JPS6270029A - プリント回路用基板の製造方法 - Google Patents

プリント回路用基板の製造方法

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Publication number
JPS6270029A
JPS6270029A JP60211444A JP21144485A JPS6270029A JP S6270029 A JPS6270029 A JP S6270029A JP 60211444 A JP60211444 A JP 60211444A JP 21144485 A JP21144485 A JP 21144485A JP S6270029 A JPS6270029 A JP S6270029A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
copper
thickness
primer layer
semi
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60211444A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Hibino
豊 日比野
Tsutomu Muramoto
勉 村本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication of JPS6270029A publication Critical patent/JPS6270029A/ja
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  • Laminated Bodies (AREA)
  • Moulding By Coating Moulds (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明はプリント回路用基板の製造方法に係わる。
[在来技術と問題点コ 薄膜回路用基板の製造方法としてポリエステル、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド等の高分子フィルムに無電解
メッキによって数μ厚の銅をメッキするアディティブ法
や真空蒸4法、スパッタリング法、イオンプレイティン
グ法を用いて高分子フィルムに銅を数千Alさに物理気
相蒸着する方法がある。
しかし、これらの方法では、銅は高分子フィルムと充分
接若強度が得られない。この欠点を除去するために、ア
ルカリ溶液で高分子フィルム表面を処理すると若干接首
力が向上するが、高分子フィルムが加水分解し、フィル
ム強度が低下するばかりか、高分子フィルムは吸湿、熱
膨張により伸縮するため、直接形成される回路に充分な
精度を得ることができない。
[問題を解決するための手段] 本発明の目的は物理気相蒸着によっても蒸若層の高分子
フィルムに対する接若が十分得られるプリント回路用基
板を得ることにある。
そのため、本発明は、高分子フィルム表面に熱硬化性樹
脂を半硬化状態で数μ厚さにコーティングし、その上に
金属薄膜を物理気相蒸着によって形成し、その後前記熱
硬化性樹脂を完全硬化させることによって、金属薄膜と
基板フィルムとの接む強度を大幅に向上させようとする
ものである。
高分子フィルムとして、ポリエステル、ポリサルホン、
ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリパラバン
酸、ポリアミド等の10〜200μのフィルムが使用さ
れる。
熱硬化性樹脂として、ポリウレタン、エポキシ、エポキ
シフェノール、エポキシニトリル、フェノール、メラミ
ン、アクリル、シリコン等のいずれかを用い、これを前
記高分子フィルムに接着層として1−10μ付ける。
物理気相蒸着法として真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンブレーティング法、クラスターイオンビーム法の
いずれかを用い、これで半硬化状態にある熱硬化性樹脂
の面にアルミ、銅等金属を0.0!〜!μ蒸若して薄膜
を形成する。
接若層形成を目的とする前記熱硬化性樹脂の硬化条件は
常温〜200℃で数分から数時間必要である。
回路形成は接若層形成の硬化後、従来方式で行ってもよ
いが、硬化前(半硬化状態)に回路形成を行い、その後
熱プレスによって回路を熱硬化性樹脂による接8層に埋
込むこともできる。
[実施例1コ 12.5μポリイミドフイルムに、エポキン樹脂プライ
マーを3μ厚さ、ロールコータ−でコーティングし、半
硬化状態のプライマー層を得た。
その後、スパッタリング装置を用いて、フィルム温度が
100℃以上昇温しないように保持しながら、銅を0.
1μ蒸若し、その後フィルム温度を200℃まで昇温し
ながら、0.3μ厚まで蒸着した。
銅蒸着後、蒸菅膜の電気抵抗を測一定した結果、0.0
2Ωであった。
その後、従来の湿式法によって銅蒸若面に銅メッキを施
し、トータル厚さを5μとした。
得られた銅箔の密着力を求めるためIC■幅に切断し、
180°剥離強度を求めた結果、0.75kt/cmの
強度を得た。
この強度はその後の回路形成、屈曲性、半田耐熱性試験
において何ら問題を生じなかった。
[実施例2] 25μのポリエステルフィルムに、ポリウレタン樹脂プ
ライマーを8μ厚さ塗布し、その後、クラスターイオン
ビーム装置を用いて、フィルム温度が100℃以上昇温
しないよう保持しながら銅を0.3μ蒸着し、さらに従
来の湿式法によって銅メッキを施し、トータル厚さを5
μとした。
その後、銅メツキ面にドライフィルムを貼り、回路を露
光現像、エツチングして中100μ微細回路形成した。
その後熱プレスによって微細回路を前記半硬化状態のポ
リウレタン樹脂中押し込み表面を平滑化すると共に樹脂
を160℃X30分で硬化させた。
硬化後、回路の剥離強度を求めた結果1 、32 kg
/ellの強度が得られ又屈曲試験においても回路の浮
き上りがなく良好であることが判った。これに対し、比
較のため実施・例1.2で各々プライマーのない状態で
蒸着したものを作製したが、剥離強度は各々0.02k
g/cm s 0.01kg/cm t/か得られず、
電気メツキ中に剥離現象がみられた。
本発明は薄膜磁気ヘッド、薄膜サーマルヘッド、イメー
ジセンサ−、タブレフト等の配線基板の製造に適用され
る。
[効果コ 本発明の製造方法では硬化性樹脂の半硬化状態で金属薄
膜が蒸着され、その後熱プレスによって硬化されるため
、完全密告が可能となる。
高分子フィルムに、汎用のロールコータ−によってコー
ティングでき、特別の薬液を必要とせず、処理は簡単で
フィルムを劣化させることがないなどの効果がある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)高分子フィルム表面に熱硬化性樹脂からなるプラ
    イマー層を半硬化状態で形成し、その上に金属薄膜を物
    理気相蒸着した後、該半硬化状態の熱硬化性樹脂プライ
    マー層を完全硬化させることを特徴とするプリント回路
    用基板の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4828427B2 (ja) * 2004-09-10 2011-11-30 三井金属鉱業株式会社 プライマー樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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