JPS6276597A - 多層セラミツク配線基板 - Google Patents
多層セラミツク配線基板Info
- Publication number
- JPS6276597A JPS6276597A JP21536185A JP21536185A JPS6276597A JP S6276597 A JPS6276597 A JP S6276597A JP 21536185 A JP21536185 A JP 21536185A JP 21536185 A JP21536185 A JP 21536185A JP S6276597 A JPS6276597 A JP S6276597A
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- JP
- Japan
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- multilayer ceramic
- nitride
- ceramic
- substrate
- conductor
- Prior art date
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明（−多層セラミ、り配線基板に関するものである
。
。
（従来技術とその問題点）
半等体技術の飛躍的な進展ｌこよって、ＩＣ，ＬＳＩが
産業用、民需用に幅広く便用されるよう番こなってさて
いる。
産業用、民需用に幅広く便用されるよう番こなってさて
いる。
特に集積密度の高い、高速作動のＬＳＩの実装用基板と
して多層セラミック基板が注目されている。この多層セ
ラミラフ基板Ｖｉ直接ＬＳＩを実装することができ微細
多重配線が可能である。
して多層セラミック基板が注目されている。この多層セ
ラミラフ基板Ｖｉ直接ＬＳＩを実装することができ微細
多重配線が可能である。
一般（こセラミック基板の材料としてぼ、王にアルミナ
が使用されているが、近年電気装置は一段と小型化され
、回路の高密度化が強く要求され。
が使用されているが、近年電気装置は一段と小型化され
、回路の高密度化が強く要求され。
基板の単位面積当りの素子や回路要素の集積度が高くｌ
−６でいる。一方ＬＳＩ／こおいてに、潤速作動を行な
うｌこ従いチップから発生する熱が多＠（こなってくる
傾向（こある。この結果、基板の発熱が大幅に増加し、
アルミナ基板では、熱の放牧性が十分ではないという問
題が生じている。その１こめ。
−６でいる。一方ＬＳＩ／こおいてに、潤速作動を行な
うｌこ従いチップから発生する熱が多＠（こなってくる
傾向（こある。この結果、基板の発熱が大幅に増加し、
アルミナ基板では、熱の放牧性が十分ではないという問
題が生じている。その１こめ。
アルミナ基板よりも熱伝導率が大きく、熱の放牧だ
性に優れ１絶縁基版が必要になってきた。
そこで熱放散性ｌこ対して優れた材料として炭化ケイ素
とＰ主成分さしたセラミック基板が開発された（特開昭
５７−１８０００６号公報）。炭化ケイ素ｔゴそれ自体
電気的ｌこ半導体ｌこＭ［、、比抵抗が１〜１０Ω・ｃ
ｍ程５度で電気絶骨性がないため、絶縁基板と１．てげ
用いることができない。また、災化ケイ累は軸転が高く
非常に・焼結しにくいので、通常焼結に際してに少１の
焼結助剤を添加し、高温で加圧するいわゆるホットプレ
ス法ｌこより作られる。この焼結助剤として酸化１ノベ
ＩＪ ＩＪウムや窒化ホウ素を用いると、焼結助剤効果
だけでなく、電気絶縁性に対しても有効で炭化ケイ素主
成分の焼結基板の比抵抗がｌＯΩ・α以上となる。しか
し、ＬＳＩ等の実装基板ζこおいて重要な要因の１つで
ある誘１１！率に１ＭＨｚ で４０と力・なり高く、添
加剤を加えた絶縁性も電圧が５ｖ程度になると粒子間の
絶縁が＠、激ｌこ低下するため耐電圧に対しても問題が
ある。
とＰ主成分さしたセラミック基板が開発された（特開昭
５７−１８０００６号公報）。炭化ケイ素ｔゴそれ自体
電気的ｌこ半導体ｌこＭ［、、比抵抗が１〜１０Ω・ｃ
ｍ程５度で電気絶骨性がないため、絶縁基板と１．てげ
用いることができない。また、災化ケイ累は軸転が高く
非常に・焼結しにくいので、通常焼結に際してに少１の
焼結助剤を添加し、高温で加圧するいわゆるホットプレ
ス法ｌこより作られる。この焼結助剤として酸化１ノベ
ＩＪ ＩＪウムや窒化ホウ素を用いると、焼結助剤効果
だけでなく、電気絶縁性に対しても有効で炭化ケイ素主
成分の焼結基板の比抵抗がｌＯΩ・α以上となる。しか
し、ＬＳＩ等の実装基板ζこおいて重要な要因の１つで
ある誘１１！率に１ＭＨｚ で４０と力・なり高く、添
加剤を加えた絶縁性も電圧が５ｖ程度になると粒子間の
絶縁が＠、激ｌこ低下するため耐電圧に対しても問題が
ある。
又、ＢｅＯ粉末を用いて多層セラミック基板を作成する
ことに可能であるが有毒性である為実用上困難な面がで
てくる。
ことに可能であるが有毒性である為実用上困難な面がで
てくる。
一万プロセス的観点からしてホットプレス法を適用しな
ければならず、装置が大がかりｌこなるは力・りでなく
、基板の形状も大面積化に困難でるり表面平滑性（こ対
しても問題が多い。さらｌこ炭化ケイ素系を用いたセラ
ミック基板においてに、従来のグリーンシート法を用い
１こアルミナ多層セラミック基板技術を利用することに
プロセス的に極めて困難である。ここでいうグリーンシ
ート法多層セラミック基板技術とに次に示す技術である
。まずセラミック粉末を有機とヒクルとともに混合し、
スラリー化する。このスラリーをキャスティング製膜法
により１０μ〉４００μｍ程度の厚みを有するシート８
−有機フィルム上に形成する。該シートを所定の大＠窟
に切断し、各層間の導通を得るためのスルーホールを形
成したのち、厚膜印刷ＩＥ、−こより所定の導体パター
ンを形成する。これらの各導体パターンを形成したセラ
ミッククリーンシートを積層プレスし、脱バインダ一工
程を経て焼成する。
ければならず、装置が大がかりｌこなるは力・りでなく
、基板の形状も大面積化に困難でるり表面平滑性（こ対
しても問題が多い。さらｌこ炭化ケイ素系を用いたセラ
ミック基板においてに、従来のグリーンシート法を用い
１こアルミナ多層セラミック基板技術を利用することに
プロセス的に極めて困難である。ここでいうグリーンシ
ート法多層セラミック基板技術とに次に示す技術である
。まずセラミック粉末を有機とヒクルとともに混合し、
スラリー化する。このスラリーをキャスティング製膜法
により１０μ〉４００μｍ程度の厚みを有するシート８
−有機フィルム上に形成する。該シートを所定の大＠窟
に切断し、各層間の導通を得るためのスルーホールを形
成したのち、厚膜印刷ＩＥ、−こより所定の導体パター
ンを形成する。これらの各導体パターンを形成したセラ
ミッククリーンシートを積層プレスし、脱バインダ一工
程を経て焼成する。
藏密度実装基根として具備すべき王な性質として□ｄ、
（１）電気特性に対して誘Ｎ１率が低く、誘電損失が
小さく、また電気絶縁性に優れていること、（２）機械
的強度が十分であること、（３）熱伝導性が高いこと、
（４）熱膨張係数がシリコンチップ等のそれｌこ近いこ
と、（５）表面平滑性が優ｎていること、および（６）
高密度化が容易であること等が必要である。
（１）電気特性に対して誘Ｎ１率が低く、誘電損失が
小さく、また電気絶縁性に優れていること、（２）機械
的強度が十分であること、（３）熱伝導性が高いこと、
（４）熱膨張係数がシリコンチップ等のそれｌこ近いこ
と、（５）表面平滑性が優ｎていること、および（６）
高密度化が容易であること等が必要である。
こｙ−ｔらの基板性質全般に対して前述のセラミック基
＆に決して十分なものであるとはいえない。
＆に決して十分なものであるとはいえない。
一方、高熱伝導性基板の材料として窒化アルミニウムが
開発されている（特開昭５９−５００７７号公報など）
。し力・しながらこの材料も高温で焼結しｌけ几ばなら
ず、ホットプレス法ｌこよる作製方法が玉流ａなってお
り、′１だ窒化アルミニウムを用いγこ多Ｊｆｊ配線基
板（グ夫玩されてぃない（発明の目的） 本発明は、前述した従来のセラミメック配腺基板の欠点
を踪去せしめで熱伝導性の優れた、内部に導体を・角す
る高花′度、局熱体寺多尼・セラミック配線基板を提供
することにある、 （発明の構成） 本発明シこよれば、セラミックス構造体が窒化アルミニ
ウムを主成分とする多結晶体で構成さすし、得体層の主
成分が二種以上の窒化金属の混合物からなることを特徴
とする高熱伝導多層セラミック配線基板が得られる。
開発されている（特開昭５９−５００７７号公報など）
。し力・しながらこの材料も高温で焼結しｌけ几ばなら
ず、ホットプレス法ｌこよる作製方法が玉流ａなってお
り、′１だ窒化アルミニウムを用いγこ多Ｊｆｊ配線基
板（グ夫玩されてぃない（発明の目的） 本発明は、前述した従来のセラミメック配腺基板の欠点
を踪去せしめで熱伝導性の優れた、内部に導体を・角す
る高花′度、局熱体寺多尼・セラミック配線基板を提供
することにある、 （発明の構成） 本発明シこよれば、セラミックス構造体が窒化アルミニ
ウムを主成分とする多結晶体で構成さすし、得体層の主
成分が二種以上の窒化金属の混合物からなることを特徴
とする高熱伝導多層セラミック配線基板が得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることをこより従来技術の問
題点を解決した。
題点を解決した。
１ず多１行セラミック基板を溝底する絶縁セラミックス
材料として、熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用いた
２この拐科は焼成後、窒化アルミニウム多結晶の緻密な
構造体を形成する。間熱伝導率を得るためｌこは焼結体
の官有酸素量が少ない方が好さしくその為Ａこ添加物と
して還元効果のある還元剤を入れることが好寸しい。
材料として、熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用いた
２この拐科は焼成後、窒化アルミニウム多結晶の緻密な
構造体を形成する。間熱伝導率を得るためｌこは焼結体
の官有酸素量が少ない方が好さしくその為Ａこ添加物と
して還元効果のある還元剤を入れることが好寸しい。
欠−こ、導体層に関しては、窒化アルミニウムで榊灰で
れているセラミックス層に複数の電源層、グランド層お
よび４ｊ！ｌ細な信号線等の導体層を形成し、これらの
複数の導体層をセラミックス層中ｌこ設けたピアホール
を介して電気的に接続されている。
れているセラミックス層に複数の電源層、グランド層お
よび４ｊ！ｌ細な信号線等の導体層を形成し、これらの
複数の導体層をセラミックス層中ｌこ設けたピアホール
を介して電気的に接続されている。
したがって、実装基板の配線密度が非常１こ高め（実施
例） 以下本発明の実施例ｆこついて図面を参照して詳細に説
明する。
例） 以下本発明の実施例ｆこついて図面を参照して詳細に説
明する。
第１図に本発明による高熱伝導多層セラミック配線基板
の実施例を示す説明図である。ＩＨ絶縁セラミックス層
であり、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構
成されている。２は信号線および電源等の導体層であり
、二種以上の窒化金属の混合物を主成分として形成源れ
でおり、絶縁セラミックス層に形成されたピアホール３
を介して各層間を電気的４こ接続している。このように
構成されている多層セラミックス基板上に１ＬｓＩチ、
１がマウント出来るようζこダイパッド４およびボンテ
ィングパノド５が形成され、該実装基板外にイｇ号を取
り出したり、基板内へ信号を入れ１こりするための入出
力用バッド６が７板畳面ζこ形成されている。基板上イ
こマウントされたＬＳＩ チップから発生する熱をダイ
パッド４を介してセラミックス基板内へ拡散させる。セ
ラミック基板の熱伝導率が高いことにより熱拡散が効率
的に行なわれること正こなり、ＬＳＩ チップの発熱
による高温化を防止することができる。
の実施例を示す説明図である。ＩＨ絶縁セラミックス層
であり、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構
成されている。２は信号線および電源等の導体層であり
、二種以上の窒化金属の混合物を主成分として形成源れ
でおり、絶縁セラミックス層に形成されたピアホール３
を介して各層間を電気的４こ接続している。このように
構成されている多層セラミックス基板上に１ＬｓＩチ、
１がマウント出来るようζこダイパッド４およびボンテ
ィングパノド５が形成され、該実装基板外にイｇ号を取
り出したり、基板内へ信号を入れ１こりするための入出
力用バッド６が７板畳面ζこ形成されている。基板上イ
こマウントされたＬＳＩ チップから発生する熱をダイ
パッド４を介してセラミックス基板内へ拡散させる。セ
ラミック基板の熱伝導率が高いことにより熱拡散が効率
的に行なわれること正こなり、ＬＳＩ チップの発熱
による高温化を防止することができる。
本実施例の配線基板の製造方法は次のとおりである。本
発明の基板を構成しているセラミックス材料とじてに、
窒化アルミニウムの焼結性を高めるため添加物としてＣ
ａＣＪを混入させている。まず窒化アルミニウム粉末と
Ｃ：ｑＣＪ粉末とを秤１し、ボールミルにより有機溶媒
中での湿式混合を４８時間行なった。
発明の基板を構成しているセラミックス材料とじてに、
窒化アルミニウムの焼結性を高めるため添加物としてＣ
ａＣＪを混入させている。まず窒化アルミニウム粉末と
Ｃ：ｑＣＪ粉末とを秤１し、ボールミルにより有機溶媒
中での湿式混合を４８時間行なった。
この混合粉末をポリカプロラクトン系あるいはポリアク
リレート系樹脂等の中性雰囲気下で分解されやすい有機
バインダーとおもに溶媒中に分散し粘度３０００〜７０
００ｃｐの範囲の泥漿そ作成する。該泥漿をキャスティ
ング製膜法ｌこより１０μｍ〜２００μｍ程度の均一な
厚みになるようｆこ、有機フィルム上にグリーンシート
ラ作成する。
リレート系樹脂等の中性雰囲気下で分解されやすい有機
バインダーとおもに溶媒中に分散し粘度３０００〜７０
００ｃｐの範囲の泥漿そ作成する。該泥漿をキャスティ
ング製膜法ｌこより１０μｍ〜２００μｍ程度の均一な
厚みになるようｆこ、有機フィルム上にグリーンシート
ラ作成する。
次をここのグリーンシートを有機フィルムから剥離した
のち、各層間を電気的に接続するためのピアホールを作
成する。ここで形成したピアホールに機械的にポンチお
よびダイを用いて打抜いたが他船こレーザー加工等の方
法によっても開けることが可能である。
のち、各層間を電気的に接続するためのピアホールを作
成する。ここで形成したピアホールに機械的にポンチお
よびダイを用いて打抜いたが他船こレーザー加工等の方
法によっても開けることが可能である。
ピアホールの形成されタグリーンシート上へ。
ｇ累算囲気あるいけ他の中性雰囲気あるいは還元雰囲気
の下で焼成した際、二種以上の窒化金属の混合物となる
化合物を主成分とした導体ペーストをスクリーン印刷法
ｌこより所定の位ＷＥこ所定のパターンを印刷する。こ
うして導体を印刷した各グリーンシートを所望の枚数積
層し加熱プレスする。
の下で焼成した際、二種以上の窒化金属の混合物となる
化合物を主成分とした導体ペーストをスクリーン印刷法
ｌこより所定の位ＷＥこ所定のパターンを印刷する。こ
うして導体を印刷した各グリーンシートを所望の枚数積
層し加熱プレスする。
その後必要な形状になるようｌこカッターを用いて切断
し １４００℃〜２０００℃の温度で非酸化性雰囲気中
で焼成する。焼成の際、その昇温過程で４００°Ｃ〜６
００℃の温度で脱バインダーを充分に行なった。作成し
た試料ｆご用いた導体ペーストの組成を第１表４こ、ま
た試料の特性値を第２表に示す。
し １４００℃〜２０００℃の温度で非酸化性雰囲気中
で焼成する。焼成の際、その昇温過程で４００°Ｃ〜６
００℃の温度で脱バインダーを充分に行なった。作成し
た試料ｆご用いた導体ペーストの組成を第１表４こ、ま
た試料の特性値を第２表に示す。
導体ペースト材料としてＮｂＮ、ＴａＮ、ＶＮ、Ｚｒへ
ふ・よびＴ１へを用いた。
ふ・よびＴ１へを用いた。
ここｌこ示したぶ加物（ＣａＣ２）の遺は窒化アルミニ
ウムを１００としたときの唾である。またフリット訃は
導体材料とフリット材料を合せた重量に対しての値で、
Ｓ６゜ 作成した基板の電気的特性を測足した結果、比抵抗が１
０ Ω・儂以上であり、訪亀率は８７（１ＭＨｚ）−
ｉｊＮ！損失はｌＸｌ０ 以下（Ｉ ＭＨｚ ：で
あった。電気的特性（こおいても従来の基板に対して同
程度以上あり実装基板として十分であるこＢａＣｚ、５
ｒＣｚ、ＮａｔＣｚ、Ｋ２Ｏ）ｌ、ＣｕＣｚ、ＭｇＣ２
，Ａｇｚ（Ｊ、ＺｒＣｚ等を用いり場合においても窒化
アルミニウムの焼結性を向上させる効果が得らｉた。
ウムを１００としたときの唾である。またフリット訃は
導体材料とフリット材料を合せた重量に対しての値で、
Ｓ６゜ 作成した基板の電気的特性を測足した結果、比抵抗が１
０ Ω・儂以上であり、訪亀率は８７（１ＭＨｚ）−
ｉｊＮ！損失はｌＸｌ０ 以下（Ｉ ＭＨｚ ：で
あった。電気的特性（こおいても従来の基板に対して同
程度以上あり実装基板として十分であるこＢａＣｚ、５
ｒＣｚ、ＮａｔＣｚ、Ｋ２Ｏ）ｌ、ＣｕＣｚ、ＭｇＣ２
，Ａｇｚ（Ｊ、ＺｒＣｚ等を用いり場合においても窒化
アルミニウムの焼結性を向上させる効果が得らｉた。
（発明の効果）
実施例からも明らかなよう（こ、本発明ｉこまり容易Ｊ
こ信号線および電源層等を含めた導体を有する高密度な
回路を形成することが出来、熱放散性ｆこ対しても３１
ヨ常（こ有効な高熱体Ｚ、り多層セラミック配線基板力
課１られる、 従来用いられているアルミナ基板の熱伝導率は＋７Ｗ／
ｍＫであり１本発明基板の熱伝導率が非常数〆こおいて
汀、アルミナ基板が６５×１０ ７”Ｃであるのに対し
て本発明基板は小さな１直をもち。
こ信号線および電源層等を含めた導体を有する高密度な
回路を形成することが出来、熱放散性ｆこ対しても３１
ヨ常（こ有効な高熱体Ｚ、り多層セラミック配線基板力
課１られる、 従来用いられているアルミナ基板の熱伝導率は＋７Ｗ／
ｍＫであり１本発明基板の熱伝導率が非常数〆こおいて
汀、アルミナ基板が６５×１０ ７”Ｃであるのに対し
て本発明基板は小さな１直をもち。
よりシリコンチップの熱膨張係数に近い値ｊこなってお
り有利である。
り有利である。
Claims (2)
- （１）セラミック層を介して三次元的に導体が形成され
た多層セラミック配線基板において、窒化アルミニウム
を主成分とするセラミック層と、二種以上の窒化金属の
混合物を主成分として導体を備えたことを特徴とする多
層セラミック配線基板。 - （２）上記窒化金属が、窒化チタン、窒化ジルコニウム
、窒化バナジウム、窒化タンタルおよび窒化ニオブであ
る特許請求の範囲１項記載の多層セラミック配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21536185A JPS6276597A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 多層セラミツク配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21536185A JPS6276597A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 多層セラミツク配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276597A true JPS6276597A (ja) | 1987-04-08 |
| JPH0443440B2 JPH0443440B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=16671016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21536185A Granted JPS6276597A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 多層セラミツク配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276597A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62211985A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性回路基板 |
| JPH0529360U (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-20 | 日東紡績株式会社 | ロツクウールポツトカバー |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180006A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Hitachi Ltd | High thermally conductive electric insulator |
| JPS6077186A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 |
| JPS60173900A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | 株式会社東芝 | セラミツクス回路基板 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21536185A patent/JPS6276597A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180006A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Hitachi Ltd | High thermally conductive electric insulator |
| JPS6077186A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 |
| JPS60173900A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | 株式会社東芝 | セラミツクス回路基板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62211985A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性回路基板 |
| JPH0529360U (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-20 | 日東紡績株式会社 | ロツクウールポツトカバー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0443440B2 (ja) | 1992-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |