JPS6240786A - 磁気抵抗素子を用いた磁気結合アイソレ−タ− - Google Patents
磁気抵抗素子を用いた磁気結合アイソレ−タ−Info
- Publication number
- JPS6240786A JPS6240786A JP60180414A JP18041485A JPS6240786A JP S6240786 A JPS6240786 A JP S6240786A JP 60180414 A JP60180414 A JP 60180414A JP 18041485 A JP18041485 A JP 18041485A JP S6240786 A JPS6240786 A JP S6240786A
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- Japan
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- pattern
- magnetic
- conductor pattern
- magnetoresistive element
- coupling isolator
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気抵抗素子を用いた磁気結合アイソレーターであって
、導電パターンによる磁界を磁気抵抗素子で検出する方
式により、入力と出力を電気的に絶縁し、その間の信号
伝達を高速に行なうことができ、且つ素子の固体素子化
を可能とする。
、導電パターンによる磁界を磁気抵抗素子で検出する方
式により、入力と出力を電気的に絶縁し、その間の信号
伝達を高速に行なうことができ、且つ素子の固体素子化
を可能とする。
本発明は磁気抵抗素子を用いた磁気結合アイソレーター
に関するものである。
に関するものである。
アイソレーターを形成するには、何らかの方法で電気的
に絶縁した状態で信号を伝達しなければならない。従来
はその信号伝達に磁界あるいは光を用いていた。
に絶縁した状態で信号を伝達しなければならない。従来
はその信号伝達に磁界あるいは光を用いていた。
磁界を利用したものはトランス結合型アイソレーターで
比較的小型のものが実用化されているが、大きさがやや
大きいことと、同波数特性に限界(〜30KHz)があ
った。また光を利用するものはホトカブラ型アイソレー
ターで小型かつ高速(〜MHz)のものが実用化されて
いるが価格がやや高いという欠点があった。
比較的小型のものが実用化されているが、大きさがやや
大きいことと、同波数特性に限界(〜30KHz)があ
った。また光を利用するものはホトカブラ型アイソレー
ターで小型かつ高速(〜MHz)のものが実用化されて
いるが価格がやや高いという欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、導電
パターンと磁気抵抗素子を用い、周波数特性が良く、且
つ安価で小型に製造できるアイソレーターを提供するこ
とを目的としている。
パターンと磁気抵抗素子を用い、周波数特性が良く、且
つ安価で小型に製造できるアイソレーターを提供するこ
とを目的としている。
C問題点を解決するための手段〕
このため本発明においては、薄膜導体を用いた入力用導
体パターン1と、BbF!+体パターン1上に絶縁膜2
を介して設けられた出力用磁気抵抗素子3とより成るこ
とを特徴としている。
体パターン1と、BbF!+体パターン1上に絶縁膜2
を介して設けられた出力用磁気抵抗素子3とより成るこ
とを特徴としている。
導体パターン1の入力電流の変化に応じた磁界変化を磁
気抵抗素子3にて検知し、その信号を電圧変化として出
力することにより磁気結合アイソレーターとしての機能
を果すことが可能となる。
気抵抗素子3にて検知し、その信号を電圧変化として出
力することにより磁気結合アイソレーターとしての機能
を果すことが可能となる。
第1図は本発明の実施例を示す図であり、aはは平面図
、bはa図のb−b’−b#線における断面図である。
、bはa図のb−b’−b#線における断面図である。
本実施例は第1図a、bに示すように、導体で形成され
た導体パターン1と、該導体パターンと絶縁層2を介し
た磁気抵抗素子3 (2点鎖線で囲った部分)とが基板
4の上に設けられている。そして基板4にはガラス又は
Si等が用いられ、導体パターンにはAu等の金属が、
絶縁層2にはSiO□の絶縁破壊電圧の高いものが用い
られる。
た導体パターン1と、該導体パターンと絶縁層2を介し
た磁気抵抗素子3 (2点鎖線で囲った部分)とが基板
4の上に設けられている。そして基板4にはガラス又は
Si等が用いられ、導体パターンにはAu等の金属が、
絶縁層2にはSiO□の絶縁破壊電圧の高いものが用い
られる。
また磁気抵抗素子3にはバーバーポール型が用いられて
いる。このバーバーポール型磁気抵抗素子3は厚さ50
0〜1000人、幅訳8μmのパーマロイ等の軟磁性薄
膜を用いたつづら折り状パターンの1対5,6が左右対
称に形成され、その各一方の端部はそれぞれスルーホー
ル7.8を通して引出し用導体パターン9.10に接続
され、他方の各端部はスルーホール11を通して同一の
引出し用薄体パターン12に接続され、さらにつづら折
り状パターン5.6の上には第2図に示すようにパター
ン5には斜め45″、パターン6には斜め135 ’で
幅2.8 p m、ギ+−/プ2.11Imのピンチで
導体パターン13が形成されている。
いる。このバーバーポール型磁気抵抗素子3は厚さ50
0〜1000人、幅訳8μmのパーマロイ等の軟磁性薄
膜を用いたつづら折り状パターンの1対5,6が左右対
称に形成され、その各一方の端部はそれぞれスルーホー
ル7.8を通して引出し用導体パターン9.10に接続
され、他方の各端部はスルーホール11を通して同一の
引出し用薄体パターン12に接続され、さらにつづら折
り状パターン5.6の上には第2図に示すようにパター
ン5には斜め45″、パターン6には斜め135 ’で
幅2.8 p m、ギ+−/プ2.11Imのピンチで
導体パターン13が形成されている。
このように構成された本実施例は、第3図の回路図に示
すようにつづら折り状パターン5及び6を可変抵抗14
を介し直流電圧分が等しくv。となるように並列に直流
電源■。、に接続し、導体パターン9.10を差動増幅
器15に接続しておき、第1図の導体パターンlに入力
電流lを流せばその変化により磁界が変化し、つづら折
り状パターン5,6には第4図の如く位相が180°異
なる出力電圧VL、V、が生ずる。つづら折り状パター
ン5,6の寸法を同一に作成しておけば出力電圧■、と
■6は等しくなり、これらを差動増幅器15で増幅すれ
ば■。は相殺され、変化分ΔVL、ΔvRのみ強調し合
い約2×ΔvLが得られる。
すようにつづら折り状パターン5及び6を可変抵抗14
を介し直流電圧分が等しくv。となるように並列に直流
電源■。、に接続し、導体パターン9.10を差動増幅
器15に接続しておき、第1図の導体パターンlに入力
電流lを流せばその変化により磁界が変化し、つづら折
り状パターン5,6には第4図の如く位相が180°異
なる出力電圧VL、V、が生ずる。つづら折り状パター
ン5,6の寸法を同一に作成しておけば出力電圧■、と
■6は等しくなり、これらを差動増幅器15で増幅すれ
ば■。は相殺され、変化分ΔVL、ΔvRのみ強調し合
い約2×ΔvLが得られる。
ここで第1図の如く導体パターン1を流れる電流■の方
向と磁気抵抗素子3のつづら折り状パターン5.6の長
手方向(形状による磁化容易方間)Mとが平行となるよ
うに配置すると、出力ΔV1、Δ■えは最大となる。な
お導体パターン1の幅は素子全体の領域S(第1図に示
す)よりも120%以上にとることが均一な磁界を得る
点で望ましい。
向と磁気抵抗素子3のつづら折り状パターン5.6の長
手方向(形状による磁化容易方間)Mとが平行となるよ
うに配置すると、出力ΔV1、Δ■えは最大となる。な
お導体パターン1の幅は素子全体の領域S(第1図に示
す)よりも120%以上にとることが均一な磁界を得る
点で望ましい。
また本実施の大きさは5008mX500μm程度の大
きさであり、これをデバイスとして作製する場合には入
力電流生成用のトランジスタ及び出力を差動で増幅する
トランジスタ等を同一チップに形成すると更に小型化す
ることができる。また特性としては、入力電流±20m
Aの時、出力約士10mVが得られ、限界周波数は約1
0MH2まで可能である。
きさであり、これをデバイスとして作製する場合には入
力電流生成用のトランジスタ及び出力を差動で増幅する
トランジスタ等を同一チップに形成すると更に小型化す
ることができる。また特性としては、入力電流±20m
Aの時、出力約士10mVが得られ、限界周波数は約1
0MH2まで可能である。
以上述べてきたように、本発明によれば、入力用導体パ
ターンと出力用磁気抵抗素子とよりなる構成で、小型、
安価に製造でき、且つ高周波数特性が良好であり、実用
的には極めて有用である。
ターンと出力用磁気抵抗素子とよりなる構成で、小型、
安価に製造でき、且つ高周波数特性が良好であり、実用
的には極めて有用である。
第1図は本発明の実施例を示す図、
第2図はその磁気抵抗素子の一部を示す拡大図、第3図
は本発明の実施例を用いる回路図、第4図は本発明の実
施例の入力及び出力波形を示す図である。 第1図、第2図、第3図において、 1は入力用導体パターン、 2は絶縁層、 3は磁気抵抗素子、 4は基板、 5.6はつづら折り状パターン、 7.8.11はスルーホール、 9.10.12は引出し用導体パターン、13はつづら
折り状パターンの上の導体パターン、14は可変抵抗、 15は差動増幅器である。 本発明の実施例を示す図 第1図 3・・・磁気抵抗センサ 4・・・基板 9、IO,+2−’−引出し用導体 を示す拡大図 第2図 13・・・ 導体パターン 本発明の実施例を用いる回路を示す図 第3図 5.6・・・つづら折り状ノeターン 14・・・可変抵抗 15・・・差動増幅器 本発明の実施例の入力及び出力波形 を示す図 第4図
は本発明の実施例を用いる回路図、第4図は本発明の実
施例の入力及び出力波形を示す図である。 第1図、第2図、第3図において、 1は入力用導体パターン、 2は絶縁層、 3は磁気抵抗素子、 4は基板、 5.6はつづら折り状パターン、 7.8.11はスルーホール、 9.10.12は引出し用導体パターン、13はつづら
折り状パターンの上の導体パターン、14は可変抵抗、 15は差動増幅器である。 本発明の実施例を示す図 第1図 3・・・磁気抵抗センサ 4・・・基板 9、IO,+2−’−引出し用導体 を示す拡大図 第2図 13・・・ 導体パターン 本発明の実施例を用いる回路を示す図 第3図 5.6・・・つづら折り状ノeターン 14・・・可変抵抗 15・・・差動増幅器 本発明の実施例の入力及び出力波形 を示す図 第4図
Claims (2)
- 1.薄膜導体を用いた入力用導体パターン(1)と、該
導体パターン(1)上に絶縁膜(2)を介して設けられ
た出力用磁気抵抗素子(3)とよりなることを特徴とす
る磁気抵抗素子を用いた磁気結合アイソレーター。 - 2.上記磁気抵抗素子(3)としてバーバーポール型磁
気抵抗素子を用い、該素子を、その磁化容易方向が導体
パターン(1)中の電流の流れる方向と平行となる様に
配置したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
磁気抵抗素子を用いた磁気結合アイソレーター。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60180414A JPS6240786A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 磁気抵抗素子を用いた磁気結合アイソレ−タ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60180414A JPS6240786A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 磁気抵抗素子を用いた磁気結合アイソレ−タ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6240786A true JPS6240786A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=16082838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60180414A Pending JPS6240786A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 磁気抵抗素子を用いた磁気結合アイソレ−タ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6240786A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227081A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Omron Corp | 磁気カプラ素子および磁気結合型アイソレータ |
JP2009246191A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 磁気カプラ |
US7948349B2 (en) | 2007-10-31 | 2011-05-24 | Tdk Corporation | Magnetic coupler |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP60180414A patent/JPS6240786A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227081A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Omron Corp | 磁気カプラ素子および磁気結合型アイソレータ |
US7948349B2 (en) | 2007-10-31 | 2011-05-24 | Tdk Corporation | Magnetic coupler |
JP2009246191A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 磁気カプラ |
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