JPS62293171A - 大電流パルス電源回路 - Google Patents
大電流パルス電源回路Info
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- JPS62293171A JPS62293171A JP13775186A JP13775186A JPS62293171A JP S62293171 A JPS62293171 A JP S62293171A JP 13775186 A JP13775186 A JP 13775186A JP 13775186 A JP13775186 A JP 13775186A JP S62293171 A JPS62293171 A JP S62293171A
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- Power Conversion In General (AREA)
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
この発明は、電力用のサイリスタ、ダイオード等の特性
試験を行う場合に必要とする大″Ｆｆ、流のパルス電流
を供給するための大電流パルス電源回路に関する。
試験を行う場合に必要とする大″Ｆｆ、流のパルス電流
を供給するための大電流パルス電源回路に関する。
［従来の技術］
電力用のサイリスタ、ダイオード等の特性試験項目とし
て順電圧降下特性、サージ電流耐量特性等の項目がある
。
て順電圧降下特性、サージ電流耐量特性等の項目がある
。
上記のような特性を測定するに当たり、被試験試料に大
電流のパルスを流すための大電流パルス電源回路が必要
となる。
電流のパルスを流すための大電流パルス電源回路が必要
となる。
上記大−１１ｉ流パルス電源回路の従来の回路構成例を
第４図および第５図に示す。
第４図および第５図に示す。
第４図において、三相交流入力ｆｆｉ （Ａ）は、三相
の交流Ｕ、Ｖ、Ｗ（１００Ｖ）をトランスＴにより例え
ば２４Ｖに降圧する。
の交流Ｕ、Ｖ、Ｗ（１００Ｖ）をトランスＴにより例え
ば２４Ｖに降圧する。
次の充電回路部ＣＢ）では、サイリスタＴＨＹ １ 、
Ｔ）ＩＹ２ 、 ＴＨＹ３が前記の三相交流入力部（
Ａ）からの例えば２４Ｖに降圧された三相交流Ｕ、Ｖ。
Ｔ）ＩＹ２ 、 ＴＨＹ３が前記の三相交流入力部（
Ａ）からの例えば２４Ｖに降圧された三相交流Ｕ、Ｖ。
Ｗを三相半波整流し、次の定電圧″電源部（Ｃ）のコン
デンサＧｏを充電する。
デンサＧｏを充電する。
上記のコンデンサＣｏは、以下に述べる被試験試料に大
電流を流す必要からこの構成例では３３万μＦのものが
３０個並列に接続されている。
電流を流す必要からこの構成例では３３万μＦのものが
３０個並列に接続されている。
次の大電流スイッチ部（Ｄ）は、複数の電界効果トラン
ジスタ０１０ｓ ＦＥＴ）から構成され、そのＭＯＳ
ＧＡＴＥ端子部Ｔの入力信号によりオンし、上記定電圧
電源部（Ｃ）のコンデンサＣｏの電荷を放電させる。
ジスタ０１０ｓ ＦＥＴ）から構成され、そのＭＯＳ
ＧＡＴＥ端子部Ｔの入力信号によりオンし、上記定電圧
電源部（Ｃ）のコンデンサＣｏの電荷を放電させる。
なお、この構成例では、大電流スイッチ部（Ｄ）で大電
流をオンさせるため、電界効果トランジスタ（ＭＯＳ
ＦＥＴ）を約１００並列列接続しである。
流をオンさせるため、電界効果トランジスタ（ＭＯＳ
ＦＥＴ）を約１００並列列接続しである。
次の試料測定部（Ｅ）は、サイリスタ、ダイオード等の
被試験試料の諸特性を測定するため構成部であり、被試
験試料ＤＵＴＩ、 ＤＵＴ２． ＤＯ↑３を図示のよう
に接続する。
被試験試料の諸特性を測定するため構成部であり、被試
験試料ＤＵＴＩ、 ＤＵＴ２． ＤＯ↑３を図示のよう
に接続する。
一方、前記充電回路部（Ｂ）のサイリスタＴＨＹＩ −
ＴＨＹ３の点弧信号は、それらサイリスタＴＨＹＩ Ｎ
ＴＨＹ３のゲート−カソード間（Ｇ１−に＋ ）、（Ｇ
２−に２ ）、（Ｇ３−に３ ）に加えられる。
ＴＨＹ３の点弧信号は、それらサイリスタＴＨＹＩ Ｎ
ＴＨＹ３のゲート−カソード間（Ｇ１−に＋ ）、（Ｇ
２−に２ ）、（Ｇ３−に３ ）に加えられる。
上記の点弧信号は、第５図に示すサイリスタ位相制御回
路により形成される。
路により形成される。
すなわち、このサイリスタ位相制御回路は、ゼロクロス
リセット回路部（Ｆ）、サイリスタ点弧用波形発生回路
部（Ｇ）、パルス変換回路部（Ｈ）から構成されている
。
リセット回路部（Ｆ）、サイリスタ点弧用波形発生回路
部（Ｇ）、パルス変換回路部（Ｈ）から構成されている
。
以上の構成から成るサイリスタ位相制御回路は、サイリ
スタＴＨＹＩの点弧信号用のものであるが、同様の構成
のサイリスタ位相制御回路がサイリスタτ）ＩＹ２ 、
ＴＨＹ３にもそれぞれ接続されている。
スタＴＨＹＩの点弧信号用のものであるが、同様の構成
のサイリスタ位相制御回路がサイリスタτ）ＩＹ２ 、
ＴＨＹ３にもそれぞれ接続されている。
次に上記構成の動作について説明する。
なお、第５図のＵ相に接続されたＴＨＹ １を代表例と
してその動作を述べる。
してその動作を述べる。
まず、トランスＴの２次側に接続されたＵ相端子部から
Ｕ和波形を第５図のゼロクロスリセット回路部（Ｆ）の
オペアンプ０Ｐ１１に入力する。
Ｕ和波形を第５図のゼロクロスリセット回路部（Ｆ）の
オペアンプ０Ｐ１１に入力する。
このオペアンプ０ＰＩＩの出力側には、＋１５■の電源
によってＵ相の正側の半波期間にコンデンサＣ１１を充
電し、また、負の半波期間は放電することにより、図示
のような三、角波形Ｗｌを出力する。
によってＵ相の正側の半波期間にコンデンサＣ１１を充
電し、また、負の半波期間は放電することにより、図示
のような三、角波形Ｗｌを出力する。
オペアンプ０Ｐ１１の出力側にｖｃｂｃされたツェナー
ダイオード２０１１は、例えばツェナー電圧１０Ｖのも
ので、１記コンデンサＣ１ｌの充電電圧を１０Ｖにクリ
ップする。
ダイオード２０１１は、例えばツェナー電圧１０Ｖのも
ので、１記コンデンサＣ１ｌの充電電圧を１０Ｖにクリ
ップする。
」−記の位相変換用基準波形としての三角波形ＷＥを、
次のサイリスタ点弧用波形発生日１１８部（Ｇ）のオペ
アンプ０Ｐ２１に入力する。
次のサイリスタ点弧用波形発生日１１８部（Ｇ）のオペ
アンプ０Ｐ２１に入力する。
このオペアンプＯＰ２１の出力波形は、図示の矩形波形
Ｗｓとなる。すなわち、この矩形波形（以下、サイリス
タ点弧用波形という）Ｗｓは、第６図に示すように、Ｕ
相の波形に対応して位相変換用基準波形Ｗｔとコンデン
サＣＤの電圧Ｖ Ｒ［Ｇとを合成することにより、サイ
リスタＴＨＹ １のサイリスタ点弧用波形ＷＳを得る。
Ｗｓとなる。すなわち、この矩形波形（以下、サイリス
タ点弧用波形という）Ｗｓは、第６図に示すように、Ｕ
相の波形に対応して位相変換用基準波形Ｗｔとコンデン
サＣＤの電圧Ｖ Ｒ［Ｇとを合成することにより、サイ
リスタＴＨＹ １のサイリスタ点弧用波形ＷＳを得る。
このサイリスタ点弧用波形Ｗｓは、位相変換用基準波形
ＷｔとコンデンサＣｏの電圧Ｖ ＲＥＧとの重なる期間
に図示のように、一定期間の輻を持つパルスを出力する
ものである。
ＷｔとコンデンサＣｏの電圧Ｖ ＲＥＧとの重なる期間
に図示のように、一定期間の輻を持つパルスを出力する
ものである。
上記のサイリスタ点弧用波形ＷＳは、次のパルス変換回
路ｆｆｉ （Ｈ）の０９Ｃ１１を介してサイリスタ↑Ｈ
ＹＩのゲートーカンード間（Ｇ ｌ−Ｋ Ｉ）に点弧信
号として入力される。
路ｆｆｉ （Ｈ）の０９Ｃ１１を介してサイリスタ↑Ｈ
ＹＩのゲートーカンード間（Ｇ ｌ−Ｋ Ｉ）に点弧信
号として入力される。
すなわち、サイリスタＴ）ＩＹ １は、コンデンサＧｏ
の充電電圧Ｖ ＲＥＧが低い時、オン期間の長い点弧波
形Ｗｓをゲート−カソード間Ｇ１−Ｋ１に受け、コンデ
ンサＣＯの電圧Ｖ ＲＥＧが所定の電圧に近付くに従っ
てオン期間の短いサイリスタ点弧用波形ＷＳをゲート−
カソード間（Ｇ＋ −に＋ ）に受けることになる。
の充電電圧Ｖ ＲＥＧが低い時、オン期間の長い点弧波
形Ｗｓをゲート−カソード間Ｇ１−Ｋ１に受け、コンデ
ンサＣＯの電圧Ｖ ＲＥＧが所定の電圧に近付くに従っ
てオン期間の短いサイリスタ点弧用波形ＷＳをゲート−
カソード間（Ｇ＋ −に＋ ）に受けることになる。
同様な動作が図示を省略したＶ相、Ｗ相に接続されたサ
イリスタＴＨＹ２ 、 ＴＨＹ３に対しても行われる。
イリスタＴＨＹ２ 、 ＴＨＹ３に対しても行われる。
と記のような動作により交流の三相をサイリスタＴＨＹ
Ｉ −ＴＨＹ３を介して整流し、コンデンサＣＯを充電
する。
Ｉ −ＴＨＹ３を介して整流し、コンデンサＣＯを充電
する。
次に大電流スイッチ部（Ｄ）の電界効果トランシス：５
’ （ＭＯＳ ＦＥＴ ） （７）ＭＯＳ ＧＡＴＥ端
子Ｔに−ｔｒン信号が入力されると、当該電界効果トラ
ンジスタ（ＭＯＳ ＦＥＴ ）はオンし、試料測定部（
Ｅ）に接続された被試験試料に大電流のパルス電流を流
すこととなる。
’ （ＭＯＳ ＦＥＴ ） （７）ＭＯＳ ＧＡＴＥ端
子Ｔに−ｔｒン信号が入力されると、当該電界効果トラ
ンジスタ（ＭＯＳ ＦＥＴ ）はオンし、試料測定部（
Ｅ）に接続された被試験試料に大電流のパルス電流を流
すこととなる。
上記の場合、被試験試料に直列に接続した例えばサイリ
スタのようなスイッチにより、複数個接続されたものの
うち、どの被試験試料に通流するかを選択する。
スタのようなスイッチにより、複数個接続されたものの
うち、どの被試験試料に通流するかを選択する。
すなわち、例えば第４図の被試験試料ＤＵＴＩ〜ＤＵτ
３が１つのパッケージに封入されている複合半導体装置
であれば、ＤＵＴＩに通流した後に、定電圧電源部（Ｃ
）のコンデンサＣｏの充電時間を待って、所定電圧にな
った時に、次の被試験試料［）ＵＴ２に通流するように
する。
３が１つのパッケージに封入されている複合半導体装置
であれば、ＤＵＴＩに通流した後に、定電圧電源部（Ｃ
）のコンデンサＣｏの充電時間を待って、所定電圧にな
った時に、次の被試験試料［）ＵＴ２に通流するように
する。
以上のようにして被試験試料ＤＯ↑３まで順次通流し、
この時の被試・験試料の特性、例えばダイオード素子の
両端電圧を測定して順電圧降下特性とし、被試験試料の
測定を終了する。
この時の被試・験試料の特性、例えばダイオード素子の
両端電圧を測定して順電圧降下特性とし、被試験試料の
測定を終了する。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の被試験試料の特性を測定するための大電流パルス
電源回路は、上記のように構成されているので、被試験
試料ＤＵＴＩに、例えば５，０ＯＯＡ。
電源回路は、上記のように構成されているので、被試験
試料ＤＵＴＩに、例えば５，０ＯＯＡ。
７＋ｓｓの間、通流し、次に被試験試料０ＵＴ２に同様
の条件で通流する場合に、定電圧電源部（Ｃ）のコンデ
ンサＣｏが充電を完了するまでの間、上記の構成例では
約０．８秒間待ってから通流しなければならず、素子が
多数個封入された複合半導体装置における特性を測定す
る場合等では、前記コンデンサＣｏの充電に要する待ち
時間が無視できないほどに累積し、測定効率を低下させ
ているという問題点があった。
の条件で通流する場合に、定電圧電源部（Ｃ）のコンデ
ンサＣｏが充電を完了するまでの間、上記の構成例では
約０．８秒間待ってから通流しなければならず、素子が
多数個封入された複合半導体装置における特性を測定す
る場合等では、前記コンデンサＣｏの充電に要する待ち
時間が無視できないほどに累積し、測定効率を低下させ
ているという問題点があった。
［発明の目的］
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、定電圧電源部のコンデンサの充電時間を短
縮し、多数の被試験試料の特性を迅速に測定し得るよう
にし、測定効率を向上できる大電流パルス電源回路を提
供することを目的とする。
れたもので、定電圧電源部のコンデンサの充電時間を短
縮し、多数の被試験試料の特性を迅速に測定し得るよう
にし、測定効率を向上できる大電流パルス電源回路を提
供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る大電流パルス電源回路部は、ゼロクロス
リセット回路部の出力波形を台形若しくは基準レベルを
正側にシフトさせた波形とし、定電圧電源部のコンデン
サを急速充電するように、充電回路部のサイリスタの点
弧用信号のパルス幅を広くしたものである。
リセット回路部の出力波形を台形若しくは基準レベルを
正側にシフトさせた波形とし、定電圧電源部のコンデン
サを急速充電するように、充電回路部のサイリスタの点
弧用信号のパルス幅を広くしたものである。
［作用］
この発明の大電流パルス電源回路においては、ゼロクロ
スリ七−２ト回路部の出力波形を台形若しくは基準レベ
ルを正側にシフトさせた波形とすることにより、充電回
路部のサイリスタに加わる点弧用信号のパルス幅が、定
電圧電源部のコンデンサの充電電圧が所定の電圧に達す
るまでの期間内においては幅広となり、そのため、前記
コンデンサの充電時間を短縮するように作用する。
スリ七−２ト回路部の出力波形を台形若しくは基準レベ
ルを正側にシフトさせた波形とすることにより、充電回
路部のサイリスタに加わる点弧用信号のパルス幅が、定
電圧電源部のコンデンサの充電電圧が所定の電圧に達す
るまでの期間内においては幅広となり、そのため、前記
コンデンサの充電時間を短縮するように作用する。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、この発明の一実施例を示す大電流パルス電源
回路、特にそのゼロクロスリセット回路部を示す。
回路、特にそのゼロクロスリセット回路部を示す。
なお、次のサイリ゛り侭弧用発生回路部（Ｇ）や、その
他の構成要素については、従来の大電流パルス電源回路
の構成要素と同一であるため、その構成および作用の詳
しい説明を省略する。
他の構成要素については、従来の大電流パルス電源回路
の構成要素と同一であるため、その構成および作用の詳
しい説明を省略する。
そこで、第１図のゼロクロスリセット回路部（Ｆ）では
、オペアンプ０ＰＩＩの出力側に、＋１５■の電源に対
して抵抗Ｒ１を介して接続された回路部分に、抵抗Ｒ２
と直列接続のツェナーダイオードＺＤ３１が挿入しであ
る。
、オペアンプ０ＰＩＩの出力側に、＋１５■の電源に対
して抵抗Ｒ１を介して接続された回路部分に、抵抗Ｒ２
と直列接続のツェナーダイオードＺＤ３１が挿入しであ
る。
なお、この実施例では、ツェナーダイオード２０３１と
しては、ツェナー電圧１０Ｖのものが使用されている。
しては、ツェナー電圧１０Ｖのものが使用されている。
上記の構成により、コンデンサＣ１＋は図示のように略
台形の位相変換用基準波形ＷＣに従って充電されること
となる。
台形の位相変換用基準波形ＷＣに従って充電されること
となる。
そして、ツェナーダイオードＺＤ３１としてツェナー電
圧１０Ｖのものを使用した場合、上記の位相変換用基準
波形Ｗｃの立上りは５Ｖとなり、その上限は２０１１に
よりクリップされるためＩＯＶとなる。
圧１０Ｖのものを使用した場合、上記の位相変換用基準
波形Ｗｃの立上りは５Ｖとなり、その上限は２０１１に
よりクリップされるためＩＯＶとなる。
上記のような略台形の一位相変換用基準波形ＷＣにより
第２図に示すように、サイリスタＴＨＹ １のサイリス
タ点弧用波形ＷＳは、コンデンサＣｏの充電電圧が所定
の電圧に達するまでの期間においてはオン期間が長くな
るように幅広のオン信号が加わることとなり、コンデン
サＣｏの充電時間を短縮することが可能となる。
第２図に示すように、サイリスタＴＨＹ １のサイリス
タ点弧用波形ＷＳは、コンデンサＣｏの充電電圧が所定
の電圧に達するまでの期間においてはオン期間が長くな
るように幅広のオン信号が加わることとなり、コンデン
サＣｏの充電時間を短縮することが可能となる。
次に、この発明の他の実施例を第３図に示す。
この実施例では、オペアンプ０ＰＩＩの出力側に、図示
のように、例えば５ｖのツェナー電圧を持つツェナーダ
イオード２０４１を接続する。
のように、例えば５ｖのツェナー電圧を持つツェナーダ
イオード２０４１を接続する。
上記の構成によれば、Ｕ相の負の半サイクルで放電され
る時に、Ｏ■まで放電せずにコンデンサＣ１１の端子電
圧を最低でも５■になるように基準レベル電圧を正側に
シフトさせた波形Ｗｆが得られる。
る時に、Ｏ■まで放電せずにコンデンサＣ１１の端子電
圧を最低でも５■になるように基準レベル電圧を正側に
シフトさせた波形Ｗｆが得られる。
上記の結果、先の実施例と同様にサイリスタＴＨＹ １
には、オン期間が長くなるように幅広のオン信号が加わ
ることとなり、コンデンサＣｏの充電時間を短縮するこ
とが可俺となる。
には、オン期間が長くなるように幅広のオン信号が加わ
ることとなり、コンデンサＣｏの充電時間を短縮するこ
とが可俺となる。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、大
電流パルス電源回路におけるゼロクロスリセット回路部
の出力波形を台形若しくは基準レベルを正側にシフトさ
せた波形とし、定電圧電源部のコンデンサを急速充電す
るように、充電回路部のサイリスタの点弧用信号のパル
ス幅を広くなるように構成したので、上記コンデンサの
充電時間が従来の各構成要素の数値を用いた例では、０
．８秒要してものに比較し、約０．４秒に短縮され、約
１／２の充電時間で済むこととなる。
電流パルス電源回路におけるゼロクロスリセット回路部
の出力波形を台形若しくは基準レベルを正側にシフトさ
せた波形とし、定電圧電源部のコンデンサを急速充電す
るように、充電回路部のサイリスタの点弧用信号のパル
ス幅を広くなるように構成したので、上記コンデンサの
充電時間が従来の各構成要素の数値を用いた例では、０
．８秒要してものに比較し、約０．４秒に短縮され、約
１／２の充電時間で済むこととなる。
従って、それだけ所定の定電圧になる時間が短縮され、
複合半導体装置のように多数の被試験試料の特性を測定
する場合には、所要時間が少なくて済み、測定効率を向
上し得る等優れた効果を奏する。
複合半導体装置のように多数の被試験試料の特性を測定
する場合には、所要時間が少なくて済み、測定効率を向
上し得る等優れた効果を奏する。
第１図は、この発明の一実施例である大電流パルス電源
回路におけるゼロクロスリセット回路部分を示す回路図
、第２図は、上記回路による各部の動作波形を示す動作
波形図、第３図は、この発明の他の実施例を示す上記同
様のゼロクロスリセット回路部分を示す回路図、第４図
は、従来の大電流パルス電源回路を示す回路図、第５図
は、同じ〈従来の大電流パルス電源回路におけるサイリ
スタ位相制御回路部分を示す回路図、第６図は、上記従
来の大電流パルス電源回路における各部の動作波形を示
す動作波形図である。 （Ａ）・・・三相交流部、 ＣＢ）・・・充電回路部、 （Ｃ）・・・定電圧電源部、 （Ｄ）・・・大電流スイッチ部、 （Ｅ）・・・試料測定部、 （Ｆ）・・・ゼロクロスリセット回路部、ＣＧ）・・・
サイリスタ点弧用波形発生回路部、（Ｈ）・−・パルス
変換回路部、 ０Ｐ１１・−・オペアンプ、 Ｒ１，Ｒ２・・・抵抗、 ＣＩ＋−・・コンデンサ、 ２０１１．２０３１．２０４１・・・ツェナーダイオー
ド。 なお、各図彬、同一符号は同一または相当部分を示す。
回路におけるゼロクロスリセット回路部分を示す回路図
、第２図は、上記回路による各部の動作波形を示す動作
波形図、第３図は、この発明の他の実施例を示す上記同
様のゼロクロスリセット回路部分を示す回路図、第４図
は、従来の大電流パルス電源回路を示す回路図、第５図
は、同じ〈従来の大電流パルス電源回路におけるサイリ
スタ位相制御回路部分を示す回路図、第６図は、上記従
来の大電流パルス電源回路における各部の動作波形を示
す動作波形図である。 （Ａ）・・・三相交流部、 ＣＢ）・・・充電回路部、 （Ｃ）・・・定電圧電源部、 （Ｄ）・・・大電流スイッチ部、 （Ｅ）・・・試料測定部、 （Ｆ）・・・ゼロクロスリセット回路部、ＣＧ）・・・
サイリスタ点弧用波形発生回路部、（Ｈ）・−・パルス
変換回路部、 ０Ｐ１１・−・オペアンプ、 Ｒ１，Ｒ２・・・抵抗、 ＣＩ＋−・・コンデンサ、 ２０１１．２０３１．２０４１・・・ツェナーダイオー
ド。 なお、各図彬、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 交流をサイリスタで整流し、コンデンサに充電する充電
回路部と、前記コンデンサに蓄積された電荷をスイッチ
によって被試験試料に大電流のパルス電流を流す定電圧
電源部と、上記サイリスタのゲート−カソード間に、上
記コンデンサの電圧を検出して上記サイリスタに点弧用
信号を発生させるゼロクロスリセット回路およびサイリ
スタ点弧用波形発生回路とを有する大電流パルス電源回
路において、前記ゼロクロスリセット回路の出力波形を
台形若しくは基準レベルを正側にシフトさせた波形とし
、前記定電圧電源部のコンデンサを急速充電するように
上記サイリスタの点弧用信号のパルス幅を広くしたこと
を特徴とする大電流パルス電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13775186A JPS62293171A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 大電流パルス電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13775186A JPS62293171A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 大電流パルス電源回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293171A true JPS62293171A (ja) | 1987-12-19 |
Family
ID=15205982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13775186A Pending JPS62293171A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 大電流パルス電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293171A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06165508A (ja) * | 1992-08-10 | 1994-06-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ブースト・コンバータ |
| WO2011145675A1 (ja) * | 2010-05-20 | 2011-11-24 | 三菱重工業株式会社 | 電流発生装置 |
| JP2016208677A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 西進商事株式会社 | 太陽電池モジュール検査装置及び太陽電池モジュール検査方法 |
Citations (2)
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1986
- 1986-06-13 JP JP13775186A patent/JPS62293171A/ja active Pending
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