JPS6269610A - パタ−ン露光装置 - Google Patents
パタ−ン露光装置Info
- Publication number
- JPS6269610A JPS6269610A JP21063685A JP21063685A JPS6269610A JP S6269610 A JPS6269610 A JP S6269610A JP 21063685 A JP21063685 A JP 21063685A JP 21063685 A JP21063685 A JP 21063685A JP S6269610 A JPS6269610 A JP S6269610A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit
- shaping
- pattern
- rectangular
- exposure
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路等の・母ターン描画に用いるパ
ターン露光装置に関する。
ターン露光装置に関する。
半導体集積回路の集積密度の向上に伴なって集積回路、
４ターンの描画ＫＩ′ｉ、描画精度と描画スピードの両
面の優位さから可変矩形電子ビーム露光装置等が主に用
いられて来た。ξれらの装置においては第２図のように
試料に照射する電子ビームを２個の整形スリットで矩形
に整形している。すなわち、第１スリツト４で矩形にさ
れた電子ビーム２はビーム整形偏向器６で偏向され、第
２スリツト７上に照射され矩形の大きさが決定される。
４ターンの描画ＫＩ′ｉ、描画精度と描画スピードの両
面の優位さから可変矩形電子ビーム露光装置等が主に用
いられて来た。ξれらの装置においては第２図のように
試料に照射する電子ビームを２個の整形スリットで矩形
に整形している。すなわち、第１スリツト４で矩形にさ
れた電子ビーム２はビーム整形偏向器６で偏向され、第
２スリツト７上に照射され矩形の大きさが決定される。
この矩形の大きさは描画するパターンに応じて成る範囲
内で可変である。整形されたビームは縮小レンズ８で縮
小された後、ビーム位置決め偏向器９で照射位置が決定
され試料１０上に照射される。
内で可変である。整形されたビームは縮小レンズ８で縮
小された後、ビーム位置決め偏向器９で照射位置が決定
され試料１０上に照射される。
しかし、上述した従来のパターン露光装置においては、
描画精度維持の為に、整形された矩形ビームの面積は高
々数十μｍ２以下の範囲で可変となっているに過ぎない
。これは微細・（ターン描画用として微小な矩形ビーム
が寸法精度よく得られるように、２個のスリットはビー
ム調整完了後、固定。
描画精度維持の為に、整形された矩形ビームの面積は高
々数十μｍ２以下の範囲で可変となっているに過ぎない
。これは微細・（ターン描画用として微小な矩形ビーム
が寸法精度よく得られるように、２個のスリットはビー
ム調整完了後、固定。
ビーム整形偏向器の偏向量も小さくなっている為、大幅
に矩形ビームの面積を変えられないことによる。
に矩形ビームの面積を変えられないことによる。
したがって、従来の装置では微細パターン以外の大面積
のパターンも微小な矩形ビームで繰シ返し露光し描画す
る必要があシ、描画精度がそれほど求められないパター
ンでも描画時間が微細パターンの描画時間と同等に掛か
ってしまうという欠点がある。
のパターンも微小な矩形ビームで繰シ返し露光し描画す
る必要があシ、描画精度がそれほど求められないパター
ンでも描画時間が微細パターンの描画時間と同等に掛か
ってしまうという欠点がある。
本発明はかかる欠点を除き、半導体集積回路等のパター
ン描画スピードの向上を目的とする露光装置を提供する
ものである。
ン描画スピードの向上を目的とする露光装置を提供する
ものである。
本発明は試料に整形された可変矩形刺激ビームを照射し
て・母ターンの描画を行なうパターン露光装置において
、ビーム整形スリットの位置を記憶する位置記憶機構と
９位置記憶機構に連動して整形スリット位置を移動させ
る移動機構とを備え、予め調整記憶したスリット位置に
ビーム整形スリットを移動し、目的に応じて矩形ビーム
面積を大幅に変え、微細・母ターンの描画精度を維持し
つつ、描画スピードの向上を計るようにしたことを特徴
とするパターン露光装置である。
て・母ターンの描画を行なうパターン露光装置において
、ビーム整形スリットの位置を記憶する位置記憶機構と
９位置記憶機構に連動して整形スリット位置を移動させ
る移動機構とを備え、予め調整記憶したスリット位置に
ビーム整形スリットを移動し、目的に応じて矩形ビーム
面積を大幅に変え、微細・母ターンの描画精度を維持し
つつ、描画スピードの向上を計るようにしたことを特徴
とするパターン露光装置である。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。第１図は本発明の一実施例の装置構成図である。第
１図において、電子銃１から発した電子ビーム２はスリ
ット駆動器３に連結した第１整形スリツト４で矩形にさ
れる。矩形にされたビームは収束レンズ５で収束され、
さらにビーム整形偏向器６で偏向され、スリット駆動器
３に連結した第２整形スリツト７上に照射され所望の大
きさの矩形に整形される。整形された矩形ビームは縮小
レンズ８で縮小され、位置決め偏向器９で位置を決定さ
れ試料１０に照射される。
る。第１図は本発明の一実施例の装置構成図である。第
１図において、電子銃１から発した電子ビーム２はスリ
ット駆動器３に連結した第１整形スリツト４で矩形にさ
れる。矩形にされたビームは収束レンズ５で収束され、
さらにビーム整形偏向器６で偏向され、スリット駆動器
３に連結した第２整形スリツト７上に照射され所望の大
きさの矩形に整形される。整形された矩形ビームは縮小
レンズ８で縮小され、位置決め偏向器９で位置を決定さ
れ試料１０に照射される。
通常の・やターン描画時においては矩形ビームの大きさ
の制御はビーム整形制御器１１の信号に基づいてビーム
整形偏向器６のみで行なう。一方、必要に応じてスリッ
ト位置記憶器１２に記憶しである位置情報に基づいて整
形スリット位置を移動し、矩形ビームの大きさを大幅に
変える。位置記憶器１２に記憶する位置情報は整形ビー
ム調整段階で微小矩形露光用と大矩形露光用の少なくと
も２つの最適スリット位置であり、スリットニップ位置
Ｘ。
の制御はビーム整形制御器１１の信号に基づいてビーム
整形偏向器６のみで行なう。一方、必要に応じてスリッ
ト位置記憶器１２に記憶しである位置情報に基づいて整
形スリット位置を移動し、矩形ビームの大きさを大幅に
変える。位置記憶器１２に記憶する位置情報は整形ビー
ム調整段階で微小矩形露光用と大矩形露光用の少なくと
も２つの最適スリット位置であり、スリットニップ位置
Ｘ。
ｙ成分と回転θ成分とから成る。スリット位置の検出は
位置検出器１３で行なう。位置測定と検出はスリットニ
ップ近傍をレーザビームで走査し、その反射光を検出す
ることにより可能である。
位置検出器１３で行なう。位置測定と検出はスリットニ
ップ近傍をレーザビームで走査し、その反射光を検出す
ることにより可能である。
本発明のパターン描画装置においては、まず微小矩形露
光用の最適位置にスリットを合わせておき、微細パター
ンや大・セターンの周辺部を露光する。その後、スリッ
トを大矩形露光用の位置に合わせ大パターンの内部を短
時間の内に露光する。
光用の最適位置にスリットを合わせておき、微細パター
ンや大・セターンの周辺部を露光する。その後、スリッ
トを大矩形露光用の位置に合わせ大パターンの内部を短
時間の内に露光する。
本実施例では照射ビームの矩形面積比を微小用と大矩形
用で数百倍に変えられる為、大矩形の描画スピードは従
来の装置に比較し、数百倍にも達する。
用で数百倍に変えられる為、大矩形の描画スピードは従
来の装置に比較し、数百倍にも達する。
尚本実施例では電子ビーム露光装置に関して述べたが、
イオンビーム露光装置等にも当然適用可能である。
イオンビーム露光装置等にも当然適用可能である。
以上説明したように本発明はパターン露光装置において
ビーム整形スリットの位置記憶機構と、位置記憶機構に
連動した整形スリット位置の移動機構とを具備すること
により、微小矩形露光時と大矩形露光時とで整形スリッ
トの位置を変え、微細パターンの描画精度を損なうこと
なしに大パターンの描画スピードを飛躍的に向上するこ
とができる効果を有するものである。
ビーム整形スリットの位置記憶機構と、位置記憶機構に
連動した整形スリット位置の移動機構とを具備すること
により、微小矩形露光時と大矩形露光時とで整形スリッ
トの位置を変え、微細パターンの描画精度を損なうこと
なしに大パターンの描画スピードを飛躍的に向上するこ
とができる効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例の装置構成図、第２図は従来
装置の装置構成図である。 １・・・電子銃、２・・・電子ビーム、３・・・スリッ
ト駆動器、４・・・第１整形スリツト、５・・・収束レ
ンズ、６・・・ビーム整形偏向器、７・・・第２整形ス
リツト、８・・・縮小レンズ、９・・・位置決め偏向器
、１０・・・試料、１１・・・ビーム整形制御器、１２
・・・スリット位置記憶器、１３・・・位置検出器。 ４ ◇
装置の装置構成図である。 １・・・電子銃、２・・・電子ビーム、３・・・スリッ
ト駆動器、４・・・第１整形スリツト、５・・・収束レ
ンズ、６・・・ビーム整形偏向器、７・・・第２整形ス
リツト、８・・・縮小レンズ、９・・・位置決め偏向器
、１０・・・試料、１１・・・ビーム整形制御器、１２
・・・スリット位置記憶器、１３・・・位置検出器。 ４ ◇
Claims (1)
- （１）試料に整形された可変矩形刺激ビームを照射して
パターンの描画を行なうパターン露光装置において、ビ
ーム整形スリットの位置を記憶する位置記憶機構と位置
記憶機構に連動して整形スリット位置を移動させる移動
機構とを備えたことを特徴とするパターン露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21063685A JPS6269610A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | パタ−ン露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21063685A JPS6269610A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | パタ−ン露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269610A true JPS6269610A (ja) | 1987-03-30 |
Family
ID=16592589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21063685A Pending JPS6269610A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | パタ−ン露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6269610A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0393659A2 (en) * | 1989-04-20 | 1990-10-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and system for reading images |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP21063685A patent/JPS6269610A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0393659A2 (en) * | 1989-04-20 | 1990-10-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and system for reading images |
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