JPS62282410A - 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体素子の製造方法Info
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- JPS62282410A JPS62282410A JP61126076A JP12607686A JPS62282410A JP S62282410 A JPS62282410 A JP S62282410A JP 61126076 A JP61126076 A JP 61126076A JP 12607686 A JP12607686 A JP 12607686A JP S62282410 A JPS62282410 A JP S62282410A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は酸化亜鉛を主成分とし、それ自身が電圧非直線
性を有する焼結体の側面に、高抵抗層を形成した電圧非
直線抵抗体素子の製造方法に関するものである。
性を有する焼結体の側面に、高抵抗層を形成した電圧非
直線抵抗体素子の製造方法に関するものである。
従来の技術
電圧非直線抵抗体素子は一般にバリスタと呼ばれ、電圧
安定化やサージ吸収素子として用いられている。なかで
も、酸化亜鉛を主成分とし、これに少量ノBi2O3,
Co2o31Mno2.5b2o3゜0r2O.などの
金属酸化物を添加した酸化亜鉛バリスタは、その大きな
サージ電流耐量と優れた電圧非直線性から、近年ギャッ
プレスアレスタ用の素子として従来のシリコンカーバイ
トバリスタにとって代わり広く利用されている。
安定化やサージ吸収素子として用いられている。なかで
も、酸化亜鉛を主成分とし、これに少量ノBi2O3,
Co2o31Mno2.5b2o3゜0r2O.などの
金属酸化物を添加した酸化亜鉛バリスタは、その大きな
サージ電流耐量と優れた電圧非直線性から、近年ギャッ
プレスアレスタ用の素子として従来のシリコンカーバイ
トバリスタにとって代わり広く利用されている。
酸化亜鉛バリスタをアレスタ素子として用いる場合、極
めて重要な特性要素が2つある。第1は、放電耐量特性
である。これはJRC−187−1973に規定されて
いる4×10μsの衝撃電流を6分間隔で2回印加し、
素子が耐え得るピーク電流の限界値である。第2に課電
寿命特性で、これは規定の交流電圧を印加した際に、ア
レスタ素子が熱暴走に至るまでの時間である。通常は、
周囲温度を100°C以上、課電率(V印加電圧×1o
o/V+m人)を90%以上に設定し、加速試験を行う
。近年、高放電耐量、長寿命のアレスタ素子の開発が市
場から強く望まれている。
めて重要な特性要素が2つある。第1は、放電耐量特性
である。これはJRC−187−1973に規定されて
いる4×10μsの衝撃電流を6分間隔で2回印加し、
素子が耐え得るピーク電流の限界値である。第2に課電
寿命特性で、これは規定の交流電圧を印加した際に、ア
レスタ素子が熱暴走に至るまでの時間である。通常は、
周囲温度を100°C以上、課電率(V印加電圧×1o
o/V+m人)を90%以上に設定し、加速試験を行う
。近年、高放電耐量、長寿命のアレスタ素子の開発が市
場から強く望まれている。
従来より、電圧非直線抵抗体素子゛(以下アレスタ素子
)の製造方法として、特開昭56−69804号公報、
特公昭60−15128号公報などが知られている。前
者は酸化亜鉛形のアレスタ素子の成形体または仮焼体の
側面にSiO2,Zn、5b2O.。
)の製造方法として、特開昭56−69804号公報、
特公昭60−15128号公報などが知られている。前
者は酸化亜鉛形のアレスタ素子の成形体または仮焼体の
側面にSiO2,Zn、5b2O.。
Bi2O3などの混合物を塗布した後、焼結し、側面に
高抵抗層を有するアレスタ素子を製造するものである。
高抵抗層を有するアレスタ素子を製造するものである。
後者は、同様の成形体を焼成する際、焼成容器内に5b
2O5.Bユ2O3. SiO□などからなる混合物を
配置し、気−固相反応により、側面に高抵抗層を有する
アレスタ素子を製造するものである。
2O5.Bユ2O3. SiO□などからなる混合物を
配置し、気−固相反応により、側面に高抵抗層を有する
アレスタ素子を製造するものである。
発明が解決しようとする問題点
このような前者の方法では、側面高抵抗層の構造が不安
定で素子と側面剤との密着性が悪く、放電耐量が低いと
いう欠点を有していた。また、後者の方法では、焼成容
器内部に適当に配置した5b2O. 、 B工2O5な
どからなる塗布剤の蒸気と成形体とを反応させるため、
側面高抵抗層の厚みが充分とれず、放電耐量が低いばか
りでなく、同一焼成容器中で焼成可能な素子数が限られ
、量産性に欠けるという欠点を有していた。
定で素子と側面剤との密着性が悪く、放電耐量が低いと
いう欠点を有していた。また、後者の方法では、焼成容
器内部に適当に配置した5b2O. 、 B工2O5な
どからなる塗布剤の蒸気と成形体とを反応させるため、
側面高抵抗層の厚みが充分とれず、放電耐量が低いばか
りでなく、同一焼成容器中で焼成可能な素子数が限られ
、量産性に欠けるという欠点を有していた。
本発明は、このような問題点を解決するもので、アレス
タとしての酸化亜鉛バリスタの高性能化、すなわち放電
耐量特性、課電寿命特性の大巾な向上を目的とするもの
である。
タとしての酸化亜鉛バリスタの高性能化、すなわち放電
耐量特性、課電寿命特性の大巾な向上を目的とするもの
である。
問題点を解決するための手段
本発明では、前記の問題点を解決するため、酸化亜鉛を
主成分とするアレスタ素子の成形体または仮焼体の側面
に2種類の成分の異なった側面剤を塗布することにより
、焼結体側面に2層の高抵抗層を形成したものである。
主成分とするアレスタ素子の成形体または仮焼体の側面
に2種類の成分の異なった側面剤を塗布することにより
、焼結体側面に2層の高抵抗層を形成したものである。
作用
本発明の電圧非直線抵抗体素子の製造方法は、酸化亜鉛
バリスタ素子の成形体または仮焼体の側面に、Zn2S
104を主成分としZn7Sb2O12を添加した第1
の側面剤を塗布し、その上部に3i0□を主成分としB
12o、を添加した第2の側面剤を塗布した後、焼成し
、バリスタ素子側面に高抵抗層を形成するため、高抵抗
層下層部にZn、5b2O,2゜Zn2S104 の
混合相、同上層部にZn2SiO4相の安定な2層構造
を得ることができる。このことからバリスタ素体−高抵
抗層間の密着性が増し放電耐量が向上し、高抵抗層上部
のZn2Si04のカバーリング効果によりバリスタ素
体からのBi2O。
バリスタ素子の成形体または仮焼体の側面に、Zn2S
104を主成分としZn7Sb2O12を添加した第1
の側面剤を塗布し、その上部に3i0□を主成分としB
12o、を添加した第2の側面剤を塗布した後、焼成し
、バリスタ素子側面に高抵抗層を形成するため、高抵抗
層下層部にZn、5b2O,2゜Zn2S104 の
混合相、同上層部にZn2SiO4相の安定な2層構造
を得ることができる。このことからバリスタ素体−高抵
抗層間の密着性が増し放電耐量が向上し、高抵抗層上部
のZn2Si04のカバーリング効果によりバリスタ素
体からのBi2O。
飛散を軽減し、課電寿命特性を大巾に向上させることが
できる。
できる。
実施例
以下、本発明の製造方法およびそれによって得られた電
圧非直線抵抗体素子について実施例て基づき詳細に説明
する。
圧非直線抵抗体素子について実施例て基づき詳細に説明
する。
まず、ZnOの粉末に、合計量に対しB1□0゜0.5
%/L/%、 Ga2O,0,5%/l、% 、 Mn
02O.5 %/l/ % 、 5b2o31 、Oモ
ル%、 0r2O. o、s モル% 。
%/L/%、 Ga2O,0,5%/l、% 、 Mn
02O.5 %/l/ % 、 5b2o31 、Oモ
ル%、 0r2O. o、s モル% 。
Nio 0.5モルチを加え、充分に粉砕、混合した後
、造粒して原料粉を得た。この原料粉を直径40 rr
an、厚さ30mmの大きさに圧縮成形した。このよう
にして得られた成形体を900℃、2時間焼成し冷却し
て仮焼体を得た。
、造粒して原料粉を得た。この原料粉を直径40 rr
an、厚さ30mmの大きさに圧縮成形した。このよう
にして得られた成形体を900℃、2時間焼成し冷却し
て仮焼体を得た。
一方、側面高抵抗層用のペーストは、Zn7Sb2O1
2、Zn25in4. Bi2O,、Sin、、を適当
な割合で混合した原料粉と、エチルセルロース25ωt
%。
2、Zn25in4. Bi2O,、Sin、、を適当
な割合で混合した原料粉と、エチルセルロース25ωt
%。
ブチルカルピトール76ωt%からなるバインダーとを
、重量比で1対3の割合で配合し、均一になるように混
練して作成した。本発明では、この側面高抵抗層用ノペ
ーストはZn25in4. Zn7Sb2O.2からな
る下層用と、Sio2を主成分とする上層用の2種類が
ある。
、重量比で1対3の割合で配合し、均一になるように混
練して作成した。本発明では、この側面高抵抗層用ノペ
ーストはZn25in4. Zn7Sb2O.2からな
る下層用と、Sio2を主成分とする上層用の2種類が
ある。
前述の仮焼体側面に下層用のペーストを塗布し、乾燥さ
せてから、上層用のペーストを塗布し、再度乾燥後、空
気中において12O0℃で焼結させた。このようにして
得られた焼結体の両端面を研磨し、アルミニウムの溶射
電極を形成した。
せてから、上層用のペーストを塗布し、再度乾燥後、空
気中において12O0℃で焼結させた。このようにして
得られた焼結体の両端面を研磨し、アルミニウムの溶射
電極を形成した。
第1図は上述したようにして得た電圧非直線抵抗体素子
の断面図であシ、1はZnOを主成分とする焼結体、2
はZn7Sb2O1□、Zn2SiO4相の混在する側
面高抵抗層第1層(下層)、3はZn2SiO4を主成
分とする側面高抵抗層第2層(上層)、4はアルミニウ
ム溶射により形成された電極である。
の断面図であシ、1はZnOを主成分とする焼結体、2
はZn7Sb2O1□、Zn2SiO4相の混在する側
面高抵抗層第1層(下層)、3はZn2SiO4を主成
分とする側面高抵抗層第2層(上層)、4はアルミニウ
ム溶射により形成された電極である。
なお、側面高抵抗層2.3の成分はXflJ回折によシ
確認された。また、X線マイクロアナライザーによる分
析から、第1層(下層)2にはMn、Go。
確認された。また、X線マイクロアナライザーによる分
析から、第1層(下層)2にはMn、Go。
Crなどが固溶し、第2層(上層)3には主としてCO
が固溶していることが確認された。′下記の第1表は、
側面高抵抗層第1層および第2層用の側面剤の組成表で
ある。第1層用側面剤はZn25in4. Zn、5b
2O,2からなり、第2層用側面剤は5in2. Bi
2O5からなる。
が固溶していることが確認された。′下記の第1表は、
側面高抵抗層第1層および第2層用の側面剤の組成表で
ある。第1層用側面剤はZn25in4. Zn、5b
2O,2からなり、第2層用側面剤は5in2. Bi
2O5からなる。
この側面剤を仮焼体に第1層用側面剤、第2層用側面剤
の順に塗布し、焼結させた後、AJメタリコン電極を付
け、vlmA / rrrm * v+mA/” 、O
At、A 。
の順に塗布し、焼結させた後、AJメタリコン電極を付
け、vlmA / rrrm * v+mA/” 、O
At、A 。
外観などを調べた。この結果を第2表に示すと共に第1
層用、第2層用の側面剤の組合せを種々変えた場合につ
いて示している。比較のため従来例1としてBi2O,
、Zn7Sb2O,2.5in2をそれぞれ10モル%
、10モル%、80モル%含む側面剤を含む側面剤を仮
焼体に塗布した場合、従来例2としてBi2O,、5b
2O.をそれぞれ10モル%。
層用、第2層用の側面剤の組合せを種々変えた場合につ
いて示している。比較のため従来例1としてBi2O,
、Zn7Sb2O,2.5in2をそれぞれ10モル%
、10モル%、80モル%含む側面剤を含む側面剤を仮
焼体に塗布した場合、従来例2としてBi2O,、5b
2O.をそれぞれ10モル%。
90%ルチ含む塗布剤を焼成容器内に配置し、気−固相
反応により側面高抵抗層を形成した場合のデータを追記
した。ここで、vtmム/rIrInは第2層用側面剤
中の”2Os 11度が増加するにつれて低下傾向を示
し、逆にv、Tnム/V、。1人は向上する傾向がある
。しかし、第2層側面剤中のBi2O5濃度が30モル
%を超えると側面剤の流れが発生し、vlmA / v
TO、、Aは逆にわずかに上昇する。また、第1層側面
剤中のZn75k)2O126度が増すにつれ、V、。
反応により側面高抵抗層を形成した場合のデータを追記
した。ここで、vtmム/rIrInは第2層用側面剤
中の”2Os 11度が増加するにつれて低下傾向を示
し、逆にv、Tnム/V、。1人は向上する傾向がある
。しかし、第2層側面剤中のBi2O5濃度が30モル
%を超えると側面剤の流れが発生し、vlmA / v
TO、、Aは逆にわずかに上昇する。また、第1層側面
剤中のZn75k)2O126度が増すにつれ、V、。
ム/V、。μは向上している。
(以下余白)
〈第 3 表〉
第2図〜第7図に本発明および参考例の製造方法による
電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性、課電寿命特性の
結果を示す。図中の横軸は第2層側面剤中の81□03
の濃度である。ここで、放電耐量試験はJICC−IE
I7−1973に規定された4×10μsの衝撃電流を
同一方向に5分間隔で2回印加し、外観異常などをチェ
ックした。また、試験は10に人毎のステップアップ方
式で行い、図中には黒丸印で示した。そして、2回の衝
撃電流に耐えなかった試料に関しては印加電流から6に
人を減じて示した。さらに、課電寿命試験パ は周囲温
度130’C,課電率95%(’6011’ZAC)の
条件で行い、漏れ電流が10 mAに達した時点で熱暴
走と判定し、それに要した時間を図中に白丸印で示した
。下記の第3表に従来例1および2の放電耐量特性、課
電寿命特性を示した。ここで、Bi2O5,Zn、Sb
、、012. Sλ02系側面剤塗固剤式(従来例1
)では、放電耐量50KAI回、課電寿命29時間、B
:L2O5.5b2O3気−固相反応系(従来例2)で
は、放電耐量50に人2回、課電寿命31時間の性能を
有していた。
電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性、課電寿命特性の
結果を示す。図中の横軸は第2層側面剤中の81□03
の濃度である。ここで、放電耐量試験はJICC−IE
I7−1973に規定された4×10μsの衝撃電流を
同一方向に5分間隔で2回印加し、外観異常などをチェ
ックした。また、試験は10に人毎のステップアップ方
式で行い、図中には黒丸印で示した。そして、2回の衝
撃電流に耐えなかった試料に関しては印加電流から6に
人を減じて示した。さらに、課電寿命試験パ は周囲温
度130’C,課電率95%(’6011’ZAC)の
条件で行い、漏れ電流が10 mAに達した時点で熱暴
走と判定し、それに要した時間を図中に白丸印で示した
。下記の第3表に従来例1および2の放電耐量特性、課
電寿命特性を示した。ここで、Bi2O5,Zn、Sb
、、012. Sλ02系側面剤塗固剤式(従来例1
)では、放電耐量50KAI回、課電寿命29時間、B
:L2O5.5b2O3気−固相反応系(従来例2)で
は、放電耐量50に人2回、課電寿命31時間の性能を
有していた。
第2図から第7図を比較すると、第1層側面剤中のZn
、 Sb、、 o+2濃度が0.1モル係よシ低い領域
および30モル係より高い領域で放電耐量特性、課電寿
命特性とも低レベルにあるが、0゜1〜3゜モル係の領
域では両特性とも優れていることがかかる。また、第2
層側面剤中の81□05濃度が増加するに従い課電寿命
特性は向上し、2oモル係でピークに達し、3Qモル係
を超えた場合には再び低下する。これは側面高抵抗層の
一部が焼結反応の過程で、Bi2O,が過多であること
Kより流れ落ち、逆にアレスタ素子からの812O3が
飛散し易くなるためと考えられる。一方、放電耐量特性
はB12O3濃度が2o〜30モルチまでは一定で、そ
の後急激に低下する。これはB1□05濃度が高いため
側面高抵抗層の一部が流れ落ちたり、上層に形成される
Zn2Si04相の粒界にBi2O3が残存するためと
考えちれる。そして、第1層側面剤に前記側面剤A5、
第2層側面剤に前記側面剤B3を用いた場合、放電耐量
特性は90に人、課電寿命特性は32O時間の性能を有
し、従来例と比較し著しい高特性が得られることがわか
る。
、 Sb、、 o+2濃度が0.1モル係よシ低い領域
および30モル係より高い領域で放電耐量特性、課電寿
命特性とも低レベルにあるが、0゜1〜3゜モル係の領
域では両特性とも優れていることがかかる。また、第2
層側面剤中の81□05濃度が増加するに従い課電寿命
特性は向上し、2oモル係でピークに達し、3Qモル係
を超えた場合には再び低下する。これは側面高抵抗層の
一部が焼結反応の過程で、Bi2O,が過多であること
Kより流れ落ち、逆にアレスタ素子からの812O3が
飛散し易くなるためと考えられる。一方、放電耐量特性
はB12O3濃度が2o〜30モルチまでは一定で、そ
の後急激に低下する。これはB1□05濃度が高いため
側面高抵抗層の一部が流れ落ちたり、上層に形成される
Zn2Si04相の粒界にBi2O3が残存するためと
考えちれる。そして、第1層側面剤に前記側面剤A5、
第2層側面剤に前記側面剤B3を用いた場合、放電耐量
特性は90に人、課電寿命特性は32O時間の性能を有
し、従来例と比較し著しい高特性が得られることがわか
る。
以上のように、本発明の製造方法による電圧非直線抵抗
体素子が、放電耐量特性、課電寿命特性ともに高性能を
示す理由は、以下のように推定される。すなわち、従来
のBi2O3,Zn、5b2O.、。
体素子が、放電耐量特性、課電寿命特性ともに高性能を
示す理由は、以下のように推定される。すなわち、従来
のBi2O3,Zn、5b2O.、。
(Sb2O3)、SiO2からなる3成分単層側面剤を
用いた場合、その生成物は単にZn7Sb2O,2とZ
n2S工04の混在系であるのに対し、2層塗布方式の
側面剤を用いた場合、第1層(下層)にZn、Sb、、
012. Zn28i04相が生成し、第2層(上層)
にZn2SiO4相が生成して構造が極めて安定となる
。このようにして生成した下層の特にZn7Sb2O,
2相は高抵抗でバリスタ素子との密着”性が高く放電耐
量の向上に寄与し、上層のZn、、SiO4相はバリス
タ素子からのBi2O,飛散を軽減し課電寿命特性の向
上に寄与していると考えられる。
用いた場合、その生成物は単にZn7Sb2O,2とZ
n2S工04の混在系であるのに対し、2層塗布方式の
側面剤を用いた場合、第1層(下層)にZn、Sb、、
012. Zn28i04相が生成し、第2層(上層)
にZn2SiO4相が生成して構造が極めて安定となる
。このようにして生成した下層の特にZn7Sb2O,
2相は高抵抗でバリスタ素子との密着”性が高く放電耐
量の向上に寄与し、上層のZn、、SiO4相はバリス
タ素子からのBi2O,飛散を軽減し課電寿命特性の向
上に寄与していると考えられる。
本実施例においては側面高抵抗層用の2種類の側面剤を
仮焼体に塗布した場合についてのみ記載したが、第1層
、第2層用側面剤をともに成形体に塗布した場合、また
第1層用側面剤を成形体に、第2層用側面剤を仮焼体に
塗布した場合にも同様の効果があることを確認した。ま
た、本発明においては側面高抵抗層用の材料として5i
n2゜Zn25in4. Zn、5b2O,2. B
i、、O,を用いたが、これらにアレスタ素子の粒界層
の構成要素である成分、すなわちBi、、05. Co
2O3,Or、、O,、MnO2゜NiO、MgOなど
を添加しても本発明の効果に変わりはないものである。
仮焼体に塗布した場合についてのみ記載したが、第1層
、第2層用側面剤をともに成形体に塗布した場合、また
第1層用側面剤を成形体に、第2層用側面剤を仮焼体に
塗布した場合にも同様の効果があることを確認した。ま
た、本発明においては側面高抵抗層用の材料として5i
n2゜Zn25in4. Zn、5b2O,2. B
i、、O,を用いたが、これらにアレスタ素子の粒界層
の構成要素である成分、すなわちBi、、05. Co
2O3,Or、、O,、MnO2゜NiO、MgOなど
を添加しても本発明の効果に変わりはないものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、酸化亜鉛形バリスタ素子
の成形体または仮焼体の側面にZn、、5io4゜Zn
7Sb2O,2からなる第1の側面剤を塗布し、その上
層にSユ02. Bi2O,からなる第2の側面剤を塗
布後、焼結させることにより、放電耐量特性、課電寿命
特性が非常に優れた電圧非直線抵抗体素子を製造するこ
とができる。
の成形体または仮焼体の側面にZn、、5io4゜Zn
7Sb2O,2からなる第1の側面剤を塗布し、その上
層にSユ02. Bi2O,からなる第2の側面剤を塗
布後、焼結させることにより、放電耐量特性、課電寿命
特性が非常に優れた電圧非直線抵抗体素子を製造するこ
とができる。
第1図は本発明の製造方法による電圧非直線抵抗体素子
の断面図、第2図〜第7図は本発明および参考例の製造
方法による電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性および
課電寿命特性を示す図である。 1・・・・・・酸化亜鉛形バリスタ素子、2・・・・・
・側面高抵抗層第1層(下層)、3・・・・・・側面高
抵抗層第2層(上層)、4・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
艶どヒ更劇?酪バリスク木子 ご−倒面島抵荻1才L)@(下層) 4−ミス肱 第1図 第2図 Bti!03JL11 (fル%) 第3図 Btυ3謙演(己し悴) 第4図 →BjzO3漠l (モル%) 第5図
の断面図、第2図〜第7図は本発明および参考例の製造
方法による電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性および
課電寿命特性を示す図である。 1・・・・・・酸化亜鉛形バリスタ素子、2・・・・・
・側面高抵抗層第1層(下層)、3・・・・・・側面高
抵抗層第2層(上層)、4・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
艶どヒ更劇?酪バリスク木子 ご−倒面島抵荻1才L)@(下層) 4−ミス肱 第1図 第2図 Bti!03JL11 (fル%) 第3図 Btυ3謙演(己し悴) 第4図 →BjzO3漠l (モル%) 第5図
Claims (3)
- (1)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
性を示すよう添加物を加えた成形体を700〜1150
℃の温度範囲で仮焼し、得られた仮焼体の側面にZn_
2SiO_4を主成分としZn_7Sb_2O_1_2
を0.1〜30モル%含む第1の側面剤を塗布し、前記
第1の側面剤の上部にSiO_2を主成分としBi_2
O_3を0〜30モル%含む第2の側面剤を塗布した後
、焼結し、焼結体側面に高抵抗層を形成する電圧非直線
抵抗体素子の製造方法。 - (2)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
性を示すよう添加物を加えた成形体の側面にZn_2S
iO_4を主成分としZn_7Sb_2O_1_2を0
.1〜30モル%含む第1の側面剤を塗布し、前記第1
の側面剤の上部にSiO_2を主成分としBi_2O_
3を0〜30モル%含む第2の側面剤を塗布した後、焼
結し、焼結体側面に高抵抗層を形成する電圧非直線抵抗
体素子の製造方法。 - (3)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
性を示すよう添加物を加えた成形体の側面にZn_2S
iO_4を主成分としZn_7Sb_2O_1_2を0
.1〜30モル%含む第1の側面剤を塗布し、700〜
1150℃の温度範囲で仮焼後、仮焼体の側面にSiO
_2を主成分としBi_2O_3を0〜30モル%含む
第2の側面剤を塗布した後、焼結し、焼結体側面に高抵
抗層を形成する電圧非直線抵抗体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61126076A JPS62282410A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61126076A JPS62282410A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62282410A true JPS62282410A (ja) | 1987-12-08 |
Family
ID=14926016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61126076A Pending JPS62282410A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62282410A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0831616A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バリスタとその製造方法 |
JP2009177085A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Tdk Corp | セラミック素子 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61126076A patent/JPS62282410A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0831616A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バリスタとその製造方法 |
JP2009177085A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Tdk Corp | セラミック素子 |
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