JPS6263421A - 半導体ウエ−ハ熱処理装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハ熱処理装置Info
- Publication number
- JPS6263421A JPS6263421A JP20298185A JP20298185A JPS6263421A JP S6263421 A JPS6263421 A JP S6263421A JP 20298185 A JP20298185 A JP 20298185A JP 20298185 A JP20298185 A JP 20298185A JP S6263421 A JPS6263421 A JP S6263421A
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- JP
- Japan
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- flow rate
- exhaust
- gas
- semiconductor wafer
- rate sensor
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発町は、半導体ウェーハの拡散工程等に用いられる半
導体ウェーハ熱処理装置に係り、特に、この半導体ウェ
ーハ熱処理装置の熱処理中のガス流量ｉ、＋１ｍ装置に
関する。
導体ウェーハ熱処理装置に係り、特に、この半導体ウェ
ーハ熱処理装置の熱処理中のガス流量ｉ、＋１ｍ装置に
関する。
既に提案されているこの種の半導体ウェーハ熱処理装置
は、第６図に示されるように、’ｍＷ式多段炉と称する
各プロセスチューブで半導体ウェーハの拡散工程等に使
用される量産用ラインを構成したものである。
は、第６図に示されるように、’ｍＷ式多段炉と称する
各プロセスチューブで半導体ウェーハの拡散工程等に使
用される量産用ラインを構成したものである。
即ち、第６図において、石英材で形成された筒状をなす
複数のプロセスチューブ１の一端部には、各ガス導入口
１ａが形成されており、上記各プロセスチューブ１の各
他端間口部１ｂには、各排気口２を有する各開閉蓋３が
開ｍ自在に設けられている。又、上記各ガス導入口１ａ
には、不純物ガス及びキャリアガスをそれぞれ混合して
供給する各供給管４が接続されており、この各供給管４
には、不純物ガス供給管４ａ及びキャリアガス供給管４
ｂが付設されており、これらのガス供給管４ａと４ｂに
は、各マス７０−コントローラ５゜６がそれぞれ付設さ
れている。さらに、上記各開閉蓋３の各排気口２には、
各排気管７が接続されており、この各排気管７には、主
排管８が設置ｊられている。さらに又、この主排管８に
は、排気ブロワ（送風機）９が設置されており、この排
気ブロワ９は、上記各プロセスチューブ１内で仕事を了
えた使用済ガスを各排気管７を通して機外へ排気するよ
うになっている。ざらに又、上記各プロセスチューブ１
の外がわには、ヒータによる各加熱器１０が各プロヒス
チューブ１を加熱するようにして配設されている。
複数のプロセスチューブ１の一端部には、各ガス導入口
１ａが形成されており、上記各プロセスチューブ１の各
他端間口部１ｂには、各排気口２を有する各開閉蓋３が
開ｍ自在に設けられている。又、上記各ガス導入口１ａ
には、不純物ガス及びキャリアガスをそれぞれ混合して
供給する各供給管４が接続されており、この各供給管４
には、不純物ガス供給管４ａ及びキャリアガス供給管４
ｂが付設されており、これらのガス供給管４ａと４ｂに
は、各マス７０−コントローラ５゜６がそれぞれ付設さ
れている。さらに、上記各開閉蓋３の各排気口２には、
各排気管７が接続されており、この各排気管７には、主
排管８が設置ｊられている。さらに又、この主排管８に
は、排気ブロワ（送風機）９が設置されており、この排
気ブロワ９は、上記各プロセスチューブ１内で仕事を了
えた使用済ガスを各排気管７を通して機外へ排気するよ
うになっている。ざらに又、上記各プロセスチューブ１
の外がわには、ヒータによる各加熱器１０が各プロヒス
チューブ１を加熱するようにして配設されている。
従って、上述した半導体ウェーハ熱処理装置は、半導体
ウェーハＷを挿入して拡散等の熱処理する場合、予め、
上記各プロセスチューブ１の各開閉Ｍ３を閉扉し、次に
、未然処理による多数のウェーハＷを載置したボート（
１１送休）１１を上記各プロセスチューブ１に挿入した
侵、再び、上記各開閉蓋３を閉扉し、しかる後、上記各
マスフローコントローラ５，６を開弁じて不純物ガスや
これを移送するキャリアガスを上記各プロセスチューブ
１へ供給すると共に、上記各プロセスチューブ１を各加
熱器１０で適正温庶に加熱し、これによって、上記各プ
ロセスチューブ１内の各半導体つ工−ハＷを加熱すると
共に、これを混合ガスぐ拡散処理を施づようになってい
る。
ウェーハＷを挿入して拡散等の熱処理する場合、予め、
上記各プロセスチューブ１の各開閉Ｍ３を閉扉し、次に
、未然処理による多数のウェーハＷを載置したボート（
１１送休）１１を上記各プロセスチューブ１に挿入した
侵、再び、上記各開閉蓋３を閉扉し、しかる後、上記各
マスフローコントローラ５，６を開弁じて不純物ガスや
これを移送するキャリアガスを上記各プロセスチューブ
１へ供給すると共に、上記各プロセスチューブ１を各加
熱器１０で適正温庶に加熱し、これによって、上記各プ
ロセスチューブ１内の各半導体つ工−ハＷを加熱すると
共に、これを混合ガスぐ拡散処理を施づようになってい
る。
他方、仕事を了えた排気ガスは、上記排気ブロワ９を駆
動づ゛ることによって、上記各排気管７や主排管８を通
して機外へ排気するＪ：うになっている。
動づ゛ることによって、上記各排気管７や主排管８を通
して機外へ排気するＪ：うになっている。
なお、各プロヒスデユープ１内の拡散処理を施した半導
体ウェーハＷは、上記開閉蓋３を１７ｉ１扉して取出さ
れる。
体ウェーハＷは、上記開閉蓋３を１７ｉ１扉して取出さ
れる。
しかしながら、上述した半導体ウェーハ熱処理￥Ｉ装置
における各プロセスチューブは、相互に独立して構成さ
れており、しかも、これらの運転開始−運転中−運転停
止の各工程も独立している関係上、それぞれの各排気口
２における排ガスｍが不均一になる。
における各プロセスチューブは、相互に独立して構成さ
れており、しかも、これらの運転開始−運転中−運転停
止の各工程も独立している関係上、それぞれの各排気口
２における排ガスｍが不均一になる。
又一方、上記１台のプロセスチューブ１においても、熱
処理体止中のＮ２バージ、炉温度、ウェーハ熱処理中の
ガス流量シーケンスや温度シーケンスにより、それぞれ
の各排気口２での排ガス抵抗が時々刻々変化しているに
も拘らず、各プロセスチューブ１の各ガス導入口１ａで
は、各プロセスチューブ１に沿ってガス供給装置から上
記各マスフローコントローラ５，６を通して各排気口２
側の排気ガスに関係なく、各プロセスチューブ１内へ混
合ガスを供給するようになっているため、上記各プロセ
スチューブ１内での熱処理中においても、上記各ガス導
入口１ａより一定量のキャリアガスと一定量の不活性ガ
スを混合して供給しても、上記各排気口２側の排気ガス
抵抗（排ガス量）の変動により、各プロセスチューブ１
内の半導体ウェーハＷの近傍のガスの流れが一様に生成
されず、熱処理中の半導体ウェーハＷの拡散工程の不純
物ガス濃度にばらつきを生じ、これに起因して、半導体
ウェーハＷの拡散工程等の熱処理が均一に行なわれず、
品質の向上を図ることが困難である。
処理体止中のＮ２バージ、炉温度、ウェーハ熱処理中の
ガス流量シーケンスや温度シーケンスにより、それぞれ
の各排気口２での排ガス抵抗が時々刻々変化しているに
も拘らず、各プロセスチューブ１の各ガス導入口１ａで
は、各プロセスチューブ１に沿ってガス供給装置から上
記各マスフローコントローラ５，６を通して各排気口２
側の排気ガスに関係なく、各プロセスチューブ１内へ混
合ガスを供給するようになっているため、上記各プロセ
スチューブ１内での熱処理中においても、上記各ガス導
入口１ａより一定量のキャリアガスと一定量の不活性ガ
スを混合して供給しても、上記各排気口２側の排気ガス
抵抗（排ガス量）の変動により、各プロセスチューブ１
内の半導体ウェーハＷの近傍のガスの流れが一様に生成
されず、熱処理中の半導体ウェーハＷの拡散工程の不純
物ガス濃度にばらつきを生じ、これに起因して、半導体
ウェーハＷの拡散工程等の熱処理が均一に行なわれず、
品質の向上を図ることが困難である。
本発明は、上述した事情に鑑みなされたものであって、
各プロレスチューブ内のガス濃度を、常に、均一にして
半導体ウェーハの拡散作用のばらつきを解消し、品質の
向上を図ることを目的とＪる半導体ウェーハ熱処理装置
を提供づ゛るｂのである。
各プロレスチューブ内のガス濃度を、常に、均一にして
半導体ウェーハの拡散作用のばらつきを解消し、品質の
向上を図ることを目的とＪる半導体ウェーハ熱処理装置
を提供づ゛るｂのである。
本発明は、加熱器を備えた複数のプロセスチューブを並
設し、この各プロセスチューブの各排気口に各排気管を
介して主排管を接続し、Ｌ２各排気管に各流量調節弁及
び各流徂センザーを付設し、この各流量センザーで各流
量調節弁を制御するようにして各プロセスチューブ内の
がスｌを常に均一にして半導体ウェーハの品質の向上を
図るように構成したものである。
設し、この各プロセスチューブの各排気口に各排気管を
介して主排管を接続し、Ｌ２各排気管に各流量調節弁及
び各流徂センザーを付設し、この各流量センザーで各流
量調節弁を制御するようにして各プロセスチューブ内の
がスｌを常に均一にして半導体ウェーハの品質の向上を
図るように構成したものである。
（発明の実施例〕
以下、本発明を図示の一実施例について説明づる。
なお、本発明は、上述した具体例と同一構成部材には、
同じ符号を付して説明する。
同じ符号を付して説明する。
第１図乃至第３図において、符号１は、石英材で形成さ
れ、しかも、並設された筒状をな？１′複数のプロセス
チューブであって、この各プロセスチューブ１の一端部
には、各ガス導入口１ａが形成されており、上記各プロ
セスチューブ１の各他端開口部１ｂには、各排気口２を
有する各開閉蓋３が間開自在に設けられている。又、上
記各ガス導入口１ａには、不純物ガス及びキャリアガス
を供給する各供給管４が接続されており、この各供給管
４には、不純物ガス供給管４ａ、４ｃ及びキャリアガス
供給管４ｂが付設されており、上記ガス供給管／ｌａ、
４．ｂ、４ｃには、各マスフローコン１−ローラ５，５
ａ、６がそれぞれ付設されている。
れ、しかも、並設された筒状をな？１′複数のプロセス
チューブであって、この各プロセスチューブ１の一端部
には、各ガス導入口１ａが形成されており、上記各プロ
セスチューブ１の各他端開口部１ｂには、各排気口２を
有する各開閉蓋３が間開自在に設けられている。又、上
記各ガス導入口１ａには、不純物ガス及びキャリアガス
を供給する各供給管４が接続されており、この各供給管
４には、不純物ガス供給管４ａ、４ｃ及びキャリアガス
供給管４ｂが付設されており、上記ガス供給管／ｌａ、
４．ｂ、４ｃには、各マスフローコン１−ローラ５，５
ａ、６がそれぞれ付設されている。
さらに、上記各開閉ｎ３の各排気口２には、各排気管７
が接続されており、この各排気管７には、ヘッダー（管
寄せ）を兼ねた主排管８が設けられている。ざらに又、
この主排管８には、排気ブロワ９が設置されており、こ
の排気ブロワ９は、上記各プロセスチュー１１内で仕事
を了えた使用済ガスを各排気管７を通して機外へ排気す
るようになっている。さらに、又、上記各ブｎセスヂ、
１−ブ１の外がわには、ヒータによる各加熱器１０が各
プロレスチューブ１を加熱するようにして配設されてい
る。
が接続されており、この各排気管７には、ヘッダー（管
寄せ）を兼ねた主排管８が設けられている。ざらに又、
この主排管８には、排気ブロワ９が設置されており、こ
の排気ブロワ９は、上記各プロセスチュー１１内で仕事
を了えた使用済ガスを各排気管７を通して機外へ排気す
るようになっている。さらに、又、上記各ブｎセスヂ、
１−ブ１の外がわには、ヒータによる各加熱器１０が各
プロレスチューブ１を加熱するようにして配設されてい
る。
一方、上記各排気管７には、各流ｍ調節弁１２及び各流
量センサー１３が付設されており、この各流５センサー
１３には、上記各流ｍ調節弁１２を電気的に開ｒＡυｊ
御する制御装置１４が接続されている。この制御装置１
４は、第２図及び第３図に示されように、上記各流量セ
ンサー１３からの出力信号を受信するばかりでなく、上
記各マスフローコントローラ５．５ａ、６及び上記加熱
器１０に添設された熱電対による温度センサー１５から
の出力信号を受信すると共に、この制御装置１４内の各
演算５１４ａ、１４ｂ、１４ｅや比較器１４ｃ、１４ｃ
ｊで演算した出力信号を上記各流■ｗ４節弁１２へ送信
して開閉制御するようになっている。
量センサー１３が付設されており、この各流５センサー
１３には、上記各流ｍ調節弁１２を電気的に開ｒＡυｊ
御する制御装置１４が接続されている。この制御装置１
４は、第２図及び第３図に示されように、上記各流量セ
ンサー１３からの出力信号を受信するばかりでなく、上
記各マスフローコントローラ５．５ａ、６及び上記加熱
器１０に添設された熱電対による温度センサー１５から
の出力信号を受信すると共に、この制御装置１４内の各
演算５１４ａ、１４ｂ、１４ｅや比較器１４ｃ、１４ｃ
ｊで演算した出力信号を上記各流■ｗ４節弁１２へ送信
して開閉制御するようになっている。
即ち、上記制御Ｉ装置１４は、第３図に示されるように
、各プロセスチューブにおけるガス導入ｍ演ｎ器１／１
ａの設定値の出力信号と消費ガス量演算器１４ｂの設定
値の出力信号とを第１比較器１４Ｇで比較演算し、この
出力信号を第２比較器１４ｄへ送信し、この第２比較器
１４ｄは、上記各流■センサー１３、マスフローコント
ローラ５゜５ａ、６及び温度センサー１５からの出力信
号を受信して、比較演算し、さらに、この第２比較器１
４ ｄの出力信号をＰＩＤ演ｎ器（主演算固）１４ｅを
介して上記各流ｍ調節弁１２へ送信して開閉制御するＪ
：うになっている。
、各プロセスチューブにおけるガス導入ｍ演ｎ器１／１
ａの設定値の出力信号と消費ガス量演算器１４ｂの設定
値の出力信号とを第１比較器１４Ｇで比較演算し、この
出力信号を第２比較器１４ｄへ送信し、この第２比較器
１４ｄは、上記各流■センサー１３、マスフローコント
ローラ５゜５ａ、６及び温度センサー１５からの出力信
号を受信して、比較演算し、さらに、この第２比較器１
４ ｄの出力信号をＰＩＤ演ｎ器（主演算固）１４ｅを
介して上記各流ｍ調節弁１２へ送信して開閉制御するＪ
：うになっている。
従って、今、半導体ウェーハＷを挿入して拡散等の熱処
理づる場合、上記各プロセスデユープ１の各開閉蓋３を
開扉し、次に、未熟処理による多数のウェーハＷを載置
したボート１１を上記各プロセスチューブ１に挿入した
後、再び、上記各開閉蓋３を閉扉し、しかる後、上記マ
スフローコン１−〇−ラ５．５ａ、６を開弁して不純物
ガスやこれを移送するキャリアガスを上記各プロセスチ
ューブ１へ供給すると共に、上記プロセスチューブ１を
各加熱３１０で適正温度に加熱し、上記各プロセスチュ
ーブ１内の各半導体ウェーハＷを加熱すると共に、これ
を混合ガスで拡散処理を施すようになっている。
理づる場合、上記各プロセスデユープ１の各開閉蓋３を
開扉し、次に、未熟処理による多数のウェーハＷを載置
したボート１１を上記各プロセスチューブ１に挿入した
後、再び、上記各開閉蓋３を閉扉し、しかる後、上記マ
スフローコン１−〇−ラ５．５ａ、６を開弁して不純物
ガスやこれを移送するキャリアガスを上記各プロセスチ
ューブ１へ供給すると共に、上記プロセスチューブ１を
各加熱３１０で適正温度に加熱し、上記各プロセスチュ
ーブ１内の各半導体ウェーハＷを加熱すると共に、これ
を混合ガスで拡散処理を施すようになっている。
他方、仕事を了えた排気ガスは、排気ガスブロワ９を駆
動することによって、上記各排気管７及び主撲管８を通
して機外へ排気するようになっている。
動することによって、上記各排気管７及び主撲管８を通
して機外へ排気するようになっている。
特に、本発叫は、上記各排気管７に各流量センサー１３
によって排ガス深爪を検出し、この検出信号を上記制御
装置１４へ送信する。しかして、この制御装置１４は、
前述したように、比較演算した出力信号を上記各流ｍ調
節弁１２へ送信し、これを開閉制御することによって、
各プロセスチューブ１内のガス濃度を常に均一にして、
半導体ウェーハＷの拡散作用のばらつぎをＭｉＩ！４シ
、品質の向上を図るようになっている。
によって排ガス深爪を検出し、この検出信号を上記制御
装置１４へ送信する。しかして、この制御装置１４は、
前述したように、比較演算した出力信号を上記各流ｍ調
節弁１２へ送信し、これを開閉制御することによって、
各プロセスチューブ１内のガス濃度を常に均一にして、
半導体ウェーハＷの拡散作用のばらつぎをＭｉＩ！４シ
、品質の向上を図るようになっている。
なお、上記各制御装置１４はそれぞれ個々に独立して構
成したものについて現用したけれども、これらをユニツ
１〜化して構成することは自由である。
成したものについて現用したけれども、これらをユニツ
１〜化して構成することは自由である。
次に、第４図に示される本発明の他の実施例は、制御装
置１４′をマニアル設定器１６ａを備えた調節計１６で
構成したものであって、これによって、流ｍセンサー１
３からの検出信号をフィードバック信号により上記制御
装置１４と同じ排ガス流量制御をするようにしたもので
ある。
置１４′をマニアル設定器１６ａを備えた調節計１６で
構成したものであって、これによって、流ｍセンサー１
３からの検出信号をフィードバック信号により上記制御
装置１４と同じ排ガス流量制御をするようにしたもので
ある。
さらに、第５図に示される本発明の他の実施例は、制御
装置１４″をマニアル圧力設定器１６ａ′を備えた圧力
ｗ４Ｗｊ計１６′で構成し、上記排気管７は逆止弁１８
、大気圧に連通ずる圧力調整弁１７及び圧力センサー１
３′を付設し、この圧力センサー１３′の検出信号を上
記制御装置１４″へ送信し、さらに、ここで演算した出
力信号は、上記圧力調整弁１７を開閉制御すると共に、
上記逆止弁１８によってプロセスチューブ１側へ逆流し
ないように構成したものである。
装置１４″をマニアル圧力設定器１６ａ′を備えた圧力
ｗ４Ｗｊ計１６′で構成し、上記排気管７は逆止弁１８
、大気圧に連通ずる圧力調整弁１７及び圧力センサー１
３′を付設し、この圧力センサー１３′の検出信号を上
記制御装置１４″へ送信し、さらに、ここで演算した出
力信号は、上記圧力調整弁１７を開閉制御すると共に、
上記逆止弁１８によってプロセスチューブ１側へ逆流し
ないように構成したものである。
以上述べたように本発明によれば、加熱器１０を備えた
複数のプロセスチューブ１を並設し、この各プロセスチ
ューブ１の各排気口２に各排気管７を介して１排管８を
接続し、上記各排気管７に各流量調節弁１２及び各流量
センサー１３を付設し、この各流量センサー１３で上記
各流Ｒ調り弁１２を制御するようになっているので、各
ブ］コレスヂュー１１内を独立して一定のガス濃度を制
御して半導体ウェーハＷの拡散作用のばらつきを解消で
きるばかりでなく、ｍ産うインにおける品質の向上を図
ることができる。
複数のプロセスチューブ１を並設し、この各プロセスチ
ューブ１の各排気口２に各排気管７を介して１排管８を
接続し、上記各排気管７に各流量調節弁１２及び各流量
センサー１３を付設し、この各流量センサー１３で上記
各流Ｒ調り弁１２を制御するようになっているので、各
ブ］コレスヂュー１１内を独立して一定のガス濃度を制
御して半導体ウェーハＷの拡散作用のばらつきを解消で
きるばかりでなく、ｍ産うインにおける品質の向上を図
ることができる。
第１図は、本発明による半導体ウェーハ熱処理装置を示
す線図、第２図は、本発明の要部のみを取出して示す縮
図、第３図は、本発明に組込まれる＄り御装置の線図、
第４図及び第５図は、本発明の他の実施例を示す各図、
第６図は、既に提案されている半導体ウェーハ熱処理装
置を示す線図である。 １・・・プロセスチューブ、２・・・排気口、３・・・
ｌ７ｉ１閉蓋、４・・・供給管、７・・・排気管、８・
・・主排管、９・・・排気ブロワ、１０・・・加熱器、
１１・・・ボート、１２・・・流量調節弁、１３・・・
流量セン寸−１１４・・・制御装置。 出願人代理人 佐 藤 −雄 鳥 １ 図 第２図 第４図 第６図
す線図、第２図は、本発明の要部のみを取出して示す縮
図、第３図は、本発明に組込まれる＄り御装置の線図、
第４図及び第５図は、本発明の他の実施例を示す各図、
第６図は、既に提案されている半導体ウェーハ熱処理装
置を示す線図である。 １・・・プロセスチューブ、２・・・排気口、３・・・
ｌ７ｉ１閉蓋、４・・・供給管、７・・・排気管、８・
・・主排管、９・・・排気ブロワ、１０・・・加熱器、
１１・・・ボート、１２・・・流量調節弁、１３・・・
流量セン寸−１１４・・・制御装置。 出願人代理人 佐 藤 −雄 鳥 １ 図 第２図 第４図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、加熱器を備えた複数のプロセスチューブを並設し、
この各プロセスチューブの各排気口に各排気管を介して
主排管を接続し、上記各排気管に各流量調節弁及び各流
量センサーを付設し、この各流量センサーで各流量調節
弁を制御するようにしたことを特徴とする半導体ウェー
ハ熱処理装置。 ２、流量調節弁を圧力調整弁及び逆止弁とし、流量セン
サーを圧力センサーとしたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体ウェーハ熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20298185A JPS6263421A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体ウエ−ハ熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20298185A JPS6263421A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体ウエ−ハ熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6263421A true JPS6263421A (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=16466353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20298185A Pending JPS6263421A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体ウエ−ハ熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6263421A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140714A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Tel Sagami Ltd | 半導体ウエハ処理装置 |
| JPH0353517A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 常圧処理装置 |
| US5088922A (en) * | 1990-01-23 | 1992-02-18 | Tokyo Electron Sagami Limited | Heat-treatment apparatus having exhaust system |
| JP2010283345A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-16 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | ２−６族半導体材料をアニールするためのチャンバー、装置、及び、方法 |
| JP2011023454A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 強誘電体膜を有するデバイスの製造方法及び熱処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5768021A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-26 | Toshiba Corp | Diffusing device |
| JPS6064428A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Fujitsu Ltd | 酸化拡散方法 |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP20298185A patent/JPS6263421A/ja active Pending
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