JPS6247843A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPS6247843A JPS6247843A JP60189145A JP18914585A JPS6247843A JP S6247843 A JPS6247843 A JP S6247843A JP 60189145 A JP60189145 A JP 60189145A JP 18914585 A JP18914585 A JP 18914585A JP S6247843 A JPS6247843 A JP S6247843A
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- JP
- Japan
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- recording
- etched
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- recording layer
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、光学的に情報の記録再生、また消去が可能な
光情報記録媒体に関するものであり、特に記録感度を向
上させた光情報記録媒体に関するものである。
光情報記録媒体に関するものであり、特に記録感度を向
上させた光情報記録媒体に関するものである。
(従来の技術)
従来、この種の媒体としては、例えば、第8図に示すも
のがあった。すなわち、円板状のガラスからなる透光性
基板1,2と、この透光性基板1゜2上に記録層3,4
(例えば、Te)をそれぞれ被着する。なお、この記録
層3,4が被着される透光性基板1,2は、記録層3,
4に対して下地となり、かつそれぞれの表面は精密研摩
されており、その表面粗さくこの粗さは、粗さの頂点と
底点との高さを意味する。以下同様。)が20Å以下と
なっていた。そして、前記2枚の透光性基板1.2を記
録層3.4が対向するように配置し、その2枚の透光性
基板1,2の間にリング状内側スペーサ5とリング状外
側スペーサ6を挿入し、それぞれ接着剤7,8により透
光性基板1,2に固着したものである。
のがあった。すなわち、円板状のガラスからなる透光性
基板1,2と、この透光性基板1゜2上に記録層3,4
(例えば、Te)をそれぞれ被着する。なお、この記録
層3,4が被着される透光性基板1,2は、記録層3,
4に対して下地となり、かつそれぞれの表面は精密研摩
されており、その表面粗さくこの粗さは、粗さの頂点と
底点との高さを意味する。以下同様。)が20Å以下と
なっていた。そして、前記2枚の透光性基板1.2を記
録層3.4が対向するように配置し、その2枚の透光性
基板1,2の間にリング状内側スペーサ5とリング状外
側スペーサ6を挿入し、それぞれ接着剤7,8により透
光性基板1,2に固着したものである。
次に、前述した光情報記録媒体に情報を記録する方法は
、例えば、記録層3に、第8図の矢印で示すように透光
性基板1側からレーザ光を所望する位置に垂直に照射し
、そのレーザ光が記録層3に吸収され、その吸収された
レーザ光は熱に変換され、その熱によって記録層3は溶
解され、ピットが形成されて情報を記録する。
、例えば、記録層3に、第8図の矢印で示すように透光
性基板1側からレーザ光を所望する位置に垂直に照射し
、そのレーザ光が記録層3に吸収され、その吸収された
レーザ光は熱に変換され、その熱によって記録層3は溶
解され、ピットが形成されて情報を記録する。
しかしながら、従来の光情報記録媒体の透光性基板(下
地)の記録層を被着する表面を精密研摩して、その粗さ
を20Å以下としていたため、前述したレーザ光が有効
に記録層に吸収されず、結果として、情報が記録層に確
実に記録されないことがあった。すなわち、記録層の記
録感度が低下する欠点があった。なお、この理由は、前
記透光性基板の前述した表面が精密研摩されているため
、基板と記録層の屈折率の違いによりその界面において
、20%以上の反射があり、さらに前記レーザ光の一部
(約30%)が、記録層を透過してしまうからである。
地)の記録層を被着する表面を精密研摩して、その粗さ
を20Å以下としていたため、前述したレーザ光が有効
に記録層に吸収されず、結果として、情報が記録層に確
実に記録されないことがあった。すなわち、記録層の記
録感度が低下する欠点があった。なお、この理由は、前
記透光性基板の前述した表面が精密研摩されているため
、基板と記録層の屈折率の違いによりその界面において
、20%以上の反射があり、さらに前記レーザ光の一部
(約30%)が、記録層を透過してしまうからである。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、その目的
は、記録感度を高めた光情報記録媒体を提供することで
ある。
は、記録感度を高めた光情報記録媒体を提供することで
ある。
本発明は、透光性基板の上方に記録層を設けた光情報記
録媒体において、前記記録層を被着する下地表面を粗面
にしたことを特徴とする光情報記録媒体である。
録媒体において、前記記録層を被着する下地表面を粗面
にしたことを特徴とする光情報記録媒体である。
本発明の実施態様としては、前記下地が透光性基板であ
ること、前記下地が透光性被エツチング薄膜であり、か
つ前記透光性基板の上方に設けられ、かつ前記記録層の
下方に設けられていること、また前記粗面の表面粗さが
、この粗さの頂点と底点との高さで30〜300人の範
囲内であることである。
ること、前記下地が透光性被エツチング薄膜であり、か
つ前記透光性基板の上方に設けられ、かつ前記記録層の
下方に設けられていること、また前記粗面の表面粗さが
、この粗さの頂点と底点との高さで30〜300人の範
囲内であることである。
なお、本発明の光情報記録媒体は、前述したような2枚
の透光性基板のそれぞれに記録層を設けたものに限らず
、記録層を1枚の透光性基板に設けたものも含む。
の透光性基板のそれぞれに記録層を設けたものに限らず
、記録層を1枚の透光性基板に設けたものも含む。
本発明は、記録層を被着する下地表面を粗面にすること
から、その粗面の微細な凹凸の側面において、情報を記
録する光が多数回反射を繰り返し、反射するたびに記録
層に光の吸収が行われ、その結果記録感度を向上させる
。
から、その粗面の微細な凹凸の側面において、情報を記
録する光が多数回反射を繰り返し、反射するたびに記録
層に光の吸収が行われ、その結果記録感度を向上させる
。
〔実施例1〕
本例の光情報記録媒体を第1図及び第2図に基づいて詳
述する。なお、第1図は、断面図であり、第2図は、そ
の部分拡大断面図である。
述する。なお、第1図は、断面図であり、第2図は、そ
の部分拡大断面図である。
先ず、精密研摩(例えば、粗さ:20Å以下。)したソ
ーダライムガラスからなる円板状の透光性基板1.2(
外周の直径130ffimφ、内周の直径15Il1m
φ、厚さ1.2mm)を用意する。次に、この透光性基
板1,2の後記する記録層3.4を設ける側の表面に、
Si 02からなる被エツチング薄膜9゜10(膜厚:
約2000人)を後記する記録層3.4の下地となるよ
うに、それぞれ電子ビーム蒸着法により被着する。次に
、前記被エツチング薄膜9゜10の表面をCF4ガスを
用いてドライエツチングする。なお、エツチング条件は
、ガス流患30スタンダード キュービック センチメ
ータ パー ミニツツ(SCC)4) 、全圧0.5T
orr及び高周波電力密度0.3W / cm2である
。そうすると、被エツチング薄膜9の表面は、第2図に
示すように、頂点11と底点12との高さL(粗さ)を
150人及び山13と山13との間隔Wを約2000人
の粗面となる。なお、被エツチング薄膜10も同様の粗
面となる。
ーダライムガラスからなる円板状の透光性基板1.2(
外周の直径130ffimφ、内周の直径15Il1m
φ、厚さ1.2mm)を用意する。次に、この透光性基
板1,2の後記する記録層3.4を設ける側の表面に、
Si 02からなる被エツチング薄膜9゜10(膜厚:
約2000人)を後記する記録層3.4の下地となるよ
うに、それぞれ電子ビーム蒸着法により被着する。次に
、前記被エツチング薄膜9゜10の表面をCF4ガスを
用いてドライエツチングする。なお、エツチング条件は
、ガス流患30スタンダード キュービック センチメ
ータ パー ミニツツ(SCC)4) 、全圧0.5T
orr及び高周波電力密度0.3W / cm2である
。そうすると、被エツチング薄膜9の表面は、第2図に
示すように、頂点11と底点12との高さL(粗さ)を
150人及び山13と山13との間隔Wを約2000人
の粗面となる。なお、被エツチング薄膜10も同様の粗
面となる。
次に、前記被エツチング薄膜9.10の粗面上に、純度
99.99%の粒状Teをモリブデンからなるボートに
入れて蒸着源とし、真空蒸着法(真空度=2X 10−
”Torr)によりTeからなる記録IW3.4 (膜
厚:約200人)を被着した。次に、前記記録層3゜4
を対向させて透光性基板1.2を配置し、リング状内側
スペーサ5(例えば、ポリカーボネート樹脂からなり、
巾は5mmで厚さは0.5mmである。)の表裏面にエ
ポキシ系の接着剤7を塗布して、透光性基板1,2の内
周部に挿入し、かつリング状外側スペーサ6(例えば、
ポリカーボネート樹脂からなり、巾は5mmで厚さは0
.5+nmである。)の表裏面にエポキシ系の接着剤8
を塗布して、透光性基板1,2の外周部に挿入し、透光
性基板1゜2をそれぞれ、リング状内側スペーサ5とリ
ング状外側スペーサ6に固着し、本例の光情報記録媒体
を製作した。
99.99%の粒状Teをモリブデンからなるボートに
入れて蒸着源とし、真空蒸着法(真空度=2X 10−
”Torr)によりTeからなる記録IW3.4 (膜
厚:約200人)を被着した。次に、前記記録層3゜4
を対向させて透光性基板1.2を配置し、リング状内側
スペーサ5(例えば、ポリカーボネート樹脂からなり、
巾は5mmで厚さは0.5mmである。)の表裏面にエ
ポキシ系の接着剤7を塗布して、透光性基板1,2の内
周部に挿入し、かつリング状外側スペーサ6(例えば、
ポリカーボネート樹脂からなり、巾は5mmで厚さは0
.5+nmである。)の表裏面にエポキシ系の接着剤8
を塗布して、透光性基板1,2の外周部に挿入し、透光
性基板1゜2をそれぞれ、リング状内側スペーサ5とリ
ング状外側スペーサ6に固着し、本例の光情報記録媒体
を製作した。
本例の光情報記録媒体の記録感度は、透光性基板1.2
上に記録層3.4を設けたとぎに、下記方法により測定
された。
上に記録層3.4を設けたとぎに、下記方法により測定
された。
先ず、前述した記録層3を設けた透光性基板1側から、
情報記録用のレーザ光として波長830nlllの半導
体レーザを用いてレーザ光を出射し、この出射したレー
ザ光をコリメータレンズにより平行光とし、偏光ビーム
スプリッタ、174波長板及び開口数0.5の対物レン
ズを介し、直径約1μmのスポット光に集光して記録層
3に照射した。なお、このレーザ光のパワーは、記録層
3が照射される位置に、前記透光性基板1を配置せずに
測定し、6mW一定となるように設定した。次に、レー
ザ光の単一パルスを前記のように照射して、ピットを形
成し、そのビットの前記レーザ光の単一パルスのパルス
巾に対する信号コントラストを求め、信号コントラスト
がゼロとなるパルス巾を外挿法により求め(第3図参照
)、このゼロとなるパルス巾を記録感度とした。なお、
信号コントラスi・は、(Rb−Ita) / (Rb
+ Ra)の絶対値として定義されている(ただし、R
a、 Rbはそれぞれレーザ光を照射して記録する前、
記録した後のレーザ光の反射光強度である。)。
情報記録用のレーザ光として波長830nlllの半導
体レーザを用いてレーザ光を出射し、この出射したレー
ザ光をコリメータレンズにより平行光とし、偏光ビーム
スプリッタ、174波長板及び開口数0.5の対物レン
ズを介し、直径約1μmのスポット光に集光して記録層
3に照射した。なお、このレーザ光のパワーは、記録層
3が照射される位置に、前記透光性基板1を配置せずに
測定し、6mW一定となるように設定した。次に、レー
ザ光の単一パルスを前記のように照射して、ピットを形
成し、そのビットの前記レーザ光の単一パルスのパルス
巾に対する信号コントラストを求め、信号コントラスト
がゼロとなるパルス巾を外挿法により求め(第3図参照
)、このゼロとなるパルス巾を記録感度とした。なお、
信号コントラスi・は、(Rb−Ita) / (Rb
+ Ra)の絶対値として定義されている(ただし、R
a、 Rbはそれぞれレーザ光を照射して記録する前、
記録した後のレーザ光の反射光強度である。)。
その結果、第3図の曲線aに示すとおり、記録感度は4
0nsec、となり、従来の媒体での記録感度60nS
eC,(同図の曲線b)と比較して約30%も記録感度
が向上した。なお、透光性基板上に、単にSi 02膜
及び記録層を積層した媒体も前記曲線すと同様になる。
0nsec、となり、従来の媒体での記録感度60nS
eC,(同図の曲線b)と比較して約30%も記録感度
が向上した。なお、透光性基板上に、単にSi 02膜
及び記録層を積層した媒体も前記曲線すと同様になる。
以上、透光性基板1上の被エツチング薄膜9上に被着さ
れた記録層3の記録感度を述べたが、もう一方の記録層
4についても同様に記録感度が向上した。
れた記録層3の記録感度を述べたが、もう一方の記録層
4についても同様に記録感度が向上した。
本例においては、精密研摩を施した透光性基板表面上に
被エツチング薄膜を積層しているが、粗さが20Å以上
の表面に積層してもよい。しかし、本例は前述した表面
にしたので、この基板表面の粗さの影響を受けずに、被
エツチング薄膜の表面を実質的に均一な粗さにすること
ができ、その結果、読み取りエラーや書き込み(記録)
エラーを防止することができる。また、本例のように、
ソーダライムガラスのような多成分系ガラスの場合は、
その表面の相分離等により組成的に不均一な場所が発生
する恐れがある。したがって、その表面をエツチングす
ると、被エツチング薄膜をエツチングすることと比して
エツチングムラの発生するときがある。したがって、本
例では、被エツチング薄膜を設けたので、前述した問題
も解消できた。さらに、本例のようなNaイオンを含む
ガラスを透光性基板として用いても、その基板から析出
したNaイオンの記録層への悪影響すなわち記録層の劣
化を被エツチング薄膜によって防止することもできる。
被エツチング薄膜を積層しているが、粗さが20Å以上
の表面に積層してもよい。しかし、本例は前述した表面
にしたので、この基板表面の粗さの影響を受けずに、被
エツチング薄膜の表面を実質的に均一な粗さにすること
ができ、その結果、読み取りエラーや書き込み(記録)
エラーを防止することができる。また、本例のように、
ソーダライムガラスのような多成分系ガラスの場合は、
その表面の相分離等により組成的に不均一な場所が発生
する恐れがある。したがって、その表面をエツチングす
ると、被エツチング薄膜をエツチングすることと比して
エツチングムラの発生するときがある。したがって、本
例では、被エツチング薄膜を設けたので、前述した問題
も解消できた。さらに、本例のようなNaイオンを含む
ガラスを透光性基板として用いても、その基板から析出
したNaイオンの記録層への悪影響すなわち記録層の劣
化を被エツチング薄膜によって防止することもできる。
〔実施例2〕
本例の光情報記録媒体を第4図及び第5図に基づいて説
明する。なお、第4図は断面図、第5図はその部分拡大
断面図である。
明する。なお、第4図は断面図、第5図はその部分拡大
断面図である。
本例と前記実施例1と相違するところは、透光性基板1
4.15(外周の直径: 200mmφ:内周の直径
: 15111mφ;厚さ1.2mm)として、Si
02が99、99重量%の石英ガラスを用い、その表面
を精密研摩(粗さ:20Å以下)し、記録層3,4を被
着する表面を、粗さLを170人2間隔Wを約1600
人とした粗面とし、透光性基板14.15そのものを下
地としたことであり、また、この粗面を形成するときの
エツチング用のガスとしてCF4ガスを用い、ガス流f
fl 503CCH1全圧0.5Torr及び高周波電
力密度0.3W / cm2であり、その他は前記実施
例1と同様である。
4.15(外周の直径: 200mmφ:内周の直径
: 15111mφ;厚さ1.2mm)として、Si
02が99、99重量%の石英ガラスを用い、その表面
を精密研摩(粗さ:20Å以下)し、記録層3,4を被
着する表面を、粗さLを170人2間隔Wを約1600
人とした粗面とし、透光性基板14.15そのものを下
地としたことであり、また、この粗面を形成するときの
エツチング用のガスとしてCF4ガスを用い、ガス流f
fl 503CCH1全圧0.5Torr及び高周波電
力密度0.3W / cm2であり、その他は前記実施
例1と同様である。
本例によれば、前記実施例1と同様に良好な記録感度を
示し、また、透光性基板の表面を精密研摩せずに、前述
した粗さ以上の表面をエツチングしてもよいが、本例は
、前述した表面にしたことから、実質的に均一な粗面を
形成することができたので、実施例1と同様な効果があ
る。
示し、また、透光性基板の表面を精密研摩せずに、前述
した粗さ以上の表面をエツチングしてもよいが、本例は
、前述した表面にしたことから、実質的に均一な粗面を
形成することができたので、実施例1と同様な効果があ
る。
〔実施例3〕
本例と前記実施例2と相違するところは、透光性基板1
4.15の形状、材質がそれぞれ、実施例1と同様であ
り、粗面を形成する条件として、CF4ガスとC2H4
ガスとの混合ガス(混合比は、CFa : C2Ls
=5: 1)を用い、透光性基板側が負電圧になるよ
うに500Vの直流電圧を印加し、全圧0.5Torr
、高周波電力密度0.3W / cm2でドライエツチ
ングを行い、また、粗面の粗さ名及び間隔Wは実施例1
と同様であり、その他は前記実施例2と同様である。
4.15の形状、材質がそれぞれ、実施例1と同様であ
り、粗面を形成する条件として、CF4ガスとC2H4
ガスとの混合ガス(混合比は、CFa : C2Ls
=5: 1)を用い、透光性基板側が負電圧になるよ
うに500Vの直流電圧を印加し、全圧0.5Torr
、高周波電力密度0.3W / cm2でドライエツチ
ングを行い、また、粗面の粗さ名及び間隔Wは実施例1
と同様であり、その他は前記実施例2と同様である。
本例によれば、前記実施例2と同様の効果がある。
〔実施例4)
本例は、前記実施例1と同様に被エツチング薄膜を下地
としたものであり、前記実施例1と相違するところを第
1図、第2図を参酌して以下に述べる。
としたものであり、前記実施例1と相違するところを第
1図、第2図を参酌して以下に述べる。
先ず、透光性基板1,2として、ソーダライムガラスを
、低温型イオン交換法によりイオン交換処理をしたちの
(抗折強度: 45k(1/mm2 :歪層の深ざ:1
5μm;複屈折: 10nm以下)を用い、被エツチン
グ薄膜9,10は、Siからなるターゲットを用い、へ
rガスとN2ガスとの雰囲気中で反応性スパッタ法によ
って形成した窒化シリコン膜(膜厚:約1500人)を
用いた。また、エツチング条件としテハ、CHF3カス
ヲ用イ、1150secH,全圧0.5Torr及び高
周波電力密度0.3W / cm2である。
、低温型イオン交換法によりイオン交換処理をしたちの
(抗折強度: 45k(1/mm2 :歪層の深ざ:1
5μm;複屈折: 10nm以下)を用い、被エツチン
グ薄膜9,10は、Siからなるターゲットを用い、へ
rガスとN2ガスとの雰囲気中で反応性スパッタ法によ
って形成した窒化シリコン膜(膜厚:約1500人)を
用いた。また、エツチング条件としテハ、CHF3カス
ヲ用イ、1150secH,全圧0.5Torr及び高
周波電力密度0.3W / cm2である。
本例によれば、前記実施例1と同様の効果があり、また
、イオン交換処理を施したものを、透光性基板として用
いていることから、本例の光情報記録媒体を毎分1万回
転させても、破壊されることがなく、かつ、透光性基板
の表面硬度が、イオン交換処理をしていないものと比較
して50〜100kg /mm2向上することにより、
その表面にキズが付きにくくなる。さらに、イオン交換
処理をしていることから、透光性基板表面のHaイオン
の析出を防止でき、この基板の表面劣化を防止する。し
たがって基板の透過率の低下を防止することができ、情
報を記録するためのレーザ光をより有効に記録層に照射
することができる。
、イオン交換処理を施したものを、透光性基板として用
いていることから、本例の光情報記録媒体を毎分1万回
転させても、破壊されることがなく、かつ、透光性基板
の表面硬度が、イオン交換処理をしていないものと比較
して50〜100kg /mm2向上することにより、
その表面にキズが付きにくくなる。さらに、イオン交換
処理をしていることから、透光性基板表面のHaイオン
の析出を防止でき、この基板の表面劣化を防止する。し
たがって基板の透過率の低下を防止することができ、情
報を記録するためのレーザ光をより有効に記録層に照射
することができる。
また、本例では、低温型イオン交換法を用いたが、高温
型イオン交換法や風冷強化法であっても、少なくとも前
述した破壊防止やキズの防止に対しては同様の効果があ
る。また、本例では、ソーダライムガラスを用いたが、
他のガラス、例えばボロシリケート系ガラスやアルミノ
シリケート系ガラスでも同様の効果がある。
型イオン交換法や風冷強化法であっても、少なくとも前
述した破壊防止やキズの防止に対しては同様の効果があ
る。また、本例では、ソーダライムガラスを用いたが、
他のガラス、例えばボロシリケート系ガラスやアルミノ
シリケート系ガラスでも同様の効果がある。
〔実施例5〕
本例の光情報記録媒体を第6図及び第7図に基づいて説
明する。なお、第6図は、断面図であり、第7図は、そ
の部分拡大断面図である。
明する。なお、第6図は、断面図であり、第7図は、そ
の部分拡大断面図である。
本例と前記実施例1と相違するところは、透光性基板1
,2とSi 02からなる被エツチング薄膜9.10と
のそれぞれの間に、酸化アルミニウムからなる被エツチ
ング薄膜の付着力を向上させる中間層16.17(膜厚
:300人)を介在させたことである。その他は、前記
実施例1と同様である。
,2とSi 02からなる被エツチング薄膜9.10と
のそれぞれの間に、酸化アルミニウムからなる被エツチ
ング薄膜の付着力を向上させる中間層16.17(膜厚
:300人)を介在させたことである。その他は、前記
実施例1と同様である。
本例によれば、前記実施例1と同様な効果があり、さら
に、中間層を設けることにより、下地である被エツチン
グ薄膜の剥離防止の効果も有する。
に、中間層を設けることにより、下地である被エツチン
グ薄膜の剥離防止の効果も有する。
本例によれば、中間層として酸化アルミニウム膜を用い
たが、周期律表の■族、■族若しくはV族の元素又はこ
れらの化合物でもよい。また、前記元素又は化合物の酸
化物、窒化物等でも同様の効果があり、また、前記元素
、化合物、酸化物又は窒化物等からなる中間層が化学因
論的組成でなくてもよい。
たが、周期律表の■族、■族若しくはV族の元素又はこ
れらの化合物でもよい。また、前記元素又は化合物の酸
化物、窒化物等でも同様の効果があり、また、前記元素
、化合物、酸化物又は窒化物等からなる中間層が化学因
論的組成でなくてもよい。
以上、前記実施例1〜5において、透光性基板としてガ
ラスを用いたが、ポリメチルメタアクリレート等の透光
性のプラスチックであってもよい。
ラスを用いたが、ポリメチルメタアクリレート等の透光
性のプラスチックであってもよい。
望ましくは、透湿性、熱変形温度、ガス放出及び複屈折
等の諸特性からガラスがよい。
等の諸特性からガラスがよい。
また、透光性基板としてのガラスの種類としては、前記
実施例1〜5のソーダライムガラス、石英ガラスに限ら
ず、アルミノシリケートガラス等のガラスであってもよ
い。
実施例1〜5のソーダライムガラス、石英ガラスに限ら
ず、アルミノシリケートガラス等のガラスであってもよ
い。
また、被エツチング薄膜としては、シリコン酸化物やシ
リコン窒化物に限らず、エツチング条件に対応して、例
えば周期律表の■族、■族、V族の元素又はその化合物
、さらにはそれらの酸化物や窒化物、カルコゲン化合物
等の透光性の材質を適宜決定すればよい。また、被エツ
チング薄膜の厚さは、透光性基板の表面の粗さによって
決定すればよい。また、下地表面の粗さは、その下地が
精密研摩をした透光性基板上に設けた被エツチング薄膜
又は精密研摩された透光性基板のときは、その精密研摩
された表面粗さ以上であり、30〜300人、望ましく
は100〜300人であれば、充分に記録感度を向上さ
せることができる。
リコン窒化物に限らず、エツチング条件に対応して、例
えば周期律表の■族、■族、V族の元素又はその化合物
、さらにはそれらの酸化物や窒化物、カルコゲン化合物
等の透光性の材質を適宜決定すればよい。また、被エツ
チング薄膜の厚さは、透光性基板の表面の粗さによって
決定すればよい。また、下地表面の粗さは、その下地が
精密研摩をした透光性基板上に設けた被エツチング薄膜
又は精密研摩された透光性基板のときは、その精密研摩
された表面粗さ以上であり、30〜300人、望ましく
は100〜300人であれば、充分に記録感度を向上さ
せることができる。
また、エツチング方法として、前記実施例1〜5ではド
ライエツチングを選択したが、湿式エツチングであって
もよく、下地に対応して適宜決定すればよい。望ましく
は作業性を考慮すればドライエツチングがよい。また、
ドライエツチングに使用されるガスもCFaガス、CF
4とC2H4との混合ガス又はClIF5ガスに限らず
、エツチングされる下地に適したガスを用いればよい。
ライエツチングを選択したが、湿式エツチングであって
もよく、下地に対応して適宜決定すればよい。望ましく
は作業性を考慮すればドライエツチングがよい。また、
ドライエツチングに使用されるガスもCFaガス、CF
4とC2H4との混合ガス又はClIF5ガスに限らず
、エツチングされる下地に適したガスを用いればよい。
さらに、前記実施例1〜5において、記録層の材質とし
てTeを述べたが、これに限らず、5O1GeTe、
InTe1TeC、Te−0、Te−Ge−0、Te−
As−〇等のカルコゲン元素、カルコゲン化合物、周期
律表の■族、IV族、V族の元素及びその化合物並びに
その酸化物、窒化物、さらに光吸収剤を添加した有機物
等であってもよく、何ら材質は限定されない。
てTeを述べたが、これに限らず、5O1GeTe、
InTe1TeC、Te−0、Te−Ge−0、Te−
As−〇等のカルコゲン元素、カルコゲン化合物、周期
律表の■族、IV族、V族の元素及びその化合物並びに
その酸化物、窒化物、さらに光吸収剤を添加した有機物
等であってもよく、何ら材質は限定されない。
本発明は、記録層の下地表面を粗面にしたことから、記
録感度を向上させることができ、所望する情報を正確に
記録することができた。
録感度を向上させることができ、所望する情報を正確に
記録することができた。
第1図、第2図及び第3図は、それぞれ本発明の一実施
例を示す断面図、部分拡大断面図及び−実、施例による
パルス巾−信号コントラストを示す特性図である。第4
図及び第5図は、それぞれ本発明の他の実施例を示す断
面図及び部分拡大断面図である。第6図及び第7図は、
本発明のさらに他の実施例を示す断面図及び部分拡大断
面図である。第8図は従来の光情報記録媒体を示す断面
図である。 1.2・・・透光性基板、3.4・・・記録層、9.1
0・・・被エツチング薄膜、11・・・頂点、12・・
・底点、14.15・・・粗面を有する透光性基板、1
6.17・・・中間層 第3図 第7図
例を示す断面図、部分拡大断面図及び−実、施例による
パルス巾−信号コントラストを示す特性図である。第4
図及び第5図は、それぞれ本発明の他の実施例を示す断
面図及び部分拡大断面図である。第6図及び第7図は、
本発明のさらに他の実施例を示す断面図及び部分拡大断
面図である。第8図は従来の光情報記録媒体を示す断面
図である。 1.2・・・透光性基板、3.4・・・記録層、9.1
0・・・被エツチング薄膜、11・・・頂点、12・・
・底点、14.15・・・粗面を有する透光性基板、1
6.17・・・中間層 第3図 第7図
Claims (4)
- (1)透光性基板の上方に記録層を設けた光情報記録媒
体において、前記記録層を被着する下地表面を粗面にし
たことを特徴とする光情報記録媒体。 - (2)前記下地が透光性基板であることを特徴する特許
請求の範囲第(1)項記載の光情報記録媒体。 - (3)前記下地が透光性被エッチング薄膜で、前記透光
性基板の上方に設けられ、かつ前記記録層の下方に設け
られていることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項
記載の光情報記録媒体。 - (4)前記粗面の表面粗さが、前記粗さの頂点と底点と
の高さで30〜300Åの範囲内であることを特徴とす
る特許請求の範囲第(2)項又は第(3)項記載の光情
報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60189145A JPS6247843A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60189145A JPS6247843A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6247843A true JPS6247843A (ja) | 1987-03-02 |
Family
ID=16236170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60189145A Pending JPS6247843A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6247843A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03100937A (ja) * | 1989-09-12 | 1991-04-25 | Nec Corp | 相変化型光記録媒体およびその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5114295A (en) * | 1974-07-26 | 1976-02-04 | Hitachi Ltd | Hyojisochino seizohoho |
JPS5740766A (en) * | 1979-09-10 | 1982-03-06 | Philips Nv | Optical recording disc |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP60189145A patent/JPS6247843A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5114295A (en) * | 1974-07-26 | 1976-02-04 | Hitachi Ltd | Hyojisochino seizohoho |
JPS5740766A (en) * | 1979-09-10 | 1982-03-06 | Philips Nv | Optical recording disc |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03100937A (ja) * | 1989-09-12 | 1991-04-25 | Nec Corp | 相変化型光記録媒体およびその製造方法 |
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