JPS62266418A - 媒体の流速を測定する装置およびその製造法 - Google Patents
媒体の流速を測定する装置およびその製造法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000005577 local transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P5/00—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
- G01P5/10—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、支持体上に絶縁して設けられており、かつ流
動媒体と熱接触している電気的に加熱可能の抵抗層を有
する、媒体、殊に内燃機関の吸気の流速を測定する装置
およびその製造法に関する。
動媒体と熱接触している電気的に加熱可能の抵抗層を有
する、媒体、殊に内燃機関の吸気の流速を測定する装置
およびその製造法に関する。
従来の技術
殊に内燃機関の制御のために、吸込まれる空気量を測定
するセンサが必要とされる。公知のの周囲を流れる空気
の流速に応じて、抵抗層および支持体から多かれ少なか
れ熱が奪われる。
するセンサが必要とされる。公知のの周囲を流れる空気
の流速に応じて、抵抗層および支持体から多かれ少なか
れ熱が奪われる。
温度依存性抵抗を有する抵抗材料の使用により、電流を
、空気に対して一定の温度上昇が得られるように制御す
ることができる。この場合に、このために必要とされる
電流は、流速の1つの尺度である。
、空気に対して一定の温度上昇が得られるように制御す
ることができる。この場合に、このために必要とされる
電流は、流速の1つの尺度である。
この種のセンサに、一連の部分的に相反する要求が課せ
られる。それで、たとえば十分に高い応答感度のために
は流動媒体と抵抗層との間の良好な熱伝達が必要である
。この熱伝達を保証するために、流動媒体を抵抗層ない
しは支持体の両側で通過させるが、しかしこのことは支
持体が良熱伝導性であるかないしは相応に薄い場合に、
相応に有効であるにすぎない。その際、支持体材料の高
い伝熱係数は支持体上で迅速な温度補償を惹起し、これ
が僅かな応答時間に役立つ。
られる。それで、たとえば十分に高い応答感度のために
は流動媒体と抵抗層との間の良好な熱伝達が必要である
。この熱伝達を保証するために、流動媒体を抵抗層ない
しは支持体の両側で通過させるが、しかしこのことは支
持体が良熱伝導性であるかないしは相応に薄い場合に、
相応に有効であるにすぎない。その際、支持体材料の高
い伝熱係数は支持体上で迅速な温度補償を惹起し、これ
が僅かな応答時間に役立つ。
さらに、この種のセンサの熱的および国賊的安定性に高
度の要求が課せられる。最後氾、低廉に製造しうろこと
も必要であり、これに簡単な取付可能性が寄与する。
度の要求が課せられる。最後氾、低廉に製造しうろこと
も必要であり、これに簡単な取付可能性が寄与する。
発明を達成するための手段
本発明の課題は、上記の要求を十分に満たす、流速を測
定する装置を呈示することである。
定する装置を呈示することである。
本発明による装置は、支持体が、抵抗層を支持する板状
の中央部を有して長方形に構成されておりかつ少なくと
も3つの辺に補強帯板を一体に備えていることを特徴と
する。本発明による装置は、抵抗層のための支持体が極
めて薄く構成されていてもよく、それにもかかわらず良
好な機械的安定性が保証されているという利点を有する
。
の中央部を有して長方形に構成されておりかつ少なくと
も3つの辺に補強帯板を一体に備えていることを特徴と
する。本発明による装置は、抵抗層のための支持体が極
めて薄く構成されていてもよく、それにもかかわらず良
好な機械的安定性が保証されているという利点を有する
。
本発明の1実施態様は、中央部がその周縁に、補強帯板
に隣接するスリットを備えていることである。この手段
は、支持体と補強帯板との間で熱抵抗が増大されるので
、抵抗層中で発生する熱のできるだけ大きい量が流動媒
体により放出されるという利点を有する。
に隣接するスリットを備えていることである。この手段
は、支持体と補強帯板との間で熱抵抗が増大されるので
、抵抗層中で発生する熱のできるだけ大きい量が流動媒
体により放出されるという利点を有する。
もう1つの実施態様は、2つの相対する補強帯板が、該
帯板により囲まれる第3の補強帯板を越えて突出しかつ
もう1つの板状部材を有し、該部材上に他の抵抗層が設
けられていて、上記板状部材がその補強帯板に接する同
縁にスリットを備えていることである。この実施態様は
、公知の装置の場合にも存在する温度センサの有利な配
置を保証する。この場合に、他の抵抗層は、流れ方向に
見て、加熱可能の抵抗層の前に存在する。この実施態様
により、2つのセンサの良好な熱的減結合が与えられて
いる。
帯板により囲まれる第3の補強帯板を越えて突出しかつ
もう1つの板状部材を有し、該部材上に他の抵抗層が設
けられていて、上記板状部材がその補強帯板に接する同
縁にスリットを備えていることである。この実施態様は
、公知の装置の場合にも存在する温度センサの有利な配
置を保証する。この場合に、他の抵抗層は、流れ方向に
見て、加熱可能の抵抗層の前に存在する。この実施態様
により、2つのセンサの良好な熱的減結合が与えられて
いる。
本発明の第3実施態様は、第3の板状部材が中央部の、
第3の補強帯板に離反している側に配置されておりかつ
他のスリットにより中央部から分離されていることを特
徴とする。第3の板状部材上に、流れ方向を把握するた
めに使用することのできる第3の温度依存性抵抗が配置
されている。すなわち、内燃機関においては、流れ方向
が短時間に逆になり、これにより加熱可能の抵抗体によ
り加熱された空気が温度センサに入り込み、不正測定を
生じることが起こりうる。温度センサおよび第3の抵抗
の抵抗値の比較により、流れ方向を確認し、不正流れ方
向の場合に、測定値の伝達を凪止することができる。
第3の補強帯板に離反している側に配置されておりかつ
他のスリットにより中央部から分離されていることを特
徴とする。第3の板状部材上に、流れ方向を把握するた
めに使用することのできる第3の温度依存性抵抗が配置
されている。すなわち、内燃機関においては、流れ方向
が短時間に逆になり、これにより加熱可能の抵抗体によ
り加熱された空気が温度センサに入り込み、不正測定を
生じることが起こりうる。温度センサおよび第3の抵抗
の抵抗値の比較により、流れ方向を確認し、不正流れ方
向の場合に、測定値の伝達を凪止することができる。
本発明による装置の製造のために特圧適当な材料はケイ
素である。このものは、十分な機械的安定性および高い
熱伝導性を有する。さらに、このものは半導体工業から
公知の方法を用いて申し分なく加工することができる。
素である。このものは、十分な機械的安定性および高い
熱伝導性を有する。さらに、このものは半導体工業から
公知の方法を用いて申し分なく加工することができる。
本発明による装置の製造法において、補強帯板の厚さを
有する材料部材を相応する被覆マスクを載置した後にエ
ツチング工程にかけることが配慮されている。この場合
に、異方性エツチングも等方性エツチングも可能である
。しかしながら、異方性エツチングは、結晶軸の相応す
る調整の際に凹みがそれらの全深さにわたって、マスク
により与えられた輪郭を維持するという利点を有する。
有する材料部材を相応する被覆マスクを載置した後にエ
ツチング工程にかけることが配慮されている。この場合
に、異方性エツチングも等方性エツチングも可能である
。しかしながら、異方性エツチングは、結晶軸の相応す
る調整の際に凹みがそれらの全深さにわたって、マスク
により与えられた輪郭を維持するという利点を有する。
本発明による装置の製造法は有利には、スリットをレー
デ切断を用いて製造することにより補足することができ
る。
デ切断を用いて製造することにより補足することができ
る。
抵抗層が相応にドーピングされた牛導体材料、殊にケイ
素からなる、本発明による装置の他の実施態様は、有利
に抵抗層の製造のために半導体技術から公知の方法を使
用することができる。
素からなる、本発明による装置の他の実施態様は、有利
に抵抗層の製造のために半導体技術から公知の方法を使
用することができる。
殊に、相応するドーピングにより、電気的特性、殊に温
度係数を広い範囲内で確定することができる。
度係数を広い範囲内で確定することができる。
公知の流速測定装置では、抵抗層と流動媒体との間の伝
熱係数が、装置の流れに反対方向の縁で最大でありかつ
流れ方向へ減少することが判明した。これにより、抵抗
層内に温度勾配が生じ、これが再び応答速度の減少をも
たらす。
熱係数が、装置の流れに反対方向の縁で最大でありかつ
流れ方向へ減少することが判明した。これにより、抵抗
層内に温度勾配が生じ、これが再び応答速度の減少をも
たらす。
この欠点は、本発明の他の実施態様において、抵抗層上
および支持体の抵抗層に離反する側に、低い熱伝導性を
有する層を設けて、流動媒体と抵抗層との間の局部伝熱
係数が流れ方向へ少なくとも近似的に一定であるように
することにより避けられる。この場合に、層の厚さは流
れ方向へ連凝的または段階的に減少しうる。
および支持体の抵抗層に離反する側に、低い熱伝導性を
有する層を設けて、流動媒体と抵抗層との間の局部伝熱
係数が流れ方向へ少なくとも近似的に一定であるように
することにより避けられる。この場合に、層の厚さは流
れ方向へ連凝的または段階的に減少しうる。
本発明の有利な1実施態様は、補強帯板が約0.25〜
1朋の厚さであり、かつ中央部が約0.1朋の厚さであ
ることを配慮する。この実施態様の場合に、中央部の僅
かな層厚により低い慣性と同時に十分な機械的剛性が保
証されている。
1朋の厚さであり、かつ中央部が約0.1朋の厚さであ
ることを配慮する。この実施態様の場合に、中央部の僅
かな層厚により低い慣性と同時に十分な機械的剛性が保
証されている。
本発明は、多くの実施態様を許容する。これらのうちの
いくつかを複数の図面を用いて略示し、次に記載する。
いくつかを複数の図面を用いて略示し、次に記載する。
図面中、同じ部分は、同じ参照記号を備えている。
実施例
第1図による装置の場合に、厚さ約0.1aymの板状
の中央部1が、3つの側にそれぞれ補強帯板2,3.4
を備えている、全体が、1つの部材から製造されている
。第1図による装置を製造するためには、種々の方法、
殊にマイクロメカニック法が適当である。前述したよう
に5材料としては、殊に、ケイ素が適当であり、ケイ素
は有利に異方性エツチングにより図示の形にもたらすこ
とができる。このために補強帯板の厚さおよび必要な面
積を有するケイ素平版に円縁部を覆うマスクを備え、中
央部が十分に薄くなるまでエツチング液に暴露する。そ
の際、エツチング工程は両側から行なうことができるの
で、断面図に示された装置が生じる。しかしながら材料
を片側だけ除去することも可能なので、中央部1はたと
えば補強帯板の下縁で終る。
の中央部1が、3つの側にそれぞれ補強帯板2,3.4
を備えている、全体が、1つの部材から製造されている
。第1図による装置を製造するためには、種々の方法、
殊にマイクロメカニック法が適当である。前述したよう
に5材料としては、殊に、ケイ素が適当であり、ケイ素
は有利に異方性エツチングにより図示の形にもたらすこ
とができる。このために補強帯板の厚さおよび必要な面
積を有するケイ素平版に円縁部を覆うマスクを備え、中
央部が十分に薄くなるまでエツチング液に暴露する。そ
の際、エツチング工程は両側から行なうことができるの
で、断面図に示された装置が生じる。しかしながら材料
を片側だけ除去することも可能なので、中央部1はたと
えば補強帯板の下縁で終る。
中央部1と補強帯板2,3.4との間の熱伝導を減少さ
せるために、スリット5,6.7が設けられていて、こ
れはたとえばレーザ切断を用いて製造される。
せるために、スリット5,6.7が設けられていて、こ
れはたとえばレーザ切断を用いて製造される。
中央部1上には本来のセンサである抵抗層8が設けられ
、このことは第3図および第4図と関連してなお詳細に
説明する。
、このことは第3図および第4図と関連してなお詳細に
説明する。
第2図による実施例の場合に、補強帯板11゜12は、
これらにより囲まれる補強帯板13を越えて延びている
。第2図による実施例の場合若干大きい中央部14は、
抵抗層15を有する。
これらにより囲まれる補強帯板13を越えて延びている
。第2図による実施例の場合若干大きい中央部14は、
抵抗層15を有する。
さらに、同様にスリット16.17および18が設けら
れている。左側に突出する補強帯板11.12の間に、
他の板状部材19が配置されており、この板状部材上に
は、他の抵抗層20が設けられて(・る。熱伝導を減少
させるために、ζ 再びスリン)21.22.23が設けられている。抵抗
層20は、温度センサとして使用され、したがって抵抗
層15の前に(流れ方向に見て)存在する7、つの抵抗
層は、自体公知の方法によりブリッジ回路の一部であり
、このものに差動増幅器が接続されている。この種の回
路は士。
れている。左側に突出する補強帯板11.12の間に、
他の板状部材19が配置されており、この板状部材上に
は、他の抵抗層20が設けられて(・る。熱伝導を減少
させるために、ζ 再びスリン)21.22.23が設けられている。抵抗
層20は、温度センサとして使用され、したがって抵抗
層15の前に(流れ方向に見て)存在する7、つの抵抗
層は、自体公知の方法によりブリッジ回路の一部であり
、このものに差動増幅器が接続されている。この種の回
路は士。
分に公知であり、本発明の範囲内で詳説する必要はない
。
。
さらに、第2図に示された実施例の場合に、第3の板状
部材25が設けられており、この板状部材上に他の抵抗
層26が配置されている。
部材25が設けられており、この板状部材上に他の抵抗
層26が配置されている。
神強帯板11,12および中央部14に比して、熱の流
れはスリット27.28および29により減少される。
れはスリット27.28および29により減少される。
前述したように、第3の抵抗26は、流れ方向を確認す
るために使用することができる。
るために使用することができる。
第3図および第4図には、殊に層厚が拡大して示されて
いる。
いる。
支持体1それ自体には、電気構成素子に必要とされる高
い純度を持たないケイ素を使用する□ ことができ
る。しかしながら、まったく本発明の範囲内で、支持体
1上に抵抗層8の他に、他の抵抗および場合によりモノ
リシック技術により、所属する電気回路を構成すること
も可能である。しかしながら後者に対しては相応に純粋
のケイ素が必要である。
い純度を持たないケイ素を使用する□ ことができ
る。しかしながら、まったく本発明の範囲内で、支持体
1上に抵抗層8の他に、他の抵抗および場合によりモノ
リシック技術により、所属する電気回路を構成すること
も可能である。しかしながら後者に対しては相応に純粋
のケイ素が必要である。
抵抗層8に対して支持体を絶縁するために、不動態層3
1が使用され、このものはたとえば窒化、酸化、または
ガラスまたはプラスチックによる被覆により製造するこ
とができる。
1が使用され、このものはたとえば窒化、酸化、または
ガラスまたはプラスチックによる被覆により製造するこ
とができる。
抵抗層8を製造するために、不動態層31上に高純度の
多結晶ケイ素からなる層が設けられ、このものは半導体
技術から公知の方法を用いて必要な電気的特性を付与し
、そのうちたんに若干の工程を次に記載する。レーデ光
線まだはアルゴン高圧光線を用いて再結晶した後に、イ
オン打込みが行なわれ、これにより抵抗層の温度係数を
広い範囲内で確定することができる。この場合、金属抵
抗層の場合よりも高い温度係数が可能であり、これによ
ってより高い感度および場合によりより簡単な電気回路
が可能である。
多結晶ケイ素からなる層が設けられ、このものは半導体
技術から公知の方法を用いて必要な電気的特性を付与し
、そのうちたんに若干の工程を次に記載する。レーデ光
線まだはアルゴン高圧光線を用いて再結晶した後に、イ
オン打込みが行なわれ、これにより抵抗層の温度係数を
広い範囲内で確定することができる。この場合、金属抵
抗層の場合よりも高い温度係数が可能であり、これによ
ってより高い感度および場合によりより簡単な電気回路
が可能である。
しかしながら、それぞれの適用事例に適合させるために
、温度係数を工業的に可能なよりも低く選択することも
できる。
、温度係数を工業的に可能なよりも低く選択することも
できる。
その後に、結晶を矯正するための熱処理ならびに必要な
構造を製造するだめの複数の工程および最後に接合が行
われる。構造は、たとえば抵抗層8がメアンダ状に延び
る導体路を形成することであってよい。
構造を製造するだめの複数の工程および最後に接合が行
われる。構造は、たとえば抵抗層8がメアンダ状に延び
る導体路を形成することであってよい。
抵抗層8を製造した後に、抵抗層8上および支持体10
反対方向の表面上に、装置を殊に測定すべき媒体の化学
的影響に対して保護する保設層を設ける。
反対方向の表面上に、装置を殊に測定すべき媒体の化学
的影響に対して保護する保設層を設ける。
本発明の1実施態様によれば、保護層32゜33は、流
動媒体と抵抗層8との間の局部的伝熱係数が(流れ方向
に見て)少なくともほぼ一定であるように設けられてい
る。即ち、この手段なしでは局部的伝熱係数が、空気流
に対立する縁36の付近で最大であり、この縁から遠ざ
かるにつれて減少する。これにより、抵抗層内に温度勾
配が生じ、これは流速に依存しかつ公知のセンサの比較
的大きい応答時間の原因となる。層32および33の流
れ方向へ減少する層厚により、この効果は相殺されるの
で、応答時間は減少する。第3図による装置の場合に、
層厚は連続的に減少し、第4図による装置の場合層34
および35の厚さは段階的に減少する。
動媒体と抵抗層8との間の局部的伝熱係数が(流れ方向
に見て)少なくともほぼ一定であるように設けられてい
る。即ち、この手段なしでは局部的伝熱係数が、空気流
に対立する縁36の付近で最大であり、この縁から遠ざ
かるにつれて減少する。これにより、抵抗層内に温度勾
配が生じ、これは流速に依存しかつ公知のセンサの比較
的大きい応答時間の原因となる。層32および33の流
れ方向へ減少する層厚により、この効果は相殺されるの
で、応答時間は減少する。第3図による装置の場合に、
層厚は連続的に減少し、第4図による装置の場合層34
および35の厚さは段階的に減少する。
保護層を製造するためには、材料に応じて蒸着法または
印刷法が適当である。
印刷法が適当である。
添付図面は、本発明による装置の若干の実施例を略示す
るもので、第1図は1つの抵抗層を有する実施例の平面
図および断面図であり、第2図は2つの付加的な抵抗層
を有する実施例の平面図であり、第3図および第4図は
、それぞれ本発明の種々の実施態様のための支持体およ
び設けられた層の断面図である。
るもので、第1図は1つの抵抗層を有する実施例の平面
図および断面図であり、第2図は2つの付加的な抵抗層
を有する実施例の平面図であり、第3図および第4図は
、それぞれ本発明の種々の実施態様のための支持体およ
び設けられた層の断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、支持体上に絶縁して設けられておりかつ流動媒体と
熱接触している電気的に加熱可能の抵抗層を有する、媒
体の流速を測定する装置において、支持体が抵抗層(8
)を有する板状の中央部(1)を有して長方形に構成さ
れており、かつ少なくとも3つの辺に補強帯板(2、3
、4)を一体に備えていることを特徴とする媒体の流速
を測定する装置。 2、中央部(1)が、その周縁に、補強帯板(2、3、
4)に隣接するスリット(5、6、7)を備えている特
許請求の範囲第1項記載の装置。 3、2つの相対する補強帯板(11、12)が、それに
より囲まれた第5の補強帯板(13)を越えて突出しか
つ他の板状部材を有し、該部材上に他の抵抗層(20)
が設けられていて、この板状部材(19)がその補強帯
板 (11、12、13)に接触する周縁にスリット(21
、22、23)を備えている特許請求の範囲第2項記載
の装置。 4、第3の板状部材(25)が、中央部(14)の、第
3の補強帯板(13)に離反している側に配置されてお
り、かつ他のスリット (28)により中央部(14)から分離されている特許
請求の範囲第3項記載の装置。 5、ケイ素から製造される特許請求の範囲第1項記載の
装置。 6、他の抵抗層(19)が温度センサとして使用され、
第3の抵抗層(25)が流れ方向の測定のために使用さ
れる特許請求の範囲第4項記載の装置。 7、抵抗層(8)が、相応にドーピングされた半導体材
料からなる特許請求の範囲第1項記載の装置。 8、抵抗層(8)が、金属、たとえば白金またはニッケ
ルからなる特許請求の範囲第1項記載の装置。 9、抵抗層(8)上および支持体(1)の、抵抗層に離
反している側に、低い熱伝導性を有する層(32、33
、34、35)が、流動媒体と抵抗層(8)との間の局
部的伝熱係数が流れ方向へ少なくとも近似的に一定であ
るように設けられている特許請求の範囲第1項記載の装
置。 10、層(32、33)の厚さが、流れ方向へ連続的に
減少する特許請求の範囲第9項記載の装置。 11、層(34、35)の厚さが、流れ方向へ段階的に
減少する特許請求の範囲第10項記載の装置。 12、補強帯板(2、3、4、11、12、13)が、
約0.25〜1mmの厚さであり、中央部(1、14)
が約0.1mmの厚さである特許請求の範囲第1項記載
の装置。 13、支持体上に絶縁して設けられておりかつ流動媒体
と熱接触している電気的に加熱可能の抵抗層を有する媒
体の流速を測定する装置を製造する方法において、補強
帯板の厚さを有する材料部材を、相応する被覆マスクの
載置後にエッチング工程にかけることを特徴とする媒体
の流速を測定する装置の製造法。 14、エッチング工程が、異方性エッチングである特許
請求の範囲第13項記載の方法。 15、エッチング工程が、等方性エッチングである特許
請求の範囲第13項記載の方法。 16、スリットを、レーザ切断を用いて製造する特許請
求の範囲第13項から第15項までのいずれか1項記載
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863606851 DE3606851A1 (de) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | Anordnung zur messung der stroemungsgeschwindigkeit |
DE3606851.9 | 1986-03-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62266418A true JPS62266418A (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=6295356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62041557A Pending JPS62266418A (ja) | 1986-03-03 | 1987-02-26 | 媒体の流速を測定する装置およびその製造法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4841769A (ja) |
EP (1) | EP0235358B1 (ja) |
JP (1) | JPS62266418A (ja) |
AU (1) | AU6559286A (ja) |
BR (1) | BR8700786A (ja) |
DE (2) | DE3606851A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0276979A3 (en) * | 1987-01-30 | 1989-12-06 | University College Cardiff Consultants Ltd. | Microenvironmental sensors |
DE3915872A1 (de) * | 1988-08-04 | 1990-02-08 | Pierburg Gmbh | Vorrichtung zur halterung eines plattenfoermig ausgebildeten elektrischen duennschichtwiderstandes |
DE3843746C1 (ja) * | 1988-12-24 | 1990-07-12 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De | |
DE4102920A1 (de) * | 1990-01-31 | 1991-08-22 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zur messung der wirbelfrequenz |
DE9006967U1 (de) * | 1990-06-22 | 1991-10-24 | Sensycon Gesellschaft für industrielle Sensorsysteme und Prozessleittechnik mbH, 30179 Hannover | Widerstandselement |
US5201221A (en) * | 1991-03-15 | 1993-04-13 | Ford Motor Company | Flow sensor and method of manufacture |
DE4115040A1 (de) * | 1991-05-08 | 1992-11-12 | Bosch Gmbh Robert | Messelement |
DE4338890A1 (de) * | 1993-02-25 | 1994-09-01 | Bosch Gmbh Robert | Massenflußsensor |
CN1268899C (zh) * | 2000-05-02 | 2006-08-09 | 株式会社日立制作所 | 物理量检测装置及其制造方法及使用该装置的车辆控制*** |
EP1350078B1 (de) * | 2001-01-10 | 2018-02-14 | Sensirion Holding AG | Mikromechanischer flusssensor mit tensiler beschichtung |
US8262475B2 (en) * | 2008-07-15 | 2012-09-11 | Shuffle Master, Inc. | Chipless table split screen feature |
DE102010020190A1 (de) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | Sendsor Gmbh | Laserstrukturierte Sensoreinheit |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6188532A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-05-06 | ハネウエル・インコーポレーテツド | 集積半導体デバイスとその製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1488012A (en) * | 1975-09-18 | 1977-10-05 | Hawker Siddeley Dynamics Eng | Mass flow transducers |
DE2925975A1 (de) * | 1979-06-27 | 1981-01-15 | Siemens Ag | Mengendurchflussmesser |
US4696188A (en) * | 1981-10-09 | 1987-09-29 | Honeywell Inc. | Semiconductor device microstructure |
DE3231345C3 (de) * | 1982-08-24 | 1994-11-17 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Sonden zur Messung der Masse und/oder Temperatur eines strömenden Mediums |
US4478076A (en) * | 1982-09-30 | 1984-10-23 | Honeywell Inc. | Flow sensor |
US4478077A (en) * | 1982-09-30 | 1984-10-23 | Honeywell Inc. | Flow sensor |
GB2138566B (en) * | 1983-04-15 | 1987-01-28 | Standard Telephones Cables Ltd | Thermal mass flow sensor for fluids |
US4790181A (en) * | 1983-12-01 | 1988-12-13 | Aine Harry E | Thermal mass flow meter and method of making same |
US4633578A (en) * | 1983-12-01 | 1987-01-06 | Aine Harry E | Miniature thermal fluid flow sensors and batch methods of making same |
DE3515206A1 (de) * | 1984-04-26 | 1985-10-31 | Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi | Direkt-beheizte gasstroemungs-messvorrichtung |
JPS60236024A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-22 | Nippon Soken Inc | 直熱型空気流量センサ |
DE3430075A1 (de) * | 1984-08-16 | 1986-02-27 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum herstellen einer messsonde zur verwendung bei der messung der temperatur oder masse eines stroemenden mediums |
US4732647A (en) * | 1984-10-24 | 1988-03-22 | Aine Harry E | Batch method of making miniature capacitive force transducers assembled in wafer form |
US4561303A (en) * | 1984-12-06 | 1985-12-31 | Ford Motor Company | Mass airflow sensor with backflow detection |
JPS61170618A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 流速検出用半導体センサ |
FR2577362B1 (fr) * | 1985-02-13 | 1987-04-17 | Ebauchesfabrik Eta Ag | Procede de fabrication de resonateurs a quartz a haute frequence |
-
1986
- 1986-03-03 DE DE19863606851 patent/DE3606851A1/de not_active Withdrawn
- 1986-11-08 EP EP86115531A patent/EP0235358B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-08 DE DE8686115531T patent/DE3673393D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-24 AU AU65592/86A patent/AU6559286A/en not_active Abandoned
-
1987
- 1987-02-20 BR BR8700786A patent/BR8700786A/pt unknown
- 1987-02-26 JP JP62041557A patent/JPS62266418A/ja active Pending
- 1987-03-03 US US07/021,300 patent/US4841769A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-21 US US07/314,630 patent/US4915778A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6188532A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-05-06 | ハネウエル・インコーポレーテツド | 集積半導体デバイスとその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0235358A3 (en) | 1988-07-20 |
BR8700786A (pt) | 1987-12-29 |
US4915778A (en) | 1990-04-10 |
EP0235358A2 (de) | 1987-09-09 |
EP0235358B1 (de) | 1990-08-08 |
DE3606851A1 (de) | 1987-09-10 |
DE3673393D1 (de) | 1990-09-13 |
US4841769A (en) | 1989-06-27 |
AU6559286A (en) | 1987-09-10 |
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