JPS6251052A - 光デイスクメモリ - Google Patents
光デイスクメモリInfo
- Publication number
- JPS6251052A JPS6251052A JP60190757A JP19075785A JPS6251052A JP S6251052 A JPS6251052 A JP S6251052A JP 60190757 A JP60190757 A JP 60190757A JP 19075785 A JP19075785 A JP 19075785A JP S6251052 A JPS6251052 A JP S6251052A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ratio
- selenium
- tellurium
- recording
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分舒〕
本発明は、ヒートモード型光ディスクメモリの記録媒体
に関する。
に関する。
本発明はヒートモード型光ディスクメモリに°おいて、
記録媒体どして、テルルとセレンの複合酸化物を使用し
、該記録媒体をテルルとセレンのアルコキシドを使用し
た、ゾル−ゲル法によって形成することにより、感度の
向上、O/N比の向上、長期安定性の向上、及び、大幅
なコストの低減を可能にしたものである。
記録媒体どして、テルルとセレンの複合酸化物を使用し
、該記録媒体をテルルとセレンのアルコキシドを使用し
た、ゾル−ゲル法によって形成することにより、感度の
向上、O/N比の向上、長期安定性の向上、及び、大幅
なコストの低減を可能にしたものである。
従来のヒートモード型光ディスクメモリの記録媒体は種
々のものが発表されている、中でも、テルルとセレン系
の記録媒体においては、 J、 Appl。
々のものが発表されている、中でも、テルルとセレン系
の記録媒体においては、 J、 Appl。
Phys、、 50 、6881 (1979)などに
示されているように、金属テルルとセレンを多源共蒸着
法、順次蒸着法、あるいは、マグネトロンスバンタ法な
どによって、基板に金属テルル−セレンの非晶質薄膜を
形成し、記録膜とするものであった。
示されているように、金属テルルとセレンを多源共蒸着
法、順次蒸着法、あるいは、マグネトロンスバンタ法な
どによって、基板に金属テルル−セレンの非晶質薄膜を
形成し、記録膜とするものであった。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の従来技術では、記録膜のテルルとセレンの組成比全
制御する九めには、蒸発源の温度及び真空度を正確にコ
ントロールしなけnばならず、また大面積のデ・イスク
に、記録感度を同上させるために、膜厚500λ以下の
均一な記録膜全蒸着させなければならないという非常に
難しい問題点を有している。さらに、金属テルルとセレ
ンの複合組成薄膜では、酸化がされ易く、長期安定性が
悪い、またC/N比が45dB と低い値であるという
問題点を有している。
述の従来技術では、記録膜のテルルとセレンの組成比全
制御する九めには、蒸発源の温度及び真空度を正確にコ
ントロールしなけnばならず、また大面積のデ・イスク
に、記録感度を同上させるために、膜厚500λ以下の
均一な記録膜全蒸着させなければならないという非常に
難しい問題点を有している。さらに、金属テルルとセレ
ンの複合組成薄膜では、酸化がされ易く、長期安定性が
悪い、またC/N比が45dB と低い値であるという
問題点を有している。
また、真空蒸着法によって、前述の組成比、膜厚、膜の
均一性を同時に満足する記録膜を有するディスクを製造
するには、付帯設備などが高価でコストが高いという問
題点を有している。
均一性を同時に満足する記録膜を有するディスクを製造
するには、付帯設備などが高価でコストが高いという問
題点を有している。
そこで本発明は、このような問題点全解決するもので、
その目的とするところは、感度の向上、C/N比の向上
、長期qi:定性の向上、及び、大幅なコストの低減を
行なった元ディスクメモリを提供するところにある。
その目的とするところは、感度の向上、C/N比の向上
、長期qi:定性の向上、及び、大幅なコストの低減を
行なった元ディスクメモリを提供するところにある。
本発明のヒートモード型光ディスクメモリに訃いて、記
録媒体として、テルルとセレンの複合酸化物を使用し、
該記録媒体をテルルとセレ/のアルコキシドを使用した
、ゾル−ゲル法によって形成することを特徴とする。
録媒体として、テルルとセレンの複合酸化物を使用し、
該記録媒体をテルルとセレ/のアルコキシドを使用した
、ゾル−ゲル法によって形成することを特徴とする。
〔実施例〕
第1図は本発明の実施例における光ディスクの断面図で
あって、1は基板、2は記録媒体、3はスペーサである
。
あって、1は基板、2は記録媒体、3はスペーサである
。
以下の実施例においても全て、本構造の光ディスクを作
製し、メモリ特性の評価を行なった。
製し、メモリ特性の評価を行なった。
〔実施例−1〕
テルル金属アルコキシドとしてテトラエトキシテルル(
Te(oc、s5) 4)、セレン金属アルコキシドと
してテトラエトキシセレン(5o(oc2Hs) ’)
。
Te(oc、s5) 4)、セレン金属アルコキシドと
してテトラエトキシセレン(5o(oc2Hs) ’)
。
溶媒としてエチルアルコールをそれぞれ所定量混合し、
この混合液を用いて、直径130朋、厚さ1冨罵のPM
MA基板の片面にディンピングまたはスピンコードによ
シ記録膜全形成する。この時の混合比(テルルとセレン
のアルコキシドの和に対する溶媒の量(,1)の比)と
膜厚とディンピング速度の関係全第2図に示す。さらに
混合比と膜厚とスピンナー回転数の関係を第3図に示す
。
この混合液を用いて、直径130朋、厚さ1冨罵のPM
MA基板の片面にディンピングまたはスピンコードによ
シ記録膜全形成する。この時の混合比(テルルとセレン
のアルコキシドの和に対する溶媒の量(,1)の比)と
膜厚とディンピング速度の関係全第2図に示す。さらに
混合比と膜厚とスピンナー回転数の関係を第3図に示す
。
図中2人は(15111% / 8 、2 B H1,
01111/ 8 、2Cは2.5mi+/a、3Aは
11000rp、5 Bは2000rpm、 3 C
は4000rpmの場合を示す。
01111/ 8 、2Cは2.5mi+/a、3Aは
11000rp、5 Bは2000rpm、 3 C
は4000rpmの場合を示す。
第2図と第3図より明らかな様に、混合比が1.2以下
では、加水分解が早く、膜が割れてしまい好ましくない
、また混合比が4.0以上では、膜厚が800ス以下に
なってしまい好ましくない。
では、加水分解が早く、膜が割れてしまい好ましくない
、また混合比が4.0以上では、膜厚が800ス以下に
なってしまい好ましくない。
さらに、ディンピング速度がI OIt 76以上、ス
ピンナー回転数が11000rp以下では膜が割れてし
まい好ましくない。したがって溶液の混合比は1.2〜
4.0が最も好ましく、ディッピング速度は五〇龍/8
以下、スピンナー回転数は11000rp以上が好まし
い。
ピンナー回転数が11000rp以下では膜が割れてし
まい好ましくない。したがって溶液の混合比は1.2〜
4.0が最も好ましく、ディッピング速度は五〇龍/8
以下、スピンナー回転数は11000rp以上が好まし
い。
又、上述の条件で形成した、膜厚訃よそ1000Aの記
録媒体含有する2枚の基板全スペーサを介して接着し、
第1図の構成とし、aim比と記録レーザーパワーを求
めた。この時の混合比とC/N比の関係を第4図に示す
。また組成比[:5e(0(4H5)4/Tθ(OC2
H5)4) とON比の関係’e第5図に示す。さら
に組成比〔Sθ(002F(、) 4/T13(OC2
H5)4)と記録レーザーパワーの関係を第6図に示す
。図中4Aはスピンコード、4B[ディッピング、5A
はスピンコード、5Bはディンピングの場合を示す。
録媒体含有する2枚の基板全スペーサを介して接着し、
第1図の構成とし、aim比と記録レーザーパワーを求
めた。この時の混合比とC/N比の関係を第4図に示す
。また組成比[:5e(0(4H5)4/Tθ(OC2
H5)4) とON比の関係’e第5図に示す。さら
に組成比〔Sθ(002F(、) 4/T13(OC2
H5)4)と記録レーザーパワーの関係を第6図に示す
。図中4Aはスピンコード、4B[ディッピング、5A
はスピンコード、5Bはディンピングの場合を示す。
第4図より明らかな様に混合比が1.6〜&6の範囲で
はaln比が45dB以上を示しており、中でも混合比
が2.2〜Z8の範囲ではC/N比が55dB以上を示
している。さらに第5図より明らかな様に、組成比(B
e(oczus ) 4./T9(oc2 [(5)
4]が0.4〜Z4の範囲ではC/N比が45 dB以
上を示しており、中でも組成比がα6〜0.8の範囲で
は07N比が55tiB以上を示している。したがって
組成比は04〜2.4の範囲が好ましく、それ以外の範
囲では、C/N比は低く、長期安定性に欠け、好ましく
ない。
はaln比が45dB以上を示しており、中でも混合比
が2.2〜Z8の範囲ではC/N比が55dB以上を示
している。さらに第5図より明らかな様に、組成比(B
e(oczus ) 4./T9(oc2 [(5)
4]が0.4〜Z4の範囲ではC/N比が45 dB以
上を示しており、中でも組成比がα6〜0.8の範囲で
は07N比が55tiB以上を示している。したがって
組成比は04〜2.4の範囲が好ましく、それ以外の範
囲では、C/N比は低く、長期安定性に欠け、好ましく
ない。
又、第6図工り明らかな様に組成比が0.4〜2.4の
範囲では、膜厚がおよそ1000Aにかかわらず、記録
レーザーパワーは約6 mWlf(示している。
範囲では、膜厚がおよそ1000Aにかかわらず、記録
レーザーパワーは約6 mWlf(示している。
又、こnらの光ディスク140c、90%の湿度中に放
直し、記録感度、記録信号の品質低下を調べたが、2年
以上の放tltにおいても低下Fi認められず、長期に
わたり安定した特性を示した。
直し、記録感度、記録信号の品質低下を調べたが、2年
以上の放tltにおいても低下Fi認められず、長期に
わたり安定した特性を示した。
〔実施例−2〕
テルル金属アルコキシドとしてテトラブトキシテルル(
Te(oc4Hs) 4)、セレン金属アルコキシドと
してテトラブトキシセレン(Se(oa4H9) ’
)溶媒としてブチルアルコールをそnぞれ所定量混合し
、実施例−1と同様にポリカーボネイト基板の片面にデ
ィンピングまたはスピンコードにより記録膜を形成する
。
Te(oc4Hs) 4)、セレン金属アルコキシドと
してテトラブトキシセレン(Se(oa4H9) ’
)溶媒としてブチルアルコールをそnぞれ所定量混合し
、実施例−1と同様にポリカーボネイト基板の片面にデ
ィンピングまたはスピンコードにより記録膜を形成する
。
この時の混合比と膜厚とディンピング速度及びスピンナ
ー回転数の関係は、実刈ダl−1に示す。
ー回転数の関係は、実刈ダl−1に示す。
第2図と第3図と変わらなかった。さらに混合比とC/
N比、組成比とC/N比、組成比と記録レーザーパワー
の関係を求めたが、そnぞれ、実施例−1に示す、第4
図、第5図、第6図と同じであった。父、実施例−1と
同様に長期安定性に関する試験を行なったところ、2年
以上にわたり安定した特性を維持している。
N比、組成比とC/N比、組成比と記録レーザーパワー
の関係を求めたが、そnぞれ、実施例−1に示す、第4
図、第5図、第6図と同じであった。父、実施例−1と
同様に長期安定性に関する試験を行なったところ、2年
以上にわたり安定した特性を維持している。
〔実施例−5〕
テルル金属アルコキシドとしてテトライソプロピルテル
ル(Te(OCsHy ) ’ )−セレン金属アルコ
キシドとしてテトライソプロピルセレン(8e(ocs
Hy)4)、 fa媒としてイソプロピルアルコール全
それぞれ所定量混合し、この混合液を用いて、直径13
0X1.厚さ1藤のPMMA基板の片面にディッピング
またはスピンコードにより記録膜を形成する。この時の
混合比(テルルとセレンのアルコキシドの和に対する溶
媒の量(−)の比と膜厚とディンピング速度の関係全第
7図に示す。さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を第8図に示す。図中7Aはα1電/s、7Bは0
.5II/11.70はt 5mm/a 、 8 Aは
1500 r p m *8Bは2000rpm、70
は5000rpmの場合を示す。
ル(Te(OCsHy ) ’ )−セレン金属アルコ
キシドとしてテトライソプロピルセレン(8e(ocs
Hy)4)、 fa媒としてイソプロピルアルコール全
それぞれ所定量混合し、この混合液を用いて、直径13
0X1.厚さ1藤のPMMA基板の片面にディッピング
またはスピンコードにより記録膜を形成する。この時の
混合比(テルルとセレンのアルコキシドの和に対する溶
媒の量(−)の比と膜厚とディンピング速度の関係全第
7図に示す。さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を第8図に示す。図中7Aはα1電/s、7Bは0
.5II/11.70はt 5mm/a 、 8 Aは
1500 r p m *8Bは2000rpm、70
は5000rpmの場合を示す。
第7図と第8図より明らかな様に、混合比が、1.5以
下では、加水分解が早く、膜が割れてしまい好ましくな
い。また混合比が五1以上では、膜厚が800A以下に
なってしまい好ましくない。
下では、加水分解が早く、膜が割れてしまい好ましくな
い。また混合比が五1以上では、膜厚が800A以下に
なってしまい好ましくない。
さらにディンピング速度が1.5 mm / 8以上、
スピンナー回転数が1500rpm以下では膜が割れて
しまい好ましくない。したがって溶液の混合比は、1.
5〜5.1が最も好壕しく、ディンピング速度は1、5
rnyi /θ以下、スピンナー回転数は1500r
pm 以上が好ましい。
スピンナー回転数が1500rpm以下では膜が割れて
しまい好ましくない。したがって溶液の混合比は、1.
5〜5.1が最も好壕しく、ディンピング速度は1、5
rnyi /θ以下、スピンナー回転数は1500r
pm 以上が好ましい。
又、上述の条件で形成した、膜厚およそ1000χの記
録媒体を有する2枚の基板をスペーサを介して接着し、
第1図の構成とし、C/N比と記録レーザーパワーを求
めた。この時の混合比とC/N比の関係を第9図に示す
。また組成比とC/N比の関係を第10図に示す。さら
に組成比と記録レーザ+ パワーの関係k ’% 11
Vに示す。図中9Aはスピンコード、9Bはディンピ
ング、10Aはスピンコード、10Bはディンピングの
場合を示す。
録媒体を有する2枚の基板をスペーサを介して接着し、
第1図の構成とし、C/N比と記録レーザーパワーを求
めた。この時の混合比とC/N比の関係を第9図に示す
。また組成比とC/N比の関係を第10図に示す。さら
に組成比と記録レーザ+ パワーの関係k ’% 11
Vに示す。図中9Aはスピンコード、9Bはディンピ
ング、10Aはスピンコード、10Bはディンピングの
場合を示す。
第9図より明らかな様に混合比が1.5〜3.1の範囲
ではC/N比が45 dB以上を示しておシ、中でも混
合比が2.1〜2.7の範囲ではC/N比が55dB以
上を示している。さらに第10図より明らかな様に、組
成比が0.4〜2.4の範囲ではcrN比がasaa以
上を示している。したがって組成比は[14〜2.4の
範囲が好ましく、それ以外の範囲では、C/N比は低く
、長期安定性に欠け、好ましくない。
ではC/N比が45 dB以上を示しておシ、中でも混
合比が2.1〜2.7の範囲ではC/N比が55dB以
上を示している。さらに第10図より明らかな様に、組
成比が0.4〜2.4の範囲ではcrN比がasaa以
上を示している。したがって組成比は[14〜2.4の
範囲が好ましく、それ以外の範囲では、C/N比は低く
、長期安定性に欠け、好ましくない。
又、第11図より明らかな様に組成比がQ、4〜2.4
の範囲では、記録レーザーパワーは約&5mWを示して
いる。又、こnらの光ディスクを実施例−2と同様に長
期安定性に関する試験を行なったところ、2年以上にわ
たり安定した特性を維持している。
の範囲では、記録レーザーパワーは約&5mWを示して
いる。又、こnらの光ディスクを実施例−2と同様に長
期安定性に関する試験を行なったところ、2年以上にわ
たり安定した特性を維持している。
〔実施例−4〕
テルル金属アルコキシドとしてテトライソプロピルテル
ル(Te(0OsH7) 4 >、 セv y金H7/
l/ コキシトトシてセレンイソプロピルセレン(Se
(QC!5Hs)4)、M媒としてイソプロピルアルコ
ールとエチルアルコール金1対1に混合し次もの全使用
し、こnらをそれぞれ所足量混合し、実施例−3と同様
にポリカーボネイト基板の片面にディンピングまたはス
ピンコードにより記録膜を形成する。
ル(Te(0OsH7) 4 >、 セv y金H7/
l/ コキシトトシてセレンイソプロピルセレン(Se
(QC!5Hs)4)、M媒としてイソプロピルアルコ
ールとエチルアルコール金1対1に混合し次もの全使用
し、こnらをそれぞれ所足量混合し、実施例−3と同様
にポリカーボネイト基板の片面にディンピングまたはス
ピンコードにより記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディッピング速度及びスピンナ
ー回転数の関係は、実施例−1に示す、第2図と第5図
と変わらなかった。さらに混合比とO/N比、組成比と
O/N比、組成比と記録レーザーパワーの関係を求めた
が、それぞれ、実施例−1に示す、第4図、第5図、第
6図と同様であった。以上、テトライソプロピルテルル
とテトライソプロピルセレン金使用する場合、実施例−
3と比峻して、溶媒をイソプロピルアルコールとエチル
アルコールの1対1の混合[−使用することによって、
実施例−5よシも広い範囲で、記録膜を形成することが
できる。
ー回転数の関係は、実施例−1に示す、第2図と第5図
と変わらなかった。さらに混合比とO/N比、組成比と
O/N比、組成比と記録レーザーパワーの関係を求めた
が、それぞれ、実施例−1に示す、第4図、第5図、第
6図と同様であった。以上、テトライソプロピルテルル
とテトライソプロピルセレン金使用する場合、実施例−
3と比峻して、溶媒をイソプロピルアルコールとエチル
アルコールの1対1の混合[−使用することによって、
実施例−5よシも広い範囲で、記録膜を形成することが
できる。
又、実施列−5と同様に長期安定性に関する。
試験を行なったところ、2年以上にわたQ安定した特性
を維持している。
を維持している。
以上述べた様に本発明によnば、ヒートモード型光ディ
スクメモリにおいて、記録媒体として、テルルとセレン
の複合酸化物を使用し、該記録媒(1テルルとセレンの
アルコキシドを使用した、ゾル−ゲル法によって形成す
ることにより、いままでよシも膜が厚いにもかかわらず
、記録レーザーパワーを抑えることができ、感度の向上
が可能となった。さらに、記録膜の組成、膜厚、均一性
を溶液の混合比1組成比、ディンピング速度及びスピン
ナー回転数をコントロールするだけで簡単に、満足させ
ることができ、それによってO/N比の向上、長期安定
性の向上が可能となった。
スクメモリにおいて、記録媒体として、テルルとセレン
の複合酸化物を使用し、該記録媒(1テルルとセレンの
アルコキシドを使用した、ゾル−ゲル法によって形成す
ることにより、いままでよシも膜が厚いにもかかわらず
、記録レーザーパワーを抑えることができ、感度の向上
が可能となった。さらに、記録膜の組成、膜厚、均一性
を溶液の混合比1組成比、ディンピング速度及びスピン
ナー回転数をコントロールするだけで簡単に、満足させ
ることができ、それによってO/N比の向上、長期安定
性の向上が可能となった。
又、ディスクの製造方法として、ディッピング及びスピ
ンコードを使用することによって付帯設備が安価になシ
、光ディスクメモリの大量生産が可能で、大幅なコスト
ダウンにつながるという多大な効果を有する。
ンコードを使用することによって付帯設備が安価になシ
、光ディスクメモリの大量生産が可能で、大幅なコスト
ダウンにつながるという多大な効果を有する。
第1図は本発明の実施例における光ディスクの断面口。
第2図は本発明の実施例における混合比と膜厚とディン
ピング速度の相関図。 第5図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 第4図は本発明の実施例における混合比とO/N比の相
関図。 ′@5図は本発明の実施例における組成比とO/N比の
相関図。 第6図は本発明の実施例における組成比と記録レーザー
パワーの相関図。 第7図は本発明の実施例における混合比と膜厚とディン
ピング速度の相関図。 第8図は本発明の実施例にかける混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 褐9図は本発明の実施例における混合比と07N比の相
関図。 第10図は本発明の実施例における組成比と0/N比の
相関図。 第11図は本発明の実施例に訃ける組成比と記録レーザ
ーパワーの相関図。 以 上
ピング速度の相関図。 第5図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 第4図は本発明の実施例における混合比とO/N比の相
関図。 ′@5図は本発明の実施例における組成比とO/N比の
相関図。 第6図は本発明の実施例における組成比と記録レーザー
パワーの相関図。 第7図は本発明の実施例における混合比と膜厚とディン
ピング速度の相関図。 第8図は本発明の実施例にかける混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 褐9図は本発明の実施例における混合比と07N比の相
関図。 第10図は本発明の実施例における組成比と0/N比の
相関図。 第11図は本発明の実施例に訃ける組成比と記録レーザ
ーパワーの相関図。 以 上
Claims (1)
- ヒートモード型光ディスクメモリにおいて、記録媒体と
して、テルルとセレンの複合酸化物を使用し、該記録媒
体をテルルとセレンのアルコキシドを使用した、ゾル−
ゲル法によつて形成することを特徴とする光ディスクメ
モリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60190757A JPS6251052A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60190757A JPS6251052A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6251052A true JPS6251052A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16263224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60190757A Pending JPS6251052A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6251052A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02246726A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-02 | Toshiba Corp | ディジタルリレーの監視不良検出方式 |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP60190757A patent/JPS6251052A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02246726A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-02 | Toshiba Corp | ディジタルリレーの監視不良検出方式 |
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