JPS626155A - 浸炭計測用プル−ブ - Google Patents
浸炭計測用プル−ブInfo
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- JPS626155A JPS626155A JP14597385A JP14597385A JPS626155A JP S626155 A JPS626155 A JP S626155A JP 14597385 A JP14597385 A JP 14597385A JP 14597385 A JP14597385 A JP 14597385A JP S626155 A JPS626155 A JP S626155A
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- JP
- Japan
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- carburized
- magnetic
- carburized part
- magnet
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、石油化学工業におけるエチレン製造用クラッ
キングチューブ内面に発生する浸炭部を外表面から非破
壊的に計測する際等に用いる浸炭計測用プルーブに関す
るものである。
キングチューブ内面に発生する浸炭部を外表面から非破
壊的に計測する際等に用いる浸炭計測用プルーブに関す
るものである。
(従来の技術)
原料ナフサを高温・高圧下に熱分解してエチレン等を回
収するための反応管であるエチレン製造用クランキング
チューブとしては、637M HK40(0,4χC
−25χCr−20χNi)、HP45 (0,45χ
C−25χCr−35χNl)%又はIP改良材(IP
材にMO% W 、Nb等を単独若しくは複合添加した
もの)等が使用されている。
収するための反応管であるエチレン製造用クランキング
チューブとしては、637M HK40(0,4χC
−25χCr−20χNi)、HP45 (0,45χ
C−25χCr−35χNl)%又はIP改良材(IP
材にMO% W 、Nb等を単独若しくは複合添加した
もの)等が使用されている。
クランキングチューブは、長期間使用されるうちに、チ
ェーブ内面に反応に伴って生成される炭素が付着し、こ
の付着炭素が高温下において金属内部に拡散して浸炭が
発生する。浸炭により浸入した炭素は、Cr炭化物を形
成し、浸炭が加速された状態ではCr炭化物が粗大とな
り、低温域(約800℃以下)で著しい延性低下を招く
。またチューブの浸炭部の熱膨張係数は、非浸炭部のそ
れより小さいので、急激な加熱・冷却を行なうと、引張
・圧縮応力の発生と、前記低温域での延性低下とが重畳
して、チューブに破壊が生ずることがあった。
ェーブ内面に反応に伴って生成される炭素が付着し、こ
の付着炭素が高温下において金属内部に拡散して浸炭が
発生する。浸炭により浸入した炭素は、Cr炭化物を形
成し、浸炭が加速された状態ではCr炭化物が粗大とな
り、低温域(約800℃以下)で著しい延性低下を招く
。またチューブの浸炭部の熱膨張係数は、非浸炭部のそ
れより小さいので、急激な加熱・冷却を行なうと、引張
・圧縮応力の発生と、前記低温域での延性低下とが重畳
して、チューブに破壊が生ずることがあった。
従って、チューブの破壊を未然に防止し、安全で円滑な
操業を維持するには、浸炭検査を定期的に実施し、浸炭
の有無、及びその進行状況を適確に把握することが必要
である。
操業を維持するには、浸炭検査を定期的に実施し、浸炭
の有無、及びその進行状況を適確に把握することが必要
である。
浸炭深さを非破壊的に測定する方法としては、浸炭部の
組成変化、即ちCrの欠乏と、Fe及びNiの相対的増
量に伴なう磁気特性の変化を利用した各種の磁気測定法
が知られている。例えば、電磁誘導によりチューブの浸
炭深さを判定する方法、ホール効果を応用したガウスメ
ータを用いる方法等がある。
組成変化、即ちCrの欠乏と、Fe及びNiの相対的増
量に伴なう磁気特性の変化を利用した各種の磁気測定法
が知られている。例えば、電磁誘導によりチューブの浸
炭深さを判定する方法、ホール効果を応用したガウスメ
ータを用いる方法等がある。
ガウスメータを用いる測定方法は、第8図に示すように
ガウスメータ本体lに接続されたホール素子2を内蔵す
るプルーブ3を、被検材であるチューブ4の外表面にあ
てがい、その内面に浸炭部5が存在すると、浸炭部5の
残留磁気の磁力線がホール素子2を横切ることにより生
じるホール起電圧を検出して、浸炭部5の深さを測定す
るようにしたものである。しかしながら、浸炭部の残留
磁束密度はあまりにも小さく、(HP材で2〜3ガウス
程度)地磁気よりわずかに大きい程度では浸炭深さを正
確に測定するにはいたらない。
ガウスメータ本体lに接続されたホール素子2を内蔵す
るプルーブ3を、被検材であるチューブ4の外表面にあ
てがい、その内面に浸炭部5が存在すると、浸炭部5の
残留磁気の磁力線がホール素子2を横切ることにより生
じるホール起電圧を検出して、浸炭部5の深さを測定す
るようにしたものである。しかしながら、浸炭部の残留
磁束密度はあまりにも小さく、(HP材で2〜3ガウス
程度)地磁気よりわずかに大きい程度では浸炭深さを正
確に測定するにはいたらない。
一方、電磁誘導法により得られる浸炭深さ測定結果と、
破壊検査による実測結果とを対比すると、HK40材チ
ューブについては比較的良い対応か得られるものの、H
P材や■P改良材のチューブでは、測定値のバラツキが
大きく、信頼性に乏しかった。
破壊検査による実測結果とを対比すると、HK40材チ
ューブについては比較的良い対応か得られるものの、H
P材や■P改良材のチューブでは、測定値のバラツキが
大きく、信頼性に乏しかった。
これは、HP材やHP改良材のチューブ4では、その外
表面に生成した脱炭層(その深さはチューブの使用温度
、使用磁気に依存し、高温、長時間となる程、深さが増
す)6に脱炭と共に脱Crが生じ、その部分の透磁率が
高くなることによるものである。即ち、これらのチュー
ブにあっては、高温下で長時間使用されると、チューブ
内面に浸炭が生じていなくても、外表面に生じた脱炭層
(層深さ約50〜500μm)によりその深さが大きい
場合に高い指示値を示すのでこの指示値部分を浸炭発生
と見誤るためである。
表面に生成した脱炭層(その深さはチューブの使用温度
、使用磁気に依存し、高温、長時間となる程、深さが増
す)6に脱炭と共に脱Crが生じ、その部分の透磁率が
高くなることによるものである。即ち、これらのチュー
ブにあっては、高温下で長時間使用されると、チューブ
内面に浸炭が生じていなくても、外表面に生じた脱炭層
(層深さ約50〜500μm)によりその深さが大きい
場合に高い指示値を示すのでこの指示値部分を浸炭発生
と見誤るためである。
このためチューブ4の浸炭部5の有無及び深さを測定す
る際には、チューブ4の外表面の脱炭層6を予めグライ
ンダ等で研削除去した上で再測定し、評価しなければな
らないと云うのが実情である。従って、測定個所が僅か
である場合はともかく、多数の個所を測定しようとすれ
ば、多大の時間を費やさなければならず、実用性の点で
問題が多い。
る際には、チューブ4の外表面の脱炭層6を予めグライ
ンダ等で研削除去した上で再測定し、評価しなければな
らないと云うのが実情である。従って、測定個所が僅か
である場合はともかく、多数の個所を測定しようとすれ
ば、多大の時間を費やさなければならず、実用性の点で
問題が多い。
そこで、出願人は、脱炭層6をグラインダ処理すること
なく簡易かつ迅速に測定できる技術を既に提案した。即
ち、これは、第9図に示すように、永久磁石7と、この
磁石7のN極とS極との中間部の磁場内に、磁石7と路
行となるように配置されたホール素子8とを備えたプル
ーブ9を使用するもであって、プルーブ9が浸炭部5に
接近すれば、磁石7の磁場が浸炭部5による影響を受け
て、その磁力線が点線で示すようにホール素子8を斜め
に゛横切ることを利用し、その時に発生する起電圧でチ
ューブ4内面の浸炭部5を判断するようにしたものであ
る。
なく簡易かつ迅速に測定できる技術を既に提案した。即
ち、これは、第9図に示すように、永久磁石7と、この
磁石7のN極とS極との中間部の磁場内に、磁石7と路
行となるように配置されたホール素子8とを備えたプル
ーブ9を使用するもであって、プルーブ9が浸炭部5に
接近すれば、磁石7の磁場が浸炭部5による影響を受け
て、その磁力線が点線で示すようにホール素子8を斜め
に゛横切ることを利用し、その時に発生する起電圧でチ
ューブ4内面の浸炭部5を判断するようにしたものであ
る。
従って、チューブ4の外表面に脱炭層6が部分的に存在
するならば、その脱炭層6の影響により磁石7の磁束分
布に変化が生じるが、脱炭層6はチューブ4の外表面の
全域にわたって存在するため、それによって磁石7の磁
場が変化し、磁力線がホール素子8を斜めに横切るよう
なことはない。
するならば、その脱炭層6の影響により磁石7の磁束分
布に変化が生じるが、脱炭層6はチューブ4の外表面の
全域にわたって存在するため、それによって磁石7の磁
場が変化し、磁力線がホール素子8を斜めに横切るよう
なことはない。
つまり、浸炭部5がない限り、ホール素子8を通る磁力
線は、ホール素子8と平行なままであり、ホール素子8
に起電圧を生じることはなく、従って、脱炭層6を浸炭
部5と誤認することはない。
線は、ホール素子8と平行なままであり、ホール素子8
に起電圧を生じることはなく、従って、脱炭層6を浸炭
部5と誤認することはない。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、このような構成のプルーブ9を使用する
場合、浸炭部5が広がりを持っている部分の中央におい
ては、ホール素子8を通る磁力線は、ホール素子8と平
行になり、出力の起電圧が零となるため、その判断がで
きなくなる問題がある。つまり、浸炭部5の両端部では
磁力線がホール素子8に対して斜め方向に横切るため、
ホール素子8の起電圧の出力波形は、第10図に示すよ
うになる。しかし、これは第11図に示すように局部的
な浸炭部5が2個所ある場合の出力波形と同じであり、
従って、広がりのある浸炭部5がある場合と局部的な2
箇所の浸炭部5がある場合との区別をすることができな
かった。
場合、浸炭部5が広がりを持っている部分の中央におい
ては、ホール素子8を通る磁力線は、ホール素子8と平
行になり、出力の起電圧が零となるため、その判断がで
きなくなる問題がある。つまり、浸炭部5の両端部では
磁力線がホール素子8に対して斜め方向に横切るため、
ホール素子8の起電圧の出力波形は、第10図に示すよ
うになる。しかし、これは第11図に示すように局部的
な浸炭部5が2個所ある場合の出力波形と同じであり、
従って、広がりのある浸炭部5がある場合と局部的な2
箇所の浸炭部5がある場合との区別をすることができな
かった。
本発明は、このような問題点に鑑み、浸炭部の深さと範
囲を判断し得る新規な浸炭計測用プルーブを提案するも
のである。
囲を判断し得る新規な浸炭計測用プルーブを提案するも
のである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、前述のような問題点を解決するための具体的
手段として、磁石と、該磁石の磁場内に配置されたホー
ル素子とを備え、被検材内部の浸炭部による磁力線の変
化によって該浸炭部を計測するようにした浸炭計測用プ
ルーブにおいて、磁石の被検材側でかつ一対の磁極間の
中央部側に、磁力線の方向と略沿うように第1ホール素
子を設けると共に、浸炭部の近接時に磁束密度が減少す
るように第2ホール素子を設けたものである。
手段として、磁石と、該磁石の磁場内に配置されたホー
ル素子とを備え、被検材内部の浸炭部による磁力線の変
化によって該浸炭部を計測するようにした浸炭計測用プ
ルーブにおいて、磁石の被検材側でかつ一対の磁極間の
中央部側に、磁力線の方向と略沿うように第1ホール素
子を設けると共に、浸炭部の近接時に磁束密度が減少す
るように第2ホール素子を設けたものである。
(作 用)
チューブ15の浸炭部16の計測に際して、第1ホール
素子13が浸炭部16に近接すると、磁石12の磁力線
が第1ホール素子13に対して斜めに横切り、その出力
として浸炭部16の深さに相関する起電圧が発生する。
素子13が浸炭部16に近接すると、磁石12の磁力線
が第1ホール素子13に対して斜めに横切り、その出力
として浸炭部16の深さに相関する起電圧が発生する。
また浸炭部16が広がりを有する場合には、その両端部
で第1ホール素子13が出力を発生する。一方、第2ホ
ール素子14を通る磁力線の磁束密度は、浸炭部16が
あれば減少するので、その起電圧も小となる。従って、
これらホール素子13、14の出力より、浸炭部16の
深さのみならず、面積をも判断できる。
で第1ホール素子13が出力を発生する。一方、第2ホ
ール素子14を通る磁力線の磁束密度は、浸炭部16が
あれば減少するので、その起電圧も小となる。従って、
これらホール素子13、14の出力より、浸炭部16の
深さのみならず、面積をも判断できる。
(実施例)
以下、図示の実施例について本発明を詳述すると、第1
図に示すように、この浸炭計測用プルーブ10は、保護
容器ll内に永久磁石12と第1ホール素子13と第2
ホール素子14とを設けて成る。磁石12は棒状であり
、この磁石12のクラッキングチューブ(被検材)15
側において、その磁極N−3間の略中央部に位置するよ
うに2個のホール素子13゜14が設けられている。ホ
ール素子13.14は偏平な板状であって、板厚方向の
磁界に対して直角方向に電流を流した時に、その磁界及
び電流に対して直角方向に起電圧が生ずるようになって
いる。
図に示すように、この浸炭計測用プルーブ10は、保護
容器ll内に永久磁石12と第1ホール素子13と第2
ホール素子14とを設けて成る。磁石12は棒状であり
、この磁石12のクラッキングチューブ(被検材)15
側において、その磁極N−3間の略中央部に位置するよ
うに2個のホール素子13゜14が設けられている。ホ
ール素子13.14は偏平な板状であって、板厚方向の
磁界に対して直角方向に電流を流した時に、その磁界及
び電流に対して直角方向に起電圧が生ずるようになって
いる。
第1ホール素子13は磁石12と平行であって、通常時
に磁石12の磁力線と略沿うように設けられている。第
2ホール素子14は第1ホール素子13と略直角方向に
配置されており、通常時に磁石12の磁力線が第2ホー
ル素子14を直角に横切り、かつ浸炭部16の近接時に
磁束密度が減少するようになっている。保護容器11は
非磁性材料によって構成されている。
に磁石12の磁力線と略沿うように設けられている。第
2ホール素子14は第1ホール素子13と略直角方向に
配置されており、通常時に磁石12の磁力線が第2ホー
ル素子14を直角に横切り、かつ浸炭部16の近接時に
磁束密度が減少するようになっている。保護容器11は
非磁性材料によって構成されている。
上記構成のプルーブ10を用いて、クラッキングチュー
ブ15の浸炭部16の計測を行なう際には、プルーブ1
0をチューブ15外表面にあてがい、チューブ15の軸
心方向及び周方向にプルーブ10を走査する。
ブ15の浸炭部16の計測を行なう際には、プルーブ1
0をチューブ15外表面にあてがい、チューブ15の軸
心方向及び周方向にプルーブ10を走査する。
チューブ15に浸炭部16がない場合には、磁石12の
磁界が乱されることがないため、磁極N−3間の中央部
では磁石12と略平行に磁束が分布している。従って、
第1ホール素子13を横切る磁力線は略平行であるため
、その起電圧の出力は零若しくは低レベルの一定値を示
す。一方、第2ホール素子14に対しては、磁力線が直
角方向に横切り、しかもその磁束密度が大であるから、
この第2ホール素子14の起電圧は大である。従って、
これらホール素子13.14の出力によって、浸炭部1
6が存在しないことが判る。
磁界が乱されることがないため、磁極N−3間の中央部
では磁石12と略平行に磁束が分布している。従って、
第1ホール素子13を横切る磁力線は略平行であるため
、その起電圧の出力は零若しくは低レベルの一定値を示
す。一方、第2ホール素子14に対しては、磁力線が直
角方向に横切り、しかもその磁束密度が大であるから、
この第2ホール素子14の起電圧は大である。従って、
これらホール素子13.14の出力によって、浸炭部1
6が存在しないことが判る。
チューブ15内部に広がりを有する浸炭部16が存在す
る場合には、プルーブlOが接近すると、磁石12の磁
界が浸炭部16の高い透磁率の影響を受けて強(引きつ
けられるため、第1ホール素子13を通る磁力線に傾き
が生じる。このため、第1ホール素子13の出力波形は
、第3図Bに示す如く浸炭部16の両端部において起電
圧が立ち上がったものとなる。一方、浸炭部16で磁力
線が強く引きつけられると、第2ホール素子14を通る
磁力線の磁束密度は減少する。例えば、第2図に示すよ
うに浸炭部16の丁度中央部にプルーブ10がある場合
を仮定すると、磁石12のN極から出た磁力線は強く浸
炭部16側に引き付けられて、透磁率の高い浸炭部16
を通るようになり、この浸炭部16から磁石12のS極
側に入るため、第2ホール素子14を通る磁力線の磁束
密度が疎になる。従って、第2ホール素子14の起電圧
の出力波形は、第3図Aに示すように浸炭部16の中央
部分でレベルが下がるようになる。
る場合には、プルーブlOが接近すると、磁石12の磁
界が浸炭部16の高い透磁率の影響を受けて強(引きつ
けられるため、第1ホール素子13を通る磁力線に傾き
が生じる。このため、第1ホール素子13の出力波形は
、第3図Bに示す如く浸炭部16の両端部において起電
圧が立ち上がったものとなる。一方、浸炭部16で磁力
線が強く引きつけられると、第2ホール素子14を通る
磁力線の磁束密度は減少する。例えば、第2図に示すよ
うに浸炭部16の丁度中央部にプルーブ10がある場合
を仮定すると、磁石12のN極から出た磁力線は強く浸
炭部16側に引き付けられて、透磁率の高い浸炭部16
を通るようになり、この浸炭部16から磁石12のS極
側に入るため、第2ホール素子14を通る磁力線の磁束
密度が疎になる。従って、第2ホール素子14の起電圧
の出力波形は、第3図Aに示すように浸炭部16の中央
部分でレベルが下がるようになる。
この場合、第2ホール素子14の磁束密度は、主に浸炭
部16の深さに依存する。しかし、浸炭部16は明瞭に
際立ってできるものとは限らず、また同じ深さであって
もチューブ15側全体としての透磁率は、浸炭部16の
端部側程低くなるので、第2ホール素子14の出力波形
は、第3図Aの如くなだらかに変化する。
部16の深さに依存する。しかし、浸炭部16は明瞭に
際立ってできるものとは限らず、また同じ深さであって
もチューブ15側全体としての透磁率は、浸炭部16の
端部側程低くなるので、第2ホール素子14の出力波形
は、第3図Aの如くなだらかに変化する。
第3図A、 Bに示すような出力波形が得られると、第
1ホール素子13の起電圧の立ち上がりが2箇所あり、
その間において第2ホール素子14の起電圧が所定レベ
ル以下の値を示す時には、その位置に広がりを持った浸
炭部16が存在することが判かり、またその浸炭部16
の面積も判断できる。なお、この場合の浸炭部16の浸
炭深さは、第1ホール素子13の起電圧の波高値に相関
しており、これから浸炭深さを知ることができる。
1ホール素子13の起電圧の立ち上がりが2箇所あり、
その間において第2ホール素子14の起電圧が所定レベ
ル以下の値を示す時には、その位置に広がりを持った浸
炭部16が存在することが判かり、またその浸炭部16
の面積も判断できる。なお、この場合の浸炭部16の浸
炭深さは、第1ホール素子13の起電圧の波高値に相関
しており、これから浸炭深さを知ることができる。
第2ホール素子14は、磁石12の磁極間の中央部に配
置するものに限られず、例えば第4図に示すように、一
方の磁極の磁石長手方向の外方近傍であっても良い。こ
の場合にも、浸炭部16に近接すれば、磁石12の磁力
線が強くチューブ15側に引きよせられるため、第2ホ
ール素子14を通る磁力線の磁束密度が低くなり、浸炭
部16の計測が可能である。
置するものに限られず、例えば第4図に示すように、一
方の磁極の磁石長手方向の外方近傍であっても良い。こ
の場合にも、浸炭部16に近接すれば、磁石12の磁力
線が強くチューブ15側に引きよせられるため、第2ホ
ール素子14を通る磁力線の磁束密度が低くなり、浸炭
部16の計測が可能である。
因みに、この場合の第2ホール素子13及び第1ホール
素子13の出力波形は、第5図A、Bに示す通りである
。
素子13の出力波形は、第5図A、Bに示す通りである
。
なお、上記実施例では、第1ホール素子13を磁石12
と平行に、第2ホール素子14を第1ホール素子13と
略直角に夫々配置しているが、このように厳密に配置す
る必要がなく、第1ボール素子13は磁力線と沿う方向
であり、第2ホール素子14は浸炭部16の近接による
磁束密度の減少を検出し得る配置であれば十分である。
と平行に、第2ホール素子14を第1ホール素子13と
略直角に夫々配置しているが、このように厳密に配置す
る必要がなく、第1ボール素子13は磁力線と沿う方向
であり、第2ホール素子14は浸炭部16の近接による
磁束密度の減少を検出し得る配置であれば十分である。
磁石12は中実状の棒磁石に限らず、角筒伏、円筒状等
であっても良いし、また第6図に示すようにコ字状であ
っても良い。
であっても良いし、また第6図に示すようにコ字状であ
っても良い。
更に磁石としては、実施例に示すように永久磁石12に
代替して、電磁石を使用するこ゛とも可能である。例え
ば、電磁石18の場合には、第7図に示すようにコ字状
等の鉄心19にコイル2oを捲周したものが適当である
。
代替して、電磁石を使用するこ゛とも可能である。例え
ば、電磁石18の場合には、第7図に示すようにコ字状
等の鉄心19にコイル2oを捲周したものが適当である
。
プルーブ10はチューブ15の周方向に複数個設けてお
いても良い。
いても良い。
(発明の効果)
本発明によれば、磁石の被検材側でかつ一対の磁極間の
中央部側に、磁力線の方向と略沿うように第1ホール素
子を設ける一方、これとは別の第2ホール素子を、浸炭
部の近接時に磁束密度が減少するように設けているから
、浸炭部の深さのみならず、広がりを有する浸炭部をも
計測でき、その浸炭部の面積の判断が可能となり、従来
に比較して計測精度が著しく向上する。また第2ホール
素子は磁極の近傍に設けて、浸炭部の近接時に第2ホー
ル素子を通る磁力線の磁束密度が増加することも考えら
れるが、本発明では第2ホール素子の磁束密度が減少す
るようにしているから、磁束密度の増減の変化を太き−
くでき、浸炭部と非浸炭部との区別が容易になる。
中央部側に、磁力線の方向と略沿うように第1ホール素
子を設ける一方、これとは別の第2ホール素子を、浸炭
部の近接時に磁束密度が減少するように設けているから
、浸炭部の深さのみならず、広がりを有する浸炭部をも
計測でき、その浸炭部の面積の判断が可能となり、従来
に比較して計測精度が著しく向上する。また第2ホール
素子は磁極の近傍に設けて、浸炭部の近接時に第2ホー
ル素子を通る磁力線の磁束密度が増加することも考えら
れるが、本発明では第2ホール素子の磁束密度が減少す
るようにしているから、磁束密度の増減の変化を太き−
くでき、浸炭部と非浸炭部との区別が容易になる。
第1図は本発明の第1実施例を示す構成図、第2図は同
作用説明図、第3図は同波形図、第4図は本発明の第2
実施例を示す構成図、第5図は同波形図、第6図及び第
7図は別の実施例を示す構成図・第8図は従来例を示す
構成図・第9図は別 :の従来例を示す構成
図、第10図は波形図、第11図はチューブの断面図で
ある。 10−・・プルーブ、12−・永久磁石、13−・第1
ホール素子、14−・第2ホール素子、15・−・クラ
ッキングチューブ、16−・−・浸炭部、17−脱炭層
。
作用説明図、第3図は同波形図、第4図は本発明の第2
実施例を示す構成図、第5図は同波形図、第6図及び第
7図は別の実施例を示す構成図・第8図は従来例を示す
構成図・第9図は別 :の従来例を示す構成
図、第10図は波形図、第11図はチューブの断面図で
ある。 10−・・プルーブ、12−・永久磁石、13−・第1
ホール素子、14−・第2ホール素子、15・−・クラ
ッキングチューブ、16−・−・浸炭部、17−脱炭層
。
Claims (1)
- 1、磁石と、該磁石の磁場内に配置されたホール素子と
を備え、被検材内部の浸炭部による磁力線の変化によっ
て該浸炭部を計測するようにした浸炭計測用プルーブに
おいて、磁石の被検材側でかつ一対の磁極間の中央部側
に、磁力線の方向と略沿うように第1ホール素子を設け
ると共に、浸炭部の近接時に磁束密度が減少するように
第2ホール素子を設けたことを特徴とする浸炭計測用プ
ルーブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14597385A JPS626155A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 浸炭計測用プル−ブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14597385A JPS626155A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 浸炭計測用プル−ブ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS626155A true JPS626155A (ja) | 1987-01-13 |
JPH0344664B2 JPH0344664B2 (ja) | 1991-07-08 |
Family
ID=15397266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14597385A Granted JPS626155A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 浸炭計測用プル−ブ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS626155A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4970463A (en) * | 1989-03-13 | 1990-11-13 | Durakool Incorporated | Temperature stable proximity sensor with sensing of flux emanating from the lateral surface of a magnet |
US5818222A (en) * | 1995-06-07 | 1998-10-06 | The Cherry Corporation | Method for adjusting ferrous article proximity detector |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP14597385A patent/JPS626155A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4970463A (en) * | 1989-03-13 | 1990-11-13 | Durakool Incorporated | Temperature stable proximity sensor with sensing of flux emanating from the lateral surface of a magnet |
US5818222A (en) * | 1995-06-07 | 1998-10-06 | The Cherry Corporation | Method for adjusting ferrous article proximity detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0344664B2 (ja) | 1991-07-08 |
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