JPS6271294A - 多層セラミツク配線基板 - Google Patents
多層セラミツク配線基板Info
- Publication number
- JPS6271294A JPS6271294A JP21152985A JP21152985A JPS6271294A JP S6271294 A JPS6271294 A JP S6271294A JP 21152985 A JP21152985 A JP 21152985A JP 21152985 A JP21152985 A JP 21152985A JP S6271294 A JPS6271294 A JP S6271294A
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- Japan
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- multilayer ceramic
- substrate
- aluminum nitride
- conductor
- circuit substrate
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、多層セラミック基板、特に窒化ジルコニウム
を導体として利用する高熱伝導多層セラミック基板に関
するものである。
を導体として利用する高熱伝導多層セラミック基板に関
するものである。
（従来技術とその問題点）
半導体技術の飛躍的な進展によって、ＩＣ，ＬＳＩが産
業用、民需用に幅広く使用されるようになってきている
。
業用、民需用に幅広く使用されるようになってきている
。
特に集積密度の高い、高速作動のＬＳＩの実装用基板と
して多層セラミック基板が注目されている。この多層セ
ラミック基板は直接ＬＳＩを実装することができ微細多
層配線が可能である。
して多層セラミック基板が注目されている。この多層セ
ラミック基板は直接ＬＳＩを実装することができ微細多
層配線が可能である。
一般にセラミック基板の材料としては、主にアルミナが
使用されているが、近年電気装置は一段と小型化され、
回路の高密度化が強く要求され、基板の単位面積当夛の
素子や回路要素の集積度が高くなっている。一方ＬＳＩ
においては、高速作動を行なうに従いチップから発生す
る熱が多量罠なってくる傾向にある。この結果、基板の
発熱が大幅に増加し、アルミナ基板では、熱の放散性が
十分ではないという間層が生じている。そのため、アル
ミナ基板よシも熱伝導率が大きく、熱の放散性に憂れた
絶縁基板が必要になってきた。
使用されているが、近年電気装置は一段と小型化され、
回路の高密度化が強く要求され、基板の単位面積当夛の
素子や回路要素の集積度が高くなっている。一方ＬＳＩ
においては、高速作動を行なうに従いチップから発生す
る熱が多量罠なってくる傾向にある。この結果、基板の
発熱が大幅に増加し、アルミナ基板では、熱の放散性が
十分ではないという間層が生じている。そのため、アル
ミナ基板よシも熱伝導率が大きく、熱の放散性に憂れた
絶縁基板が必要になってきた。
そこで熱放散性に対して優れた材料として炭化ケイ素を
主成分としたセラミック基板が開発されたＣ特開昭５７
−１８０００６号公報）。炭化ケイ素はそれ自体電気的
に半導体に属し、比抵抗が１〜１０Ω・１程度で電気絶
縁性が危いため、絶縁基板としては用いることができな
い。また炭化ケイ素は融点が高く非常に焼結しにくいの
で、通常焼結に際しては少量の焼結助剤を添加し、高温
で加圧するいわゆるホットプレス法によシ作られる。こ
の焼結助剤として酸化ベリリウムや窒化ホウ素を用いる
と、焼結助剤効果だけでなく、電気絶縁性に対しても有
効で炭化ケイ素主成分の焼結基板の比抵抗が１０′６Ω
・１以上となる。しかし、ＬＳＩ等の実装基板において
重要な要因の１つである誘電率はＩＭＨｚで４０とかな
シ高く、添加剤を加えた絶縁性も電圧が５ｖ程度になる
と粒子間の絶縁が急激に低下するため耐電圧に対しても
問題がある。
主成分としたセラミック基板が開発されたＣ特開昭５７
−１８０００６号公報）。炭化ケイ素はそれ自体電気的
に半導体に属し、比抵抗が１〜１０Ω・１程度で電気絶
縁性が危いため、絶縁基板としては用いることができな
い。また炭化ケイ素は融点が高く非常に焼結しにくいの
で、通常焼結に際しては少量の焼結助剤を添加し、高温
で加圧するいわゆるホットプレス法によシ作られる。こ
の焼結助剤として酸化ベリリウムや窒化ホウ素を用いる
と、焼結助剤効果だけでなく、電気絶縁性に対しても有
効で炭化ケイ素主成分の焼結基板の比抵抗が１０′６Ω
・１以上となる。しかし、ＬＳＩ等の実装基板において
重要な要因の１つである誘電率はＩＭＨｚで４０とかな
シ高く、添加剤を加えた絶縁性も電圧が５ｖ程度になる
と粒子間の絶縁が急激に低下するため耐電圧に対しても
問題がある。
又、ＢｅＯ粉末を用いて多層セラミック基板を作成する
ことは可能であるが有毒性であるため実用上困難な面が
でてくる。
ことは可能であるが有毒性であるため実用上困難な面が
でてくる。
一方プロセス的観点からしてホットプレス法を適用しな
ければならず、装置が大がかシになるばか）でなく、基
板の形状も大面積化は困難であり、表面平滑性に対して
も問題が多い。さらに炭化ケイ素系を用いたセラミック
基板においては、従来のグリーンシート法を用いたアル
ミナ多層セラミック基板技術を利用することはプロセス
的に極めて困難である。。
ければならず、装置が大がかシになるばか）でなく、基
板の形状も大面積化は困難であり、表面平滑性に対して
も問題が多い。さらに炭化ケイ素系を用いたセラミック
基板においては、従来のグリーンシート法を用いたアル
ミナ多層セラミック基板技術を利用することはプロセス
的に極めて困難である。。
ここでいうグリーンシート法多層セラミック基板技術と
（シ次に示す技術である。まずセラミック粉末を有機ビ
ヒクルとともに混合し、スラリー化する。このスラリー
をキャスティング製膜法により１０ｍｍ〜＜ｏｏｐｍ
程度の厚みを有するシートを有機フィルム上に形成する
。該シートを所定の大きさに切断し、各層間の導通を得
るためのスルーホールを形成したのち、厚膜印刷法によ
シ所定の導体パターンを形成する。これらの各導体パタ
ーンを形成したセラミックグリーンシートを積層プレス
し、脱バインダ一工程を経て焼成する。
（シ次に示す技術である。まずセラミック粉末を有機ビ
ヒクルとともに混合し、スラリー化する。このスラリー
をキャスティング製膜法により１０ｍｍ〜＜ｏｏｐｍ
程度の厚みを有するシートを有機フィルム上に形成する
。該シートを所定の大きさに切断し、各層間の導通を得
るためのスルーホールを形成したのち、厚膜印刷法によ
シ所定の導体パターンを形成する。これらの各導体パタ
ーンを形成したセラミックグリーンシートを積層プレス
し、脱バインダ一工程を経て焼成する。
高密度実装基板として具備すべき主な性質としては、（
１）電気特性に対して誘電率が低く、誘電損失が小さく
、また電気絶縁性に優れていること、（２）機械的強度
が十分であること、（３）熱伝導性が高いこと、（４）
熱膨張係数がシリコンチップ等のそれに近いこと、（５
）表面平滑性が優れていること、および（６）高密度化
が容易であること等が必要である。
１）電気特性に対して誘電率が低く、誘電損失が小さく
、また電気絶縁性に優れていること、（２）機械的強度
が十分であること、（３）熱伝導性が高いこと、（４）
熱膨張係数がシリコンチップ等のそれに近いこと、（５
）表面平滑性が優れていること、および（６）高密度化
が容易であること等が必要である。
これらの基板性質全般に対して前述のセラミック基板は
決して十分なものであるとはいえない。
決して十分なものであるとはいえない。
一方、高熱伝導性基板の材料として窒化アルミニウムが
開発されている（特開昭５９−５００７７号公報など）
。しかしながらこの材料も高温で焼結しなければならず
、ホットプレス法による作製方法が主流となっておシ、
まだ窒化アルミニウムを用いた多層配線基板は実現され
ていない。
開発されている（特開昭５９−５００７７号公報など）
。しかしながらこの材料も高温で焼結しなければならず
、ホットプレス法による作製方法が主流となっておシ、
まだ窒化アルミニウムを用いた多層配線基板は実現され
ていない。
（発明の目的）
不発明は熱伝導性が優れ、内部に導体を有する高密度、
高熱伝導多層セラミック基板を提供することにある。
高熱伝導多層セラミック基板を提供することにある。
（発明の構成）
本発明によれば、セラミックス層が窒化アルミニウムを
主成分とする多結晶体で構成され、導体層の主成分が窒
化ジルコニウムからなることを特徴とする高熱伝導多層
セラミック配線基板が得られる。
主成分とする多結晶体で構成され、導体層の主成分が窒
化ジルコニウムからなることを特徴とする高熱伝導多層
セラミック配線基板が得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることにより従来技術の問題
点を解決した。
点を解決した。
まず、多層セラミック基板を構成する絶縁セラミックス
材料とし７て、熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用い
た。この材料は焼成後、窒化アルミニウム多結晶の緻密
な構造体を形成する。高熱伝導率を得るためには焼結体
の含有酸素量が少ない方が好ましくそのために添加物と
して還元効果のある還元剤を入れることが好ましい。
材料とし７て、熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用い
た。この材料は焼成後、窒化アルミニウム多結晶の緻密
な構造体を形成する。高熱伝導率を得るためには焼結体
の含有酸素量が少ない方が好ましくそのために添加物と
して還元効果のある還元剤を入れることが好ましい。
次に、導体層に関しては、窒化アルミニウムで構成され
ているセラミックス層に複数の電源層、グランド層およ
び微細な信号線等の導体層を形成し、これらの複数の導
体層をセラミックス層中に設けたピアホールを介して電
気的に接続されている。
ているセラミックス層に複数の電源層、グランド層およ
び微細な信号線等の導体層を形成し、これらの複数の導
体層をセラミックス層中に設けたピアホールを介して電
気的に接続されている。
したがって、実装基板の配線密度が非常に高められると
ともに、ＬＳＩ等の素子から発生する熱を、効率的に外
部に放散することが可能となる。
ともに、ＬＳＩ等の素子から発生する熱を、効率的に外
部に放散することが可能となる。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明による高熱伝導多層セラミック基板の実
施例を示す説明図である。ｌは絶縁セラミックス層であ
り、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構成さ
れている。２は信号線および電源等の導体層であシ、窒
化ジルコニウムを主成分として形成されておシ、絶縁セ
ラミックス層に形成されたピアホール３を介して各層間
を電気的に接続している。このように構成されている多
層セラミック基板上にはＬＳＩチップがマウント出来る
ようにダイパッド４およびポンディングパッド５が形成
され、該実装基板外に信号を取シ出したり、基板内へ信
号を入れたシするための人出刃用パッド６が基板裏面に
形成されている。基板上にマウントされたＬＳＩチップ
から発生する熱をダイパッド４を介してセラミック基板
内へ拡散させる。セラミック基板の熱伝導率が高いこと
により熱拡散が効率的に行なわれることになシ、ＬＳＩ
チップの発熱による高温化を防止することができる。
施例を示す説明図である。ｌは絶縁セラミックス層であ
り、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構成さ
れている。２は信号線および電源等の導体層であシ、窒
化ジルコニウムを主成分として形成されておシ、絶縁セ
ラミックス層に形成されたピアホール３を介して各層間
を電気的に接続している。このように構成されている多
層セラミック基板上にはＬＳＩチップがマウント出来る
ようにダイパッド４およびポンディングパッド５が形成
され、該実装基板外に信号を取シ出したり、基板内へ信
号を入れたシするための人出刃用パッド６が基板裏面に
形成されている。基板上にマウントされたＬＳＩチップ
から発生する熱をダイパッド４を介してセラミック基板
内へ拡散させる。セラミック基板の熱伝導率が高いこと
により熱拡散が効率的に行なわれることになシ、ＬＳＩ
チップの発熱による高温化を防止することができる。
本実施例の配線基板の製造方法は次のとおりである。本
発明の基板を構成しているセラミックス材料としては、
窒化アルミニウムの焼結性を高めるため添加剤としてＣ
ａｂ、を混入させている。まず窒化アルミニウム粉末と
ＣａＣ，粉末とを秤量し、ボールミルにより有機溶媒中
での湿式混合を４８時間行なった。
発明の基板を構成しているセラミックス材料としては、
窒化アルミニウムの焼結性を高めるため添加剤としてＣ
ａｂ、を混入させている。まず窒化アルミニウム粉末と
ＣａＣ，粉末とを秤量し、ボールミルにより有機溶媒中
での湿式混合を４８時間行なった。
この混合粉末をポリカプロラクトン系あるいはポリアク
リレート系樹脂等の中性雰囲気下で分解されやすい有機
バインダーとともＫ１１ｌ媒中に分散し粘度３０００〜
７０００ ｃｐの範囲の１漿を作成する。
リレート系樹脂等の中性雰囲気下で分解されやすい有機
バインダーとともＫ１１ｌ媒中に分散し粘度３０００〜
７０００ ｃｐの範囲の１漿を作成する。
該泥葉をキャスティング製膜法によＦ＞１０ｐｍ〜ｚｏ
ｏｐｍ 糧度の均一な厚みになるように、有機フィルム
上にグリーンシートを作成する。
ｏｐｍ 糧度の均一な厚みになるように、有機フィルム
上にグリーンシートを作成する。
次にこのグリーンシートを有機フィルムから剥離したの
ち、各層間を電気的に接続するためのピアホールを形成
する。ここで形成したピアホールは、機械的にポンチお
よびダイを用いて打抜いたが、他にレーザー加工等の方
法によっても開けることが可能である。
ち、各層間を電気的に接続するためのピアホールを形成
する。ここで形成したピアホールは、機械的にポンチお
よびダイを用いて打抜いたが、他にレーザー加工等の方
法によっても開けることが可能である。
ピアホールの形成されたグリーンシート上へ、窒素雰囲
気あるいは他の中性雰囲気あるいは還元雰囲気の下で焼
成した際、窒化ジルコニウムになるジルコニウム化合物
を主成分とした導体ペーストをスクリーン印刷法により
所定の位置に所定のパターンを印刷する。こうして導体
を印刷した各グリーンシートを所望の枚数積層し加熱プ
レスする。その後必要な形状になるようにカッターを用
いて切断し、１４００℃〜２０００℃ の温度で非酸化
性雰囲気中で焼成する。焼成の際、その昇温過程で４０
０℃〜６００″Ｃの温度で脱バインダーを充分に行なり
た。作製した基板の特性を表に示す。
気あるいは他の中性雰囲気あるいは還元雰囲気の下で焼
成した際、窒化ジルコニウムになるジルコニウム化合物
を主成分とした導体ペーストをスクリーン印刷法により
所定の位置に所定のパターンを印刷する。こうして導体
を印刷した各グリーンシートを所望の枚数積層し加熱プ
レスする。その後必要な形状になるようにカッターを用
いて切断し、１４００℃〜２０００℃ の温度で非酸化
性雰囲気中で焼成する。焼成の際、その昇温過程で４０
０℃〜６００″Ｃの温度で脱バインダーを充分に行なり
た。作製した基板の特性を表に示す。
以下余白
導体ペースト材料として、ＺｒＮおよびＺ ｒ Ｈｅお
よびＺｒＦ４およびＺｒ（ＱＣ，Ｈ，）４を使用した。
よびＺｒＦ４およびＺｒ（ＱＣ，Ｈ，）４を使用した。
ここに示したＣａＣ＊址は窒化アルミニウムを１００と
したときの値である。またフリット量は導体材料とフリ
ット材料を合せた重量に対しての値である。
したときの値である。またフリット量は導体材料とフリ
ット材料を合せた重量に対しての値である。
作成した基板の電気的特性を測定した結果、比抵抗がｌ
Ｏ″Ω・１以上であシ、誘電率は＆７（ＩＭＨｚ ）、
誘電損失は１×１０ 以下（ＩＭＨｚ）であった。電気
的特性においても従来の基板に対して同程度以上あシ実
装基板として十分であることがわかる。
Ｏ″Ω・１以上であシ、誘電率は＆７（ＩＭＨｚ ）、
誘電損失は１×１０ 以下（ＩＭＨｚ）であった。電気
的特性においても従来の基板に対して同程度以上あシ実
装基板として十分であることがわかる。
一方窒化アルミニウムに対する添加物としてＣａＯ，Ｂ
＠ｏ、ＹＩＯＩ、ＣｕＯ，ＡｇＯ，ＢａＣ，ｆｉｒｃ、
。
＠ｏ、ＹＩＯＩ、ＣｕＯ，ＡｇＯ，ＢａＣ，ｆｉｒｃ、
。
Ｎ＊＠Ｃ＠ 、に＠Ｃ＠ 、ＣｕＣ＠ 、 Ｍ、、ｃ、
、 ｋｇ＠Ｃ＠ 、 ＺｒＣ＠等を用いた場合におい
ても窒化アルミニウムの焼結性を向上させる効果が得ら
れた。
、 ｋｇ＠Ｃ＠ 、 ＺｒＣ＠等を用いた場合におい
ても窒化アルミニウムの焼結性を向上させる効果が得ら
れた。
（発明の効果）
実施例からも明らかなように１本発明の多層セラミック
配線基板は容易に信号線および電源層等を含めた導体を
有する高密度な回路を形成することが出来、熱放散性に
対し、ても非常に有効な高熱伝導多層セラミック基板が
得られる。
配線基板は容易に信号線および電源層等を含めた導体を
有する高密度な回路を形成することが出来、熱放散性に
対し、ても非常に有効な高熱伝導多層セラミック基板が
得られる。
従来用いられているアルミナ基板の熱伝導率は１７Ｗ／
ｍＫであシ、本発明基板の熱伝導率が非常に高いレベル
であることがわかる。また熱膨張係数においては、アル
ミナ基板が６５Ｘ１０”／ｌ−であるのに対して本発明
基板は小さな値をもち、よシシリコンチップの熱膨張係
数に近い値になっており有利である。
ｍＫであシ、本発明基板の熱伝導率が非常に高いレベル
であることがわかる。また熱膨張係数においては、アル
ミナ基板が６５Ｘ１０”／ｌ−であるのに対して本発明
基板は小さな値をもち、よシシリコンチップの熱膨張係
数に近い値になっており有利である。
第１図は本発明の一実施例を示す高熱伝導多層セラミッ
ク基板の概略図である。１−・・絶縁セラミック層、２
−・・導体層、３・・・ピアホール、４−・・ダイパッ
ド、５・・・ポンディングパッド、６−・・入出力用パ
ッド。
ク基板の概略図である。１−・・絶縁セラミック層、２
−・・導体層、３・・・ピアホール、４−・・ダイパッ
ド、５・・・ポンディングパッド、６−・・入出力用パ
ッド。
Claims (1)
- 多層セラミック配線基板において、窒化アルミニウム
を主成分とするセラミック層と窒化ジルコニウムを主成
分とする導体とを備えたことを特徴とする多層セラミッ
ク配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21152985A JPS6271294A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 多層セラミツク配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21152985A JPS6271294A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 多層セラミツク配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271294A true JPS6271294A (ja) | 1987-04-01 |
| JPH0413879B2 JPH0413879B2 (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16607389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21152985A Granted JPS6271294A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 多層セラミツク配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6271294A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180006A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Hitachi Ltd | High thermally conductive electric insulator |
| JPS6077186A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 |
| JPS6077177A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | セラミツクス接合体 |
| JPS60173900A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | 株式会社東芝 | セラミツクス回路基板 |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP21152985A patent/JPS6271294A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180006A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Hitachi Ltd | High thermally conductive electric insulator |
| JPS6077186A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 |
| JPS6077177A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | セラミツクス接合体 |
| JPS60173900A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | 株式会社東芝 | セラミツクス回路基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0413879B2 (ja) | 1992-03-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |