JPS622689A - 配線パタ−ンの形成方法 - Google Patents

配線パタ−ンの形成方法

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JPS622689A
JPS622689A JP14168885A JP14168885A JPS622689A JP S622689 A JPS622689 A JP S622689A JP 14168885 A JP14168885 A JP 14168885A JP 14168885 A JP14168885 A JP 14168885A JP S622689 A JPS622689 A JP S622689A
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JP
Japan
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layer
wiring pattern
aromatic
film
polyimide film
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JP14168885A
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Inventor
中野 常朝
中島 紘平
安野 弘
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Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、感光基を有する耐熱性の芳香族ポリマーの溶
液を用い、基体である芳香族ポリイミドフィルム上に、
配線パターンに相当する部分が取り除かれている上記芳
香族ポリマーの光硬化層を形成した後、この光硬化層を
利用して、蒸着又はスパッタリングによって導電性の金
属の薄層配線からなる配線パターンを、上記芳香族ポリ
イミドフィルム上に形成する方法に関するものであり、
種々の電子材料部品の製造に適用することができる。
〔従来の技術〕
従来、絶縁支持基板又はフィルムの上に、導電性の金属
配線パターンを形成する方法(パターニフグ法)として
は、種々の方法が知られているが、最近、絶縁支持基線
又はフィルム等の基体上に、配線パターン部分の切り抜
かれたマスクを密接に重ね合わせて、その基体表面に、
メッキ、スパックリング、蒸着等を行い、その後、前記
マスクの剥離等でマスク層及びマスク層上の金属層を取
り除くことによって、導電性の金属配線パターンを形成
するバターニング法が提案されている。
また、フィルム上に茎着させたCu等の金属層の上に更
に、感光性ポリマーからなる感光性膜を積層し、次いで
、上記感光性膜に光を照射して配線パターンに相当する
部分の感光性膜を光硬化し、現像して、配線パターンに
相当する部分を光硬化層で覆い、配線パターンに相当す
る部分以外の感光性膜を除去し金属層を露出させた後、
露出した部分の金属層をエツチングにより除去し、次い
で上記光硬化層を除去することによって、導電性の金属
配線パターンを形成する方法も提案されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記のマスクを使用する方法では、耐熱性のマスクとし
て、金属板やガラス板からエツチング等の複雑な工程に
よって製造された配線パターンの切り抜かれている高価
なマスクが使用されているが、それらのマスクでは、特
に細密な配線パターンを再現性よく多数形成することが
極めて困難であり、また、それらのマスクがかなりの厚
さを有し剛性を有するものであるため、それらのマスク
を前記の絶縁支持基板等に密着して固定することが困難
であり、スパッタリング、蒸着等のバターニング工程に
おいて精密な配線パターンを形成することが困難であっ
た。更に、上記のマスクは、製造工程が複雑で高価であ
るので、バターニングの際に再使用する必要があり、そ
の再使用のためにマスク上に付着した金属層を除去して
再生させる工程が必要であり、その工程における種々の
問題も生じていた。
また、前記の感光性ポリマーからなる感光性膜を積層す
る方法では、工程が複雑である上、金属層のエツチング
に使用される溶媒が強いものであるため基体のフィルム
が侵される惧れがあり、またエツチングが煩雑で面倒で
ある等の問題があった。
従って、本発明の目的は、上述のような問題が生じるこ
となく、フィルム上に導電性の金属の薄層配線からなる
細密な配線パターンを容易に形成することができる方法
を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者等は、上記目的を達成すべく種〜研究を重ねた
結果、感光基を有する耐熱性の芳香族ポリマーの溶液を
用い、基体である芳香族ポリイミドフィルム上に、配線
パターンに相当する部分が取り除かれている上記芳香族
ポリマーの光硬化層を形成した後、該ポリイミドフィル
ムの表面に対して金属を蒸着又はスパッタリングし、次
いで上記光硬化層及びその上の41属層を除去すること
によって、上記芳香族ポリイミドフィルム上に細密な配
線パターンが極めて再現性よく容易に形成し得ることを
知見した。
本発明は、上記知見に基づきなされたもので、感光基を
有する耐熱性の芳香族ポリマーの溶液を、芳香族ポリイ
ミドフィルムに塗布し、乾燥して、該ポリイミドフィル
ム上に上記芳香族ポリマーからなる感光性層が形成され
ている積層フィルムを作成し、 次いで、上記積層フィルムの感光性層に、配線パターン
に相当する部分が不透明化されているポジフィルムを通
して光を照射し、上記配線パターンに相当する部分を除
いて上記感光性層を光硬化し、 続いて、上記感光性層を現像することによって該感光性
層の未光硬化部分を除去し、配線パターンに相当する部
分以外が光硬化層で覆われ、配線パターンに相当する部
分が露出している、部分被覆ポリイミドフィルムとなし
、 然る後、上記部分被覆ポリイミドフィルムに対して芸着
又はスパッタリングして金属の薄膜を上記部分被覆ポリ
イミドフィルム上に形成し、最後に、上記光硬化層及び
その光硬化層上の金属層を除去すること を特徴とする配線パターンの形成方法を提供するもので
ある。
以下に本発明の配線パターンの形成方法について詳述す
る。
本発明で用いられる感光基を有する耐熱性の芳香族ポリ
マーは、エネルギー線(光線)の照射によって光架橋(
光硬化)する、炭素−炭素不飽和基を含有している感光
基をポリマー主鎖に有し、使用温度の上限が約200℃
、好ましくは250℃以上である耐熱性を有している有
機溶媒可溶性の芳香族ポリマーであり、かかる芳香族ポ
リマーの好ましい例としては、下記の芳香族ポリアミド
及び芳香族ポリイミドが挙げられる。
芳香族ジカルボン酸類を約70モル%以上含有するジカ
ルボン酸成分と、感光基を有する芳香族ジアミン化合物
を少なくとも30モル%、好ましくは40モル%以上含
有する芳香族ジアミン成分とを、有機極性溶媒中で重合
して得られるホモ重合体又は共重合体からなる、感光基
を有する有機溶媒可溶性の芳香族ポリアミド。
芳香族テトラカルボン酸類を約70モル%以上含有する
テトラカルボン酸成分と、上記芳香族ポリアミドの製造
に用いられる芳香族ジアミン成分と同様の芳香族ジアミ
ン成分とを、有機極性溶媒中で重合して得られるホモ重
合体又は共重合体からなる、感光基を有する有機溶媒可
溶性の芳香族ポリイミド。
上記芳香族ポリアミドについて更に詳しく説明すると、
芳香族ジカルボン酸類としては、例えば、テレフタル酸
、イソフタル酸、4.4°−ジカルボキシ−ビフェニル
、4,4゛−ジカルボキシ−ジフェニルメタン、4,4
°−ジカルボキシ−ジフェニルエーテル等の芳香族ジカ
ルボン酸と、それらの酸ハロゲシ化物(特に酸塩化物)
を好適に挙げることができる。
上記芳香族ポリアミドの製造に用いられるジカルボン酸
成分は、上記の芳香族ジカルボン酸類の他に、例えば、
脂環族又は脂肪族ジカルボン酸類が一部併用されていて
もよい。
また、感光基を存する芳香族ジアミン化合物としては、
例えば、3,5−ジアミノ安息香酸エチル(メタ)アク
リル酸エステル、2.4−ジアミノ安息香酸エチル(メ
タ)アクリル酸エステル、3.5−ジアミノ安息香酸グ
リシジル(メタ)アクリレートエステル、2.4−ジア
ミノ安息香酸グリシジル(メタ)アクリレートエステル
、3゜5−ジアミノ安息香酸ケイ皮エステル、2,4−
ジアミノ安息香酸ケイ皮エステル等の安息香酸エステル
li;3.5−ジアミノベンジル(メタ)アクリレート
等のベンジルアクリレ−814−アクリルアミド−3,
4°−ジアミノジフェニルエーテル、2−アクリルアミ
ド−3,4°−ジアミノジフェニルエーテル、4−シン
ナムアミド−3゜4″−ジアミノジフェニルエーテル、
3.4’−ジアクリルアミド−3゛、4−ジアミノジフ
ェニルエーテル、3,4”−ジシンナムアミド−3゛。
4−ジアミノジフェニルエーテル、4−メチル−2゛−
カルボキシエチルメタクリル酸エステル−3,4”−ジ
アミノジフェニルエーテル等のジフェニルエーテル類;
及び4.4゛−ジアミノカルコン、3,3°−ジアミノ
カルコン、4°−メチル−3° 、4−ジアミノカルコ
ン、4”−メトキシ−3′、4−ジアミノカルコン、3
゛−メチル−3,5−ジアミノカルコン等のカルコン類
を挙げることができる。
上記芳香族ポリアミドの製造に用いられる芳香族ジアミ
ン成分は、上記の感光基を有する芳香族ジアミン化合物
の他に、感光基を有していない芳香族ジアミン化合物を
含有していてもよい。
この感光基を有していない芳香族ジアミン化合物として
は、例えば、バラフェニレンジアミン、メタフェニレン
ジアミン、2.4−ジアミノトルエン、4.4°−ジア
ミノジフェニルエーテル、4.4”−ジアミノジフェニ
ルメタン、0−トリジン、1.4−ビス(4−アミノフ
ェノキシ)ベンゼン、2,2″−ビス(4−アミノフェ
ノキシフェニル)プロパン、0−)リジンスルホン等の
ジアミン化合物、及び9.9−ビス(4−アミノフェニ
ル)−10−アンスロン、1.5−ジアミノアントラキ
ノン、3.3°−ジアミノヘンシフエノン、1−ジメチ
ルアミノ−4−(5,5−ジアミノヘンジイル)−ナフ
タレン等のケトン基を存するジアミン化合物を挙げるこ
とができる。これらのうちでも特に、ケトン基を有する
芳香族ジアミン化合物は、増感性能を有するため、この
ケトン基を有する芳香族ジアミン成分から得られたポリ
アミドは光照射によって光硬化膜を形成する際の光に対
する感度が向上するので好ましい。
上記芳香族ポリアミドは、上記のジカルボン酸成分と、
上記の芳香族ジアミン成分とを、大略等モル使用して、
公知の重合方法と同様の重合条件(例えば、有機極性溶
媒中、約100 ’C以下の重合温度、約0.1〜50
時間の重合時間等)で、重合して得られる。
上記芳香族ポリアミドは、対数粘度〔濃度;0゜5g/
100m1  (N−メチル−2−ピロリドン;NMP
)、11定温度;30℃の温度で測定〕が、約0.1〜
4.0、特に0.2〜3,0程度の範囲内にあるものが
好ましい。
次に、上記芳香族ポリイミドについて更に詳しく説明す
ると、芳香族テトラカルボン酸類としては、2.3.3
’ 、4”−又は3.3°、4,4′−ビフェニルテト
ラカルボン酸、3.3’ 、4゜4′−ヘンシフエノン
テトラカルボン酸等の芳香族テトラカルボン酸又はその
酸二無水物等が挙げられ、上記芳香族テトラカルボン酸
のエステル化物、塩等でもよい。
上記芳香族ポリイミドは、テトラカルボン酸成分と芳香
族ジアミン成分とを大略等モル使用して、上記芳香族ポ
リアミドの場合と略同様の重合方法及び重合条件で、重
合して得られる。
上記芳香族ポリイミドは、対数粘度〔濃度;0゜5g/
100m1  (N−メチル−2−ピロリドン;NMP
) 、測定温度:30℃の温度でρり定〕が、約0.0
8〜2、特に0,15〜1.0程度の範囲内にあるもの
が好ましい。
前記の芳香族ポリアミド及び芳香族ポリイミドは、例え
ば、N、N−ジメチルホルムアミド、N。
N−ジメチルアセ1アミド、N−メチル−2−ピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチレンホスホルア
ミド、ジグライム等の有機溶媒に可溶であり、該有機溶
媒に約1〜40市量%程度の濃度で均一に熔解させるこ
とができる。
また、本発明で基体として用いられる芳香族ポリイミド
フィルムは、例えば、2.3.3″、4゛−文は3,3
′、4,4“−ビフェニルテトラカルボン酸、3.3’
 、4.4″−ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の芳
香族テトラカルボン酸又はその酸二無水物と、感光基を
有していない芳香族ジアミン化合物とを、を機熔媒中で
重合して得られる、感光基を有していない有機溶媒不溶
性の芳香族ポリイミドからなるものである。また、その
厚さは特に制限されないが、通常、1〜200μm、好
ましくは5〜150μmのものが用いられる。
次に、本発明の配線パターンの形成方法の好ましい実施
態様について説明する。
先ず、前記の感光基を有する耐熱性の芳香族ポリマーの
有機溶媒溶液を調製し、この溶液を、前記の基体である
芳香族ポリイミドフィルムに塗布し、乾燥して、該ポリ
イミドフィルム上に上記芳香族ポリマーからなる感光性
層が形成されている積層フィルムを作成する。
上記芳香族ポリマーの溶液の調製は、例えば、前記の感
光基を有する有機溶媒可溶性の、芳香族ポリアミド又は
芳香族ポリイミドを、N、N−ジメチルホルムアミド、
N、N〜ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロ
リドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチレンホスホ
ルアミド、ジグライム等のを機溶媒に、約1〜40市量
%、好ましくは3〜30重量%の濃度で熔解させればよ
い。また、この芳香族ポリマーの溶液の回転粘度(25
℃)は約0.5〜1000ボイズ、特に1〜500ボイ
ズ程度にすることが好ましい。
上記芳香族ポリマーの溶液には、例えば、ミヒラーズケ
トン、ヘンジイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンツ
インエチルエーテル、2−ターツヤリーブチルアントラ
キノン、1,2−ベンゾ−9,10−−アントラキノン
、4,4“−ビス (ジエチル?ミノ)ベンゾフェノン
、アセトフェノン、ベンゾフェノン、チオキサントン、
メチルチオキサントン、クロルチオキサントン、1.5
−アセナフテン、ヘンシルケタール、アントラニル酸ツ
メチルアミノベンゾエート等の光重合開始剤を配合する
ことが好ましく、また、ヒドロキシ基を有するモノ (
メタ)アクリレート系化合物、ポリ (メタ)アクリレ
ート系化合物、N−ビニル−2−一ピロリドン等の光重
合性単量体、又は、ハイドロキノン、2,6−ジターシ
ャリ−ブチル−4−メチルフェノール(BHT)、メチ
ルエーテルハイドロキノン、ベンゾエート、ベンゾキノ
ン、4−ヒドロキシメチル−2,6−ジターシャリ−ブ
チルフェノール等の熱重合防止剤、更に、N、N−ジメ
チルアントラニル酸メチル、オルソ−又はバラーN、N
−ジメチル安息香酸エチル等の増感剤が配合されていて
もよい。
上記芳香族ポリマーのf6液には、芳香族ポリマー10
0電量部に対して、約0.5〜150重量部程重量先程
合性単量体、約0.01〜5重量部程度の熱重合防止剤
、或いは約0.01〜15iliff1部程度の光重合
開始剤が配合されていることが好ましい。
上記芳香族ポリマーの溶液の基体への塗布は、例えば回
転塗布機等で行うことができる。塗布膜の乾燥は、熱風
乾燥器等により100℃以下で1〜60分間、特に10
〜30分間程度行うことが好ましい。この際減圧ばして
もしなくてもよし一感光性層(乾燥後の塗布膜)の厚さ
は、約1〜150μm、特に2〜100μmであるのが
好ましい。
次いで、上記の如くして形成した積層フィルムの上記感
光性層に、配線パターンに相当する部分が不透明化され
ているポジフィルムを密着し、該ポジフィルムを通して
、可視光線、紫外線、電子線、X線等のエネルギ・−線
(光線)を照射し、F記配線パターンに相当する部分を
除いて上記感光性層を光硬化(架橋)し不溶化へする。
続いて、上記感光性層を適当な現像液に約O・〜100
℃の温度下に浸漬する等して現像することによって該感
光性層の未光硬化部分を溶出し、除去する。
上記現像液としては、上記芳香族ポリマーの溶液の調製
に用いられるを機熔媒として例示したものの他に、1.
1.1−トリクロルエタン、メチルセロソルブ、T−ブ
チロラクトン、シクロヘキサノン等の溶媒を使用するこ
ともできる。
また、上記現像の際には、現像液に超音波を作用させる
ことが適当である。
次いで、このフィルムを熱オーブン中で約100〜40
0℃、特に150〜300°C下に10〜120分間熱
処理することが好ましい。
かくして、配線パターンに相当する部分以外が光硬化層
(上記感光性層の光硬化部分)で覆われ、配線パターン
に相当する部分が露出している、部分被覆ポリイミドフ
ィルムが得られる。
然る後、上記部分被覆ポリイミドフィルムに対して、好
ましくは約200℃以上の温度、特に好ましくは250
〜400℃の温度で、導電性の金属(合金も含む)を蒸
着又はスバソタリュ/グしで、厚さが好ましくは約1〜
150μm、特に好ましくは2〜100μmである上記
金属の薄膜を上記部分被覆ポリイミドフィルム上に形成
する。
上記の蒸着又はスパッタリングにおいては、上記部分被
覆ポリイミドフィルムを構成する上記芳香族ポリマーの
光硬化層及び上記芳香族ポリイミドフィルムが柔軟性及
び耐熱性等を好適に有しているので、従来公知の方法又
は装置をそのまま採用することができる。
最後に、溶媒等による溶解・洗浄操作によって上記部分
被覆ポリイミドフィルムの光硬化層を溶出し、該光硬化
層と共にその上の金gS層を除去し、上記芳香族ポリイ
ミドフィルム上に形成された、上記金属の薄層配線から
なる配線パターンを得る。
上記光硬化層の溶出に使用される溶媒としては、アルカ
リ水溶液等のアルカリ溶液、前記芳香族ポリマー溶液の
調製に用いられる有機溶媒、ヒドラジン、及びトリメチ
ルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、エタノールア
ミン等の有機アミン、或いはこれらの混合物等が挙げら
れる。
〔実施例〕
実施例1 (感光性の芳香族ポリアミドの製造) 三つロフラスコに乾燥した窒素ガスを通してフラスコ内
のガスを置換した後、塩化リチウム3gと、3,5−ジ
アミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル31.71
4gとを入れ、これにN−メチル−2−ピロリドン(N
MP)240mlを加えて熔解した。溶解後、3℃に冷
却し攪拌しながらテレフタル酸ジクロライド24.36
4gを加えた。
この時発熱があり、溶液の温度が34℃まで上昇した。
これを30分間、氷水中で攪拌した後、室温で1時間攪
拌を続け、重合反応をさせた。
次いで、反応液にNMP300mlを加え、希釈した後
、これをメタノール6fと水61との混合液に加え、芳
香族ポリアミドを析出させた。
その析出物を濾過して回収し、乾燥し、白色の芳香族ポ
リアミド粉末42.01gを得た。
この芳香族ポリアミド粉末の対数粘度(濃度;0、5 
g / 100m1溶媒、溶媒、NMP、測定温度;3
0℃)は、1.73であった。
(芳香族ポリマーの溶液の調製) 前述のようにして得られた芳香族ポリアミド粉末30g
に、有機溶媒としてNMP150g、光重合開始剤とし
てミヒラーズケトン1.2g、及び熱重合防止剤として
ハイドロキノン0.15 gとメチルエーテルハイドロ
キノン0.15 gとを加え、よく攪拌し均一な粘稠な
溶液とした後、加圧下に濾過して微細なゴミ等を除去し
、150ボイズの感光性の芳香族ポリアミドの溶液を調
製した。
(パターニング) 厚さ30μ−の芳香族ポリイミドフィルム(3゜3’ 
、4.4°−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と4
,4°−ジアミノジフェニルエーテルとを重合して得ら
れたもの)の上の周縁に沿って、約250μmの高さの
外枠(スペーサー)を設け、これに前述のようにして調
製した感光性の芳香族ポリアミドの溶液を流し込み、バ
ーコーターを用いて均一な厚さに塗布し、平均厚さが約
250μ糟の薄膜を形成し、その薄膜を70℃の熱風乾
燥器内で2時間乾燥して、上記芳香族ポリイミドフィル
ム上に厚さ30μmの感光性層が形成されている積層フ
ィルムを作成した。
上記積層フィルムの感光性層の上に、線幅0.1mm、
長さ21の線が0.5mmの間隔で5回往復して描かれ
ている配線パターンを有するポジフィルムを重ね合わせ
て密着し、その上に配置された超高圧水銀灯の光源を使
用して、上記ポジフィルムを通して感光性層にIJ/c
sAの強さの光を照射し、上記感光性層を光硬化して配
線パターンに相当する未光硬化部分を有する光硬化フィ
ルムを作成した。
次いで、上記光硬化フィルムを、NMP熔媒中で超音波
をかけながら、3分間の現像処理を行うことによって、
未光硬化部分(配線パターンに相当する部分)を溶出し
、除去した後、150℃で30分間後加熱して、配線パ
ターンに相当する部分以外が上記芳香族ポリアミドの光
硬化層(熱分解開始温度;300℃以上)で覆われ、配
線バ多−ンに相当する部分が露出している、部分被覆ポ
リイミドフィルムを得た。
然る後、上記部分被覆ポリイミドフィルムを、マグネッ
トロン方式スパッタリング装置(日型アネルバ■製、5
PF−312型)の所定の位置に配置し、約300℃で
、アルゴン雰囲気下、及び減圧下に、アルミニウムのス
パッタリングを行って、アルミニウム層を上記部分被覆
ポリイミドフィルム上に形成し、最後に、そのアルミニ
ウム層の形成されたフィルムをスパッタリング装置から
取り出し、上記光硬化層をアルカリ水溶液で溶出するこ
とによって、該光硬化層及びその上のアルミニウム層を
除去し、上記芳香族ポリイミドフィルム上に形成された
、厚さ約1μMのアルミニウム薄層配線からなる配線パ
ターンを得た。
〔発明の効果〕
本発明の配線パターンの形成方法は、感光基を有する耐
熱性の芳香族ポリマーの溶液を用い、基体である芳香族
ポリイミドフィルム上に、配線パターンに相当する部分
が取り除かれている上記芳香族ポリマーの光硬化層を形
成した後、この光硬化層を利用して、蒸着又はスパッタ
リングによって導電性の金属の薄層配線からなる配線パ
ターンを、上記芳香族ポリイミドフィルム上に形成する
もので、基体上に形成した光硬化層がマスクとして機能
するため、別個にマスクを製造し、マスクを基体に重ね
合わせたりすることが不要であり、且つ上記光硬化層が
、極めて優れた耐熱性を有すると共に優れた耐薬品性、
機械的強度、柔軟性を有しているので、かなり高温の加
熱下に行われる蒸着又はスパッタリング等のバターニン
グ工程を何等の問題を生じさせることなく行え、細密な
配線パターンを極めて再現性よく容易に形成することが
でき、しかも、配線パターン部分以外の金属層の除去は
上記光硬化層を溶媒で溶出することによって簡単に行え
、金属層のエツチング等の煩雑で面倒な工程が不要であ
る上、光硬化層の溶出に使用される溶媒は金属層のエツ
チングに通常使用される溶媒に比して弱いものであるた
め基体のフィルムを侵す惧れかない等、種々の優れた効
果を奏するものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  感光基を有する耐熱性の芳香族ポリマーの溶液を、芳
    香族ポリイミドフィルムに塗布し、乾燥して、該ポリイ
    ミドフィルム上に上記芳香族ポリマーからなる感光性層
    が形成されている積層フィルムを作成し、 次いで、上記積層フィルムの感光性層に、配線パターン
    に相当する部分が不透明化されているポジフィルムを通
    して光を照射し、上記配線パターンに相当する部分を除
    いて上記感光性層を光硬化し、 続いて、上記感光性層を現像することによって該感光性
    層の未光硬化部分を除去し、配線パターンに相当する部
    分以外が光硬化層で覆われ、配線パターンに相当する部
    分が露出している、部分被覆ポリイミドフィルムとなし
    、 然る後、上記部分被覆ポリイミドフィルムに対して蒸着
    又はスパッタリングして金属の薄膜を上記部分被覆ポリ
    イミドフィルム上に形成し、最後に、上記光硬化層及び
    その光硬化層上の金属層を除去すること を特徴とする配線パターンの形成方法。
JP14168885A 1985-06-28 1985-06-28 配線パタ−ンの形成方法 Pending JPS622689A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0469328U (ja) * 1990-10-29 1992-06-19

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