JPS62287081A - 無電解メツキ液 - Google Patents
無電解メツキ液Info
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- JPS62287081A JPS62287081A JP12896286A JP12896286A JPS62287081A JP S62287081 A JPS62287081 A JP S62287081A JP 12896286 A JP12896286 A JP 12896286A JP 12896286 A JP12896286 A JP 12896286A JP S62287081 A JPS62287081 A JP S62287081A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
- C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク、磁気ドラム等の磁気記録媒体
を作製するために使われる無電解メッキ液に関するもの
である。
を作製するために使われる無電解メッキ液に関するもの
である。
磁気ディスク等の磁気記録媒体の製造方法昏こは塗布タ
イプ、メッキタイプ、スパッタタイプがあるが、高記録
密度の可能性、大量生産性の２点からメッキタイプの磁
気ディスクが注目されているこの記録密度の改良のため
に、柚々のメッキ浴が開発され実用化されている。
イプ、メッキタイプ、スパッタタイプがあるが、高記録
密度の可能性、大量生産性の２点からメッキタイプの磁
気ディスクが注目されているこの記録密度の改良のため
に、柚々のメッキ浴が開発され実用化されている。
磁気記録媒体の記録密度を向上させるには、媒体ノイズ
を小さクシ、記録密度を高くした時に出力を大きくする
必要がある。
を小さクシ、記録密度を高くした時に出力を大きくする
必要がある。
しかし、メッキ可能な限られた元素の組み合わせで、媒
体ノイズの小さい磁性膜をつくることはむつかしく、ノ
イズ特性を大きく改良できないのが現状であった。
体ノイズの小さい磁性膜をつくることはむつかしく、ノ
イズ特性を大きく改良できないのが現状であった。
本発明の目的は、このメッキ磁性膜の媒体ノイズが小さ
い磁性膜を提供することにある。
い磁性膜を提供することにある。
本発明は、コバルト塩０．０５〜ＣＬ １０ ｍｏｆｌ
Ｉ、 。
Ｉ、 。
二ｙケル塩０．０１〜０．０５ ｍｏｌｔ／Ｉｔ 、次
亜リン酸塩（ＬＯ３〜α３０ ｍｏｉ、／ｉ、、 ｌ：
’ Ｈ緩衝剤として硫酸アンモニウム０．０１〜０．３
ｍｏｊｌ／Ｉｔ 、前記金属塩の錯化剤としてマレン
酸塩１１〜（Ｌ ６ ｍａｎ／１２． ｔリンゴ酸塩Ｑ
、１〜α６ ｍｏｌ／１１ 、グリシンα２〜０．６
ｍｏｌ！／Ｉｔ を含むことを特徴としている。
亜リン酸塩（ＬＯ３〜α３０ ｍｏｉ、／ｉ、、 ｌ：
’ Ｈ緩衝剤として硫酸アンモニウム０．０１〜０．３
ｍｏｊｌ／Ｉｔ 、前記金属塩の錯化剤としてマレン
酸塩１１〜（Ｌ ６ ｍａｎ／１２． ｔリンゴ酸塩Ｑ
、１〜α６ ｍｏｌ／１１ 、グリシンα２〜０．６
ｍｏｌ！／Ｉｔ を含むことを特徴としている。
本発明者は、メッキ磁性膜の媒体ノイズは、磁性膜の初
期析出過程に依存していることを見い出した。
期析出過程に依存していることを見い出した。
本発明のメッキ液の特徴は第１図に示すように磁性膜の
厚みが大きくなるに従い保磁力Ｈｅが大きくなることに
ある。従来のメッキ液は第２図に示すように、磁性膜の
厚みが大きくなるに従い保磁力Ｈｃが小さくなっている
。
厚みが大きくなるに従い保磁力Ｈｅが大きくなることに
ある。従来のメッキ液は第２図に示すように、磁性膜の
厚みが大きくなるに従い保磁力Ｈｃが小さくなっている
。
従来のメッキ液による磁性膜は、析出初期において、高
Ｈｃとなり、この高Ｈｅ部が磁性膜が厚く成長しても膜
内に残り、ノイズの原因となる。
Ｈｃとなり、この高Ｈｅ部が磁性膜が厚く成長しても膜
内に残り、ノイズの原因となる。
本発明のメッキ液による磁性膜の場合は、磁性膜が成長
しても膜内に高Ｈｅ部が存在しないため媒体ノイズが小
さくなっていると推測される。
しても膜内に高Ｈｅ部が存在しないため媒体ノイズが小
さくなっていると推測される。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
〔比較例１〕
アルミの五５インチ円型基板に、無電解ＮＬＰメッキに
よってＮＬＰを３０μｍ形成し、研摩機によりて鏡面研
摩した。この上に のメッキ液をつくり、苛性ソーダでＰＨを９４に調整し
た。このメッキ液を７５℃で加温し、上記鏡面基板に
ＨＣ６５００ｅ のメッキ磁性膜を７００裏の厚さで形
成した。第６図α）はこのメッキ液での、各磁性膜の厚
さとＨｅの関係である。この後、保護、潤滑膜としてク
ロム（１００Ｘ）カーボン（４００ｉ）を形成した。
よってＮＬＰを３０μｍ形成し、研摩機によりて鏡面研
摩した。この上に のメッキ液をつくり、苛性ソーダでＰＨを９４に調整し
た。このメッキ液を７５℃で加温し、上記鏡面基板に
ＨＣ６５００ｅ のメッキ磁性膜を７００裏の厚さで形
成した。第６図α）はこのメッキ液での、各磁性膜の厚
さとＨｅの関係である。この後、保護、潤滑膜としてク
ロム（１００Ｘ）カーボン（４００ｉ）を形成した。
この基板に、ミニモノリシックヘッドを用いて２５ＭＩ
（Ｚの信号を書き込み、０〜６ＭＨ２の周波数領域で２
．５ＭＨｚと５ＭＨｚを除いた実効電圧を測定し、この
ノイズレベルから測迦系のシステムノイズを引いたもの
を媒体ノイズとした。この結果ＳＮ比は一２８ｄＢであ
った。
（Ｚの信号を書き込み、０〜６ＭＨ２の周波数領域で２
．５ＭＨｚと５ＭＨｚを除いた実効電圧を測定し、この
ノイズレベルから測迦系のシステムノイズを引いたもの
を媒体ノイズとした。この結果ＳＮ比は一２８ｄＢであ
った。
〔実施例１〕
比較例１と同様の方法で鏡面基板を得た。
この上に
のメッキ液をつくり、アンモニア水溶液でＰＨを９０に
調整した。このメッキ液を７５℃に加温し、上記鏡面基
板に Ｈｃ６４０．のメッキ磁性膜を７００１の厚さで
形成し、比較例１と同じくり四ムカーボンの保護潤滑膜
を形成後同様の手段で媒体ノイズを測定した。媒体ノイ
ズは一３４０ｄＢであった。
調整した。このメッキ液を７５℃に加温し、上記鏡面基
板に Ｈｃ６４０．のメッキ磁性膜を７００１の厚さで
形成し、比較例１と同じくり四ムカーボンの保護潤滑膜
を形成後同様の手段で媒体ノイズを測定した。媒体ノイ
ズは一３４０ｄＢであった。
第３図ｂ）はこのメッキ液での、磁性膜の厚さとＨｃの
関係である。
関係である。
〔実施例２〕
比較例１と同様の方法で鏡面基板を得た。
この上に、
硫酸コバルト ０．０８ ｍａｉｌ／ｆＬ硫酸
ニッケル ０．０２ ｍｏｆｉ／ｊ２マロン酸
ナトリウム ０．２０ ｍｏｌ／１１リンゴ酸ナトリ
ウム ０．４０ ｍａｌｔ７！グリシン
０．３０ ｍｏｆｌ、／ＩＩ。
ニッケル ０．０２ ｍｏｆｉ／ｊ２マロン酸
ナトリウム ０．２０ ｍｏｌ／１１リンゴ酸ナトリ
ウム ０．４０ ｍａｌｔ７！グリシン
０．３０ ｍｏｆｌ、／ＩＩ。
硫酸アンモニウム ０．１０ ｍｏｌ／Ａ次亜リン
酸ナトリウム ０．３０ ｍｏｆ）、７Ｑｌのメッキ液
をつくり、アンモニア水溶液でＰＨａ８に調整した。こ
のメッキ液を７５℃に加温し、上記鏡面基板に、Ｈｏ７
Ｏ０のメッキ磁性膜を７００又の厚さで形成し、比較例
１と同じくクロム・カーボンの保護・潤滑膜を形成後、
同様の手段で媒体ノイズ測定した。媒体ノイズは一３五
５ ｄＢ であった。
酸ナトリウム ０．３０ ｍｏｆ）、７Ｑｌのメッキ液
をつくり、アンモニア水溶液でＰＨａ８に調整した。こ
のメッキ液を７５℃に加温し、上記鏡面基板に、Ｈｏ７
Ｏ０のメッキ磁性膜を７００又の厚さで形成し、比較例
１と同じくクロム・カーボンの保護・潤滑膜を形成後、
同様の手段で媒体ノイズ測定した。媒体ノイズは一３五
５ ｄＢ であった。
〔実施例３〕
比較例１と同様の方法で鏡面基板を得た。この上に
硫酸コバルト ０．０８ ｍｏぷ／２硫酸ニッ
ケル ０．０２ ｍｏＪ２μマロン酸ナトリウ
ム ０．３０ ｍａｉｌ／Ｉｔリンゴ酸ナトリウム
０．３０ ｍｏｌ／Ｉｔグリシン０．２５ ｍｏｆｌ
、／ｆｔ 硫酸アンモニウム ０．２ ｍｏｌ／Ａ次亜リン
酸ナトリウム ｌ ２ ｍａｉｌ／ｆｌ。
ケル ０．０２ ｍｏＪ２μマロン酸ナトリウ
ム ０．３０ ｍａｉｌ／Ｉｔリンゴ酸ナトリウム
０．３０ ｍｏｌ／Ｉｔグリシン０．２５ ｍｏｆｌ
、／ｆｔ 硫酸アンモニウム ０．２ ｍｏｌ／Ａ次亜リン
酸ナトリウム ｌ ２ ｍａｉｌ／ｆｌ。
のメッキ液をつくり、アンモニア水溶液でＰＨ９２に調
整した。このメッキ液を７５℃に加温し、上記鏡面基板
に、Ｈｏ２Ｏ３のメッキ磁性膜を７００′にの厚さで形
成し、比較例１と同じくクロム・カーボンの保護・潤滑
膜を形成後、同様の手段で媒体ノイズを測定した。媒体
ノイズは一３５ｄＢ であった。
整した。このメッキ液を７５℃に加温し、上記鏡面基板
に、Ｈｏ２Ｏ３のメッキ磁性膜を７００′にの厚さで形
成し、比較例１と同じくクロム・カーボンの保護・潤滑
膜を形成後、同様の手段で媒体ノイズを測定した。媒体
ノイズは一３５ｄＢ であった。
以上、実施例と比較例かられかるように、本発―のメッ
キ液から得られる磁性膜は、媒体ノイズが小さく、高記
録密度に適したものである。
キ液から得られる磁性膜は、媒体ノイズが小さく、高記
録密度に適したものである。
第１図は、本発明のメッキ液を用いた場合の磁性膜厚さ
とＨｃの関係の図。 第２図は、従来のメッキ液を用いた場合の磁性膜厚さと
Ｈｃの関係の図。 第６図は、磁性膜厚さとＨｅの関係の図。 α）比較例のメッキ液の場合 ｈ）実施例１のメッキ液の場合 （Ｊ） ’Ｈら？ｐ？
（、ン １１ ｃｚ＠。 （τＱ）つ１−Ｉｆより′
とＨｃの関係の図。 第２図は、従来のメッキ液を用いた場合の磁性膜厚さと
Ｈｃの関係の図。 第６図は、磁性膜厚さとＨｅの関係の図。 α）比較例のメッキ液の場合 ｈ）実施例１のメッキ液の場合 （Ｊ） ’Ｈら？ｐ？
（、ン １１ ｃｚ＠。 （τＱ）つ１−Ｉｆより′
Claims (1)
- コバルト塩０．０５〜０．１０ｍｏｌ／ｌ、ニッケル塩
０．０１〜０．０５ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸塩０．０３
〜０．３０ｍｏｌ／ｌ、硫酸アンモニウム０．０１〜０
．３ｍｏｌ／ｌ、前記金属の錯化剤としてマロン酸塩０
．１〜０．６ｍｏｌ／ｌ、リンゴ酸塩０．１〜０．６ｍ
ｏｌ／ｌ、グリシン０．２〜０．６ｍｏｌ／ｌを含むこ
とを特徴とする無電解メッキ液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12896286A JPS62287081A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 無電解メツキ液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12896286A JPS62287081A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 無電解メツキ液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62287081A true JPS62287081A (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=14997719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12896286A Pending JPS62287081A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 無電解メツキ液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62287081A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1022770A2 (en) * | 1999-01-22 | 2000-07-26 | Sony Corporation | Method and apparatus for plating and plating structure |
| US7223695B2 (en) | 2004-09-30 | 2007-05-29 | Intel Corporation | Methods to deposit metal alloy barrier layers |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP12896286A patent/JPS62287081A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1022770A2 (en) * | 1999-01-22 | 2000-07-26 | Sony Corporation | Method and apparatus for plating and plating structure |
| EP1022770A3 (en) * | 1999-01-22 | 2000-12-06 | Sony Corporation | Method and apparatus for plating and plating structure |
| US6555158B1 (en) | 1999-01-22 | 2003-04-29 | Sony Corporation | Method and apparatus for plating, and plating structure |
| US7223695B2 (en) | 2004-09-30 | 2007-05-29 | Intel Corporation | Methods to deposit metal alloy barrier layers |
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