JPS62288177A - セラミツクス−金属接合体用部材 - Google Patents

セラミツクス−金属接合体用部材

Info

Publication number
JPS62288177A
JPS62288177A JP12802786A JP12802786A JPS62288177A JP S62288177 A JPS62288177 A JP S62288177A JP 12802786 A JP12802786 A JP 12802786A JP 12802786 A JP12802786 A JP 12802786A JP S62288177 A JPS62288177 A JP S62288177A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
plate
metal
copper plate
bonded body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12802786A
Other languages
English (en)
Inventor
松村 和男
忠 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP12802786A priority Critical patent/JPS62288177A/ja
Publication of JPS62288177A publication Critical patent/JPS62288177A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はセラミック基板と金属板とを直接接合したセラ
ミックス−金属接合体に関する。
(従来の技術) 近年、トランジスタモジュール用の基板などとして使用
されるセラミックス回路基板では、セラミック基板の所
定位置に導体回路を構成する金属板例えば銅板を配置し
、銅の融点(1083℃)以下、銅−酸素の共晶温度(
1065℃)以上に加熱して両者を直接接合させたいわ
ゆるDBC基板が開発されている。このDIIC基板に
おいては、セラミック基板の反りが大きかったり、ある
いは接合するときの加熱によって変形が生じたりなどし
て、セラミック基板と銅板との接合面にセラミック基板
あるいは銅板から発生したガスが密閉されて、銅板の一
部に微少なふくれが生じ、その結果接合の不十分な個所
が発生することがあった。このようなふくれは一定の大
きさ以上になると基板への半導体チップの搭載が困難と
なり、製品の歩留りが低くなるという問題があった。ま
た、たとえ搭載することができても、密着性が良くなく
て、熱電導性が悪くなるということも問題となっていた
このような不具合を解消するために1本発明者はさきに
特願昭60−211056号としてセラミックス−金属
接合体を出願した。すなわちセラミックス基板の片面ま
たは両面に銅板を直接接合してなるセラミックス−金属
接合体であって、銅板のセラミックス基板に接合する面
に溝が形成されていることを特徴とするセラミックス−
金属接合体であり、前記溝はほぼ平行に複数本形成され
、溝の幅は0.01〜3+++m、 ピッチは1〜25
−一、深さは0.01重量以上でかつ銅板の厚さの17
2以下であるものを用いた。その概略断面図を第3図に
示す、 (11)は銅板、 (12)はセラミックス板
である。このような鋼板とセラミックス基板とを用いて
形成した回路基板では、ふくれはほとんどみられなくな
り、製造歩留りが向上した。
しかしながら、前記したDBC基板を形成するDBC処
理工程中に銅板中の含有酸素が放出されて溝中に残存し
、又、セラミック基板と銅板との間に溝が残る場合があ
り、以後のエツチング工程でエツチング液の浸入という
現象を起こし、そのため熱伝導率の低下を来たす場合な
ど製品特性を劣化させてしまう事があり、ふくれは防止
できても、又、別の不具合が発生する場合がある。
(発明が解決しようとする問題点) 上記したように銅板とセラミック基板とを直接接合して
なるセラミックス−金属接合体において、形成された回
路基板では、銅板に溝を形成することでふくれは防止す
ることはできるが、また別の製品特性の劣化を起こすこ
とになって、回路基板として使用するには末だ十分でな
いという欠点がある。
そこで本発明は以上の欠点をなくすためになされたもの
で1回路基板としてのセラミックス−金属接合体がふく
れを起こさず、熱伝導率などの製品特性も劣化させるこ
とのない良好なセラミックス−金属接合体を形成する部
材の提供を目的とする。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明のセラミックス−金属接合体に用いられる部材は
セラミック板と接合する面に溝を設けた金属板例えば銅
板にして、この銅板上の溝は圧縮力によって形成された
もので、この銅板を所定通りセラミック板と対向させて
配置し加熱して、密着接合させ良好なセラミックス−金
属接合体とすることにより構成される。
(作 用) 本発明のセラミックス−金属接合体用部材に形成された
溝は、例えば金型などによる圧縮力によって形成されて
いるので、セラミック板と金属板たとえば銅板とが加熱
接合されるとき、銅板中に形成されるCu、IO液相に
よって両板が接合されるとともに、溝部の表面は次第に
セラミック板の方にひきよせられるようにせり上って、
溝部はふさがれることになり、したがって両板間に放出
ガスはなく、セラミック板と銅板とは十分に密着して接
合されることになり、回路基板などとして使用される接
合体にふくれは起こらない。又、次工程での例えばエツ
チング工程でエツチング液の浸入というような不具合な
現象も起こることはなく、したがって熱伝導率の劣化を
起こすなど製品特性を悪くすることはない。このように
接合体は、例えば回路基板として半導体チップの搭載に
は何の不具合もなく良好に搭載することができ、又、良
好な製品特性を保持することができる。
(実施例) 以下本発明の実施例について説明する。
セラミック基板としてアルミナ板の縦35mm、横55
腸園、厚さ0.6mmのものを用いる。金属板としてタ
フピッチ銅からなる銅板の縦30m5+ 、横50mm
、厚さ0.3mmのものを用いる。この銅板のアルミナ
板と接合する面に幅100μm、深さ30μmにしてピ
ッチ2■−の溝を金型によって形成する。その溝の形状
は第1図に断面で示すようにほぼ三角形である。
図の(1)は銅板、(2)は溝である。
アルミナ板の所定位置に銅板を、溝の形成された面をア
ルミナ板に対向して配置し、この状態で非酸化性雰囲気
中で1075℃、3分間加熱した後冷却して、セラミッ
クス−金属接合体を形成する。
このようにして形成された接合体は第2図に示すように
、アルミナ板(3)と銅板(1)とは密着して接合され
、両者間の溝は銅にふさがれてなくなり、ふくれを起こ
すこともない。又、エツチング液の浸入など特性に形容
するような不具合も起こらない良好な接合体が形成され
る。
溝の形状は図示したものばかりでなく、半円状など種々
の変形構造のものが得られることは勿論である。又、溝
の寸法については、深さは0.001mm以上で板厚の
1/2以下、幅は0.001mm以上で25mm以下が
好ましく、使用する銅板などの金属板の大きさによって
適宜選択する゛ものである。
なお、圧縮力による溝の形成は金型によるほか圧延ロー
ルによって形成してもよい。
又、金属板として銅板について説明したが、他の金属例
えばアルミニウム、ニッケルなどからなる金属板を用い
ても同じようにセラミックス−金属接合体が得られる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明による接合体は、金属板に形成
した溝は加熱接合後は残存せず、金凡板とセラミック基
板とのよく密着接合したふくれのない接合体であり、エ
ツチング時にエツチング液が浸透するなどの不具合を起
こさない。例えば熱抵抗は従来のものでは1.4〜2.
0℃/Vであったのが。
1.1〜1.4℃/Vと少なくなり、熱伝導率がよくな
った。このようにふくれもなく熱伝導率がよいなど特性
のよいセラミックス−金属接合体を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は本発明に
よる部材を用いてなる接合体の断面図。 第3図は従来の接合体の断面図である。 1・・・銅板、 2・・・溝、 3・・・アルミナ板。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)セラミック基板と直接接合してセラミックス−金
    属接合体を形成する金属板であって、この金属板の前記
    セラミック基板と接合する面に圧縮力によって形成され
    た溝を有することを特徴とするセラミックス−金属接合
    体用部材。
  2. (2)金属板の溝の断面形状が金属板表面を底辺とする
    ほぼ三角形であることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載のセラミックス−金属接合体用部材。
  3. (3)金属板の溝の深さが0.001mm以上、金属板
    の厚さの1/2以下、幅が0.001mm以上、金属板
    の幅の1/2以下であることを特徴とする特許請求の範
    囲第2項記載のセラミックス−金属接合体用部材
JP12802786A 1986-06-04 1986-06-04 セラミツクス−金属接合体用部材 Pending JPS62288177A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12802786A JPS62288177A (ja) 1986-06-04 1986-06-04 セラミツクス−金属接合体用部材

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12802786A JPS62288177A (ja) 1986-06-04 1986-06-04 セラミツクス−金属接合体用部材

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62288177A true JPS62288177A (ja) 1987-12-15

Family

ID=14974686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12802786A Pending JPS62288177A (ja) 1986-06-04 1986-06-04 セラミツクス−金属接合体用部材

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62288177A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01161892A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Toshiba Corp セラミックス回路基板およびその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS615596A (ja) * 1984-06-19 1986-01-11 株式会社東芝 回路基板の製造方法およびこれに使用する回路パタ−ンフレ−ム

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS615596A (ja) * 1984-06-19 1986-01-11 株式会社東芝 回路基板の製造方法およびこれに使用する回路パタ−ンフレ−ム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01161892A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Toshiba Corp セラミックス回路基板およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4756200B2 (ja) 金属セラミックス回路基板
Scrantom et al. LTCC technology: where we are and where we're going. II
US6912130B2 (en) Combined member of aluminum-ceramics
JP6048558B2 (ja) 冷却器付パワーモジュール用基板及びその製造方法
TW201626513A (zh) 功率模組用基板單元及功率模組
JPH0525397B2 (ja)
JP7484268B2 (ja) 金属部材の仮止め方法、接合体の製造方法、及び、絶縁回路基板の製造方法
JP2002329814A (ja) 半導体実装用絶縁基板及びパワーモジュール
JP2004022973A (ja) セラミック回路基板および半導体モジュール
JP6904094B2 (ja) 絶縁回路基板の製造方法
JPH0786703A (ja) セラミックス回路基板
JPH07193358A (ja) セラミックス電子回路基板の製造方法
JP5772088B2 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板
JPH0810202Y2 (ja) 半導体装置用軽量基板
JPS62288177A (ja) セラミツクス−金属接合体用部材
JP3192911B2 (ja) セラミックス回路基板
JP2503778B2 (ja) 半導体装置用基板
JP2006229247A (ja) 回路基板及びその製造方法
JP2018157115A (ja) 絶縁回路基板の製造方法、及び、ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法
JP2000277953A (ja) セラミックス回路基板
JP2607700Y2 (ja) 半導体装置用軽量基板
JP2503779B2 (ja) 半導体装置用基板
JPH08222670A (ja) 半導体素子搭載用パッケージ
JPS61121489A (ja) 基板製造用Cu配線シ−ト
WO2016060079A1 (ja) 冷却器付パワーモジュール用基板及びその製造方法