JPS6264017A - Manufacture of needle electrode for ion beam generating apparatus - Google Patents
Manufacture of needle electrode for ion beam generating apparatusInfo
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- JPS6264017A JPS6264017A JP20317085A JP20317085A JPS6264017A JP S6264017 A JPS6264017 A JP S6264017A JP 20317085 A JP20317085 A JP 20317085A JP 20317085 A JP20317085 A JP 20317085A JP S6264017 A JPS6264017 A JP S6264017A
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細加工に用いられるようなイオンビーム発生
装置の針状電極の製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of manufacturing a needle-like electrode of an ion beam generator used for microfabrication.
この発明は、多結晶材料を用いたイオンビーム発生装置
の釧状電極の製造方法において、該針状電極材料を長時
間熱処理して先端部の結晶粒を成長させることにより、
針状電極の特性を向上させかつ寿命を長くするものであ
る。This invention provides a method for manufacturing a hook-shaped electrode for an ion beam generator using a polycrystalline material, in which the needle-shaped electrode material is heat-treated for a long time to grow crystal grains at the tip.
This improves the characteristics of the needle electrode and extends its life.
一般に、半導体装置の製造工程では、写真蝕刻技術を用
いて微細加工が行われており、例えばフォトレジストの
選択的な露光については、最近の高集積化、微細化の傾
向に従い集束イオンビーム装置が用いられることがある
。Generally, in the manufacturing process of semiconductor devices, microfabrication is performed using photolithography technology.For example, for selective exposure of photoresist, focused ion beam equipment is used in accordance with the recent trend toward higher integration and miniaturization. Sometimes used.
ここで、第２図を参照して集束イオンビーム装置につい
て概略説明する。Here, the focused ion beam device will be briefly explained with reference to FIG.
集束イオンビーム装置は、イオンビームを発生させるた
めのエミッタ電極である針状電極１０と、イオンビーム
を引き出すための電圧が印加される引き出し電極１２を
有してなるイオンビーム発生装置９、上記電圧を印加す
るのに用いる電源１３、及びアパーチャー１４．集束レ
ンズ】５．偏向電極１６等からなり、例えば半導体基板
等の被照射体１７はこれらの系を通して射出されるイオ
ンビーム１８に照射されるように所定の位置に載置され
ている。The focused ion beam device includes an ion beam generator 9 having a needle-shaped electrode 10 which is an emitter electrode for generating an ion beam, and an extraction electrode 12 to which a voltage is applied to extract the ion beam, a power source 13 used to apply the voltage, and an aperture 14 . Focusing lens】5. It consists of a deflection electrode 16 and the like, and an irradiated object 17 such as a semiconductor substrate is placed at a predetermined position so as to be irradiated with the ion beam 18 emitted through these systems.
上記イオンビーム発生装置９には、上記正極となる針状
電極１０が取り付けられており、この針状電極１０と上
記引き出し電極１２との間におよそ１０ｋＶ程度までの
電圧を印加することにより、上記針状電極１０に強電界
が発生し、イオン源として導入した気体分子がイオン化
する。そして、上記各界を通して被照射体１７が露光さ
れることになる。尚、気体分子は通常Ｈ２，Ｈｅ、Ａｒ
等が使用されている。The ion beam generator 9 is equipped with a needle-like electrode 10 that serves as the positive electrode, and by applying a voltage of about 10 kV between the needle-like electrode 10 and the extraction electrode 12, the A strong electric field is generated in the needle electrode 10, and gas molecules introduced as an ion source are ionized. The object 17 to be irradiated is then exposed to light through each of the above fields. Note that gas molecules are usually H2, He, Ar
etc. are used.
このように集束イオンビーム装置は、イオンビーム発生
装置９の針状電極１０に高電圧を印加することにより、
所定のイオン化を行なっている。In this way, the focused ion beam device applies a high voltage to the needle electrode 10 of the ion beam generator 9.
Predetermined ionization is performed.
即ち、イオンビーム発生装置９が集束イオンビームの安
定性、高電流密度を定める重要な役割を果たしている。That is, the ion beam generator 9 plays an important role in determining the stability and high current density of the focused ion beam.
上記イオンビーム発生装置９は、集束イオンビーム装置
の性能を定めることになるが、ここで、イオンビーム発
生装置９の上記針状電極１０は、例えば高融点金属のＷ
（タングステン）、 Ｒｅ （レニウム）等を材料
としている。また、使用に際しては、第３図に示すよう
に、当該針状電極１０の先端部１１がエツチングされて
尖鋭化される。The ion beam generator 9 determines the performance of the focused ion beam device, and here, the acicular electrode 10 of the ion beam generator 9 is made of, for example, W of a high melting point metal.
(tungsten), Re (rhenium), etc. Further, in use, as shown in FIG. 3, the tip 11 of the needle-like electrode 10 is etched to make it sharp.
この先端部１１の尖鋭化は、例えば先端部１１の曲率半
径であるエミッタ半径が数百Å以下となるように行われ
る。このように針状電極１０は、多結晶材料のタングス
テン線等の材料をエツチングにより尖鋭化して、所定の
電圧を印加し使用されている。This sharpening of the tip 11 is performed so that the emitter radius, which is the radius of curvature of the tip 11, is, for example, several hundred angstroms or less. In this way, the needle electrode 10 is used by sharpening a material such as a polycrystalline tungsten wire by etching and applying a predetermined voltage to the material.
集束イオンビーム装置の高性能化を図るために、針状電
極の電流密度を大きくすることが要求されている。しか
しながら、従来の針状電極では、電流密度を大きくした
場合に、針状電極が破壊してしまうという弊害が発生し
、高性能化が果たせないでいた。In order to improve the performance of focused ion beam devices, it is required to increase the current density of the needle electrode. However, conventional needle-shaped electrodes have the disadvantage that when the current density is increased, the needle-shaped electrodes are destroyed, making it impossible to achieve high performance.
また、このような場合には、針状電極を長期的に使用す
ることができず、寿命の長期化も望まれていた。Furthermore, in such cases, the needle electrode cannot be used for a long period of time, and a longer lifespan has also been desired.
そこで、本発明は上述の問題点に鑑み、集束イオンビー
ム装置の性能を左右するイオンビーム発生装置の針状電
極の製造方法において、上記針状電極の寿命は長く、か
つ、電流密度を増大させても容易に破壊など生じないよ
うな針状電極の製造方法を提供することを目的とする。Therefore, in view of the above-mentioned problems, the present invention provides a method for manufacturing a needle-like electrode of an ion beam generator, which affects the performance of a focused ion beam device, in which the life of the needle-like electrode is long and the current density is increased. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a needle-like electrode that does not easily break even when the electrode is used.
本発明は、引き出し電極との間に高電圧を印加すること
によりイオン源からイオンビームを発生させるイオンビ
ーム発生装置の針状電極の製造方法において、
多結晶材料で形成される針状電極の先端部を長時間熱処
理して、該先端部の結晶を成長させることを特徴とする
イオンビーム発生装置の針状電極の製造方法により上述
の問題点を解決する。The present invention provides a method for manufacturing a needle-like electrode for an ion beam generator that generates an ion beam from an ion source by applying a high voltage between an extraction electrode and the tip of the needle-like electrode formed of a polycrystalline material. The above-mentioned problems are solved by a method of manufacturing a needle-shaped electrode for an ion beam generator, which is characterized by subjecting the tip to a long-term heat treatment to grow crystals at the tip.
本発明者等は、上述の如き目的を達成せんと鋭意検討の
結果、針状電極を形成する多結晶材料の結晶粒を大きく
成長させることにより、針状電極の特性向上、長寿命化
を図れることを見出し本発明を完成するに至ったもので
あって、イオンビーム発生装置の針状電極の製造に際し
、該針状電極材料を長時間熱処理し咳針状電極先端部の
結晶粒を成長させることを特徴とするものである。As a result of intensive studies aimed at achieving the above-mentioned objectives, the present inventors have found that by growing the crystal grains of the polycrystalline material that forms the needle-like electrodes, it is possible to improve the characteristics and extend the life of the needle-like electrodes. This discovery led to the completion of the present invention, and when manufacturing needle-like electrodes for ion beam generators, the needle-like electrode material is heat-treated for a long time to grow crystal grains at the tip of the cough needle-like electrode. It is characterized by this.
すなわち、一般には、電流密度を大きくするために、引
き出し電極に印加する電圧を大きくすることが必要とな
るが、第４図に示すように、引き出し電極に印加する電
圧である引き出し電圧Ｖは、多結晶材料の針状電極の先
端部のエミッタ半径ｒと比例関係にあり、引き出し電圧
■を増加させる場合には、エミッタ半径ｒを大きくする
必要がある。尚、第５図は、エミッタ半径ｒと角電流密
度ｉの相関関係を示しており、エミッタ半径ｒの増大に
相応して角電流密度ｉが増大する。この関係はエミッタ
半径ｒの自乗に角電流密度ｉが比例する関係になってい
る。That is, in general, in order to increase the current density, it is necessary to increase the voltage applied to the extraction electrode, but as shown in FIG. 4, the extraction voltage V, which is the voltage applied to the extraction electrode, is It is proportional to the emitter radius r at the tip of the needle-like electrode made of polycrystalline material, and when the extraction voltage (2) is increased, it is necessary to increase the emitter radius r. Incidentally, FIG. 5 shows the correlation between the emitter radius r and the angular current density i, and the angular current density i increases as the emitter radius r increases. This relationship is such that the angular current density i is proportional to the square of the emitter radius r.
ところが、引き出し電圧Ｖと共に針状電極の先端部のエ
ミッタ半径ｒを大きくする場合には、当該針状電極の先
端部に加わる引っ張り応力Ｆが増大し、多結晶材料の針
状電極が破壊されてしまうという現象が生ずる。However, when the emitter radius r of the tip of the needle electrode is increased along with the extraction voltage V, the tensile stress F applied to the tip of the needle electrode increases, and the needle electrode made of polycrystalline material is destroyed. A phenomenon of storage occurs.
すなわち、第６図に示すように、引っ張り応力Ｆとエミ
ッタ半径ｒの関係は、エミッタ半径ｒが増大するにつれ
て、引っ張り応力Ｆは大きく増大する関係になっている
。そして、このとき限界応力以上の引っ張り応力Ｆが針
状電極の先端部に加わった場合には、先端部の破壊が生
ずることになる。これは、高性能化のために電流密度を
大きくした場合には、引き出し電圧Ｖの増大と共にエミ
ッタ半径ｒも増大し、エミッタ半径ｒの増大により、引
っ張り応力Ｆが増大することを意味しており、この引っ
張り応力Ｆの増大により破壊が生ずることになる。尚、
第７図において、この関係を模式的に示し、針状電極の
先端部のエミッタ半ｉ￥ｒが小さい場合（第７図中、（
ａ）で示す。）では、引き出し電圧ＶＯに対して引っ張
り応力Ｆはある値の引っ張り応力ｆ？ｏであるが、高性
能化を意図してエミッタ半径ｒを大きくしかつ引き出し
電圧を大きくしである値ａＶｏ （ａ＞１）としたと
き（第７図中、（ｂ）で示す。）は、引っ張り応力Ｆは
ある値ａ２ Ｆ Ｏとなり、この引っ張り応力ａ２Ｆｏ
が限界応力（１＆述する。）を上回ったとき先端部で破
壊を生ずる（第７図中、（ｃ）で示す。）。That is, as shown in FIG. 6, the relationship between the tensile stress F and the emitter radius r is such that as the emitter radius r increases, the tensile stress F increases greatly. If a tensile stress F greater than the critical stress is applied to the tip of the needle electrode at this time, the tip will break. This means that when the current density is increased to improve performance, the emitter radius r also increases as the extraction voltage V increases, and as the emitter radius r increases, the tensile stress F increases. , this increase in tensile stress F causes fracture. still,
In Fig. 7, this relationship is schematically shown, and when the emitter half i\r at the tip of the needle electrode is small (in Fig. 7, (
Indicated by a). ), then the tensile stress F is a certain value of the tensile stress f with respect to the extraction voltage VO? However, when the emitter radius r is increased and the extraction voltage is increased with the intention of improving performance, and a value aVo (a>1) is set (indicated by (b) in Figure 7), , the tensile stress F has a certain value a2FO, and this tensile stress a2Fo
When the stress exceeds the critical stress (described as 1), breakage occurs at the tip (indicated by (c) in FIG. 7).
ところで、引っ張り応力Ｆの限界応力ρは、針状電極を
形成する材料である多結晶材料の結晶粒の粒径ｄに左右
される。すなわら、引っ張り応力Ｆの限界応力ρは、
ρ−Ｔｄ２ （Ｔ；材料の引っ張り強さ）の関係に
あり、第６図に示すように、異なる粒径ｄ、ｄ’ （
ｄ＞ｄ’）では、限界応力ρの値ρ（ｄ）とρ （ｄ′
）の値が異なり、大きい粒ｉ￥ｄの方が、限界応力ρが
大きくなっている。By the way, the critical stress ρ of the tensile stress F depends on the grain size d of the crystal grains of the polycrystalline material that is the material forming the needle electrode. In other words, the critical stress ρ of the tensile stress F is in the relationship ρ - Td2 (T: tensile strength of the material), and as shown in Figure 6, the critical stress ρ of the tensile stress F is
d>d'), the values of the critical stress ρ(d) and ρ(d'
) are different, and the larger grain i\d has a larger critical stress ρ.
従って、高性能化のため上述のようにエミッタ半径ｒを
大きくする場合において、例えば従来エミッタ半径ｒ２
であったものをエミッタ半径ｒ１とした場合、それだけ
引っ張り応力Ｆは大きくなって限界応力ρも大きい値が
必要になり、例えば点Ｐ２から点Ｐ１までの差に相当す
る限界応力ρの増大が望まれる。そこで、この限界応力
ρの増大を可能とするためには、上記考察によって針状
電極を形成する材料である多結晶材料の結晶粒の粒径ｄ
を大きくすることが必要になり、本発明はこれらの関係
を見出すことにより案出されたものである。Therefore, when increasing the emitter radius r as described above to improve performance, for example, the conventional emitter radius r2
If the emitter radius r1 is set as the emitter radius r1, the tensile stress F increases accordingly, and the critical stress ρ also needs to have a large value.For example, it is desirable to increase the critical stress ρ corresponding to the difference from point P2 to point P1. It will be done. Therefore, in order to make it possible to increase this critical stress ρ, the grain size d of the crystal grains of the polycrystalline material, which is the material forming the needle electrode, is determined based on the above considerations.
Therefore, the present invention was devised by finding these relationships.
すなわち、本発明のイオンビーム発生装置の針状電極の
製造方法は、例えばＷ、Ｒｅ等の高融点金属材料であり
多結晶材料で形成される針状電極の先端部を長時間熱処
理して、該先端部の結晶を成長させて、先端部の引っ張
り応力Ｆに対す°る限界応力ρを高めることとしている
。That is, the method for manufacturing a needle-like electrode of an ion beam generator according to the present invention includes heat-treating the tip of the needle-like electrode made of a polycrystalline material such as a high melting point metal material such as W or Re for a long time. The crystal at the tip is grown to increase the critical stress ρ with respect to the tensile stress F at the tip.
ここで成長させる結晶の粒径をｄとし、エミッタ半径ｒ
に対しては、
２ｒ＜ｄ
となるように結晶の粒径ｄを成長させることが望ましく
、また、より好ましくはエミッタ先端部の電界をＥ、材
料の引っ張り強さをＴとした場合には、
（ｒ２／８）・（Ｅ／３００）２〈π・（ｄ／２）２・
Ｔとなるような結晶の粒径ｄにすれば良い。Here, the grain size of the crystal to be grown is d, and the emitter radius r
It is desirable to grow the grain size d of the crystal so that 2r<d, and more preferably, when the electric field at the emitter tip is E and the tensile strength of the material is T, (r2/8)・(E/300)2〈π・(d/2)2・
The grain size d of the crystal may be set so that T is obtained.
本実施例のイオンビーム発生装置の針状電極の製造方法
は、多結晶材料からなるタングステン線を先端部尖鋭化
ためのエツチング後、該尖鋭化されたタングステン線に
長時間熱処理を施して、上記タングステン線の結晶粒径
を大きくし、限界応力の大きい針状電極とするものであ
る。The method for manufacturing the needle-like electrode of the ion beam generator of this embodiment is to etching a tungsten wire made of polycrystalline material to sharpen its tip, and then subjecting the sharpened tungsten wire to long-term heat treatment. The crystal grain size of the tungsten wire is increased to create a needle-shaped electrode with a large critical stress.
本実施例においては、長時間熱処理として真空アニール
法により、１０００−１５００℃、少なくとも１０時間
以上のアニールを施す。ここでアニール法は、特に限定
されるものではなく、多結晶材料からなるタングステン
線の結晶粒径を成長させるものであればよく、例えば赤
外線やレーザー等を用いたアニール処理でもよい。In this example, the long-term heat treatment is performed by vacuum annealing at 1000-1500° C. for at least 10 hours. Here, the annealing method is not particularly limited as long as it grows the crystal grain size of the tungsten wire made of polycrystalline material, and for example, annealing treatment using infrared rays, laser, etc. may be used.
第１図に模式的に示すように、本実施例のイオンビーム
発生装置の針状電極の製造方法は、長時間熱処理である
アニール工程を経て、針状電極を形成する多結晶材料の
先端部１の結晶粒径ｄｏを先端部２の結晶粒径ｄ１まで
大きくしている。As schematically shown in FIG. 1, the method for manufacturing the acicular electrode of the ion beam generator of this embodiment involves an annealing process, which is a long-term heat treatment, to form the tip of the polycrystalline material that forms the acicular electrode. The crystal grain size do of No. 1 is increased to the crystal grain size d1 of tip portion 2.
このように本実施例のイオンビーム発生装置の針状電極
の製造方法は、針状電極の先端部の結晶の結晶粒径を大
きくして、限界応力を大きくし、容易に破壊せず寿命の
長い針状電極を形成する。In this way, the method for manufacturing the needle-like electrode of the ion beam generator of this embodiment increases the crystal grain size of the crystal at the tip of the needle-like electrode to increase the critical stress, so that it does not break easily and has a long lifespan. Form a long needle-like electrode.
そこで、このような本実施例による針状電極の特性向上
を本発明者等が行った実験データに基づき説明する。Therefore, the improvement in the characteristics of the needle-like electrode according to this embodiment will be explained based on experimental data conducted by the present inventors.
実験は全くアニールの施されていないタングステン線と
本実施例のアニールを施したタングステン線の破壊電圧
、エミッタ半径、引っ張り強さをそれぞれ比較した。先
ず、この結果を第１表に示す。In the experiment, the breakdown voltage, emitter radius, and tensile strength of a completely unannealed tungsten wire and an annealed tungsten wire of this example were compared. First, the results are shown in Table 1.
（以下、余白）
第１表
上記第１表のようにアニール無しの場合とアニール有り
の場合では、アニール有りの方が、破壊電圧の向上、エ
ミッタ半径の増大、引っ張り強さの強度向上などがみら
れる。したがって、本実施例のイオンビーム発生装置の
針状電極の製造方法を用いて針状電極を製造することに
より、容易に破壊することのなく、特性の優れた針状電
極を提供することができる。(Left below) Table 1 As shown in Table 1 above, between the cases without annealing and the cases with annealing, annealing improves breakdown voltage, emitter radius, tensile strength, etc. Be looked at. Therefore, by manufacturing a needle electrode using the method for manufacturing a needle electrode of an ion beam generator according to this embodiment, it is possible to provide a needle electrode with excellent characteristics without being easily broken. .
本発明のイオンビーム発生装置の針状電極の製造方法は
、長時間熱処理によって針状電極を形成する多結晶材料
の針状電極の先端部の結晶粒径を大きくするため、電流
密度の増大の要求に対応して、引き出し電圧を高め、か
つエミッタ半径を増大させても、容易に破壊することが
なく、長寿命の針状電極を製造することができる。The method for manufacturing a needle-shaped electrode for an ion beam generator according to the present invention increases the crystal grain size at the tip of the needle-shaped electrode of a polycrystalline material that forms the needle-shaped electrode by long-term heat treatment. In response to demand, even if the extraction voltage is increased and the emitter radius is increased, it is possible to manufacture a needle-shaped electrode that does not easily break and has a long life.
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のイオンビーム発生装置の針状電極の製
造方法を説明する針状電極の先端部の模式図であり、第
２図は集束イオンビーム装置の一例を示す模式図であり
、第３図は針状電極の形状を示す概略断面図であり、第
４図は引き出し電圧とエミッタ半径の関係を示す特性図
であり、第５図はエミッタ半径と負電流密度の関係を示
す特性図であり、第６図はエミッタ半径と引っ張り応力
および限界応力の関係を示す特性図であり、第７図はエ
ミッタ半径及び引き出し電圧の相違による破壊の相違を
説明する針状電極の先端部の模式図である。
１・・・針状電極の先端部（アニール前）２・・・針状
電極の先端部（アニール後）ｄ、 ・・・アニール前の
結晶粒径
ｄ１・・・アニール後の結晶粒径
特 許 出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁
理士 小池 見間 田村榮−
ｉがご昼臂匡
（ａ）
第
Ｖ’ａ■
（ｂ） （Ｃ）
７図[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1 is a schematic diagram of the tip of a needle-like electrode for explaining the method for manufacturing the needle-like electrode of the ion beam generator of the present invention, and FIG. 2 is an example of a focused ion beam device. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the shape of the needle electrode, FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the extraction voltage and the emitter radius, and FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the emitter radius and the negative Fig. 6 is a characteristic diagram showing the relationship between current density, Figure 6 is a characteristic diagram showing the relationship between emitter radius, tensile stress and critical stress, and Figure 7 explains the difference in destruction due to differences in emitter radius and extraction voltage. FIG. 3 is a schematic diagram of the tip of a needle-like electrode. 1...Tip of the needle-shaped electrode (before annealing) 2...Tip of the needle-shaped electrode (after annealing) d,...Crystal grain size before annealing d1...Crystal grain size characteristics after annealing Applicant Sony Corporation Representative Patent Attorney Koike Mima Sakae Tamura - i ga Gohiru Tadashi (a) Part V'a■ (b) (C) Figure 7
Claims (1)
ン源からイオンビームを発生させるイオンビーム発生装
置の針状電極の製造方法において、多結晶材料で形成さ
れる針状電極の先端部を長時間熱処理して、該先端部の
結晶を成長させることを特徴とするイオンビーム発生装
置の針状電極の製造方法。In a method for manufacturing a needle electrode for an ion beam generator that generates an ion beam from an ion source by applying a high voltage between an extraction electrode and an extraction electrode, the tip of the needle electrode made of polycrystalline material is held for a long time. A method for manufacturing a needle-shaped electrode for an ion beam generator, the method comprising heat-treating to grow a crystal at the tip.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20317085A JPS6264017A (en) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | Manufacture of needle electrode for ion beam generating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20317085A JPS6264017A (en) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | Manufacture of needle electrode for ion beam generating apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6264017A true JPS6264017A (en) | 1987-03-20 |
Family
ID=16469610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20317085A Pending JPS6264017A (en) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | Manufacture of needle electrode for ion beam generating apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6264017A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01130460A (en) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Hitachi Ltd | Scanning type spot ion source |
| WO2013035411A1 (en) * | 2011-09-05 | 2013-03-14 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | Emitter, gas field ionization ion source, and ion beam device |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP20317085A patent/JPS6264017A/en active Pending
Cited By (3)
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| WO2013035411A1 (en) * | 2011-09-05 | 2013-03-14 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | Emitter, gas field ionization ion source, and ion beam device |
| JP2013054911A (en) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Hitachi High-Technologies Corp | Emitter, gas field ionization ion source, and ion beam device |
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