JPS6242388B2 - - Google Patents
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- JPS6242388B2 JPS6242388B2 JP59152897A JP15289784A JPS6242388B2 JP S6242388 B2 JPS6242388 B2 JP S6242388B2 JP 59152897 A JP59152897 A JP 59152897A JP 15289784 A JP15289784 A JP 15289784A JP S6242388 B2 JPS6242388 B2 JP S6242388B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レジンモールド型半導体装置の製法
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a resin molded semiconductor device.
レジンモールド型半導体装置の組立には金属製
のリードフレームが用いられている。このリード
フレームは薄い金属板をプレスで打ち抜いたり、
エツチングによつて形成し、その形状は、第１図
で示すように、半導体素子１を取り付ける矩形の
タブ２をレジンモールドされる内側（インナー
部）で支持するタブリード３と、タブ２の周縁に
レジンモールドされる内側（インナー部）を臨ま
せる複数のリード４と、これらリード４およびタ
ブリード３のレジンモールドされない外側（アウ
ター部）を支持する矩形枠からなる枠部５と、枠
部５，各リード４，タブリード３を繋ぎレジンモ
ールド時に溶けたレジンの流出を防止するダム片
６とからなつている。このリードフレームは、４
方向に延びるリード４で構成されている。詳述す
れば、リードフレームは、タブ２の一辺に内側を
臨ませ、外側を前記辺に対して垂直方向に延在さ
せた複数のリード４でリード群を構成し、このリ
ード群をタブ２の各辺毎（４辺）に構成してい
る。また、枠部５の両側縁に沿つて定間隔にガイ
ド孔７が設けられ、リードフレームを用いての組
立，搬送にはこのガイド孔７が位置決め孔や外掛
移送孔として用いられる。 Metal lead frames are used to assemble resin molded semiconductor devices. This lead frame is made by punching a thin metal plate with a press,
It is formed by etching, and its shape is as shown in FIG. A plurality of leads 4 which face the insides (inner parts) to be resin molded, a frame part 5 made of a rectangular frame that supports the outsides (outer parts) of these leads 4 and the tab leads 3 which are not resin molded; It consists of a dam piece 6 that connects the lead 4 and tab lead 3 and prevents melted resin from flowing out during resin molding. This lead frame has 4
It is composed of leads 4 extending in the direction. Specifically, the lead frame includes a plurality of leads 4 whose inner side faces one side of the tab 2 and whose outer side extends in a direction perpendicular to the side. It is configured for each side (4 sides). Further, guide holes 7 are provided at regular intervals along both side edges of the frame portion 5, and the guide holes 7 are used as positioning holes and outer hook transfer holes when assembling and transporting the lead frame.
このようなリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てるには、まずタブ２上に半導体素子１
を取り付けた後、半導体素子１の各電極とこれに
対応するリード４の内側をワイヤ８で接続し、そ
の後、矩形枠状に配列されたダム片６の内側領域
をレジンでモールドし、モールド部９で半導体素
子１等を覆う。ついで、ダム片６および枠部５を
切断除去しフラツトリードの半導体装置を得る。
また、インライン形の半導体装置を得るには、モ
ールド部９から突出するリード４を途中で折り曲
げる。 To assemble a semiconductor device using such a lead frame, first place the semiconductor element 1 on the tab 2.
After that, each electrode of the semiconductor element 1 and the inside of the corresponding lead 4 are connected with a wire 8, and then the inside area of the dam pieces 6 arranged in a rectangular frame shape is molded with resin, and the molded part 9 covers the semiconductor element 1 and the like. Then, the dam piece 6 and the frame portion 5 are cut and removed to obtain a flat lead semiconductor device.
Furthermore, in order to obtain an in-line type semiconductor device, the leads 4 protruding from the mold part 9 are bent in the middle.
ところで、前記モールド工程にあつては、レジ
ンの硬化収縮およびモールド後の常温への復帰時
のレジンと金属からなるリードフレームとの熱膨
張係数の違いによつて、リードフレームは薄くか
つ枠状構造となつていることから反り返つたりし
て変形してしまう。第１図に示すような４方向に
リード４が延在するリードフレームにおいては、
前記熱膨張係数の違いで生じる応力の作用中心点
からの距離が違いリード４の外側と枠部５との連
結部分、特に、各リード群の最つとも外側の最外
側リード４と枠部５との連結部分（隅部）に応力
が集中し変形が著しい。このため、リードフレー
ムの枠部５のガイド孔７の間隔が変化するので、
モールド工程後の各組立検査工程においてリード
フレームの自動搬送，自動位置決めができなくな
つてしまう。また、モールド部９に残留応力が発
生し、モールド部９やリード４に外力が加わると
残留応力も存在することからリード４とレジンと
が簡単に剥離し、耐湿性が低下してしまう。 By the way, in the molding process, the lead frame is thin and has a frame-like structure due to the curing shrinkage of the resin and the difference in thermal expansion coefficient between the resin and the lead frame made of metal when returning to room temperature after molding. Because it is curved, it warps and becomes deformed. In a lead frame in which leads 4 extend in four directions as shown in FIG.
The distance from the center of action of the stress caused by the difference in the thermal expansion coefficients is different, especially the connecting portion between the outer side of the lead 4 and the frame portion 5, especially the outermost lead 4 and the frame portion 5 at the outermost side of each lead group. Stress is concentrated at the connecting part (corner) and deformation is significant. For this reason, the interval between the guide holes 7 in the frame portion 5 of the lead frame changes, so
Automatic conveyance and automatic positioning of the lead frame will become impossible in each assembly inspection process after the molding process. Further, residual stress is generated in the mold part 9, and when an external force is applied to the mold part 9 and the leads 4, the residual stress also exists, so that the leads 4 and the resin easily separate, resulting in a decrease in moisture resistance.
樹脂封止型半導体装置の製法は特開昭55−
21124号に開示されている。 The manufacturing method for resin-sealed semiconductor devices was published in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1986-
Disclosed in No. 21124.
本発明の目的は、レジンモールド型半導体装置
において、レジンとリードフレームとの熱膨張係
数の違いによつて生じる応力でリードフレームの
枠部が変形することを防止すると共に、応力によ
つてリードの外側にバラツキを生じることを防止
することが可能な技術を提供することにある。 An object of the present invention is to prevent the frame portion of a lead frame from being deformed due to stress caused by the difference in coefficient of thermal expansion between the resin and the lead frame in a resin molded semiconductor device, and to prevent the lead frame from deforming due to stress. The object of the present invention is to provide a technology that can prevent variations in the outside from occurring.
また、本発明の他の目的は、レジンモールド型
半導体装置の耐湿性を向上することが可能な技術
を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a technique that can improve the moisture resistance of a resin molded semiconductor device.
このような目的を達成するために本発明は、４
方向にリードが延在するリードフレームを用いた
レジンモールド型半導体装置の製法において、タ
ブの一辺に複数のリードからなるリード群をタブ
の各辺毎に構成し、この各辺のリード群毎に各リ
ードの外側を連結するバツフア片を構成し、前記
リード群毎に最外側リードと前記バツフア片とが
連結される隅部に最外側リードとバツフア片とに
沿つてＬ字形状のスリツトを介在させて前記リー
ド群及びタブを支持する枠部を構成し、この枠部
にガイド孔を構成したリードフレームを形成する
工程と、この後に、半導体素子を固定し、レジン
でモールドする工程とを備えたことを特徴とす
る。 In order to achieve these objectives, the present invention has four
In a method for manufacturing a resin molded semiconductor device using a lead frame in which leads extend in the direction, a lead group consisting of a plurality of leads is formed on each side of the tab, and each lead group on each side is A buffer piece is configured to connect the outside of each lead, and an L-shaped slit is provided along the outermost lead and the buffer piece at the corner where the outermost lead and the buffer piece are connected for each lead group. forming a frame portion for supporting the lead group and the tab, forming a lead frame in which a guide hole is formed in the frame portion, and then fixing the semiconductor element and molding it with resin. It is characterized by:
第２図は本発明の半導体装置に用いるリードフ
レームの一実施例を示す。このリードフレームは
0.15mm程度の厚さの金属板を打抜加工やエツチン
グ加工によつて作られる。そして、その形状は、
部分的に幅の異なる箇所はあるが全体として矩形
枠を形作る枠部１０の中央に半導体素子１１を取
り付ける矩形のタブ１２を有する形状となつてい
る。そして、このタブ１２はその両端中央部にタ
ブリード１３の内側（インナー部）を連結させて
支持されている。また、４方向からこのタブ１２
に向つて複数のリード１４が延び、その内側（イ
ンナー部）の先端はタブ１２の周縁近傍に臨んで
いる。リード１４の外側（アウター部）は、タブ
１２の各辺に対して実質的に垂直方向に延在して
いる。一方向に延在する複数のリード１４は、一
つのリード群を構成している。各リード群の複数
のリード１４の外側の端部は、細長のバツフア主
片１５の内側に連結されている。また、各リード
群の夫々の最外側の最外側リード１６の途中から
バツフア支片１７が突出し、先端を矩形状の枠部
１０の隅部一内側に連結している。また、最外側
リード１６のバツフア主片１５とバツフア支片１
７との間はリード１４であるとともにバツフア副
片１８をも兼ね、これら相互に交差するように連
結するバツフア主片１５，バツフア副片１８，バ
ツフア支片１７によつてリードフレームの面方向
に沿つて、特にリード１４の延びる方向に容易に
変形するバツフア片１９を形作つている。最外側
リード１６とバツフア主片１５とが連結される隅
部には、前記リード群毎に、最外側リード１６と
バツフア主片１５とに沿つたＬ字形状のスリツト
（分離溝）が形成されており、リード群（主に、
バツフア片１９）と枠部１０とを分離している。
この部分は、最大の応力が集中するようになつて
いる。また、タブ１２を取り囲み枠部１０の内部
に位置する矩形枠からなるダム片２０が設けられ
ている。このダム片２０の各４辺は、前述のよう
に各リード群のリード１４と互いに直交するよう
に構成されている。また、枠部１０の隅部には従
来と同様に位置決め孔や外掛移送孔として用いら
れるガイド孔２１が穿たれている。 FIG. 2 shows an embodiment of a lead frame used in the semiconductor device of the present invention. This lead frame
It is made by punching or etching a metal plate approximately 0.15mm thick. And its shape is
Although there are portions with different widths, the overall shape is such that a rectangular tab 12 for attaching a semiconductor element 11 is provided at the center of a frame portion 10 that forms a rectangular frame. This tab 12 is supported by connecting the inner side (inner part) of a tab lead 13 to the central part of both ends thereof. Also, this tab 12 can be viewed from four directions.
A plurality of leads 14 extend toward the periphery of the tab 12, and their inner ends face near the periphery of the tab 12. The outside (outer portion) of the lead 14 extends substantially perpendicularly to each side of the tab 12 . The plurality of leads 14 extending in one direction constitute one lead group. The outer ends of the plurality of leads 14 in each lead group are connected to the inner side of the elongated buffer main piece 15. Further, a buffer branch piece 17 protrudes from the middle of the outermost outermost lead 16 of each lead group, and its tip is connected to the inside corner of the rectangular frame 10. In addition, the buffer main piece 15 and the buffer branch piece 1 of the outermost lead 16 are
7 is a lead 14, which also serves as a buffer sub-piece 18, and is connected in the direction of the surface of the lead frame by the buffer main piece 15, buffer sub-piece 18, and buffer support piece 17, which are interconnected so as to intersect with each other. Along the lead 14, a buffer piece 19 is formed that is easily deformed, especially in the direction in which the lead 14 extends. At the corner where the outermost lead 16 and the buffer main piece 15 are connected, an L-shaped slit (separation groove) is formed along the outermost lead 16 and the buffer main piece 15 for each lead group. The lead group (mainly
The buffer piece 19) and the frame portion 10 are separated.
This area is where the greatest stress is concentrated. Further, a dam piece 20 made of a rectangular frame surrounding the tab 12 and located inside the frame portion 10 is provided. Each of the four sides of this dam piece 20 is configured to be orthogonal to the leads 14 of each lead group, as described above. Furthermore, guide holes 21 are bored in the corners of the frame portion 10, which are used as positioning holes and outer hook transfer holes, as in the conventional case.
このようなリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てる場合には、第２図で示すように、ダ
ブ１２上に半導体素子１１を固定し、この半導体
素子１１の電極とリード１４の内側をワイヤ２２
で繋ぎ、その後、第３図で示すように、ダム片２
０の内側をレジンでモールドし、レジンからなる
モールド部２３で半導体素子１１等を覆う。つぎ
に、ダム片２０，バツフア支片１７およびバツフ
ア主片１５を切断除去してフラツトパツケージ型
の半導体装置を作る。この際、バツフア副片１８
部分はそのまま残り、リードとして使用される。 When assembling a semiconductor device using such a lead frame, as shown in FIG.
and then connect the dam piece 2 as shown in Figure 3.
The inside of 0 is molded with resin, and the semiconductor element 11 and the like are covered with a mold part 23 made of resin. Next, the dam piece 20, buffer branch piece 17, and buffer main piece 15 are cut and removed to produce a flat package type semiconductor device. At this time, the buffer subpiece 18
The part remains intact and is used as a lead.
このように、４方向にリード１４が延在するリ
ードフレームを用いたレジンモールド型半導体装
置において、リード群の最外側リード１６とバツ
フア主片１５との連結部分に、それらに沿つてＬ
字形状のスリツトを形成したリードフレームを形
成した後、半導体素子１１を形成し、レジンモー
ルドすることにより、リードフレームの面に沿う
方向に容易に変形できるので、レジンモールド時
のレジンとリードの熱収縮の違いによる応力やレ
ジンの硬化収縮等によつてリード１４に外力が加
わつても、バツフア片およびリードのみがそれに
追従して変形するだけで、リードフレームの枠部
１０特に前記Ｌ字形状のスリツトが形成される部
分での変形は生じない。また、変形部分の各リー
ド１４も隅部のバツフア支片１５で支持される構
造であることから均一に変形し、リード１４の外
側のバラツキがなくなる。このため、従来のよう
にリードフレームが反り返つたりせず、その後の
リードフレームの自動搬送，自動位置決めにあつ
ても支障はなくガイド孔２１をガイドとして使用
できる。また、レジンの硬化収縮等によるリード
１４に働く外力はバツフア片１９およびリード１
４の変形によつて解消され、レジンモールド部２
３内部での残留応力は軽減される。このため、リ
ード１４とレジンとの密着度も良好に保たれ、耐
湿性を向上することができる。 In this way, in a resin-molded semiconductor device using a lead frame in which leads 14 extend in four directions, an L is provided at the connection portion between the outermost lead 16 of the lead group and the buffer main piece 15 along the outermost lead 16 of the lead group.
After forming a lead frame with a letter-shaped slit, forming the semiconductor element 11 and performing resin molding, the lead frame can be easily deformed in the direction along the surface of the lead frame. Even if an external force is applied to the lead 14 due to stress due to differences in shrinkage or curing shrinkage of the resin, only the buffer piece and the lead will follow and deform, causing the lead frame frame 10, especially the L-shaped No deformation occurs in the area where the slit is formed. Furthermore, since each lead 14 at the deformed portion is also supported by the buffer support piece 15 at the corner, it is deformed uniformly, eliminating variations in the outside of the lead 14. For this reason, the lead frame does not warp as in the conventional case, and the guide hole 21 can be used as a guide without any problem during subsequent automatic conveyance and automatic positioning of the lead frame. In addition, the external force acting on the lead 14 due to hardening and shrinkage of the resin is applied to the buffer piece 19 and the lead 1.
4, the resin mold part 2
3. Residual stress inside is reduced. Therefore, the degree of adhesion between the lead 14 and the resin is maintained well, and moisture resistance can be improved.
以上のように、本発明のレジンモールド型半導
体装置は、レジンモールド時の熱収縮やレジンの
硬化収縮によつてもリードフレーム特にその枠部
が反り返る等の変形がなく、さらに、各リードに
バラツキを生じないので、その後の各工程処理作
業にあつても自動組立が行なえる。また、熱収縮
や硬化収縮はバツフア片部分が緩衝体として働き
変形するため、このリードフレームを用いればモ
ールド部内部の残留応力も軽減され、耐湿性に優
れ信頼性の高い半導体装置を作ることもできる。 As described above, the resin-molded semiconductor device of the present invention does not cause deformation such as warping of the lead frame, especially its frame, due to heat shrinkage during resin molding or curing shrinkage of the resin, and furthermore, there is no variation in each lead. Since this does not occur, automatic assembly can be performed during subsequent processing operations. In addition, because the buffer piece acts as a buffer and deforms during heat shrinkage and curing shrinkage, using this lead frame reduces residual stress inside the mold, making it possible to create semiconductor devices with excellent moisture resistance and high reliability. can.
第１図は従来のリードフレームの平面図、第２
図は本発明の半導体装置に用いるリードフレーム
の一実施例を示す平面図、第３図は本発明の半導
体装置を組み立てた際のモールド後の状態を示す
平面図である。
１……半導体素子、２……タブ、３……タブリ
ード、４……リード、５……枠部、６……ダム
片、７……ガイド孔、８……ワイヤ、９……モー
ルド部、１０……枠部、１１……半導体素子、１
２……タブ、１３……タブリード、１４……リー
ド、１５……バツフア主片、１６……最外側リー
ド、１７……バツフア支片、１８……バツフア副
片、１９……バツフア片、２０……ダム片、２１
……ガイド孔、２２……ワイヤ、２３……モール
ド部。
Figure 1 is a plan view of a conventional lead frame, Figure 2 is a plan view of a conventional lead frame.
This figure is a plan view showing an embodiment of a lead frame used in the semiconductor device of the present invention, and FIG. 3 is a plan view showing the state after molding when the semiconductor device of the present invention is assembled. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Semiconductor element, 2... Tab, 3... Tab lead, 4... Lead, 5... Frame, 6... Dam piece, 7... Guide hole, 8... Wire, 9... Mold part, 10...Frame part, 11...Semiconductor element, 1
2... tab, 13... tab lead, 14... lead, 15... main buffer piece, 16... outermost lead, 17... buffer branch piece, 18... buffer sub piece, 19... buffer piece, 20 ...dam piece, 21
... Guide hole, 22 ... Wire, 23 ... Mold part.
Claims (1)
用いたレジンモールド型半導体装置の製法におい
て、矩形のタブを構成し、該タブの一辺にレジン
モールドされる内側を臨ませ、レジンモールドさ
れない外側を前記辺に対して垂直方向に延在させ
た複数のリードからなるリード群をタブの各辺毎
に構成し、該各辺のリード群毎に各リードの外側
を連結するバツフア片を構成し、前記リード群毎
に最外側リードと前記バツフア片とが連結される
隅部に最外側リードとバツフア片とに沿つたＬ字
形状のスリツトを介在させて前記リード群及びタ
ブを支持する枠部を構成し、該枠部に搬送や位置
決め等で使用されるガイド孔を構成したリードフ
レームを準備する工程と、前記リードフレームの
タブに半導体素子を固定する工程と、前記半導体
素子と前記リードフレームの各リードの内側とを
電気的に接続する工程と、前記半導体素子及びリ
ードフレームの内側をレジンでモールドする工程
とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。1. In a method for manufacturing a resin-molded semiconductor device using a lead frame in which leads extend in four directions, a rectangular tab is constructed, with the inner side to be resin-molded facing one side, and the outer side not resin-molded facing the above-mentioned side. A lead group consisting of a plurality of leads extending in a direction perpendicular to the side is configured for each side of the tab, and a buffer piece is configured for each lead group on each side to connect the outside of each lead, and An L-shaped slit along the outermost lead and the buffer piece is interposed at a corner where the outermost lead and the buffer piece are connected for each lead group to form a frame portion that supports the lead group and the tab. a step of preparing a lead frame in which a guide hole used for transportation, positioning, etc. is formed in the frame portion; a step of fixing a semiconductor element to a tab of the lead frame; and a step of each of the semiconductor element and the lead frame. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: electrically connecting the inside of a lead; and molding the semiconductor element and the inside of the lead frame with resin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15289784A JPS60121751A (en) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | Semiconductor device |
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| JP15289784A JPS60121751A (en) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | Semiconductor device |
Related Parent Applications (1)
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Family Applications (1)
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| JPS5294074A (en) * | 1976-02-04 | 1977-08-08 | Hitachi Ltd | Leading-in frame |
| JPS5363979A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-07 | Hitachi Ltd | Sealing method of semiconductor element and lead frame used for the same |
| JPS5381073A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Oroduction of resin seal type semiconductor device and lead frame used the same |
| JPS6217381A (en) * | 1985-07-12 | 1987-01-26 | Sanyo Electric Co Ltd | Compressor for high pressure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60121751A (en) | 1985-06-29 |
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