JPS6267886A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体発光装置に関し、特に■−ｖ族化合物半
導体素子を利用した光電スイッチ関係に使用されるもの
である。

〔発明の技術的背景〕

従来、半導体発光装置としては、第３図及び第４図に示
すものが知られている。ここで、第３図は半導体発光装
置の導電性ステムの断面図、第４図は半導体発光装置の
略断面図を示す。

図中の１は、絶縁性のステム本体である。このステム本
体１には、上面に皿状の凹部２を有したマウントリード
部３が上下方向に貫通するように設けられている。また
、ステム本体１には、ポストリード部４が上下方向に貫
通するように設けられている。なお、前記ステム本体１
、マウントリード部３及びポストリード部４を総称して
導電性ステムと呼ぶ。前記マウトリード部３の凹部２に
は、導電性接着剤層５を介して■−■族化合物半導体素
子（以下、発光ダイオードと呼ぶ）６がマウントされて
いる。ここで、発光ダイオード６は、側面より一定寸法
のところにＰＮ接合７を有している。前記発光ダイオー
ド６上にはＰ型電極８が設けられ、この電極８と前記ポ
ストリード部４とはボンディングワイヤ（図示せず）に
より電気的に接続されている。なお、図中の９は光の経
路を、１０は前記凹部２の反射部を示す。

〔背景技術の問題点〕

しかしながら、従来技術によれば、以下に示す問題点を
有する。

■、マウントリード部３の凹部２の底部から発光ダイオ
ード６のＰＮ接合までの距離が短い場合、導電性接着剤
層５が発光ダイオード６の側面に沿って運上がり短絡が
恐れがある。そのため、これを回避するために導電性接
着剤層５を少なめに塗布しなければならなず、バラツキ
の導電性接着剤層５では多大な時間をかけなければダイ
ボンディングできない状態にあり、生産性が低下する。

■、調製品よっては導電性接着剤層５が他のものより少
なめに塗布されているため、強度が弱くなり、ボンディ
ング時に発光ダイオード６が剥がれる恐れがある。

〔発明の目的〕

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、化合物半導
体素子のマウント時に導電性接着剤層がその側面に沿っ
て運上がるのを阻止して短絡を回避するとともに、接着
強度を十分に保持できる半導体発光装置を提供すること
を目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は、絶縁性のステム本体と、このステム本体に設
けられたマウントリード部と、前記ステム本体に設けら
れたポストリード部と、前記マウントリード部に導電性
接着剤層を介して設けられた化合物半導体素子とを具備
し、前記マウントリード部の上面の前記半導体素子セッ
トか所に凹部を設け、かつこの凹部の側面に該凹部に連
通ずる溝を設けたことを特徴とし、もって導電性接着剤
の運上がりによる短絡を防止するとともに、接着強度の
向上を図ったたちのである。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照して
説明する。ここで、第１図は本発明に係る半導体発光装
置の導電性ステムの断面図を、第２図は半導体発光装置
の略断面図を示す。

図中の１１は、絶縁性のステム本体である。このステム
本体１１には、マウントリード部１２が上下方向に貫通
するように設けられている。このマウントリード部１２
の上部には、発光ダイオードをマウントする凹部（エン
ボス）１３が設けられているとともに、該エンボス１３
に連通して溝１４が設けられている。また、上記ステム
本体１１には、ボストリード部１５が上下方向に貫通す
るように設けられている。ここで、前記ステム本体１１
、アウトリード部１２及びポストリード部１５を総称し
て導電性ステムと呼ぶ。前記アウトリード部１２の凹部
１３には、導電性接着剤層１６を介して■−ｖ族化合物
半導体素子（以下、発光ダイオードと呼ぶ）１７がマウ
ントされている。この発光ダイオード１７は、側面より
一定寸法のところにＰＮ接合１８を有している。前記発
光ダイオード１７の上面には、Ｐ型電極１９が設けられ
ている。このＰ型電極１９と前記ボストリード部１５と
は図示しないボンディングワイヤにより電気的に接続さ
れている。なお、図中の２０は光の経路を、２１は前記
マウントリード部１２の四部近傍の反射部を示す。

本発明によれば、アウタリード部１２の上部に発光ダイ
オード１７をマウントするエンボス１３を設けるととも
に、このエンボス１３に連通する溝１４を設けた構造と
なっているため、発光ダイオード１７をマウントする際
、導電性接着剤層１６が溝１４に流れ込むため従来の様
に発光ダイオード１７の側面を運上がらず、ＰＮ接合１
８での短絡を防止できる。

また、上記と同様な理由により、溝１４に流れ込んだ導
電性接着剤層１６によって接着強度を向上できる。

更に、マウントリード部１２にエンボス１３を設けた分
、発光ダイオード１７が従来よりステム、に対し深い位
置にマウントされる。従って、ＰＮ接合１８から横方向
に出る光は反射板効果により先出力として取出されので
、ロスする光出力は少なく、発光ダイオード１７が埋め
込まれた分余分な光出力となる。

〔発明の効果〕

以上詳述した如く本発明によれば、従来と比べ化合物半
導体素子のＰＮ接合での短絡を防止できるとともに、接
着強度を向上できる半導体発光装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る半導体発光装置の導電
性ステムの断面図、第２図は同半導体発光装置の略断面
図、第３図は従来の半導体発光装置の導電性ステムの断
面図、第４図は同半導体発光装置の略断面図である。 １１・・・絶縁性のステム本体、１２・・・アウタリー
ド部、１３・・・凹部（エンボス）、１４・・・溝、１
５・・・ボストリード部、１６・・・導電性接着剤層、
１７・・・発光ダイオード、１８・・・Ｐ型電極、１９
・・・ＰＮ接合、２０・・・光の経路、２１・・・反射
部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁性のステム本体と、このステム本体に設けられたマ
   ウントリード部と、前記ステム本体に設けられたポスト
   リード部と、前記マウントリード部に導電性接着剤層を
   介して設けられた化合物半導体素子とを具備し、前記マ
   ウトリード部の上面の前記半導体素子セット箇所に凹部
   を設け、かつこの凹部の側面に該凹部に連通する溝を設
   けたことを特徴とする半導体発光装置。