JPS6251052A - 光デイスクメモリ - Google Patents
光デイスクメモリInfo
- Publication number
- JPS6251052A JPS6251052A JP60190757A JP19075785A JPS6251052A JP S6251052 A JPS6251052 A JP S6251052A JP 60190757 A JP60190757 A JP 60190757A JP 19075785 A JP19075785 A JP 19075785A JP S6251052 A JPS6251052 A JP S6251052A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ratio
- selenium
- tellurium
- recording
- recording medium
- Prior art date
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分舒〕
本発明は、ヒートモード型光ディスクメモリの記録媒体
に関する。
に関する。
本発明はヒートモード型光ディスクメモリに°おいて、
記録媒体どして、テルルとセレンの複合酸化物を使用し
、該記録媒体をテルルとセレンのアルコキシドを使用し
た、ゾル−ゲル法によって形成することにより、感度の
向上、Ｏ／Ｎ比の向上、長期安定性の向上、及び、大幅
なコストの低減を可能にしたものである。
記録媒体どして、テルルとセレンの複合酸化物を使用し
、該記録媒体をテルルとセレンのアルコキシドを使用し
た、ゾル−ゲル法によって形成することにより、感度の
向上、Ｏ／Ｎ比の向上、長期安定性の向上、及び、大幅
なコストの低減を可能にしたものである。
従来のヒートモード型光ディスクメモリの記録媒体は種
々のものが発表されている、中でも、テルルとセレン系
の記録媒体においては、 Ｊ、 Ａｐｐｌ。
々のものが発表されている、中でも、テルルとセレン系
の記録媒体においては、 Ｊ、 Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、、 ５０ 、６８８１ （１９７９）などに
示されているように、金属テルルとセレンを多源共蒸着
法、順次蒸着法、あるいは、マグネトロンスバンタ法な
どによって、基板に金属テルル−セレンの非晶質薄膜を
形成し、記録膜とするものであった。
示されているように、金属テルルとセレンを多源共蒸着
法、順次蒸着法、あるいは、マグネトロンスバンタ法な
どによって、基板に金属テルル−セレンの非晶質薄膜を
形成し、記録膜とするものであった。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の従来技術では、記録膜のテルルとセレンの組成比全
制御する九めには、蒸発源の温度及び真空度を正確にコ
ントロールしなけｎばならず、また大面積のデ・イスク
に、記録感度を同上させるために、膜厚５００λ以下の
均一な記録膜全蒸着させなければならないという非常に
難しい問題点を有している。さらに、金属テルルとセレ
ンの複合組成薄膜では、酸化がされ易く、長期安定性が
悪い、またＣ／Ｎ比が４５ｄＢ と低い値であるという
問題点を有している。
述の従来技術では、記録膜のテルルとセレンの組成比全
制御する九めには、蒸発源の温度及び真空度を正確にコ
ントロールしなけｎばならず、また大面積のデ・イスク
に、記録感度を同上させるために、膜厚５００λ以下の
均一な記録膜全蒸着させなければならないという非常に
難しい問題点を有している。さらに、金属テルルとセレ
ンの複合組成薄膜では、酸化がされ易く、長期安定性が
悪い、またＣ／Ｎ比が４５ｄＢ と低い値であるという
問題点を有している。
また、真空蒸着法によって、前述の組成比、膜厚、膜の
均一性を同時に満足する記録膜を有するディスクを製造
するには、付帯設備などが高価でコストが高いという問
題点を有している。
均一性を同時に満足する記録膜を有するディスクを製造
するには、付帯設備などが高価でコストが高いという問
題点を有している。
そこで本発明は、このような問題点全解決するもので、
その目的とするところは、感度の向上、Ｃ／Ｎ比の向上
、長期ｑｉ：定性の向上、及び、大幅なコストの低減を
行なった元ディスクメモリを提供するところにある。
その目的とするところは、感度の向上、Ｃ／Ｎ比の向上
、長期ｑｉ：定性の向上、及び、大幅なコストの低減を
行なった元ディスクメモリを提供するところにある。
本発明のヒートモード型光ディスクメモリに訃いて、記
録媒体として、テルルとセレンの複合酸化物を使用し、
該記録媒体をテルルとセレ／のアルコキシドを使用した
、ゾル−ゲル法によって形成することを特徴とする。
録媒体として、テルルとセレンの複合酸化物を使用し、
該記録媒体をテルルとセレ／のアルコキシドを使用した
、ゾル−ゲル法によって形成することを特徴とする。
〔実施例〕
第１図は本発明の実施例における光ディスクの断面図で
あって、１は基板、２は記録媒体、３はスペーサである
。
あって、１は基板、２は記録媒体、３はスペーサである
。
以下の実施例においても全て、本構造の光ディスクを作
製し、メモリ特性の評価を行なった。
製し、メモリ特性の評価を行なった。
〔実施例−１〕
テルル金属アルコキシドとしてテトラエトキシテルル（
Ｔｅ（ｏｃ、ｓ５） ４）、セレン金属アルコキシドと
してテトラエトキシセレン（５ｏ（ｏｃ２Ｈｓ） ’）
。
Ｔｅ（ｏｃ、ｓ５） ４）、セレン金属アルコキシドと
してテトラエトキシセレン（５ｏ（ｏｃ２Ｈｓ） ’）
。
溶媒としてエチルアルコールをそれぞれ所定量混合し、
この混合液を用いて、直径１３０朋、厚さ１冨罵のＰＭ
ＭＡ基板の片面にディンピングまたはスピンコードによ
シ記録膜全形成する。この時の混合比（テルルとセレン
のアルコキシドの和に対する溶媒の量（，１）の比）と
膜厚とディンピング速度の関係全第２図に示す。さらに
混合比と膜厚とスピンナー回転数の関係を第３図に示す
。
この混合液を用いて、直径１３０朋、厚さ１冨罵のＰＭ
ＭＡ基板の片面にディンピングまたはスピンコードによ
シ記録膜全形成する。この時の混合比（テルルとセレン
のアルコキシドの和に対する溶媒の量（，１）の比）と
膜厚とディンピング速度の関係全第２図に示す。さらに
混合比と膜厚とスピンナー回転数の関係を第３図に示す
。
図中２人は（１５１１１％ ／ ８ 、２ Ｂ Ｈ１，
０１１１１／ ８ 、２Ｃは２．５ｍｉ＋／ａ、３Ａは
１１０００ｒｐ、５ Ｂは２０００ｒｐｍ、 ３ Ｃ
は４０００ｒｐｍの場合を示す。
０１１１１／ ８ 、２Ｃは２．５ｍｉ＋／ａ、３Ａは
１１０００ｒｐ、５ Ｂは２０００ｒｐｍ、 ３ Ｃ
は４０００ｒｐｍの場合を示す。
第２図と第３図より明らかな様に、混合比が１．２以下
では、加水分解が早く、膜が割れてしまい好ましくない
、また混合比が４．０以上では、膜厚が８００ス以下に
なってしまい好ましくない。
では、加水分解が早く、膜が割れてしまい好ましくない
、また混合比が４．０以上では、膜厚が８００ス以下に
なってしまい好ましくない。
さらに、ディンピング速度がＩ ＯＩｔ ７６以上、ス
ピンナー回転数が１１０００ｒｐ以下では膜が割れてし
まい好ましくない。したがって溶液の混合比は１．２〜
４．０が最も好ましく、ディッピング速度は五〇龍／８
以下、スピンナー回転数は１１０００ｒｐ以上が好まし
い。
ピンナー回転数が１１０００ｒｐ以下では膜が割れてし
まい好ましくない。したがって溶液の混合比は１．２〜
４．０が最も好ましく、ディッピング速度は五〇龍／８
以下、スピンナー回転数は１１０００ｒｐ以上が好まし
い。
又、上述の条件で形成した、膜厚訃よそ１０００Ａの記
録媒体含有する２枚の基板全スペーサを介して接着し、
第１図の構成とし、ａｉｍ比と記録レーザーパワーを求
めた。この時の混合比とＣ／Ｎ比の関係を第４図に示す
。また組成比［：５ｅ（０（４Ｈ５）４／Ｔθ（ＯＣ２
Ｈ５）４） とＯＮ比の関係’ｅ第５図に示す。さら
に組成比〔Ｓθ（００２Ｆ（、） ４／Ｔ１３（ＯＣ２
Ｈ５）４）と記録レーザーパワーの関係を第６図に示す
。図中４Ａはスピンコード、４Ｂ［ディッピング、５Ａ
はスピンコード、５Ｂはディンピングの場合を示す。
録媒体含有する２枚の基板全スペーサを介して接着し、
第１図の構成とし、ａｉｍ比と記録レーザーパワーを求
めた。この時の混合比とＣ／Ｎ比の関係を第４図に示す
。また組成比［：５ｅ（０（４Ｈ５）４／Ｔθ（ＯＣ２
Ｈ５）４） とＯＮ比の関係’ｅ第５図に示す。さら
に組成比〔Ｓθ（００２Ｆ（、） ４／Ｔ１３（ＯＣ２
Ｈ５）４）と記録レーザーパワーの関係を第６図に示す
。図中４Ａはスピンコード、４Ｂ［ディッピング、５Ａ
はスピンコード、５Ｂはディンピングの場合を示す。
第４図より明らかな様に混合比が１．６〜＆６の範囲で
はａｌｎ比が４５ｄＢ以上を示しており、中でも混合比
が２．２〜Ｚ８の範囲ではＣ／Ｎ比が５５ｄＢ以上を示
している。さらに第５図より明らかな様に、組成比（Ｂ
ｅ（ｏｃｚｕｓ ） ４．／Ｔ９（ｏｃ２ ［（５）
４］が０．４〜Ｚ４の範囲ではＣ／Ｎ比が４５ ｄＢ以
上を示しており、中でも組成比がα６〜０．８の範囲で
は０７Ｎ比が５５ｔｉＢ以上を示している。したがって
組成比は０４〜２．４の範囲が好ましく、それ以外の範
囲では、Ｃ／Ｎ比は低く、長期安定性に欠け、好ましく
ない。
はａｌｎ比が４５ｄＢ以上を示しており、中でも混合比
が２．２〜Ｚ８の範囲ではＣ／Ｎ比が５５ｄＢ以上を示
している。さらに第５図より明らかな様に、組成比（Ｂ
ｅ（ｏｃｚｕｓ ） ４．／Ｔ９（ｏｃ２ ［（５）
４］が０．４〜Ｚ４の範囲ではＣ／Ｎ比が４５ ｄＢ以
上を示しており、中でも組成比がα６〜０．８の範囲で
は０７Ｎ比が５５ｔｉＢ以上を示している。したがって
組成比は０４〜２．４の範囲が好ましく、それ以外の範
囲では、Ｃ／Ｎ比は低く、長期安定性に欠け、好ましく
ない。
又、第６図工り明らかな様に組成比が０．４〜２．４の
範囲では、膜厚がおよそ１０００Ａにかかわらず、記録
レーザーパワーは約６ ｍＷｌｆ（示している。
範囲では、膜厚がおよそ１０００Ａにかかわらず、記録
レーザーパワーは約６ ｍＷｌｆ（示している。
又、こｎらの光ディスク１４０ｃ、９０％の湿度中に放
直し、記録感度、記録信号の品質低下を調べたが、２年
以上の放ｔｌｔにおいても低下Ｆｉ認められず、長期に
わたり安定した特性を示した。
直し、記録感度、記録信号の品質低下を調べたが、２年
以上の放ｔｌｔにおいても低下Ｆｉ認められず、長期に
わたり安定した特性を示した。
〔実施例−２〕
テルル金属アルコキシドとしてテトラブトキシテルル（
Ｔｅ（ｏｃ４Ｈｓ） ４）、セレン金属アルコキシドと
してテトラブトキシセレン（Ｓｅ（ｏａ４Ｈ９） ’
）溶媒としてブチルアルコールをそｎぞれ所定量混合し
、実施例−１と同様にポリカーボネイト基板の片面にデ
ィンピングまたはスピンコードにより記録膜を形成する
。
Ｔｅ（ｏｃ４Ｈｓ） ４）、セレン金属アルコキシドと
してテトラブトキシセレン（Ｓｅ（ｏａ４Ｈ９） ’
）溶媒としてブチルアルコールをそｎぞれ所定量混合し
、実施例−１と同様にポリカーボネイト基板の片面にデ
ィンピングまたはスピンコードにより記録膜を形成する
。
この時の混合比と膜厚とディンピング速度及びスピンナ
ー回転数の関係は、実刈ダｌ−１に示す。
ー回転数の関係は、実刈ダｌ−１に示す。
第２図と第３図と変わらなかった。さらに混合比とＣ／
Ｎ比、組成比とＣ／Ｎ比、組成比と記録レーザーパワー
の関係を求めたが、そｎぞれ、実施例−１に示す、第４
図、第５図、第６図と同じであった。父、実施例−１と
同様に長期安定性に関する試験を行なったところ、２年
以上にわたり安定した特性を維持している。
Ｎ比、組成比とＣ／Ｎ比、組成比と記録レーザーパワー
の関係を求めたが、そｎぞれ、実施例−１に示す、第４
図、第５図、第６図と同じであった。父、実施例−１と
同様に長期安定性に関する試験を行なったところ、２年
以上にわたり安定した特性を維持している。
〔実施例−５〕
テルル金属アルコキシドとしてテトライソプロピルテル
ル（Ｔｅ（ＯＣｓＨｙ ） ’ ）−セレン金属アルコ
キシドとしてテトライソプロピルセレン（８ｅ（ｏｃｓ
Ｈｙ）４）、 ｆａ媒としてイソプロピルアルコール全
それぞれ所定量混合し、この混合液を用いて、直径１３
０Ｘ１．厚さ１藤のＰＭＭＡ基板の片面にディッピング
またはスピンコードにより記録膜を形成する。この時の
混合比（テルルとセレンのアルコキシドの和に対する溶
媒の量（−）の比と膜厚とディンピング速度の関係全第
７図に示す。さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を第８図に示す。図中７Ａはα１電／ｓ、７Ｂは０
．５ＩＩ／１１．７０はｔ ５ｍｍ／ａ 、 ８ Ａは
１５００ ｒ ｐ ｍ ＊８Ｂは２０００ｒｐｍ、７０
は５０００ｒｐｍの場合を示す。
ル（Ｔｅ（ＯＣｓＨｙ ） ’ ）−セレン金属アルコ
キシドとしてテトライソプロピルセレン（８ｅ（ｏｃｓ
Ｈｙ）４）、 ｆａ媒としてイソプロピルアルコール全
それぞれ所定量混合し、この混合液を用いて、直径１３
０Ｘ１．厚さ１藤のＰＭＭＡ基板の片面にディッピング
またはスピンコードにより記録膜を形成する。この時の
混合比（テルルとセレンのアルコキシドの和に対する溶
媒の量（−）の比と膜厚とディンピング速度の関係全第
７図に示す。さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を第８図に示す。図中７Ａはα１電／ｓ、７Ｂは０
．５ＩＩ／１１．７０はｔ ５ｍｍ／ａ 、 ８ Ａは
１５００ ｒ ｐ ｍ ＊８Ｂは２０００ｒｐｍ、７０
は５０００ｒｐｍの場合を示す。
第７図と第８図より明らかな様に、混合比が、１．５以
下では、加水分解が早く、膜が割れてしまい好ましくな
い。また混合比が五１以上では、膜厚が８００Ａ以下に
なってしまい好ましくない。
下では、加水分解が早く、膜が割れてしまい好ましくな
い。また混合比が五１以上では、膜厚が８００Ａ以下に
なってしまい好ましくない。
さらにディンピング速度が１．５ ｍｍ ／ ８以上、
スピンナー回転数が１５００ｒｐｍ以下では膜が割れて
しまい好ましくない。したがって溶液の混合比は、１．
５〜５．１が最も好壕しく、ディンピング速度は１、５
ｒｎｙｉ ／θ以下、スピンナー回転数は１５００ｒ
ｐｍ 以上が好ましい。
スピンナー回転数が１５００ｒｐｍ以下では膜が割れて
しまい好ましくない。したがって溶液の混合比は、１．
５〜５．１が最も好壕しく、ディンピング速度は１、５
ｒｎｙｉ ／θ以下、スピンナー回転数は１５００ｒ
ｐｍ 以上が好ましい。
又、上述の条件で形成した、膜厚およそ１０００χの記
録媒体を有する２枚の基板をスペーサを介して接着し、
第１図の構成とし、Ｃ／Ｎ比と記録レーザーパワーを求
めた。この時の混合比とＣ／Ｎ比の関係を第９図に示す
。また組成比とＣ／Ｎ比の関係を第１０図に示す。さら
に組成比と記録レーザ＋ パワーの関係ｋ ’％ １１
Ｖに示す。図中９Ａはスピンコード、９Ｂはディンピ
ング、１０Ａはスピンコード、１０Ｂはディンピングの
場合を示す。
録媒体を有する２枚の基板をスペーサを介して接着し、
第１図の構成とし、Ｃ／Ｎ比と記録レーザーパワーを求
めた。この時の混合比とＣ／Ｎ比の関係を第９図に示す
。また組成比とＣ／Ｎ比の関係を第１０図に示す。さら
に組成比と記録レーザ＋ パワーの関係ｋ ’％ １１
Ｖに示す。図中９Ａはスピンコード、９Ｂはディンピ
ング、１０Ａはスピンコード、１０Ｂはディンピングの
場合を示す。
第９図より明らかな様に混合比が１．５〜３．１の範囲
ではＣ／Ｎ比が４５ ｄＢ以上を示しておシ、中でも混
合比が２．１〜２．７の範囲ではＣ／Ｎ比が５５ｄＢ以
上を示している。さらに第１０図より明らかな様に、組
成比が０．４〜２．４の範囲ではｃｒＮ比がａｓａａ以
上を示している。したがって組成比は［１４〜２．４の
範囲が好ましく、それ以外の範囲では、Ｃ／Ｎ比は低く
、長期安定性に欠け、好ましくない。
ではＣ／Ｎ比が４５ ｄＢ以上を示しておシ、中でも混
合比が２．１〜２．７の範囲ではＣ／Ｎ比が５５ｄＢ以
上を示している。さらに第１０図より明らかな様に、組
成比が０．４〜２．４の範囲ではｃｒＮ比がａｓａａ以
上を示している。したがって組成比は［１４〜２．４の
範囲が好ましく、それ以外の範囲では、Ｃ／Ｎ比は低く
、長期安定性に欠け、好ましくない。
又、第１１図より明らかな様に組成比がＱ、４〜２．４
の範囲では、記録レーザーパワーは約＆５ｍＷを示して
いる。又、こｎらの光ディスクを実施例−２と同様に長
期安定性に関する試験を行なったところ、２年以上にわ
たり安定した特性を維持している。
の範囲では、記録レーザーパワーは約＆５ｍＷを示して
いる。又、こｎらの光ディスクを実施例−２と同様に長
期安定性に関する試験を行なったところ、２年以上にわ
たり安定した特性を維持している。
〔実施例−４〕
テルル金属アルコキシドとしてテトライソプロピルテル
ル（Ｔｅ（０ＯｓＨ７） ４ ＞、 セｖ ｙ金Ｈ７／
ｌ／ コキシトトシてセレンイソプロピルセレン（Ｓｅ
（ＱＣ！５Ｈｓ）４）、Ｍ媒としてイソプロピルアルコ
ールとエチルアルコール金１対１に混合し次もの全使用
し、こｎらをそれぞれ所足量混合し、実施例−３と同様
にポリカーボネイト基板の片面にディンピングまたはス
ピンコードにより記録膜を形成する。
ル（Ｔｅ（０ＯｓＨ７） ４ ＞、 セｖ ｙ金Ｈ７／
ｌ／ コキシトトシてセレンイソプロピルセレン（Ｓｅ
（ＱＣ！５Ｈｓ）４）、Ｍ媒としてイソプロピルアルコ
ールとエチルアルコール金１対１に混合し次もの全使用
し、こｎらをそれぞれ所足量混合し、実施例−３と同様
にポリカーボネイト基板の片面にディンピングまたはス
ピンコードにより記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディッピング速度及びスピンナ
ー回転数の関係は、実施例−１に示す、第２図と第５図
と変わらなかった。さらに混合比とＯ／Ｎ比、組成比と
Ｏ／Ｎ比、組成比と記録レーザーパワーの関係を求めた
が、それぞれ、実施例−１に示す、第４図、第５図、第
６図と同様であった。以上、テトライソプロピルテルル
とテトライソプロピルセレン金使用する場合、実施例−
３と比峻して、溶媒をイソプロピルアルコールとエチル
アルコールの１対１の混合［−使用することによって、
実施例−５よシも広い範囲で、記録膜を形成することが
できる。
ー回転数の関係は、実施例−１に示す、第２図と第５図
と変わらなかった。さらに混合比とＯ／Ｎ比、組成比と
Ｏ／Ｎ比、組成比と記録レーザーパワーの関係を求めた
が、それぞれ、実施例−１に示す、第４図、第５図、第
６図と同様であった。以上、テトライソプロピルテルル
とテトライソプロピルセレン金使用する場合、実施例−
３と比峻して、溶媒をイソプロピルアルコールとエチル
アルコールの１対１の混合［−使用することによって、
実施例−５よシも広い範囲で、記録膜を形成することが
できる。
又、実施列−５と同様に長期安定性に関する。
試験を行なったところ、２年以上にわたＱ安定した特性
を維持している。
を維持している。
以上述べた様に本発明によｎば、ヒートモード型光ディ
スクメモリにおいて、記録媒体として、テルルとセレン
の複合酸化物を使用し、該記録媒（１テルルとセレンの
アルコキシドを使用した、ゾル−ゲル法によって形成す
ることにより、いままでよシも膜が厚いにもかかわらず
、記録レーザーパワーを抑えることができ、感度の向上
が可能となった。さらに、記録膜の組成、膜厚、均一性
を溶液の混合比１組成比、ディンピング速度及びスピン
ナー回転数をコントロールするだけで簡単に、満足させ
ることができ、それによってＯ／Ｎ比の向上、長期安定
性の向上が可能となった。
スクメモリにおいて、記録媒体として、テルルとセレン
の複合酸化物を使用し、該記録媒（１テルルとセレンの
アルコキシドを使用した、ゾル−ゲル法によって形成す
ることにより、いままでよシも膜が厚いにもかかわらず
、記録レーザーパワーを抑えることができ、感度の向上
が可能となった。さらに、記録膜の組成、膜厚、均一性
を溶液の混合比１組成比、ディンピング速度及びスピン
ナー回転数をコントロールするだけで簡単に、満足させ
ることができ、それによってＯ／Ｎ比の向上、長期安定
性の向上が可能となった。
又、ディスクの製造方法として、ディッピング及びスピ
ンコードを使用することによって付帯設備が安価になシ
、光ディスクメモリの大量生産が可能で、大幅なコスト
ダウンにつながるという多大な効果を有する。
ンコードを使用することによって付帯設備が安価になシ
、光ディスクメモリの大量生産が可能で、大幅なコスト
ダウンにつながるという多大な効果を有する。
第１図は本発明の実施例における光ディスクの断面口。
第２図は本発明の実施例における混合比と膜厚とディン
ピング速度の相関図。 第５図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 第４図は本発明の実施例における混合比とＯ／Ｎ比の相
関図。 ′＠５図は本発明の実施例における組成比とＯ／Ｎ比の
相関図。 第６図は本発明の実施例における組成比と記録レーザー
パワーの相関図。 第７図は本発明の実施例における混合比と膜厚とディン
ピング速度の相関図。 第８図は本発明の実施例にかける混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 褐９図は本発明の実施例における混合比と０７Ｎ比の相
関図。 第１０図は本発明の実施例における組成比と０／Ｎ比の
相関図。 第１１図は本発明の実施例に訃ける組成比と記録レーザ
ーパワーの相関図。 以 上
ピング速度の相関図。 第５図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 第４図は本発明の実施例における混合比とＯ／Ｎ比の相
関図。 ′＠５図は本発明の実施例における組成比とＯ／Ｎ比の
相関図。 第６図は本発明の実施例における組成比と記録レーザー
パワーの相関図。 第７図は本発明の実施例における混合比と膜厚とディン
ピング速度の相関図。 第８図は本発明の実施例にかける混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 褐９図は本発明の実施例における混合比と０７Ｎ比の相
関図。 第１０図は本発明の実施例における組成比と０／Ｎ比の
相関図。 第１１図は本発明の実施例に訃ける組成比と記録レーザ
ーパワーの相関図。 以 上
Claims (1)
- ヒートモード型光ディスクメモリにおいて、記録媒体と
して、テルルとセレンの複合酸化物を使用し、該記録媒
体をテルルとセレンのアルコキシドを使用した、ゾル−
ゲル法によつて形成することを特徴とする光ディスクメ
モリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190757A JPS6251052A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190757A JPS6251052A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251052A true JPS6251052A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16263224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60190757A Pending JPS6251052A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6251052A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246726A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-02 | Toshiba Corp | ディジタルリレーの監視不良検出方式 |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP60190757A patent/JPS6251052A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246726A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-02 | Toshiba Corp | ディジタルリレーの監視不良検出方式 |
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