JPS6234920A - エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はエポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封
止型半導体装置に関し、さらに詳しくは、その硬化物が
優れた耐熱サイクル特性、耐湿性およびレーザーマーキ
ング特性を有するエポキシ樹脂組成物およびそれを用い
た樹脂封止型半導体装置に関する。
止型半導体装置に関し、さらに詳しくは、その硬化物が
優れた耐熱サイクル特性、耐湿性およびレーザーマーキ
ング特性を有するエポキシ樹脂組成物およびそれを用い
た樹脂封止型半導体装置に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
近年、エポキシ樹脂組成物は、その機械的特性や、室温
付近での電気的特性が優れているために、接着剤や塗料
用樹脂としてのみならず、電気絶縁材料としても広く用
いられている。しかしながら、一方では、このようなエ
ポキシ樹脂組成物から成る電気絶縁材料等に要求される
性能が、年毎に高度なものになっているために、従来の
ものでは要求を満足することが困難になってきている。
付近での電気的特性が優れているために、接着剤や塗料
用樹脂としてのみならず、電気絶縁材料としても広く用
いられている。しかしながら、一方では、このようなエ
ポキシ樹脂組成物から成る電気絶縁材料等に要求される
性能が、年毎に高度なものになっているために、従来の
ものでは要求を満足することが困難になってきている。
特に、電気絶縁材料等の温度が上昇した際に、その電気
特性が著しく低下するという問題点があり、改良が求め
られている。
特性が著しく低下するという問題点があり、改良が求め
られている。
従来、エポキシ樹脂に、第三級アミン、イミダゾール、
三フフ化ホウ素モノエチルアミン錯体、三フフ化ホウ素
トリエチルアミン錯体、又は三フッ化ホウ素ピペリジン
錯体等を硬化触媒として添加し、硬化させる方法はよく
知られている。しかし、このような方法で硬化させたエ
ポキシ樹脂組成物は、電気特性、特に高温における電気
特性が不充分であるという欠点があった。また、このよ
うなエポキシ樹脂組成物は吸湿性が大きいため、電気絶
縁材料等として使用した場合には腐食による不良を発生
する欠点を有していた。
三フフ化ホウ素モノエチルアミン錯体、三フフ化ホウ素
トリエチルアミン錯体、又は三フッ化ホウ素ピペリジン
錯体等を硬化触媒として添加し、硬化させる方法はよく
知られている。しかし、このような方法で硬化させたエ
ポキシ樹脂組成物は、電気特性、特に高温における電気
特性が不充分であるという欠点があった。また、このよ
うなエポキシ樹脂組成物は吸湿性が大きいため、電気絶
縁材料等として使用した場合には腐食による不良を発生
する欠点を有していた。
集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ） 、
）ランジスタ、ダイオード等の半導体素子を、外部雰囲
気や機械的衝撃から保護するための封止技術として、従
来は、金属やセラミックス等を用いるハーメチック封止
技術が採用されていたが、最近では、経済的に有利であ
るという理由から、樹脂、特に熱硬化性樹脂による封止
が主流を占めている。
）ランジスタ、ダイオード等の半導体素子を、外部雰囲
気や機械的衝撃から保護するための封止技術として、従
来は、金属やセラミックス等を用いるハーメチック封止
技術が採用されていたが、最近では、経済的に有利であ
るという理由から、樹脂、特に熱硬化性樹脂による封止
が主流を占めている。
かかる半導体封止用樹脂としては、大量生産に適する低
圧トランスファ成形法に使用可能な、低圧成形用エポキ
シ樹脂組成物が一般に広く使用されている。しかしなが
ら、例えば、エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹
脂硬化剤、イミダゾール硬化促進剤、カーボンブラック
等から成るエポキシ樹脂組成物を、トランスファ成形し
て得られる従来の樹脂封止型半導体装置には種々の欠点
がある。例えば、樹脂と樹脂で封止された半導体装置と
の熱膨張係数が異なることから、半導体装置を高温もし
くは低温下に繰り返して曝した場合、熱膨張係数の差か
ら生じる機械的ストレスにより、封止された該装置中の
ポ１ンディングワイヤーの切断が起きたり、接触不良が
生じやすいという欠点があった。
圧トランスファ成形法に使用可能な、低圧成形用エポキ
シ樹脂組成物が一般に広く使用されている。しかしなが
ら、例えば、エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹
脂硬化剤、イミダゾール硬化促進剤、カーボンブラック
等から成るエポキシ樹脂組成物を、トランスファ成形し
て得られる従来の樹脂封止型半導体装置には種々の欠点
がある。例えば、樹脂と樹脂で封止された半導体装置と
の熱膨張係数が異なることから、半導体装置を高温もし
くは低温下に繰り返して曝した場合、熱膨張係数の差か
ら生じる機械的ストレスにより、封止された該装置中の
ポ１ンディングワイヤーの切断が起きたり、接触不良が
生じやすいという欠点があった。
また、高温高湿下において使用した場合、空気中の水分
が半導体装置を封止している樹脂中を浸透し、内部の半
導体装置にまで達し、それによって装置中のアルミニウ
ム配線の腐食が生じ、装置の不良が発生しやすいという
問題点があった。
が半導体装置を封止している樹脂中を浸透し、内部の半
導体装置にまで達し、それによって装置中のアルミニウ
ム配線の腐食が生じ、装置の不良が発生しやすいという
問題点があった。
さらに、従来のマーキングインクによる印字法に代わっ
て、最近は半導体装置を封止した樹脂表面に、レーザー
光線を短時間照射することによって印字するレーザーマ
ーキング方式が行われている。しかしながら、従来の封
止用エポキシ樹脂組成物を使用した場合、マーキングし
た部分としない部分のコントラストが不明瞭となるため
に、不鮮明なマーキングしか、行うことができなかった
。
て、最近は半導体装置を封止した樹脂表面に、レーザー
光線を短時間照射することによって印字するレーザーマ
ーキング方式が行われている。しかしながら、従来の封
止用エポキシ樹脂組成物を使用した場合、マーキングし
た部分としない部分のコントラストが不明瞭となるため
に、不鮮明なマーキングしか、行うことができなかった
。
［発明の目的］
本発明の目的は、このような従来の封止用エポキシ樹脂
組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の欠点
を改良することにあり、優れた特性を有する封止用エポ
キシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装
置を提供することにある。
組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の欠点
を改良することにあり、優れた特性を有する封止用エポ
キシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装
置を提供することにある。
［発明の概要］
本発明者らは、上記目的を達成するために、鋭意研究を
重ねた結果、有機ホスフィン化合物と、金属錯塩染料を
組み合わせて用いることによって、耐熱サイクル特性、
耐温性およびレーザーマーキング特性が優れた封止用エ
ポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体
装置が得られることを見出した。
重ねた結果、有機ホスフィン化合物と、金属錯塩染料を
組み合わせて用いることによって、耐熱サイクル特性、
耐温性およびレーザーマーキング特性が優れた封止用エ
ポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体
装置が得られることを見出した。
すなわち本発明は、エポキシ樹脂１分子中に少なくとも
２個のフェノール性水酸基を有する硬化剤、有機ホスフ
ィン化合物および金属錯塩染料からなることを特徴とす
るエポキシ樹脂組成物、ならびに前記組成物で封止され
てなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置に関する
。
２個のフェノール性水酸基を有する硬化剤、有機ホスフ
ィン化合物および金属錯塩染料からなることを特徴とす
るエポキシ樹脂組成物、ならびに前記組成物で封止され
てなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置に関する
。
本発明組成物の第１の必須成分であるエポキシ樹脂は通
常知られているものであり、特に限定されない。例えば
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂などグリシジルエーテル型エポキシ樹
脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルア
ミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポ
キシ樹脂など一分子中にエポキシ基を２個以上有するエ
ポキシ樹脂を挙げることができ、これらエポキシ樹脂は
１種もしくは２種以上の混合系で用いることができる。
常知られているものであり、特に限定されない。例えば
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂などグリシジルエーテル型エポキシ樹
脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルア
ミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポ
キシ樹脂など一分子中にエポキシ基を２個以上有するエ
ポキシ樹脂を挙げることができ、これらエポキシ樹脂は
１種もしくは２種以上の混合系で用いることができる。
更に好ましいエポキシ樹脂は、エポキシ当量１７０〜３
００のノボラック型エポキシ樹脂であって、たとえばフ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型゛エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂などである。これらエポキシ樹脂は、
塩素イオンの含有量が１０ｐｐｍ以下、加水分解性塩素
の含有量が０．１重量％以下のものが好ましい。
００のノボラック型エポキシ樹脂であって、たとえばフ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型゛エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂などである。これらエポキシ樹脂は、
塩素イオンの含有量が１０ｐｐｍ以下、加水分解性塩素
の含有量が０．１重量％以下のものが好ましい。
その理由は１０ｐｐｍを越える塩素イオンあるいは０．
１重量％を越える加水分解性塩素が含まれると、封止さ
れた半導体素子のアルミニウム電極が腐蝕されやすくな
るためである。
１重量％を越える加水分解性塩素が含まれると、封止さ
れた半導体素子のアルミニウム電極が腐蝕されやすくな
るためである。
本発明組成物の第２の必須成分である１分子中に２個以
上のフェノール性水酸基を有する硬化剤とは、フェノー
ル樹脂、ポリオキシスチレン、フェノールアラルキル樹
脂および多価フェノール化合物であって、具体的に例示
すると、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラ
ック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂
、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型
フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラ
オキシスチレンなどのポリオキシスチレン、ビスフェノ
ールＡ等およびこれらの化合物のハロゲン化物等である
。これらの中でもノボラック型フェノール樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂およびポリオキシスチレンが最も好
ましい。またこれらの硬化剤は１種もしくは２種以上の
混合系で使用することができる。
上のフェノール性水酸基を有する硬化剤とは、フェノー
ル樹脂、ポリオキシスチレン、フェノールアラルキル樹
脂および多価フェノール化合物であって、具体的に例示
すると、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラ
ック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂
、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型
フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラ
オキシスチレンなどのポリオキシスチレン、ビスフェノ
ールＡ等およびこれらの化合物のハロゲン化物等である
。これらの中でもノボラック型フェノール樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂およびポリオキシスチレンが最も好
ましい。またこれらの硬化剤は１種もしくは２種以上の
混合系で使用することができる。
本発明組成物におけるエポキシ樹脂と上記硬化剤の配合
割合は、硬化剤中のフェノール性水酸基数とエポキシ樹
脂中のエポキシ基数の比（水酸基数／エポキシ基数）が
０．５〜１．５の範囲内であり、好ましくは０．７〜１
．２である。配合割合が上記範囲外であると、硬化反応
が進み難く、得られた硬化物の緒特性が劣化することが
ある。
割合は、硬化剤中のフェノール性水酸基数とエポキシ樹
脂中のエポキシ基数の比（水酸基数／エポキシ基数）が
０．５〜１．５の範囲内であり、好ましくは０．７〜１
．２である。配合割合が上記範囲外であると、硬化反応
が進み難く、得られた硬化物の緒特性が劣化することが
ある。
本発明組成物の第３の必須成分である有機ホスフィン化
合物としては、一般式； で示される化合物を使用することができる。具体的には
、Ｒ１−Ｒ３がすべて有機基である第３ホスフィン化合
物、いずれか１つが水素原子である第２ホスフィン化合
物、もしくはいずれか２つが水素原子である第１ホスフ
ィン化合物を挙げることができる。これらに該当するも
のとしては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリブ
チルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチ
ルジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、
ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン、オクチル
ホスフィン等を挙げることができる。また、上記式中、
Ｒ１が有機ホスフィンを含む有機基であってもよく、例
えば、１，２−ビス（ジフェこルホスフィノ）エタン、
ビス（ジフェこルホスフィノ）メタン等を挙げることが
できる。これらの中でも、アリールホスフィン化合物、
例えば、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィ
ン、ｌ、２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）メタン等が好ましい。上述
した有機ホスフィン化合物は、１種もしくは２種以上の
混合系で使用することができ本発明組成物における有機
ホスフィン化合物の配合割合は、組成物中の樹脂成分の
１００重量に対して、０．００１〜２０重量部、好まし
くは０．０１〜５重量部である。
合物としては、一般式； で示される化合物を使用することができる。具体的には
、Ｒ１−Ｒ３がすべて有機基である第３ホスフィン化合
物、いずれか１つが水素原子である第２ホスフィン化合
物、もしくはいずれか２つが水素原子である第１ホスフ
ィン化合物を挙げることができる。これらに該当するも
のとしては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリブ
チルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチ
ルジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、
ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン、オクチル
ホスフィン等を挙げることができる。また、上記式中、
Ｒ１が有機ホスフィンを含む有機基であってもよく、例
えば、１，２−ビス（ジフェこルホスフィノ）エタン、
ビス（ジフェこルホスフィノ）メタン等を挙げることが
できる。これらの中でも、アリールホスフィン化合物、
例えば、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィ
ン、ｌ、２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）メタン等が好ましい。上述
した有機ホスフィン化合物は、１種もしくは２種以上の
混合系で使用することができ本発明組成物における有機
ホスフィン化合物の配合割合は、組成物中の樹脂成分の
１００重量に対して、０．００１〜２０重量部、好まし
くは０．０１〜５重量部である。
本発明組成物の第４の必須成分である、金Ｍ錯塩染料は
、分子内錯塩の形で金属を含有している染料であれば特
に限定されず、具体的には、酸性染料系および直接染料
系のものを挙げることができる。酸性染料系の染料とし
ては、例えば、金属として主にクロムを含む０．０°−
ジオキシアゾ染料を挙げることができ、この場合、染料
分子とクロム原子との結合比が、ｌ：１もしくは２：ｌ
のもの等を挙げることができる。また、金属として鉄、
コバルト、ニッケル、チタン等を含む染料でもよい。直
接染料系の染料としては、０，０′−ジオキシアゾ型、
０−オキシ−〇−カルボキシアゾ型の直接アゾ染料の銅
錯塩等を挙げることができる。
、分子内錯塩の形で金属を含有している染料であれば特
に限定されず、具体的には、酸性染料系および直接染料
系のものを挙げることができる。酸性染料系の染料とし
ては、例えば、金属として主にクロムを含む０．０°−
ジオキシアゾ染料を挙げることができ、この場合、染料
分子とクロム原子との結合比が、ｌ：１もしくは２：ｌ
のもの等を挙げることができる。また、金属として鉄、
コバルト、ニッケル、チタン等を含む染料でもよい。直
接染料系の染料としては、０，０′−ジオキシアゾ型、
０−オキシ−〇−カルボキシアゾ型の直接アゾ染料の銅
錯塩等を挙げることができる。
本発明組成物における金属錯塩染料の配合割合は、組成
物１００重量部に対して０．０１〜２０重量部、好まし
くは０．０５〜１０重量部である。 ０．０１重量部未
満では、着色が不十分で、マーキング時のコントラスト
が不明瞭になり、２０重量部を超えると組成物の硬化後
の特性が劣化する。また、必要に応じて金Ｍ錯塩染料に
他の染料、顔料を添加することもできるが、その添加量
は金属錯塩染料より少ない量であることが好ましい。
物１００重量部に対して０．０１〜２０重量部、好まし
くは０．０５〜１０重量部である。 ０．０１重量部未
満では、着色が不十分で、マーキング時のコントラスト
が不明瞭になり、２０重量部を超えると組成物の硬化後
の特性が劣化する。また、必要に応じて金Ｍ錯塩染料に
他の染料、顔料を添加することもできるが、その添加量
は金属錯塩染料より少ない量であることが好ましい。
本発明組成物には必要に応じて半導体素子、ポンディン
グワイヤおよびリードフレーム等の封止される部品と封
止樹脂の熱膨張係数の差を小さくし、たとえばポンディ
ングワヤ切れのような熱膨張係数の差が大きいために発
生する不良を少なくする目的で、無機質充填剤を添加、
配合することもで□きる。この場合の無機質充填剤とし
ては、石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス繊維
、タルク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉末、炭酸
カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネシア粉末な
どであるが、これらの中で石英ガラス粉末や、結晶性シ
リカ粉末が、高純度と、低熱膨張係数の点で最も好まし
い。これら無機質充填剤の配合量はエポキシ樹脂、硬化
剤および無機質充填剤の種類によっても異なるが、たと
えばトランスファ成形に用いる場合にはエポキシ樹脂硬
化剤の総量に対し重量比で１．５倍〜４倍程度でよい。
グワイヤおよびリードフレーム等の封止される部品と封
止樹脂の熱膨張係数の差を小さくし、たとえばポンディ
ングワヤ切れのような熱膨張係数の差が大きいために発
生する不良を少なくする目的で、無機質充填剤を添加、
配合することもで□きる。この場合の無機質充填剤とし
ては、石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス繊維
、タルク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉末、炭酸
カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネシア粉末な
どであるが、これらの中で石英ガラス粉末や、結晶性シ
リカ粉末が、高純度と、低熱膨張係数の点で最も好まし
い。これら無機質充填剤の配合量はエポキシ樹脂、硬化
剤および無機質充填剤の種類によっても異なるが、たと
えばトランスファ成形に用いる場合にはエポキシ樹脂硬
化剤の総量に対し重量比で１．５倍〜４倍程度でよい。
無機質充填剤の粒度分布については、粗い粒子と細かい
粒子を向き合せて分布を均一にすることによって成形性
を改善することができる。
粒子を向き合せて分布を均一にすることによって成形性
を改善することができる。
本発明組成物には、更に必要に応じて、他の添加剤、例
えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金
属塩、酸アミド類、エステル類もしくはパラフィン類な
どの離型剤、塩素化パラフィン、フロムトルエン、ヘキ
サブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、シ
ランカップリング剤などを適宜添加配合しても差支えな
い。上述した封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法は、所定の組成比に選ん
だ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、さ
らに熱ロールによる溶融混合処理またはニーダ−などの
よる混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹脂成
形材料を得ることができる。
えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金
属塩、酸アミド類、エステル類もしくはパラフィン類な
どの離型剤、塩素化パラフィン、フロムトルエン、ヘキ
サブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、シ
ランカップリング剤などを適宜添加配合しても差支えな
い。上述した封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法は、所定の組成比に選ん
だ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、さ
らに熱ロールによる溶融混合処理またはニーダ−などの
よる混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹脂成
形材料を得ることができる。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記封止用エポキシ
樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することにより容
易に製造することができる。封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファ成形法があるが、インジェクシ
ョン成形、圧縮成形、注型などによる封止も可能である
。エポキシ樹脂組成物は封止の際に加熱して硬化させ、
最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。硬化に際しては
１５０°Ｃ以上に加熱することが特に望ましい。
樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することにより容
易に製造することができる。封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファ成形法があるが、インジェクシ
ョン成形、圧縮成形、注型などによる封止も可能である
。エポキシ樹脂組成物は封止の際に加熱して硬化させ、
最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。硬化に際しては
１５０°Ｃ以上に加熱することが特に望ましい。
［発明の実施例］
以下、実施例および比較例を掲げ本発明をさらに詳述す
る。
る。
実施例１〜３および比較例１〜７
第１表に示す組成の各成分を配合し、実施例および比較
例の各組成物を製造した。但し、本発明組成物の必須成
分中、エポキシ樹脂としては、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂（エポキシ当量２２０； ｒエポキシ樹脂
Ａ」という）、および臭素化エポキシノボラック樹脂（
エポキシ当Ｊ１２９０；「エポキシ樹脂Ｂ」という）を
使用した。１分子中に少なくとも２個のフェノール性水
酸基を有する硬化剤として、フェノールノボラック樹脂
（水酸基当量１０７；単に「硬化剤」という）を使用し
た。有機ホスフィン化合物としてはトリフェニルホスフ
ィンを使用し、金属錯塩染料としては、黒色の０．０−
ジオキシアゾ染料のクロム酸塩（金属錯塩染料（１））
および黒色の０．Ｏｏ−ジオキシアゾ染料のコバルト錯
塩（金属錯塩染料（■））を使用した。
例の各組成物を製造した。但し、本発明組成物の必須成
分中、エポキシ樹脂としては、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂（エポキシ当量２２０； ｒエポキシ樹脂
Ａ」という）、および臭素化エポキシノボラック樹脂（
エポキシ当Ｊ１２９０；「エポキシ樹脂Ｂ」という）を
使用した。１分子中に少なくとも２個のフェノール性水
酸基を有する硬化剤として、フェノールノボラック樹脂
（水酸基当量１０７；単に「硬化剤」という）を使用し
た。有機ホスフィン化合物としてはトリフェニルホスフ
ィンを使用し、金属錯塩染料としては、黒色の０．０−
ジオキシアゾ染料のクロム酸塩（金属錯塩染料（１））
および黒色の０．Ｏｏ−ジオキシアゾ染料のコバルト錯
塩（金属錯塩染料（■））を使用した。
また、上記の必須成分以外の添加成分中、ＤＢＵは１．
８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７の
略であり、アゾ染料および油溶性染料はいずれも黒色で
、金属原子は含まない。
８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７の
略であり、アゾ染料および油溶性染料はいずれも黒色で
、金属原子は含まない。
第１表に示す各成分をミキサーにより混合し、さらにロ
ールにより混練し、実施例および比較例の組成物を得た
。得られた組成物を用い、 １７０℃で２分間トランス
ファ成形により、ＭＯＳ型集積回路を封止した。封止し
た半導体装置に １８０℃で４時間のアフターキュアを
施した。このようにして得られた樹脂封止型半導体装置
について、下記の各評価試験を行った。
ールにより混練し、実施例および比較例の組成物を得た
。得られた組成物を用い、 １７０℃で２分間トランス
ファ成形により、ＭＯＳ型集積回路を封止した。封止し
た半導体装置に １８０℃で４時間のアフターキュアを
施した。このようにして得られた樹脂封止型半導体装置
について、下記の各評価試験を行った。
（１）耐熱サイクル特性試験
上記の樹脂封止型半導体装置、各１００個を＋２００°
Ｃの恒温槽に入れて３０分間放置した。その後取り出し
て常温中に５分間放置し、次いで、−８５°Ｃの恒温槽
に３０分間放置した。その後、取り出して再び常温中に
５分間放置した。
Ｃの恒温槽に入れて３０分間放置した。その後取り出し
て常温中に５分間放置し、次いで、−８５°Ｃの恒温槽
に３０分間放置した。その後、取り出して再び常温中に
５分間放置した。
以上の操作を１サイクルとし、第２表に示す各サイクル
数だけ同様の操作を繰り返し、各サイクルごとの不良品
の発生個数を測定した。不良品の測定は、テスターによ
り行った。結果を第２表に示す。
数だけ同様の操作を繰り返し、各サイクルごとの不良品
の発生個数を測定した。不良品の測定は、テスターによ
り行った。結果を第２表に示す。
（２）耐湿性試験（バイアス−ＰＣＴ試験）１２１ ”
Ｏで２気圧の水蒸気中にて、各々 １００個の樹脂封止
型半導体装置に１０ｖのバイアス電圧を印加し、前記装
置中のアルミニウム配線の腐食による断線不良を測定し
た。結果を第３表に示す。
Ｏで２気圧の水蒸気中にて、各々 １００個の樹脂封止
型半導体装置に１０ｖのバイアス電圧を印加し、前記装
置中のアルミニウム配線の腐食による断線不良を測定し
た。結果を第３表に示す。
（３）レーザーマーキング特性試験
各樹脂封止型半導体装置に対して炭酸ガスレーザーを用
いてレーザーマーキングを行い、マーキング特性を評価
した。マーキング特性の評価は、マーキングした部分と
しない部分（すなわち地の部分）の色のコントラスト（
地の部分は黒色であるが、レーザー光線を照射した部分
は白色化する）により、３段階に分類して評価し、記号
で示した。なお、加熱処理後のコントラストとは、マー
キングしたサンプルを２００°Ｃで１０分間加熱処理を
行った後、そのコントラストを評価した。結果を第４表
に示す。
いてレーザーマーキングを行い、マーキング特性を評価
した。マーキング特性の評価は、マーキングした部分と
しない部分（すなわち地の部分）の色のコントラスト（
地の部分は黒色であるが、レーザー光線を照射した部分
は白色化する）により、３段階に分類して評価し、記号
で示した。なお、加熱処理後のコントラストとは、マー
キングしたサンプルを２００°Ｃで１０分間加熱処理を
行った後、そのコントラストを評価した。結果を第４表
に示す。
［発明の効果］
以上に述べたように、本発明組成物は有機ホスフィン化
合物と金属錯塩染料との組み合わせにより、硬化後の硬
化物が優れた耐熱サイクル特性および耐湿性を有するこ
とから高い信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を得る
ことができる。さらに、本発明組成物の必須成分である
金属錯塩染料により、半導体装置を封止した本発明組成
物の硬化物に、レーザーマーキングを施した場合に、よ
り鮮明な印字を得ることができるものであり、その工業
的価値は極めて大である。
合物と金属錯塩染料との組み合わせにより、硬化後の硬
化物が優れた耐熱サイクル特性および耐湿性を有するこ
とから高い信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を得る
ことができる。さらに、本発明組成物の必須成分である
金属錯塩染料により、半導体装置を封止した本発明組成
物の硬化物に、レーザーマーキングを施した場合に、よ
り鮮明な印字を得ることができるものであり、その工業
的価値は極めて大である。
第１表
第２表
第３表
第４表
Ｏ・・・良好
△・・・やや悪い
×・・・悪い
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、エポキシ樹脂、１分子中に少なくとも２個のフェノ
ール性水酸基を有する硬化剤、有機ホスフィン化合物お
よび金属錯塩染料からなることを特徴とするエポキシ樹
脂組成物。 ２、エポキシ樹脂がエポキシ当量 １７０〜３００のノ
ボラック型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第１項記
載の組成物。 ３、１分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を
有する硬化剤が、ノボラック型フェノール樹脂である特
許請求の範囲第１項記載の組成物。 ４、有機ホスフィン化合物が組成物中の樹脂成分１００
重量部に対して、０．０１〜５重量部含有されている特
許請求の範囲第１項記載の組成物。 ５、金属錯塩染料が組成物１００重量部に対して０．０
５〜１０重量部含有されている特許請求の範囲第１項記
載の組成物。 ６、前記組成物に、さらに溶融シリカおよび／または結
晶性シリカを添加する特許請求の範囲第１項記載の組成
物。 ７、エポキシ樹脂、１分子中に少なくとも２個のフェノ
ール性水酸基を有する硬化剤、有機ホスフィン化合物お
よび金属錯塩染料からなるエポキシ樹脂組成物によって
封止されてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
。 ８、エポキシ樹脂がエポキシ当量１７０〜３００のノボ
ラック型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第７項記載
の半導体装置。 ９、１分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を
有する硬化剤が、ノボラック型フェノール樹脂である特
許請求の範囲第７項記載の半導体装置。 １０、有機ホスフィン化合物が組成物中の樹脂成分の１
００重量部に対して０．０１〜５重量部含有されている
特許請求の範囲第７項記載の半導体装置。 １１、金属錯塩染料が組成物１００重量部に対して０．
０５〜１０重量部含有されている特許請求の範囲第７項
記載の半導体装置。 １２、前記組成物に、さらに溶融シリカおよび／または
結晶性シリカを添加する特許請求の範囲第７項記載の半
導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172396A JPS6234920A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
| KR1019860002934A KR900001392B1 (ko) | 1985-08-07 | 1986-04-16 | 에폭시 수지 조성물 및 그것을 이용한 수지 밀봉형 반도체 장치 |
| US06/892,436 US4719502A (en) | 1985-08-07 | 1986-08-04 | Epoxy resin composition, and resin-sealed semiconductor device in which this composition is used |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172396A JPS6234920A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234920A true JPS6234920A (ja) | 1987-02-14 |
| JPS6360543B2 JPS6360543B2 (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=15941158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60172396A Granted JPS6234920A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4719502A (ja) |
| JP (1) | JPS6234920A (ja) |
| KR (1) | KR900001392B1 (ja) |
Cited By (4)
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| JPS62169846A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用樹脂組成物 |
| JP2009249392A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| CN101817969A (zh) * | 2010-04-08 | 2010-09-01 | 长兴华强电子有限公司 | 节能灯用电容器浸渍料 |
| JP2012117055A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-06-21 | Hitachi Chemical Co Ltd | 絶縁体インク樹脂組成物、レジストパターン及びレジストパターン形成方法 |
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| JPH08111478A (ja) * | 1994-10-06 | 1996-04-30 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
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| KR870002646A (ko) | 1987-04-06 |
| KR900001392B1 (ko) | 1990-03-09 |
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