JPS625845A - 異方性導電フイルムおよびその製造方法 - Google Patents
異方性導電フイルムおよびその製造方法Info
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- JPS625845A JPS625845A JP60145294A JP14529485A JPS625845A JP S625845 A JPS625845 A JP S625845A JP 60145294 A JP60145294 A JP 60145294A JP 14529485 A JP14529485 A JP 14529485A JP S625845 A JPS625845 A JP S625845A
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- anisotropic conductive
- pattern
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- film
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- Laminated Bodies (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、異方性導電フィルムおよびその製造方法に関
する。
する。
［従来技術およびその問題点］
電子機器の小型化、薄型化、高精細化に伴い、ＬＣＤ等
の平面ディスプレイをはじめ各種部品の高密度化が進み
各種配線との接続部分の細線化に対応する接続材料の開
発が強く望まれている。
の平面ディスプレイをはじめ各種部品の高密度化が進み
各種配線との接続部分の細線化に対応する接続材料の開
発が強く望まれている。
これに応えるものの１つとして近年、希望する一定方向
にのみ電気的導通性を有すると共に他の方向には電気的
絶縁性を呈するようにした異方性導電膜が微細な電極パ
ターン間の接続材料として注目されている。
にのみ電気的導通性を有すると共に他の方向には電気的
絶縁性を呈するようにした異方性導電膜が微細な電極パ
ターン間の接続材料として注目されている。
例えば、ゴムフィルム中に直径１５μｍ前後の金属微粒
子を一様に分散せしめてなる異方性導電膜（電子材料ｖ
ａｔ ２３． Ｎｏ、 ７． Ｐ６９−７３（１９８４
））がある。例えば第５図（ａ）に示す如くフレキシブ
ルプリント基板１上の電極パターン２と、ガラス基板３
上の電極パターン４との間にこの異方性導電膜５を挾み
、約１５０℃の温度を加えながら圧着するだけで、両電
極パターン間の接続が達成される。この異方性導電膜中
の金属粒子Ｍには鉛−錫系（Ｐｂ−８ｎ）の低融点ハン
ダが用いられており、約１５０℃に加熱されるとこの金
属粒子が溶け、これと同時にゴムフィルムも溶（プるよ
うになっている。加熱されると該金属粒子が溶けて広が
り、両基板間の電極パターン上に広がってこれら−の間
の電気的接続が達成される。一方加圧によって電極間か
ら押し出されるゴムは、隣接電極間に、各電極の段差に
よってできる空間を埋める。その結果第５図（ｂ）に示
す如くこの空間を埋めるゴムの体積に対する金属粒子の
充填密度は下がり、隣接する電極間の絶縁性は上がり、
膜の厚さ方向のみに対して導電性を有すると共に他の方
向には絶縁性を保つように接続が行なわれる。従って、
５本／ｓ＋程度の密度に形成された電極パターン（こζ
では電極幅Ｗ１＝１００μＴｒＬ）に対しては、良好な
分解能を示すことが報告されている。
子を一様に分散せしめてなる異方性導電膜（電子材料ｖ
ａｔ ２３． Ｎｏ、 ７． Ｐ６９−７３（１９８４
））がある。例えば第５図（ａ）に示す如くフレキシブ
ルプリント基板１上の電極パターン２と、ガラス基板３
上の電極パターン４との間にこの異方性導電膜５を挾み
、約１５０℃の温度を加えながら圧着するだけで、両電
極パターン間の接続が達成される。この異方性導電膜中
の金属粒子Ｍには鉛−錫系（Ｐｂ−８ｎ）の低融点ハン
ダが用いられており、約１５０℃に加熱されるとこの金
属粒子が溶け、これと同時にゴムフィルムも溶（プるよ
うになっている。加熱されると該金属粒子が溶けて広が
り、両基板間の電極パターン上に広がってこれら−の間
の電気的接続が達成される。一方加圧によって電極間か
ら押し出されるゴムは、隣接電極間に、各電極の段差に
よってできる空間を埋める。その結果第５図（ｂ）に示
す如くこの空間を埋めるゴムの体積に対する金属粒子の
充填密度は下がり、隣接する電極間の絶縁性は上がり、
膜の厚さ方向のみに対して導電性を有すると共に他の方
向には絶縁性を保つように接続が行なわれる。従って、
５本／ｓ＋程度の密度に形成された電極パターン（こζ
では電極幅Ｗ１＝１００μＴｒＬ）に対しては、良好な
分解能を示すことが報告されている。
しかしながら、ＶＬＳＩ（超大規模集積回路）において
は高精細度の多接点電極（１０本／Ｍ以上）が用いられ
ることが多い。例えば２０本／Ｍの電極パターン（電極
幅Ｗ２＝２５μＴｒＬ）同志を接続する際、数μｍオー
ダー以下の粒径の均一な導電性粒子が均一にフィルム中
に分散しなければならないが、第６図に示す如く粒子Ｍ
同志の凝集（ａ＞や大径粒子の混入（ｂ）による隣接電
極間のショートや、粒子Ｍが存在しない（Ｃ）ことによ
る接続不良等の問題が発生してしまい、１０本／ｒｕｍ
以上の高精細度の多接点電極をこのような異方性導電膜
で接続するのは困難であった。
は高精細度の多接点電極（１０本／Ｍ以上）が用いられ
ることが多い。例えば２０本／Ｍの電極パターン（電極
幅Ｗ２＝２５μＴｒＬ）同志を接続する際、数μｍオー
ダー以下の粒径の均一な導電性粒子が均一にフィルム中
に分散しなければならないが、第６図に示す如く粒子Ｍ
同志の凝集（ａ＞や大径粒子の混入（ｂ）による隣接電
極間のショートや、粒子Ｍが存在しない（Ｃ）ことによ
る接続不良等の問題が発生してしまい、１０本／ｒｕｍ
以上の高精細度の多接点電極をこのような異方性導電膜
で接続するのは困難であった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、高分解能で
信頼性の高い異方性導電膜を提供することを目的とする
。
信頼性の高い異方性導電膜を提供することを目的とする
。
［問題点を解決するための手段］
そこで本発明の異方性導電膜では、導電性物質を２次元
方向に規則性をもつパターンとして形成するようにして
いる。
方向に規則性をもつパターンとして形成するようにして
いる。
また、本発明の異方性導電膜の製造方法では、基板上に
導電性膜を形成し、該導電性膜を、所望のピッチで規則
性を有するパターンとなるように選択的に除去した後、
この上層に絶縁性フィルムを形成し、最後に、前記基板
を剥離除去するようにしている。
導電性膜を形成し、該導電性膜を、所望のピッチで規則
性を有するパターンとなるように選択的に除去した後、
この上層に絶縁性フィルムを形成し、最後に、前記基板
を剥離除去するようにしている。
［作用］
すなわち、接続すべき２枚の基板の電極パターン間に本
発明の異方性導電膜を挾み、加熱および加圧したとき、
絶縁性フィルム上に、２次元方向に規則性をもつように
配列された導電性パターンが、加熱および加圧されて、
絶縁性フィルムを電極間の凹部に押し出すと共に、導電
性パターンは電極面上に広がり、両基板間の良好な電気
的接続を可能にし、隣接電極間のショートの発生もない
。
発明の異方性導電膜を挾み、加熱および加圧したとき、
絶縁性フィルム上に、２次元方向に規則性をもつように
配列された導電性パターンが、加熱および加圧されて、
絶縁性フィルムを電極間の凹部に押し出すと共に、導電
性パターンは電極面上に広がり、両基板間の良好な電気
的接続を可能にし、隣接電極間のショートの発生もない
。
また、本発明の方法によれば、基板上に導電性膜を形成
した後、フォトリソエツチング、あるいは電子ビーム描
画を用いたエツチング法等により高精度のパターン形成
がなされるため、膜の２次元方向に極めて均一で高精度
の導電性パターンが形成され得る。従って、高分解能の
異方性導電膜の形成が可能となる。
した後、フォトリソエツチング、あるいは電子ビーム描
画を用いたエツチング法等により高精度のパターン形成
がなされるため、膜の２次元方向に極めて均一で高精度
の導電性パターンが形成され得る。従って、高分解能の
異方性導電膜の形成が可能となる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
この異方性導電フィルムは、第１図（ａ）にその断面図
（第１図（ｂ）にパターンの配列状態を示す斜視図）を
示す如く、スチレン−ブタジェン樹脂からなる絶縁性の
フィルム１０１中に縦ａ１＝２．５μｍ１横ａ２＝２．
５μｍ、厚さａ３−２．５μｍの正方形のニッケル（Ｎ
ｉ）パターン１０２が間隔Ｐ＝２．５μｍで、縦横に規
則的に配列せしめられてなるものである（１０５は保護
膜）。
（第１図（ｂ）にパターンの配列状態を示す斜視図）を
示す如く、スチレン−ブタジェン樹脂からなる絶縁性の
フィルム１０１中に縦ａ１＝２．５μｍ１横ａ２＝２．
５μｍ、厚さａ３−２．５μｍの正方形のニッケル（Ｎ
ｉ）パターン１０２が間隔Ｐ＝２．５μｍで、縦横に規
則的に配列せしめられてなるものである（１０５は保護
膜）。
次に、この異方性導電フィルムの製造方法について説明
する。
する。
まず、第２図（ａ＞に示す如く、ガラス基板１００上に
シリコンを主成分とする離型剤（図示せず）を塗布した
後、スクリーン印刷工程および焼成工程を経て、膜厚１
０数μｍのニッケル膜１０２′を形成する。
シリコンを主成分とする離型剤（図示せず）を塗布した
後、スクリーン印刷工程および焼成工程を経て、膜厚１
０数μｍのニッケル膜１０２′を形成する。
次いで、第２図（ｂ）に示す如く、レジスト１０３を塗
布する。
布する。
この後、第２図（Ｃ）に示す如く、フォトマスク１０４
を介して選択的に光照射（Ｌ）を行なう（露光）。
を介して選択的に光照射（Ｌ）を行なう（露光）。
続いて、第２図（ｄ）に示す如く、現像を行ないレジス
トパターン１０３′を形成する。
トパターン１０３′を形成する。
そして、第２図（ｅ）に示す如く該レジストパターン１
０３′を介して、ニッケル１１０２’ をウェットエツ
チング法により除去する。
０３′を介して、ニッケル１１０２’ をウェットエツ
チング法により除去する。
この後、第２図（ｆ）に示す如く、前記レジストパター
ン１０３′を除去し、ニッケルパターン１０２を得る。
ン１０３′を除去し、ニッケルパターン１０２を得る。
更に、この上層に、スチレン−ブタジェンブロックコポ
リマーを塗布した後、キュア工程を経て、第２図（ｇ）
に示す如くスチレン−ブタジェン樹脂ＷＡ１０１を形成
する。
リマーを塗布した後、キュア工程を経て、第２図（ｇ）
に示す如くスチレン−ブタジェン樹脂ＷＡ１０１を形成
する。
最後に、前記ガラス基板１００を引っ張り力により物理
的に剥離除去し保護膜１０５を被着せしめることにより
第１図（ａ）に示す如く、本発明実施例の異方性導電フ
ィルムが完成する。
的に剥離除去し保護膜１０５を被着せしめることにより
第１図（ａ）に示す如く、本発明実施例の異方性導電フ
ィルムが完成する。
このようにして形成された異方性導電フィルムを２０本
／馴の電極パターンを有する２枚の基板２０１．２０２
の接続に用いた場合、第３図に示す如く異方性導電フィ
ルム中で導電性物質の粒径分布や粒子の凝集が起こるこ
とがなく、導電性物質すなわちニッケルパターン１０２
は規則的かつ均一に配列しているため、接続不良あるい
は隣接電極間のショート等が発生することなく信頼性の
高い接続が可能となる。
／馴の電極パターンを有する２枚の基板２０１．２０２
の接続に用いた場合、第３図に示す如く異方性導電フィ
ルム中で導電性物質の粒径分布や粒子の凝集が起こるこ
とがなく、導電性物質すなわちニッケルパターン１０２
は規則的かつ均一に配列しているため、接続不良あるい
は隣接電極間のショート等が発生することなく信頼性の
高い接続が可能となる。
なお、実施例においては、基板としてガラスを用いたが
、金属、シリコーン樹脂、テフロン樹脂等、必要に応じ
て適宜選択可能である。これらのうち、テフロン樹脂等
、導電性物質に対する剥離性の良好な物を用いる場合は
、離型剤を使用する必要はない。
、金属、シリコーン樹脂、テフロン樹脂等、必要に応じ
て適宜選択可能である。これらのうち、テフロン樹脂等
、導電性物質に対する剥離性の良好な物を用いる場合は
、離型剤を使用する必要はない。
また、導電性物質についても、厚膜法によって形成した
ニッケルに限定されることなく、真空蒸着工程、メッキ
工程を経て形成したニッケル膜でも良く、更にまた金、
白金、銀、銅、鉄、アルミニウム、クロム、等の金属、
あるいは半田、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の金属化
合物、導電性カーボン等の無機物、無磯化合物、導電性
有機化合物、導電性行間金属化合物等、抵抗数＋Ω以下
の物質のうちから、接続すべき電極パターンの構成物質
に合わせて、適宜選択すればよい。
ニッケルに限定されることなく、真空蒸着工程、メッキ
工程を経て形成したニッケル膜でも良く、更にまた金、
白金、銀、銅、鉄、アルミニウム、クロム、等の金属、
あるいは半田、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の金属化
合物、導電性カーボン等の無機物、無磯化合物、導電性
有機化合物、導電性行間金属化合物等、抵抗数＋Ω以下
の物質のうちから、接続すべき電極パターンの構成物質
に合わせて、適宜選択すればよい。
更にまた、導電性物質のパターン形成についても、通常
のフォトリソエツチング法の他、レジストパターンの形
成に電子ビーム描画法を用いたり、エツチングにドライ
エツチング法を用いる等、必要とされるパターン精度に
応じて、適宜変更可能である。
のフォトリソエツチング法の他、レジストパターンの形
成に電子ビーム描画法を用いたり、エツチングにドライ
エツチング法を用いる等、必要とされるパターン精度に
応じて、適宜変更可能である。
また、絶縁性フィルムについても、スチレン−ブタジェ
ン樹脂の他、フェノール樹脂、ユリャ樹脂、メラミン樹
脂、アリル樹脂、フラン樹脂、ポリエステル、エポキシ
樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン
、テフロン樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリブチレン、ポリメタクリル酸メチル、
ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン樹脂、アク
リロニトリル−ブタジェン−スチレン樹脂、ビニル樹脂
、ポリアミド樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリアセタール、アイオノマー樹脂、ポリエーテルスル
オン、ポリフェニルオキシド、ポリフェニレンヌルファ
イド、ポリスルホン、ボリッツ化ごニリデン（フッ化樹
脂）等の熱可塑性樹脂、エチルセルロース、酢酸セルロ
ース、プロピオン酸セルロース、硝酸セルロース等の繊
維素系樹脂等、１０８Ω以上の絶縁抵抗を有するものの
うちから適宜選択可能である。
ン樹脂の他、フェノール樹脂、ユリャ樹脂、メラミン樹
脂、アリル樹脂、フラン樹脂、ポリエステル、エポキシ
樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン
、テフロン樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリブチレン、ポリメタクリル酸メチル、
ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン樹脂、アク
リロニトリル−ブタジェン−スチレン樹脂、ビニル樹脂
、ポリアミド樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリアセタール、アイオノマー樹脂、ポリエーテルスル
オン、ポリフェニルオキシド、ポリフェニレンヌルファ
イド、ポリスルホン、ボリッツ化ごニリデン（フッ化樹
脂）等の熱可塑性樹脂、エチルセルロース、酢酸セルロ
ース、プロピオン酸セルロース、硝酸セルロース等の繊
維素系樹脂等、１０８Ω以上の絶縁抵抗を有するものの
うちから適宜選択可能である。
加えて、第４図（ａ）に示す如く接続すべき基板２０１
．２０２の電極パターン２０３．２０４の合せ誤差によ
り、実際の電極間隔Ｔ。は、電極間隔Ｔよりも小さくな
ることがある。従って、第４図（ｂ）に示す如く各電極
パターンの最小電極幅Ｗ８、最小電極間隔” ｍｉｎの
うちいずれか小１ｎ さいものの寸法をＡとし、第４図（Ｃ）に示す異方性導
電膜の導電性物質パターン１０２の幅Ｂ１又は間隔Ｂ２
のうちの大ぎい方をＢとしたときＢ＜（１／４）Ａとす
ることにより、基板間に合せ誤差が生じた場合にも、確
実に高分解能の接続が可能となる。また、導電性パター
ンの幅Ｂ１又は間隔Ｂ２の調整により、単位面積当りの
導体存在率を制御し、電気的特性を調整することができ
る。
．２０２の電極パターン２０３．２０４の合せ誤差によ
り、実際の電極間隔Ｔ。は、電極間隔Ｔよりも小さくな
ることがある。従って、第４図（ｂ）に示す如く各電極
パターンの最小電極幅Ｗ８、最小電極間隔” ｍｉｎの
うちいずれか小１ｎ さいものの寸法をＡとし、第４図（Ｃ）に示す異方性導
電膜の導電性物質パターン１０２の幅Ｂ１又は間隔Ｂ２
のうちの大ぎい方をＢとしたときＢ＜（１／４）Ａとす
ることにより、基板間に合せ誤差が生じた場合にも、確
実に高分解能の接続が可能となる。また、導電性パター
ンの幅Ｂ１又は間隔Ｂ２の調整により、単位面積当りの
導体存在率を制御し、電気的特性を調整することができ
る。
［効果１
以上説明してきたように、本発明の異方性導電膜によれ
ば、絶縁性フィルム上に２次元方向に規則性をもつ導電
性物質のパターンを形成しているため、導電性物質の凝
集や大、径粒子の混入による隣接電極間のショートや、
導電性物質の欠除による接続不良等の問題が生じること
もなく、１０本／履以上の高分解能の電極パターン接続
が可能となる。
ば、絶縁性フィルム上に２次元方向に規則性をもつ導電
性物質のパターンを形成しているため、導電性物質の凝
集や大、径粒子の混入による隣接電極間のショートや、
導電性物質の欠除による接続不良等の問題が生じること
もなく、１０本／履以上の高分解能の電極パターン接続
が可能となる。
また、本発明の方法によれば、基板上に導電性膜を形成
した後、バターニングし、更にこの上層に絶縁フィルム
を被着し、前記基板を除去するようにしているため、極
めて容易に高分解能でかつ信頼性の高い異方性導電膜の
形成が可能となる。
した後、バターニングし、更にこの上層に絶縁フィルム
を被着し、前記基板を除去するようにしているため、極
めて容易に高分解能でかつ信頼性の高い異方性導電膜の
形成が可能となる。
第１図（ａ）は、本発明実施例の異方性導電フィルムの
断面図、第１図（ｂ）は、同フィルム中の導電性物質パ
ターンの配列状態を示す斜視図、第２図（ａ）乃至（ｑ
）は、同異方性導電フィルムの製造工程図、第３図は、
同異方性導電フィルムを用いた接続例を示す図、第４図
（ａ）（ｂ）（Ｃ）は、接続すべきＭ橿パターン間の合
せ誤差と異方性導電フィルムの導電性物質パターンとの
関係を示す図、第５図（ａ）および（ｂ）は、従来例の
異方性導電膜を用いた電極パターンの接続前および接続
後の状態説明図、第６図は、従来例の異方性導電膜を高
精細度の多接点電極の接続に用いた場合の状態図である
。 １・・・プリント基板、２・・・電極パターン、３・・
・ガラス基板、４・・・電極パターン、５・・・異方性
導電膜、Ｍ・・・金属粒子、１００・・・ガラス基板、
１０１・・・絶縁性フィルム、１０２・・・ニッケルパ
ターン、１０２′・・・ニッケル膜、１０３・・・レジ
スト、１０４・・・フォトマスク、１０５・・・保護膜
、２０１．２０２・・・基板、２０３．２０４・・・電
極パターン。 第１図（ａ） 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第２図（ｃ） 第２図（ｄ） 第２図（ｅ） 第２図（ｆ） 第２図（９） 第４図（Ｑ） 第４図（ｂ） 第４図（ｃ） 第５図（α） 第５図（ｂ） 第６図
断面図、第１図（ｂ）は、同フィルム中の導電性物質パ
ターンの配列状態を示す斜視図、第２図（ａ）乃至（ｑ
）は、同異方性導電フィルムの製造工程図、第３図は、
同異方性導電フィルムを用いた接続例を示す図、第４図
（ａ）（ｂ）（Ｃ）は、接続すべきＭ橿パターン間の合
せ誤差と異方性導電フィルムの導電性物質パターンとの
関係を示す図、第５図（ａ）および（ｂ）は、従来例の
異方性導電膜を用いた電極パターンの接続前および接続
後の状態説明図、第６図は、従来例の異方性導電膜を高
精細度の多接点電極の接続に用いた場合の状態図である
。 １・・・プリント基板、２・・・電極パターン、３・・
・ガラス基板、４・・・電極パターン、５・・・異方性
導電膜、Ｍ・・・金属粒子、１００・・・ガラス基板、
１０１・・・絶縁性フィルム、１０２・・・ニッケルパ
ターン、１０２′・・・ニッケル膜、１０３・・・レジ
スト、１０４・・・フォトマスク、１０５・・・保護膜
、２０１．２０２・・・基板、２０３．２０４・・・電
極パターン。 第１図（ａ） 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第２図（ｃ） 第２図（ｄ） 第２図（ｅ） 第２図（ｆ） 第２図（９） 第４図（Ｑ） 第４図（ｂ） 第４図（ｃ） 第５図（α） 第５図（ｂ） 第６図
Claims (5)
- （１）２次元方向に規則的に配列せしめられた導電性物
質のパターンと、 該パターンを担持する絶縁性のフィルムとを具え、 希望する一定方向に対して電気的導通性を呈すると共に
他の方向には電気的絶縁性を呈するようにしたことを特
徴とする異方性導電フィルム。 - （２）希望する一定方向に対して電気的導通性を呈する
と共に他の方向には電気的絶縁性を呈するようにした異
方性導電フィルムの製造方法において、 基板表面に導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、 該導電性膜を、規則性を有して所望のピッチで配列され
た導電性パターンとなるように選択的に除去するパター
ン形成工程と、 更にこの導電性パターンの上層に絶縁性フィルムを形成
する絶縁性フィルム形成工程と、 前記基板を剥離除去する基板除去工程とからなることを
特徴とする異方性導電フィルムの製造方法。 - （３）前記パターン形成工程は、フォトリソエッチング
工程であることを特徴とする特許請求の範囲第（２）項
記載の異方性導電フィルムの製造方法。 - （４）前記基板は、表面に剥離膜の形成された基板であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第（２）項又は第（
３）項記載の異方性導電フィルムの製造方法。 - （５）前記基板は、テフロン基板であることを特徴とす
る特許請求の範囲第（２）項又は第（３）項記載の異方
性導電フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60145294A JP2579458B2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 異方性導電フイルムおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60145294A JP2579458B2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 異方性導電フイルムおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625845A true JPS625845A (ja) | 1987-01-12 |
| JP2579458B2 JP2579458B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=15381813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60145294A Expired - Lifetime JP2579458B2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 異方性導電フイルムおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2579458B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000094590A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 帯電防止性着色ハードコートフィルム及び表示装置 |
| JP2002327155A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Asahi Kasei Corp | 異方性を有する導電性接着シートおよびその製造方法 |
| JP2011035326A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | プリント配線板の接続構造およびその製造方法 |
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