晶の表面に対する化学的結合が起こシうる。しかしこ
の除去方法は狭面を過度に強く粗化してはならないし、
また材料組織を弛緩してもならない。それというのもそ
うでなければ必要な機械的結合が容易に破壊するからで
ある。従って１ガラス状燃焼膜”が−次的にそれによっ
て除去される化学的エツチング法が最適である。電子工
学で最も多く使用されるセラミック支持体材料である酸
化アルミニウムの場合には、文献〔例えばＲ，ｆｆツク
（Ｂｏｃｋ） ：アウフシュルスメトーデン・デル・ア
ルオルガニッチエン・ラント・オルガニツクエン・ヒエ
ミー（ＡｕｆｓｃｈｌｕＬ＆ｍｅｔｈｏａｅｎ ｄｅｒ
ａｖｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ ｕｎｄ ｏｒｇａｎｉｓ
ｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ） 、ヴアインハイム／ベルク
シュトラーセ（Ｗ６１ｎｈｅｉｍ／ Ｂｅｒｇｓｔｒａ
ｌＢｅ）在フエルラーク・ヒエミー（’Ｖｅｒｌａｇ
Ｃｈｅｍｉｅ） 、 １９７２参照〕から多数のエツ
チング剤が公知である。すなわち例えば燐酸、硫酸、硝
酸および弗化水素または弗化水素アンモニウムならびに
苛性ソーダ溶液または水酸化ナトリウム溶融液が知られ
ている。しかし酸は初めには極めて高い温度でセラミッ
ク表面に作用するが、次には作用が強すぎるかまたは不
均一になる。例えば***国特許出願公開第３１５０３９
９号から公知の方法を苛性ソーダ溶液の浸漬被覆に適用
する場合には、このようにして作られた層を先づ乾燥し
くこの際炭酸化の危険が生じる）、次に極めて高い温度
（約５００°Ｃ）で熱処理する、この際少量のアルカリ
水酸化物が不均一に分配されて支持体と迅速に反応し、
その結果それ以上のエツチング作用は起こシえない。ま
た水酸化ナトリウム溶融液中での浸漬処理の方法の場合
にもＮａＯＨの融点（ｍｐ＝３１８６０）を越える温度
でも著しく強いエツチング作用は起こりえない。
ところで、ＮａＯＨ溶融液のエツチング作用が意外にも
比較的小さい水分によって著しく高められうることが判
明した。さらに、高められたエツチング作用によってセ
ラミック表面がはるかく強く、就中均一に粗化され、こ
れＫよって金属化の際の機械的結合作用の度合が高めら
れることによって付着力の著しい増大が起こることも判
明した。また、粗化の程度が溶融液の水分を介して極め
て良好に制御されうることも判明した。付着力の測定の
ためには銅被後セラミ・ツク試験体にフォトエツチング
により幅１ｍの細片ｋｍ本として製出し、これらの細片
を直角方向く剥離するための力を引張試験機で測定する
。図面は、Ｎ／１！ＩＩで測定した剥離力がエツチング
のために使用した水、酸化ナトリウム溶融液の水分（重
量％で測定）に依存することを示す。
比較的小さい水分によって著しく高められうることが判
明した。さらに、高められたエツチング作用によってセ
ラミック表面がはるかく強く、就中均一に粗化され、こ
れＫよって金属化の際の機械的結合作用の度合が高めら
れることによって付着力の著しい増大が起こることも判
明した。また、粗化の程度が溶融液の水分を介して極め
て良好に制御されうることも判明した。付着力の測定の
ためには銅被後セラミ・ツク試験体にフォトエツチング
により幅１ｍの細片ｋｍ本として製出し、これらの細片
を直角方向く剥離するための力を引張試験機で測定する
。図面は、Ｎ／１！ＩＩで測定した剥離力がエツチング
のために使用した水、酸化ナトリウム溶融液の水分（重
量％で測定）に依存することを示す。
ＮａＯＨ溶融液のすでに僅かの水濃度によるエツチング
作市の増大によって、水分が０％か、ら約２％に増加す
ると、厚さ１５μｍの銅層の付着力は０．３Ｎ／ｍから
０．８Ｎ／ｓｎを越える。すべての剥離力の測定で１５
μｍの層厚を守った。
作市の増大によって、水分が０％か、ら約２％に増加す
ると、厚さ１５μｍの銅層の付着力は０．３Ｎ／ｍから
０．８Ｎ／ｓｎを越える。すべての剥離力の測定で１５
μｍの層厚を守った。
ＡＪ ２０３セラミツクに対するＮａＯＨ溶融液のエツ
チング作用の増大は、水酸化物溶融液の活性が水分によ
って増大しかつ反応生成物の溶解性、つまシアルミン酸
塩の形成（例えば方程式：％式％） による）が水の存在を前提としていることによって立証
することができる。ＮａＯＨ溶融液はその水分に関して
は溶融液上に存在する大気の水蒸気分と平衡している。
チング作用の増大は、水酸化物溶融液の活性が水分によ
って増大しかつ反応生成物の溶解性、つまシアルミン酸
塩の形成（例えば方程式：％式％） による）が水の存在を前提としていることによって立証
することができる。ＮａＯＨ溶融液はその水分に関して
は溶融液上に存在する大気の水蒸気分と平衡している。
水蒸気分は普通の室内空気の場合には極めて小さいので
、６１８℃の温度で平衡している溶融液の水分は高々１
０／。。
、６１８℃の温度で平衡している溶融液の水分は高々１
０／。。
である。この小さい水分は酸化アルミニウムのエツチン
グの際には例えばアルミン酸塩の形成によって直ちに使
用されてしまい、水を含まない溶融液による後続のエツ
チング工程は極めて不十分な結果をもたらす。
グの際には例えばアルミン酸塩の形成によって直ちに使
用されてしまい、水を含まない溶融液による後続のエツ
チング工程は極めて不十分な結果をもたらす。
数パーセントの水を添加して新たに適用したＮａＯＨ溶
融液は極めて良好な粗化をもたらすが、その効果を再現
することが極めて困難であることが判った。これに対し
て高い水蒸気分圧を有する溶融液上のガス雰囲気によっ
て、ＮａＯＨ溶融液の一定の、同時に比較的高い水分が
得られる。この雰囲気と共に、二酸化炭素が溶融液中に
入ることができないように配慮する場合には、溶融液の
炭酸塩化も有効に防止される。こめ方法はその他のアル
カリ水酸化物、例えばＬｉＯＨおよびＫＯＩ（またはこ
れらから成る混合物に関しても同様に良好に実施するこ
とができる。
融液は極めて良好な粗化をもたらすが、その効果を再現
することが極めて困難であることが判った。これに対し
て高い水蒸気分圧を有する溶融液上のガス雰囲気によっ
て、ＮａＯＨ溶融液の一定の、同時に比較的高い水分が
得られる。この雰囲気と共に、二酸化炭素が溶融液中に
入ることができないように配慮する場合には、溶融液の
炭酸塩化も有効に防止される。こめ方法はその他のアル
カリ水酸化物、例えばＬｉＯＨおよびＫＯＩ（またはこ
れらから成る混合物に関しても同様に良好に実施するこ
とができる。
セラミック体の、好ましくは保護ガス雰囲気中での予熱
によって、温度ショックによって生じた応力の分解に対
する敏感なセラミック部分の保護ならびにエツチング速
度および再現性がさらに増大される。
によって、温度ショックによって生じた応力の分解に対
する敏感なセラミック部分の保護ならびにエツチング速
度および再現性がさらに増大される。
次に実施例によシ本発明を詳述する。
実施例
例１
Ａｌ２Ｏ２９９，５チから成シ、寸法５０．８ Ｘ ２
５Ａ×０．６−および平均粗さ０．２５μｍを有する薄
膜回路用酸化アルミニウムセラミック支持体を、乾燥室
で２５０°Ｃの温度に予熱する。水酸化ナトリウムケー
クおよび５チの水から、３６０℃で均質な溶融液を調製
する。この溶融液中に前記セラミック支持体ｔ−２０分
間浸漬する。セラミック支持体を取出して冷却した後、
同支持体を２％苛性ソーダ溶液で処理し、次に鉱物を除
去した流動水の下でかつ超音波の補助によって入念に洗
浄する。乾燥した試験体は約０．５μｍの平均粗さを示
す。
５Ａ×０．６−および平均粗さ０．２５μｍを有する薄
膜回路用酸化アルミニウムセラミック支持体を、乾燥室
で２５０°Ｃの温度に予熱する。水酸化ナトリウムケー
クおよび５チの水から、３６０℃で均質な溶融液を調製
する。この溶融液中に前記セラミック支持体ｔ−２０分
間浸漬する。セラミック支持体を取出して冷却した後、
同支持体を２％苛性ソーダ溶液で処理し、次に鉱物を除
去した流動水の下でかつ超音波の補助によって入念に洗
浄する。乾燥した試験体は約０．５μｍの平均粗さを示
す。
次の無電流化学的金属化のために、該支持体を塩化錫（
Ｉ［）溶液、水および塩化パラジウム溶液中に順次に浸
漬し、次に水中で洗浄すると、周知のように触媒的核で
被覆される。次に現在市販の化学的銅−ホルムアルデヒ
ド浴から厚さ約０．３μｍの銅基層が無電流化学的に析
出され、洗浄後に現在市販の電気メッキ用硫酸鋼浴中で
銅層が増加されて約１５μｍになる。
Ｉ［）溶液、水および塩化パラジウム溶液中に順次に浸
漬し、次に水中で洗浄すると、周知のように触媒的核で
被覆される。次に現在市販の化学的銅−ホルムアルデヒ
ド浴から厚さ約０．３μｍの銅基層が無電流化学的に析
出され、洗浄後に現在市販の電気メッキ用硫酸鋼浴中で
銅層が増加されて約１５μｍになる。
付漕力試験のためにセラミック試験体においてフォトエ
ツチング法によシ幅１鱈の細片ヲ橡本として製出し、引
張試験機を用いて同細片を直角方向に剥離するだめの力
を測定する。この際約０．７Ｎ／ｌｌＩ＋の剥離力が測
定される。水を含有するＮａ ＯＨ溶融液中で前処理し
なければ、銅層の付着は不均一であって、場合によって
０．１Ｎ／顛の剥離力を有する。
ツチング法によシ幅１鱈の細片ヲ橡本として製出し、引
張試験機を用いて同細片を直角方向に剥離するだめの力
を測定する。この際約０．７Ｎ／ｌｌＩ＋の剥離力が測
定される。水を含有するＮａ ＯＨ溶融液中で前処理し
なければ、銅層の付着は不均一であって、場合によって
０．１Ｎ／顛の剥離力を有する。
例２
例１で記載したような酸化アミニウムセラミック支持体
を、２５０°０に２０分間予熱した後水酸化ナトリウム
溶融液中に浸漬する。この溶融液上には、予め２時間の
間、沸騰水を介する加熱管および導管で窒素を３００°
Ｃの温度に加熱して作られた窒素−水蒸気流を通した。
を、２５０°０に２０分間予熱した後水酸化ナトリウム
溶融液中に浸漬する。この溶融液上には、予め２時間の
間、沸騰水を介する加熱管および導管で窒素を３００°
Ｃの温度に加熱して作られた窒素−水蒸気流を通した。
溶融液の温度は３２０°Ｃであった。セラミック試験体
は、洗浄および乾燥後には約１．０μｍの平均粗さを有
していた。この試験体に核を施した後、現在市販のニッ
ケルー次亜燐酸塩浴から約１．０μｍのニッケルー燐で
予備金属化し、洗浄後に硫酸銅液中で電気メッキによシ
銅の層厚を増加させて約１５μｍにした。幅１Ｒの剥離
細片をフォトエツチング法によシ製出した後、０．９Ｎ
゛／Ｂの剥離力を測定した。
は、洗浄および乾燥後には約１．０μｍの平均粗さを有
していた。この試験体に核を施した後、現在市販のニッ
ケルー次亜燐酸塩浴から約１．０μｍのニッケルー燐で
予備金属化し、洗浄後に硫酸銅液中で電気メッキによシ
銅の層厚を増加させて約１５μｍにした。幅１Ｒの剥離
細片をフォトエツチング法によシ製出した後、０．９Ｎ
゛／Ｂの剥離力を測定した。
図面は鋼被覆セラミック体の剥離力が水酸化ナトリウム
溶融液の水分に依存することを示すグラフである。
溶融液の水分に依存することを示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも１回の後続金属化によつて少なくとも１
個の電気回路がその上に作られるセラミック体の後続金
属化を伴う化学的処理方法において、 −セラミック体を先づ予熱し、 −予熱されたセラミック体を、添加物を含有するアルカ
リ水酸化物溶融液で、１ｓｅｃ〜１０ｈの範囲の時間の
間処理し、 −同処理を保護ガス雰囲気中で行い、 −次にセラミック体に熱的および化学的後処理を施しか
つ −次いで金属化を行う ことを特徴とする後続金属化を伴うセラミック体の化学
的処理方法。 ２、セラミック体を、アルカリ水酸化物溶融液の温度に
等しいかまたは同温度よりもあまり低くない温度に予熱
する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、アルカリ水酸化物溶融液が、融点を下げる添加物を
含有する特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法
。 ４、アルカリ水酸化物溶融液が、エッチング速度を高め
る添加物を含有する特許請求の範囲第１項から第 項ま
でのいづれか１項記載の方法。 ５、アルカリ水酸化物溶融液が、エッチング物体の溶解
性を改善する添加物を含有する特許請求の範囲第１項か
ら第４項までのいづれか１項記載の方法。 ６、アルカリ水酸化物溶融液に好ましくは０．０１〜８
０重量％の範囲の特定量の水を加える特許請求の範囲第
１項から第５項までのいづれか１項記載の方法。 ７、アルカリ水酸化物溶融液によるセラミック体の処理
を浸漬、スプレー、ロール塗布または他の機械的方法に
よつて行う特許請求の範囲第１項から第６項までのいづ
れか１項記載の方法。 ８、不活性ガス、好ましくは窒素または貴ガスから成る
保護ガス雰囲気中で処理を行う特許請求の範囲第１項か
ら第７項までのいづれか１項記載の方法。 ９、保護ガスに水蒸気を加える特許請求の範囲第１項か
ら第８項までのいづれか１項記載の方法。 １０、アルカリ水酸化物溶融液で湿潤されたセラミック
体の後処理が、少なくとも同溶融液の温度に等しい温度
に加熱することである特許請求の範囲第１項から第９項
までのいづれか１項記載の方法。 １１、引続き行われる後処理が、８〜１１の範囲のｐＨ
値を有する溶液中でセラミック体を洗浄することである
特許請求の範囲第１項から第１０項までのいづれか１項
記載の方法。 １２、引続き行われる後処理が、鉱物を除去した水中で
セラミック体を洗浄しかつ窒素気流中で乾燥することで
ある特許請求の範囲第１項から第１１項までのいづれか
１項記載の方法。 １３、セラミック体を無電流化学的におよび／または電
気メッキ的に金属化する特許請求の範囲第１項から第１
２項までのいづれか１項記載の方法。 １４、セラミック体が酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化
物および珪化物なる物質群から成る特許請求の範囲第１
項から第１３項までのいづれか１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853523958 DE3523958A1 (de) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung |
| DE3523958.1 | 1985-07-04 | ||
| DE19863639642 DE3639642A1 (de) | 1985-07-04 | 1986-11-20 | Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627685A true JPS627685A (ja) | 1987-01-14 |
| JPH037635B2 JPH037635B2 (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=39327167
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154294A Granted JPS627685A (ja) | 1985-07-04 | 1986-07-02 | 後続金属化を伴うセラミツク体の化学的処理方法 |
| JP62506981A Pending JPH01502679A (ja) | 1985-07-04 | 1987-11-20 | 後に金属化を行なうセラミツク体の化学的処理法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62506981A Pending JPH01502679A (ja) | 1985-07-04 | 1987-11-20 | 後に金属化を行なうセラミツク体の化学的処理法 |
Country Status (6)
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|---|---|
| US (1) | US4913784A (ja) |
| EP (2) | EP0209748B1 (ja) |
| JP (2) | JPS627685A (ja) |
| AT (2) | ATE48287T1 (ja) |
| DE (4) | DE3523958A1 (ja) |
| WO (1) | WO1988003962A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02503930A (ja) * | 1987-03-31 | 1990-11-15 | アドヴァンスド・セミコンダクター・マテリアルズ・アメリカ・インコーポレーテッド | 化学蒸着装置に使用する温度検知装置を有する回転式基材支持機構 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3523958A1 (de) * | 1985-07-04 | 1987-01-08 | Licentia Gmbh | Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung |
| US5234562A (en) * | 1988-11-07 | 1993-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electroplating apparatus for coating a dielectric resonator |
| CN1037039C (zh) * | 1993-05-14 | 1998-01-14 | 清川镀金工业有限公司 | 具有保险丝功能的金属膜电阻器及其制造方法 |
| DE4436903C2 (de) * | 1994-10-15 | 2003-10-30 | Daimler Chrysler Ag | Anordnung zur elektromagnetischen Abschirmung von elektronischen Schaltungen und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung |
| DE19541299C1 (de) * | 1995-11-06 | 1997-03-13 | Siemens Ag | Verfahren zum Auflösen eines ausgehärteten Glaslotes |
| US6141870A (en) | 1997-08-04 | 2000-11-07 | Peter K. Trzyna | Method for making electrical device |
| US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
| US7618769B2 (en) * | 2004-06-07 | 2009-11-17 | Applied Materials, Inc. | Textured chamber surface |
| US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
| FR2885995B1 (fr) | 2005-05-20 | 2007-07-06 | Eurokera | Plaque vitroceramique et son procede de fabrication |
| US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
| US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
| US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
| US20070125646A1 (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-07 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target for titanium sputtering chamber |
| US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
| US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
| US7942969B2 (en) * | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| US20080318071A1 (en) * | 2007-06-21 | 2008-12-25 | Moen Incorporated | Metallic coating on substrate |
| US9101954B2 (en) | 2013-09-17 | 2015-08-11 | Applied Materials, Inc. | Geometries and patterns for surface texturing to increase deposition retention |
| WO2016008525A1 (en) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Subsea electrical connector component |
| US11084761B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-08-10 | Honeywell International Inc. | Method of pressure sintering an environmental barrier coating on a surface of a ceramic substrate |
| US11827574B2 (en) | 2018-09-14 | 2023-11-28 | Honeywell International Inc. | Method of pressure sintering an environmental barrier coating on a surface of a ceramic substrate |
| KR102335531B1 (ko) * | 2019-05-17 | 2021-12-07 | 주식회사 아모센스 | 세라믹 기판 제조 방법 |
| RU2723475C1 (ru) * | 2019-11-01 | 2020-06-11 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5482666A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Nonnelectrolytic plating method of insulated substrate |
| JPS6016886A (ja) * | 1983-06-09 | 1985-01-28 | コルモーゲン コーポレイション | セラミック基板表面の金属化方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1256997B (de) * | 1964-09-02 | 1967-12-21 | Bundesrep Deutschland | Verfahren zum Entfernen des Glases von glasumhuellten Draehten |
| US3690921A (en) * | 1970-12-07 | 1972-09-12 | Ibm | Method for strongly adhering a metal film on ceramic substrates |
| US4135012A (en) * | 1977-04-25 | 1979-01-16 | Corning Glass Works | Surface treatment of zirconia ceramic |
| US4428986A (en) * | 1982-11-18 | 1984-01-31 | Eaton Corporation | Method of preparing a beryllia substrate for subsequent autocatalytic deposition of a metallized film directly thereon |
| US4430170A (en) * | 1983-01-17 | 1984-02-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrodeposition of refractory metal carbides |
| US4574094A (en) * | 1983-06-09 | 1986-03-04 | Kollmorgen Technologies Corporation | Metallization of ceramics |
| US4604299A (en) * | 1983-06-09 | 1986-08-05 | Kollmorgen Technologies Corporation | Metallization of ceramics |
| US4666744A (en) * | 1984-05-10 | 1987-05-19 | Kollmorgen Technologies Corporation | Process for avoiding blister formation in electroless metallization of ceramic substrates |
| US4647477A (en) * | 1984-12-07 | 1987-03-03 | Kollmorgen Technologies Corporation | Surface preparation of ceramic substrates for metallization |
| DE3675965D1 (de) * | 1985-04-18 | 1991-01-17 | Galileo Electro Optics Corp | Verfahren zum entfernen einer oberflaechenschicht von einem metallfluorid-glas. |
| DE3523956A1 (de) * | 1985-07-04 | 1987-01-08 | Licentia Gmbh | Verfahren zur chemischen metallisierung eines elektrisch schlecht leitenden traegerkoerpers aus einem anorganischen material |
| DE3523958A1 (de) * | 1985-07-04 | 1987-01-08 | Licentia Gmbh | Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung |
-
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-
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- 1986-06-25 AT AT86108644T patent/ATE48287T1/de active
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- 1987-11-20 DE DE8787907598T patent/DE3773488D1/de not_active Expired - Lifetime
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1989
- 1989-01-12 US US07/298,245 patent/US4913784A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5482666A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Nonnelectrolytic plating method of insulated substrate |
| JPS6016886A (ja) * | 1983-06-09 | 1985-01-28 | コルモーゲン コーポレイション | セラミック基板表面の金属化方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02503930A (ja) * | 1987-03-31 | 1990-11-15 | アドヴァンスド・セミコンダクター・マテリアルズ・アメリカ・インコーポレーテッド | 化学蒸着装置に使用する温度検知装置を有する回転式基材支持機構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| ATE68018T1 (de) | 1991-10-15 |
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| EP0290539A1 (de) | 1988-11-17 |
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| ATE48287T1 (de) | 1989-12-15 |
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| DE3667182D1 (de) | 1990-01-04 |
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| DE3773488D1 (de) | 1991-11-07 |
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