JPS62297748A - 検査方法および装置 - Google Patents
検査方法および装置Info
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- JPS62297748A JPS62297748A JP14005486A JP14005486A JPS62297748A JP S62297748 A JPS62297748 A JP S62297748A JP 14005486 A JP14005486 A JP 14005486A JP 14005486 A JP14005486 A JP 14005486A JP S62297748 A JPS62297748 A JP S62297748A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 20
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- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[産業上の利用分野]
本発明は、検査技術、特に、半導体装置の製造における
半導体ウェハの外観検査に適用して有効な技術に関する
。
半導体ウェハの外観検査に適用して有効な技術に関する
。
[従来の技術]
半導体装置の製造における半導体ウェハの外観検査につ
いては、株式会社工業調査会、昭和58年11月15日
発行、[電子材料J 19B3年11月号別冊、P2O
4〜P2O9に記載されている。
いては、株式会社工業調査会、昭和58年11月15日
発行、[電子材料J 19B3年11月号別冊、P2O
4〜P2O9に記載されている。
その概要は、回転されつつ平行移動される半導体ウェハ
の表面にレーザなどの検査光を照射し、この時、検査光
の照射部位から発生される散乱光の光量をフォトダイオ
ードなどによって検出し、所定のしきい値と比較するこ
とによって、半導体ウェハ表面における異物などの有無
を検査するものである。
の表面にレーザなどの検査光を照射し、この時、検査光
の照射部位から発生される散乱光の光量をフォトダイオ
ードなどによって検出し、所定のしきい値と比較するこ
とによって、半導体ウェハ表面における異物などの有無
を検査するものである。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、上記のような異物検査では、半導体ウェ
ハの表面が鏡面状で平坦な場合には、異物からの散乱光
と下地部分からの散乱光とが比較的明瞭に区別されるが
、表面にアルミニウムや多結晶シリコンなどの薄膜が形
成され、結晶粒などによる凹凸が存在する場合には、異
物などからの散乱光が下地部分からの散乱光の中に埋も
れてしまい、異物などの検出感度が低下されるという欠
点があることを本発明者は見いだした。
ハの表面が鏡面状で平坦な場合には、異物からの散乱光
と下地部分からの散乱光とが比較的明瞭に区別されるが
、表面にアルミニウムや多結晶シリコンなどの薄膜が形
成され、結晶粒などによる凹凸が存在する場合には、異
物などからの散乱光が下地部分からの散乱光の中に埋も
れてしまい、異物などの検出感度が低下されるという欠
点があることを本発明者は見いだした。
本発明の目的は、検査の感度を向上させることが可能な
検査技術を提供することにある。
検査技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
[問題点を解決するための手段1
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、被検査物表面の異なる部位からの反射光また
は散乱光の光量の差を所定のしきい値と比較することに
よって検査が行われるようにしたものである。
は散乱光の光量の差を所定のしきい値と比較することに
よって検査が行われるようにしたものである。
[作用1
上記した手段によれば、たとえば、被検査物の表面に凹
凸が存在する場合でも、被検査物の表面の凹凸に起因す
るノイズとしての散乱光または反射光が相殺され、目的
の異物などからの散乱光または反射光が、下地部分の凹
凸などからの散乱光または反射光と比較的大きな対比を
もって明瞭に検出でき、被検査物の検査における感度が
向上される。
凸が存在する場合でも、被検査物の表面の凹凸に起因す
るノイズとしての散乱光または反射光が相殺され、目的
の異物などからの散乱光または反射光が、下地部分の凹
凸などからの散乱光または反射光と比較的大きな対比を
もって明瞭に検出でき、被検査物の検査における感度が
向上される。
[実施例1]
第1図は本発明の一実施例である検査装置の要部を示す
説明図である。
説明図である。
所定の平面内において回転および水平移動が自在な試料
台1の上には、たとえば、半導体ウェハなどの被検査物
2が着脱自在に固定されている。
台1の上には、たとえば、半導体ウェハなどの被検査物
2が着脱自在に固定されている。
この試料台Iの近傍には、たとえば所定の波長のレーザ
などの検査光3を、試料台1に載置される被検査物2の
表面の所定の領域に所定の角度で照射する光源4が設け
られている。
などの検査光3を、試料台1に載置される被検査物2の
表面の所定の領域に所定の角度で照射する光源4が設け
られている。
そして、光源4に対して試料台1を回転させつつ所定の
方向に平行移動させることにより、試料台lに載置され
る被検査物2の全域が、検査光3によって走査されるも
のである。
方向に平行移動させることにより、試料台lに載置され
る被検査物2の全域が、検査光3によって走査されるも
のである。
この場合、試料台1の上方には、所定のレンズ群などか
らなる対物レンズ5、さらには、複数の透光部6aおよ
び透光部6bが形成されたスリット6などを介して複数
の光−電気変換手段7および光−電気変換手段8が設け
られており、被検査物2の表面において、検査光3が照
射される所定の領域の異なる部位から発生される散乱光
または反射光9および散乱光または反射光10が個別に
複数の光−電気変換手段7および光−電気変換8に入射
される構造とされている。
らなる対物レンズ5、さらには、複数の透光部6aおよ
び透光部6bが形成されたスリット6などを介して複数
の光−電気変換手段7および光−電気変換手段8が設け
られており、被検査物2の表面において、検査光3が照
射される所定の領域の異なる部位から発生される散乱光
または反射光9および散乱光または反射光10が個別に
複数の光−電気変換手段7および光−電気変換8に入射
される構造とされている。
複数の光−電気変換手段7および8は、該複数の光〜電
気変換手段7および8において検出される被検査物2の
異なる部位からのllk乱光または反射光9および散乱
光または反射光10の光量の差を算出する比較部11を
介して判定部12に接続されている。
気変換手段7および8において検出される被検査物2の
異なる部位からのllk乱光または反射光9および散乱
光または反射光10の光量の差を算出する比較部11を
介して判定部12に接続されている。
この判定部12においては、前記比較部11において算
出された、被検査物2の異なる部位からの散乱光または
反射光9と散乱光または反射光10との光量の差を所定
のしきい値と比較することによって、すなわち、被検査
物2の下地部分からの散乱光または反射光の成分を相殺
した後所定のしきい値と比較することによって、たとえ
ば、被検査物2の表面に存在する図示しない異物などか
らの散乱光または反射光が、被検査物2の下地部分から
の散乱光または反射光と明瞭に区別されて検出されるも
のである。
出された、被検査物2の異なる部位からの散乱光または
反射光9と散乱光または反射光10との光量の差を所定
のしきい値と比較することによって、すなわち、被検査
物2の下地部分からの散乱光または反射光の成分を相殺
した後所定のしきい値と比較することによって、たとえ
ば、被検査物2の表面に存在する図示しない異物などか
らの散乱光または反射光が、被検査物2の下地部分から
の散乱光または反射光と明瞭に区別されて検出されるも
のである。
以下、本実施例の作用について説明する。
まず、半導体ウェハなどの被検査物2が載置された試料
台1を回転させつつ所定の方向に直線的に移動させると
ともに、光源4から検査光3を被検査物2の所定の領域
に照射することにより、被検査物2の表面が全域にわた
って検査光3によって走査され、この時、被検査物2の
表面において、検査光3が照射される所定の領域の異な
る部位から発生される散乱光または反射光9および散乱
光または反射光10は、対物レンズ5およびスリット6
の透光部6aおよび6bを透過して複数の光−電気変換
手段7および8に個別に入射される。
台1を回転させつつ所定の方向に直線的に移動させると
ともに、光源4から検査光3を被検査物2の所定の領域
に照射することにより、被検査物2の表面が全域にわた
って検査光3によって走査され、この時、被検査物2の
表面において、検査光3が照射される所定の領域の異な
る部位から発生される散乱光または反射光9および散乱
光または反射光10は、対物レンズ5およびスリット6
の透光部6aおよび6bを透過して複数の光−電気変換
手段7および8に個別に入射される。
この時、散乱光または反射光9が発生される部位に下地
部分よりも検査光3を散乱または反射しやすい異物が存
在すると、散乱光または反射光9が入射される光−電気
変換手段7においては異物からの散乱光または反射光9
と下地部分からの散乱光または反射光9とが混在して検
出され、散乱光または反射光9とは異なる部位からの散
乱光または反射光10が入射される光−電気変換8にお
いては下地部分からの散乱光または反射光10が検出さ
れることとなり、それぞれ、たとえば第2図(alおよ
びfblに示されるようになる。
部分よりも検査光3を散乱または反射しやすい異物が存
在すると、散乱光または反射光9が入射される光−電気
変換手段7においては異物からの散乱光または反射光9
と下地部分からの散乱光または反射光9とが混在して検
出され、散乱光または反射光9とは異なる部位からの散
乱光または反射光10が入射される光−電気変換8にお
いては下地部分からの散乱光または反射光10が検出さ
れることとなり、それぞれ、たとえば第2図(alおよ
びfblに示されるようになる。
さらに、比較部11において、散乱光または反射光9と
散乱光または反射光10との差をとると、すなわち、被
検査物2の表面の下地部分の凹凸などに起因する散乱光
または反射光の成分を相殺すると、同図(C1に示され
るように、散乱光または反射光9に含まれる異物からの
信号成分が被検査物2の下地部分からの信号成分と良好
な対比で検出され、さらに、判定部12において所定の
しきい値Thと比較することにより、被検査物2に付着
した異物などからの信号のみが、下地部分からのノイズ
などの影響を受けることなく、明瞭に検出される。
散乱光または反射光10との差をとると、すなわち、被
検査物2の表面の下地部分の凹凸などに起因する散乱光
または反射光の成分を相殺すると、同図(C1に示され
るように、散乱光または反射光9に含まれる異物からの
信号成分が被検査物2の下地部分からの信号成分と良好
な対比で検出され、さらに、判定部12において所定の
しきい値Thと比較することにより、被検査物2に付着
した異物などからの信号のみが、下地部分からのノイズ
などの影響を受けることなく、明瞭に検出される。
このため、たとえば、被検査物2が、表面にアルミニウ
ムや多結晶シリコンなどの薄膜が形成され、表面全体に
に結晶粒などによる凹凸が存在する半導体ウェハなどで
ある場合でも、半導体ウェハなどの被検査物2の表面に
付着した異物なとが正確かつ安定に検出され、半導体ウ
ェハなどの被検査物2の異物検査などにおける検査の感
度が向上される。
ムや多結晶シリコンなどの薄膜が形成され、表面全体に
に結晶粒などによる凹凸が存在する半導体ウェハなどで
ある場合でも、半導体ウェハなどの被検査物2の表面に
付着した異物なとが正確かつ安定に検出され、半導体ウ
ェハなどの被検査物2の異物検査などにおける検査の感
度が向上される。
このように本実施例においては以下の効果を得ることが
できる。
できる。
(1)、光源4から検査光3が照射される被検査物2の
所定の領域の異なる部位から発生される散乱光または反
射光9および散乱光または反射光10を対物レンズ5お
よび複数の透光部6aおよび6bが形成されたスリット
6を介して複数の光−電気変換手段7および光−電気変
換手段8によって個別に検出し、さらに、比較部11に
おいて両者の差を算出したのち判定部12において所定
のしきい値Thと比較することによって、被検査物2の
表面に付着した異物などの検査を行うため、たとえば、
被検査物2が、アルミニウムや多結晶シリコンなどの薄
膜が形成され、結晶粒などによる凹凸が表面に存在する
半導体ウェハなどであっても、下地部分からの散乱光ま
たは反射光の成分が相殺され、異物などからの散乱光ま
たは反射光9または10が、下地部分の凹凸からの散乱
光または反射光9または10と良好な対比をもって安定
かつ明瞭に検出でき、半導体ウェハなどの被検査物2の
表面に付着した異物などの検査の感度を向」二さセるこ
とができる。
所定の領域の異なる部位から発生される散乱光または反
射光9および散乱光または反射光10を対物レンズ5お
よび複数の透光部6aおよび6bが形成されたスリット
6を介して複数の光−電気変換手段7および光−電気変
換手段8によって個別に検出し、さらに、比較部11に
おいて両者の差を算出したのち判定部12において所定
のしきい値Thと比較することによって、被検査物2の
表面に付着した異物などの検査を行うため、たとえば、
被検査物2が、アルミニウムや多結晶シリコンなどの薄
膜が形成され、結晶粒などによる凹凸が表面に存在する
半導体ウェハなどであっても、下地部分からの散乱光ま
たは反射光の成分が相殺され、異物などからの散乱光ま
たは反射光9または10が、下地部分の凹凸からの散乱
光または反射光9または10と良好な対比をもって安定
かつ明瞭に検出でき、半導体ウェハなどの被検査物2の
表面に付着した異物などの検査の感度を向」二さセるこ
とができる。
(2)、前記(1,1の結果、被検査物2に付着したよ
り微小な異物などを検出することができる。
り微小な異物などを検出することができる。
(3)、前記(1)の結果、表面が鏡面の半導体ウェハ
のみならずアルミニウムや多結晶シリコンなどの薄膜が
形成され、表面が比較的粗い半導体ウェハなどにおいて
も異物検査を行うことができ、半導体ウェハの外観検査
装置の性能が向上される。
のみならずアルミニウムや多結晶シリコンなどの薄膜が
形成され、表面が比較的粗い半導体ウェハなどにおいて
も異物検査を行うことができ、半導体ウェハの外観検査
装置の性能が向上される。
(4)、前記i11の結果、半導体装置の製造におLJ
る半導体ウェハの外観検査における生産性が向上される
。
る半導体ウェハの外観検査における生産性が向上される
。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、光−電気変換
手段の数は3以」二でもよく、さらに、検査光に対して
被検査物をジグザグに平行移動させることにより、検査
光による被検査物の走査が行われるようにしてもよい。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、光−電気変換
手段の数は3以」二でもよく、さらに、検査光に対して
被検査物をジグザグに平行移動させることにより、検査
光による被検査物の走査が行われるようにしてもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハの外観
検査技術に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、たとえば、被検査物の表面に付
着した微細な異物などを検査することが必要とされる技
術に広く適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体ウェハの外観
検査技術に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、たとえば、被検査物の表面に付
着した微細な異物などを検査することが必要とされる技
術に広く適用できる。
[発明の効果]
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、被検査物表面に検査光を照射する光源と、前
記被検査物表面の異なる部位における散乱光または反射
光の光量を個別に検出する複数の光−電気変換手段と、
この複数の光−電気変換手段において検出される前記被
検査物表面の異なる部位における散乱光または反射光の
光量の差を算出する比較部と、前記光量の差を所定のし
きい値と比較する判定部とを有する構造であるため、た
とえば、被検査物の表面に凹凸が存在する場合でも、被
検査物の表面の凹凸に起因するノイズとしての散乱光ま
たは反射光が相殺され、目的の異物などからの散乱光ま
たは反射光が、下地部分の凹凸などからの散乱光または
反射光と比較的大きな対比をもって明瞭に検出でき、被
検査物の検査における感度が向上される。
記被検査物表面の異なる部位における散乱光または反射
光の光量を個別に検出する複数の光−電気変換手段と、
この複数の光−電気変換手段において検出される前記被
検査物表面の異なる部位における散乱光または反射光の
光量の差を算出する比較部と、前記光量の差を所定のし
きい値と比較する判定部とを有する構造であるため、た
とえば、被検査物の表面に凹凸が存在する場合でも、被
検査物の表面の凹凸に起因するノイズとしての散乱光ま
たは反射光が相殺され、目的の異物などからの散乱光ま
たは反射光が、下地部分の凹凸などからの散乱光または
反射光と比較的大きな対比をもって明瞭に検出でき、被
検査物の検査における感度が向上される。
第1図は本発明の一実施例である検査装置の要部を示す
説明図、 第2図(8)〜telは複数の光〜電気変換手段によっ
て検出される散乱光または反射光の光量の信号波形の一
例を示す線図である。 1・・・試料台、2・・・被処理物、3・・・検査光、
4・・・光源、5・・・対物レンズ、6・・・スリット
、6a、6b・・・透光部、7゜8・・・光−電気変換
手段、9.lO・・・彼処理物の異なる部位から発生さ
れる散乱光または反射光、11・・・比較部、12・・
・判定部。 鴫 1しご覧・イ」)
説明図、 第2図(8)〜telは複数の光〜電気変換手段によっ
て検出される散乱光または反射光の光量の信号波形の一
例を示す線図である。 1・・・試料台、2・・・被処理物、3・・・検査光、
4・・・光源、5・・・対物レンズ、6・・・スリット
、6a、6b・・・透光部、7゜8・・・光−電気変換
手段、9.lO・・・彼処理物の異なる部位から発生さ
れる散乱光または反射光、11・・・比較部、12・・
・判定部。 鴫 1しご覧・イ」)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被検査物表面の異なる部位から検出される散乱光ま
たは反射光の光量の差を所定のしきい値と比較すること
によって該被検査物表面における所定の検査を行うこと
を特徴とする検査方法。 2、前記散乱光または反射光が、前記被検査物表面に所
定の角度でレーザを照射する際に発生される散乱光また
は反射光であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の検査方法。 3、前記被検査物が半導体ウェハであり、前記検査が半
導体ウェハの外観検査であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の検査方法。 4、被検査物表面に検査光を照射する光源と、前記被検
査物表面の異なる部位における散乱光または反射光の光
量を個別に検出する複数の光−電気変換手段と、この複
数の光−電気変換手段において検出される前記被検査物
表面の異なる部位における散乱光または反射光の光量の
差を算出する比較部と、前記光量の差を所定のしきい値
と比較する判定部とを有することを特徴とする検査装置
。 5、前記光源に対して前記被検査物を回転させつつ平行
移動させることにより、前記検査光の該被検査物表面に
対する走査が行われることを特徴とする特許請求の範囲
第4項記載の検査装置。 6、前記被検査物が半導体ウェハであり、前記検査装置
が半導体ウェハの外観検査装置であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14005486A JPS62297748A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 検査方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14005486A JPS62297748A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 検査方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62297748A true JPS62297748A (ja) | 1987-12-24 |
Family
ID=15259912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14005486A Pending JPS62297748A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 検査方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62297748A (ja) |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP14005486A patent/JPS62297748A/ja active Pending
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