JPH06182580A - 低α線Pb合金はんだ材およびはんだ膜 - Google Patents
低α線Pb合金はんだ材およびはんだ膜Info
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- JPH06182580A JPH06182580A JP35419892A JP35419892A JPH06182580A JP H06182580 A JPH06182580 A JP H06182580A JP 35419892 A JP35419892 A JP 35419892A JP 35419892 A JP35419892 A JP 35419892A JP H06182580 A JPH06182580 A JP H06182580A
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Abstract
を提供する 【構成】 重量%で、Sn:1〜65%、In:1〜6
5%、のうち1種または2種、さらに必要に応じて、S
b:1〜15%、Ag:1〜10%、のうち1種または
2種、を含有し、残りがPbおよび不可避不純物からな
る組成のPb合金で構成されたはんだ材に、Na,S
r,K,Ga,Cr,Nb,Mn,V,Ta,Si,Z
r,Baのうち1種または2種以上を合計で10〜50
00ppm 含有せしめてなることを特徴とする。
Description
Siチップを基板、リードフレーム、セラミックスパッ
ケージなどにダイボンディングしたり、セラミックスパ
ッケージを金属製あるいはセラミックス製リッドで封止
したりするときに使用する半導体装置組立用低α線Pb
合金はんだ材およびはんだ膜に関するものである。 【0002】 【従来の技術】従来、ICやLSIなど半導体装置の組
立には、メモリーエラーの発生を防止する目的で、表面
から放射されるα粒子のカウント数を1cm2 当り0.5
カウント/時(以下、CPHと記す)とし、Sn:1〜
65%、In:1〜65%、のうち1種または2種、さ
らに必要に応じてSb:1〜15%、Ag:1〜10
%、のうち1種または2種を含有し、残りがPbおよび
不可避不純物からなる組成(以上、重量%、以下%は重
量%を示す)を有するPb合金で構成されたはんだ材は
知られている(特開昭58−151037号公報、特公
昭62−54597号公報、特開平3−207596号
公報などを参照)。 【0003】これらα粒子のカウント数の少ないPb合
金はんだ材を製造するには、238 Uの崩壊核種である
210 Pbの少ない鉱山の鉱石を採取段階から厳選して汚
染に注意しながら精練し、真空溶解および帯域溶融法で
精製して得られた特殊なPbをPb原料として用いてい
る。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】しかし、210 Pb含有
量の少ない鉱石の埋蔵量にも限界があり、かかる鉱山の
鉱石を探すことは年々難しくなってこの鉱石から得られ
たPbの価格も上昇し、そのため、放射性α粒子のカウ
ント数の少ないPb合金はんだを大量に安価に供給する
ことは年々難しくなっている。 【0005】そこで、通常のPb原料に含まれる210 P
bを遠心分離装置により5ppb 未満に減らし、この210
Pb:5ppb 未満のPb原料を用いて放射性α粒子のカ
ウント数の少ないPb合金はんだを製造することも考え
られるが、かかる方法を用いて210 Pb含有量を減らし
たPb原料は高価格になりすぎるため、民生用の電子機
器産業分野では使用することができない。 【0006】 【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
通常のPb原料を用いても放射性α粒子カウント数の少
ないPb合金はんだを得るべく研究を行った結果、通常
のPb原料を用い、これにSn:1〜65%、In:1
〜65%のうち1種または2種を添加し、さらに、必要
に応じてSb:1〜15%、Ag:1〜10%のうち1
種または2種を添加し、溶解して得られたPb合金はん
だに、さらに、Na,Sr,K,Ga,Cr,Nb,M
n,V,Ta,Si,Zr,Baのうち1種または2種
以上を合計で10〜5000ppm 含有せしめると、放射
性α粒子のカウント数は0.5CPH/cm2 以下に低下
するという研究結果が得られたのである。 【0007】この発明は、かかる研究結果にもとづいて
なされたものであって、Sn:1〜65%、In:1〜
65%、のうち1種または2種、さらに必要に応じて、
Sb:1〜15%、Ag:1〜10%、のうち1種また
は2種、を含有し、残りがPbおよび不可避不純物から
なる組成のPb合金で構成されたはんだ材に、Na,S
r,K,Ga,Cr,Nb,Mn,V,Ta,Si,Z
r,Baのうち1種または2種以上を合計で10〜50
00ppm 含有せしめてなるPb合金はんだ材に特徴を有
するものである。 【0008】この発明のPb合金はんだに含まれるN
a,Sr,K,Ga,Cr,Nb,Mn,V,Ta,S
i,ZrおよびBaのうち1種または2種以上を合計で
10〜5000ppm に限定した理由は、これら成分が1
0ppm 未満含まれていても上記放射性α粒子のカウント
数を下げるに十分な効果が得られないからであり、一
方、5000ppm を越えて含有するとはんだ付け性が低
下して好ましくないことによるものである。 【0009】さらに、この発明のPb合金はんだ材は、
蒸着膜、メッキ膜などのはんだ膜としても使用すること
ができる。 【0010】 【実施例】 実施例1 市販の高純度Pbをさらに帯域溶融法により精製して得
られた純度:99.9995%のPbをPb原料として
用意した。 【0011】一方、いずれも5ナインの純度を有するS
n,In,Sb,Agを用意し、さらに5ナインの純度
を有するNa,Sr,K,Ga,Cr,Nb,Mn,
V,Ta,Si,Zr,Ba(以下、これらの金属を
「その他金属」と総称する)を用意した。 【0012】上記Pb,Sn,In,Sb,Agおよび
その他金属をAr雰囲気中にて溶解し、表1〜表3に示
される成分組成に溶製し、鋳造してインゴットとし、こ
れを圧延して厚さ:1mmの薄板とすることにより本発明
Pb合金はんだ材(以下、本発明はんだ材という)1〜
23、比較Pb合金はんだ材(以下、比較はんだ材とい
う)1〜12および従来Pb合金はんだ材(以下、従来
はんだ材という)1〜4を作製した。 【0013】これら本発明はんだ材1〜23、比較はん
だ材1〜12および従来はんだ材1〜4が放射する2〜
10MeVのα粒子のカウント数をガスフロー型α線カ
ウンターで測定し、その測定結果をα線量として表1〜
表3に示した。 【0014】 【表1】 【0015】 【表2】【0016】 【表3】【0017】表1〜表3に示される結果から、その他金
属を含む本発明はんだ材1〜12は、その他金属を含ま
ない従来はんだ材1に比べて、α線量が格段に減少して
いることがわかる。しかし、比較はんだ材1〜12に見
られるように、その他金属の合計量が10ppm 未満含有
しても十分なα線量の減少効果が得られないこともわか
る。 【0018】実施例2 4インチSiウエハーを用意し、この4インチSiウエ
ハーの表面に、表3のPb−10%Snからなる成分組
成の従来はんだ1:100gおよびその他金属の各元
素:0.02gを同時に蒸着し、表4に示される成分組
成の本発明はんだ蒸着膜1〜12を形成した。 【0019】一方、比較のために、表3の従来はんだ
1:100gをそのまま上記4インチSiウエハー表面
に蒸着し、従来はんだ蒸着膜1を形成した。 【0020】上記本発明はんだ蒸着膜1〜12および従
来はんだ蒸着膜1のα線量を実施例1と同様にして測定
し、その測定結果を表4に示した。 【0021】 【表4】【0022】表4に示される結果から、その他金属を同
時に蒸着して得られた本発明はんだ蒸着膜1〜12は、
その他金属を含まない従来はんだ蒸着膜1に比べてα線
量が格段に減少していることがわかる。 【0023】なお、はんだ膜については蒸着はんだ膜に
ついての実施例を示したが、湿式メッキはんだ膜につい
ても同じ効果が得られた。 【0024】 【発明の効果】上述のように、この発明は、通常のPb
を原料として用いることにより低α線Pb合金はんだを
製造できるので、半導体装置組立用低α線Pb合金はん
だ材を安価に提供することができ、電子機器産業の発展
に大いに貢献しうるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1 重量%で、 Sn:1〜65%、In:1〜65%、のうち1種また
は2種、さらに必要に応じて、 Sb:1〜15%、Ag:1〜10%、のうち1種また
は2種、を含有し、さらに、 Na,Sr,K,Ga,Cr,Nb,Mn,V,Ta,
Si,Zr,Baのうち1種または2種以上を合計で1
0〜5000ppm 含有し、残りがPbおよび不可避不純
物からなる組成を有することを特徴とする低α線Pb合
金はんだ材。 【請求項2】 請求項1記載の成分組成を有する低α線
Pb合金はんだ材で構成されることを特徴とするはんだ
膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35419892A JP3227851B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 低α線Pb合金はんだ材およびはんだ膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35419892A JP3227851B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 低α線Pb合金はんだ材およびはんだ膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06182580A true JPH06182580A (ja) | 1994-07-05 |
JP3227851B2 JP3227851B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=18435948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35419892A Expired - Lifetime JP3227851B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 低α線Pb合金はんだ材およびはんだ膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3227851B2 (ja) |
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-
1992
- 1992-12-15 JP JP35419892A patent/JP3227851B2/ja not_active Expired - Lifetime
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