JPS62271433A - Ion beam etching system - Google Patents
Ion beam etching systemInfo
- Publication number
- JPS62271433A JPS62271433A JP11347286A JP11347286A JPS62271433A JP S62271433 A JPS62271433 A JP S62271433A JP 11347286 A JP11347286 A JP 11347286A JP 11347286 A JP11347286 A JP 11347286A JP S62271433 A JPS62271433 A JP S62271433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ion
- ion beam
- accelerating electrode
- beam etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は、シリコンウェハ等の被処理物体にイオンビー
ムを照射してドライエツチングを行なうイオンビームエ
ツチング装置に関する。Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to an ion beam etching apparatus that performs dry etching by irradiating an object to be processed, such as a silicon wafer, with an ion beam.
［従来の技術］
従来、この種の装置は第２図のようにイオン源１、イオ
ン加速電極２、ウェハテーブル３およびｒウェハホルダ
４とから構成されていた。そして、ウェハをウェテーブ
ル３上に１２し、イオン源１で発生させたイオンをイオ
ン加速電極２により該ウェハに照射してエツチングを行
なっていた。このとき、ウェハテーブル３は、エツチン
グむらを防ぐため回転させたり、第３図のようにテーパ
ーエツチングを行なうためにイオンビーム照射方向に対
しである角度を持たせたり、第４図のようにウェハ交換
のため上下させたりする必要があった。[Prior Art] Conventionally, this type of apparatus has been comprised of an ion source 1, an ion accelerating electrode 2, a wafer table 3, and an r-wafer holder 4, as shown in FIG. The wafer is placed on a wafer table 3, and ions generated by the ion source 1 are irradiated onto the wafer by the ion accelerating electrode 2 to perform etching. At this time, the wafer table 3 may be rotated to prevent uneven etching, or set at a certain angle to the ion beam irradiation direction to perform taper etching as shown in FIG. I had to move it up and down to replace it.
また、加熱防止のためウェハホルダ４は水冷されていた
。Further, the wafer holder 4 was water-cooled to prevent heating.
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、このような従来の方式では、ウェハテーブル４
が回転するため、同軸の冷却水ジヨイントをウェハホル
ダ４の中心に配設し、この周囲に、ウェハテーブル３の
上下移動のための駆動源および伝逼罰構を配設しなけれ
ばならない。このため、ウェハホルダ４は構造が？！２
雑で重くなるという不都合があった。[Problems to be solved by the invention] However, in such a conventional method, the wafer table 4
Since the wafer table 3 rotates, a coaxial cooling water joint must be provided at the center of the wafer holder 4, and a driving source and a transmission mechanism for vertically moving the wafer table 3 must be provided around this joint. For this reason, the structure of the wafer holder 4 is different. ! 2
This had the disadvantage of being sloppy and heavy.
本発明の目的は、この従来例の問題点に鑑み、イオンビ
ームエツチング装置において、ウェハホルダの構造を簡
略化し計ω化することにある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the problems of the prior art, it is an object of the present invention to simplify the structure of a wafer holder in an ion beam etching apparatus and reduce the number of wafers.
［問題点を解決するための手段および作用］本発明のイ
オンビームエツチング装置は、イオン源で発生するイオ
ンをイオン加速電極により被処理物体に照射して該被処
理物体のエツチングを行なうイオンビームエツチング装
置であって、イオン加速′Ｐ１極の側を回転させること
により被処理物体の回転運動を不要にしたものである。[Means and operations for solving the problems] The ion beam etching apparatus of the present invention performs ion beam etching in which the object to be processed is etched by irradiating the object with ions generated in an ion source using an ion accelerating electrode. This apparatus eliminates the need for rotational movement of the object to be processed by rotating the ion acceleration 'P1 pole side.
［実施例１ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。[Example 1 Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.
第１図は、本発明の一実施例に係るイオンビームエツチ
ング装置の構成を示す模式図である。同図において、１
はイオン源、２はイオン源が発生するイオンをウェハに
向けて加速させるイオン加速電極、３はエツチングされ
るウェハが載置されるウェハテーブル、４はウェハテー
ブル３を支持するウェハホルダ、５はイオン加速電極２
を回転させるためのモータ、６はモータ５の運動をイオ
ン加速電極２に伝速するためのギアである。FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an ion beam etching apparatus according to an embodiment of the present invention. In the same figure, 1
2 is an ion source, 2 is an ion acceleration electrode that accelerates ions generated by the ion source toward the wafer, 3 is a wafer table on which the wafer to be etched is placed, 4 is a wafer holder that supports the wafer table 3, and 5 is an ion accelerating electrode. Accelerating electrode 2
6 is a gear for transmitting the motion of the motor 5 to the ion accelerating electrode 2.
上記構成において、ウェハのエツチングは、イオン源１
でイオンを発生し、該イオンをイオン加速電極２により
加速してウェハテーブル３上のウェハに照射することに
より行なう。ただし、この間、モータ５の駆動によりギ
ア６を介してイオン加速電極２が回転される。このとき
、イオン加速電極２０回転は、ウェハテーブル３を回転
させた場合と同様にエツチングむらを防ぐ働きをする。In the above configuration, the wafer is etched by the ion source 1.
This is carried out by generating ions, accelerating the ions with the ion accelerating electrode 2, and irradiating the wafer on the wafer table 3 with the ions. However, during this time, the ion accelerating electrode 2 is rotated by the drive of the motor 5 via the gear 6. At this time, rotating the ion accelerating electrode 20 times serves to prevent uneven etching in the same way as rotating the wafer table 3.
［発明の効果］
以上のように、本発明によると、イオンビームエツチン
グ装置において、被処理物体の支持装置の構造が複雑で
あることの原因であった被処理物体の回転運動を不要に
したため、冷却水の配管を非常に簡単にし、被処理物体
も上下方向へ移動あるいは傾かせるだけで済ませること
ができる。つまり、被処理物体の支持装置のｖ４造を簡
単にし、軽く小ざくすることができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the rotary movement of the object to be processed, which was the cause of the complicated structure of the support device for the object to be processed, is no longer necessary in the ion beam etching apparatus. The cooling water piping is extremely simple, and the object to be treated can be moved or tilted in the vertical direction. In other words, the V4 structure of the support device for the object to be processed can be simplified and made lighter and smaller.
第１図は、本発明の一実施例に係るイオンビームエツチ
ング装置の構成を示す模式図、第２〜４図は、従来のイ
オンビームエツチング装置の構成およびウェハテーブル
３の動作を示す模式図である。
１：イオン源、２：イオン加速電極、
３：ウェハテーブル、４：ウェハホルダ、５：イオン加
速電極駆動用モータ、
６：イオン加速電極駆動ギア。FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an ion beam etching apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 4 are schematic diagrams showing the configuration of a conventional ion beam etching apparatus and the operation of the wafer table 3. be. 1: ion source, 2: ion accelerating electrode, 3: wafer table, 4: wafer holder, 5: ion accelerating electrode driving motor, 6: ion accelerating electrode driving gear.
Claims (1)
理物体に照射して該被処理物体のエッチングを行なうイ
オンビームエッチング装置であつて、イオン加速電極が
回転することを特徴とするイオンビームエッチング装置
。An ion beam etching apparatus that etches a processed object by irradiating the processed object with ions generated by an ion source using an ion accelerating electrode, the ion beam etching apparatus characterized in that the ion accelerating electrode rotates.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11347286A JPS62271433A (en) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | Ion beam etching system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11347286A JPS62271433A (en) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | Ion beam etching system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62271433A true JPS62271433A (en) | 1987-11-25 |
Family
ID=14613119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11347286A Pending JPS62271433A (en) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | Ion beam etching system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62271433A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011521163A (en) * | 2008-05-19 | 2011-07-21 | アストリウム エスアーエス | Spacecraft electric thruster |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP11347286A patent/JPS62271433A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011521163A (en) * | 2008-05-19 | 2011-07-21 | アストリウム エスアーエス | Spacecraft electric thruster |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4128765A (en) | Ion beam machining techniques and apparatus | |
| US11462381B2 (en) | Composite charged particle beam apparatus | |
| JP2004527875A5 (en) | ||
| JP3976455B2 (en) | Ion implanter | |
| JPH03104861A (en) | Device for use in laser abrasion | |
| KR920018839A (en) | Ion beam injection method and device | |
| JPS62271433A (en) | Ion beam etching system | |
| JP2000252228A (en) | Laser annealing device | |
| JPS6251147A (en) | Ion implantation device | |
| JPS5913589A (en) | Laser working device | |
| JPH0587933B2 (en) | ||
| JP2707080B2 (en) | Ion implantation method and apparatus | |
| JP2716272B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP6810482B2 (en) | Composite charged particle beam device | |
| JPH01316472A (en) | Dry etching device | |
| JPH0663106B2 (en) | Spinning device | |
| JPS61224320A (en) | Cleaning device | |
| JPS6199622A (en) | Laser beam machine | |
| JPS61100373A (en) | Wheel dressing device | |
| JPS5554177A (en) | Device for dressing grindstone | |
| JPS55165289A (en) | Electron beam welding equipment | |
| JPS63216251A (en) | Gas phase ion source | |
| SU992172A1 (en) | Method and apparatus for abrasive centrifugal planetary working of parts | |
| JPS61230318A (en) | Method for scanning laser | |
| JPS63162867A (en) | Ion treatment device |