JP2842485B2 - 熱式流量センサ - Google Patents
熱式流量センサInfo
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- JP2842485B2 JP2842485B2 JP3102740A JP10274091A JP2842485B2 JP 2842485 B2 JP2842485 B2 JP 2842485B2 JP 3102740 A JP3102740 A JP 3102740A JP 10274091 A JP10274091 A JP 10274091A JP 2842485 B2 JP2842485 B2 JP 2842485B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、エンジンの吸入空気
量を測定する熱式流量センサに関し、特にその流量検出
用感温抵抗素子の改良に関するものである。
量を測定する熱式流量センサに関し、特にその流量検出
用感温抵抗素子の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に自動車のエンジンの電子制御式燃
料噴射装置においては、空燃比制御のためエンジンへの
吸入空気量を精度良く計測することが重要である。この
空気流量センサとして従来ベーン式のものが主流であっ
たが、小型で質量流量が得られ、応答性の良い熱式流量
センサが普及しつつある。この熱式流量センサは吸入空
気中に配設した感温抵抗体に電流を給電して発熱させ、
この発熱体から吸入空気中への伝熱現象を利用したもの
で、検出回路として応答性に優れた定温度測定法が一般
的に用いられている。定温度測定法は発熱体の温度が常
に吸気温度より一定温度高くなるようにブリッジ回路と
差動増幅器とを構成し、発熱体から空気中への伝熱量を
計測する方法である。
料噴射装置においては、空燃比制御のためエンジンへの
吸入空気量を精度良く計測することが重要である。この
空気流量センサとして従来ベーン式のものが主流であっ
たが、小型で質量流量が得られ、応答性の良い熱式流量
センサが普及しつつある。この熱式流量センサは吸入空
気中に配設した感温抵抗体に電流を給電して発熱させ、
この発熱体から吸入空気中への伝熱現象を利用したもの
で、検出回路として応答性に優れた定温度測定法が一般
的に用いられている。定温度測定法は発熱体の温度が常
に吸気温度より一定温度高くなるようにブリッジ回路と
差動増幅器とを構成し、発熱体から空気中への伝熱量を
計測する方法である。
【0003】従来の熱式流量センサの流量検出用素子の
横断平面図を図16に示す。図示した流量検出用素子1
0は例えば特開平2−44211号公報に示されたもの
で、図において、1は絶縁基板、2は発熱用抵抗の温度
を検出する発熱体温度検出用抵抗、5は前記絶縁基板1
上に堆積された白金等の金属薄膜を蛇行形状に加工して
形成された温度依存性を持つ発熱用抵抗、11は保持部
材、12はリードである。以上のように構成された流量
検出用素子は小型で、一枚基板から多くの素子を製作で
きるので量産性に優れている。
横断平面図を図16に示す。図示した流量検出用素子1
0は例えば特開平2−44211号公報に示されたもの
で、図において、1は絶縁基板、2は発熱用抵抗の温度
を検出する発熱体温度検出用抵抗、5は前記絶縁基板1
上に堆積された白金等の金属薄膜を蛇行形状に加工して
形成された温度依存性を持つ発熱用抵抗、11は保持部
材、12はリードである。以上のように構成された流量
検出用素子は小型で、一枚基板から多くの素子を製作で
きるので量産性に優れている。
【0004】以上のような構造の流量検出用素子10
を、図17に示すように、前記絶縁基板上に発熱用抵抗
5と同様な構造を有する流体温度検出用抵抗14が形成
された流体温度検出用素子15とともに流路管16内に
配設する。流量検出用素子10、流体温度検出用素子1
5とともに管壁に設けられた保持部材11により機械的
に固定され、しかも外部制御回路と電気的に接続されて
いる。
を、図17に示すように、前記絶縁基板上に発熱用抵抗
5と同様な構造を有する流体温度検出用抵抗14が形成
された流体温度検出用素子15とともに流路管16内に
配設する。流量検出用素子10、流体温度検出用素子1
5とともに管壁に設けられた保持部材11により機械的
に固定され、しかも外部制御回路と電気的に接続されて
いる。
【0005】また、前記発熱体温度検出用抵抗2と前記
流体温度検出用抵抗14は他の固定抵抗とともに図18
に示すようなブリッジ回路を構成する。前記発熱用抵抗
5はこのブリッジ回路から独立している。図において2
1,22,23は固定抵抗、24は差動増幅器、25は
パワートランジスタ、26は入力端子、27は出力端子
である。固定抵抗22と23の接続点P及び、固定抵抗
21と発熱体温度検出用抵抗2との接続点Qは差動増幅
器23の入力端子に接続されている。差動増幅器24の
出力はパワートランジスタ25を介して上記ブリッジに
接続されている。また、パワートランジスタ25のエミ
ッタ端子には発熱用抵抗5が接続され、発熱用抵抗5の
他端は接地されている。
流体温度検出用抵抗14は他の固定抵抗とともに図18
に示すようなブリッジ回路を構成する。前記発熱用抵抗
5はこのブリッジ回路から独立している。図において2
1,22,23は固定抵抗、24は差動増幅器、25は
パワートランジスタ、26は入力端子、27は出力端子
である。固定抵抗22と23の接続点P及び、固定抵抗
21と発熱体温度検出用抵抗2との接続点Qは差動増幅
器23の入力端子に接続されている。差動増幅器24の
出力はパワートランジスタ25を介して上記ブリッジに
接続されている。また、パワートランジスタ25のエミ
ッタ端子には発熱用抵抗5が接続され、発熱用抵抗5の
他端は接地されている。
【0006】次に動作について説明する。前記ブリッジ
回路は、発熱体温度検出用抵抗2の温度が流体温度検出
用抵抗14の温度よりある一定温度ΔTだけ高いときに
平衡状態となるよう固定抵抗21,22,23の抵抗値
が定められている。言い換えれば、前記ブリッジ回路は
発熱体温度検出用抵抗2と流体温度検出用抵抗14の温
度差が常にΔTとなるように動作する。例えば、両抵抗
の温度差がΔTより小さくなると接続点Qの電位は接続
点Pの電位より低くなり、差動増幅器24の出力電圧が
高レベルとなりトランジスタ25に作用する。その結
果、発熱用抵抗5への供給電力が増大し、発熱用抵抗5
の温度が上昇し、発熱体温度検出用抵抗2の温度も上昇
する。そして、流体温度検出用抵抗14と発熱体温度検
出用抵抗2の温度差がΔTに等しくなると差動増幅器2
4の出力が低レベルとなり、発熱用抵抗5への供給電力
の増加が停止する。
回路は、発熱体温度検出用抵抗2の温度が流体温度検出
用抵抗14の温度よりある一定温度ΔTだけ高いときに
平衡状態となるよう固定抵抗21,22,23の抵抗値
が定められている。言い換えれば、前記ブリッジ回路は
発熱体温度検出用抵抗2と流体温度検出用抵抗14の温
度差が常にΔTとなるように動作する。例えば、両抵抗
の温度差がΔTより小さくなると接続点Qの電位は接続
点Pの電位より低くなり、差動増幅器24の出力電圧が
高レベルとなりトランジスタ25に作用する。その結
果、発熱用抵抗5への供給電力が増大し、発熱用抵抗5
の温度が上昇し、発熱体温度検出用抵抗2の温度も上昇
する。そして、流体温度検出用抵抗14と発熱体温度検
出用抵抗2の温度差がΔTに等しくなると差動増幅器2
4の出力が低レベルとなり、発熱用抵抗5への供給電力
の増加が停止する。
【0007】このように発熱用抵抗5への電力供給を制
御することにより発熱体温度検出用抵抗2と流体温度検
出用抵抗14の温度差が一定に保たれる。この熱平衡状
態において加熱電流Iは流体の質量流量Qmだけの関数
となる。よって加熱電流Iを発熱用抵抗5における電圧
降下として出力端子27において測定することにより質
量流量が検出できる。
御することにより発熱体温度検出用抵抗2と流体温度検
出用抵抗14の温度差が一定に保たれる。この熱平衡状
態において加熱電流Iは流体の質量流量Qmだけの関数
となる。よって加熱電流Iを発熱用抵抗5における電圧
降下として出力端子27において測定することにより質
量流量が検出できる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た熱式流量センサは、発熱用抵抗5の温度を発熱体温度
検出用抵抗2で検出しているため、発熱用抵抗5の熱が
温度検出用抵抗2に熱伝導によって伝わるまでに時間が
必要である。この熱伝導に要する時間はセンサの応答性
に影響し、応答性向上のためにはこの熱伝導時間をでき
る限り短縮しなければならない。熱伝導に要する時間を
短縮するには両抵抗間の距離を短縮すればよいが、従来
の熱式流量センサは上記のように基板の同一平面上に発
熱用抵抗5と温度検出用抵抗2が形成されているため、
両抵抗を近接させるにはエッチング、レーザートリミン
グ等の加工技術に依存する限界がある。また、あまり近
づけすぎると電気的に接触して短絡する恐れもある。
た熱式流量センサは、発熱用抵抗5の温度を発熱体温度
検出用抵抗2で検出しているため、発熱用抵抗5の熱が
温度検出用抵抗2に熱伝導によって伝わるまでに時間が
必要である。この熱伝導に要する時間はセンサの応答性
に影響し、応答性向上のためにはこの熱伝導時間をでき
る限り短縮しなければならない。熱伝導に要する時間を
短縮するには両抵抗間の距離を短縮すればよいが、従来
の熱式流量センサは上記のように基板の同一平面上に発
熱用抵抗5と温度検出用抵抗2が形成されているため、
両抵抗を近接させるにはエッチング、レーザートリミン
グ等の加工技術に依存する限界がある。また、あまり近
づけすぎると電気的に接触して短絡する恐れもある。
【0009】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、応答性を改善することのできる
熱式流量センサを得ることを目的とする。
ためになされたもので、応答性を改善することのできる
熱式流量センサを得ることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる熱式流
量センサは、第1の単結晶シリコン層の第1の面の内側
に形成された発熱用抵抗と、前記発熱用抵抗から前記第
1の単結晶シリコン層の第1の面の裏面側に取出された
配線と、第2の単結晶シリコン層の第1の面の内側に形
成された発熱体温度検出用抵抗と、前記発熱体温度検出
用抵抗から前記第2の単結晶シリコン層の第1の面の裏
面側に取出された配線と、前記第1の単結晶シリコン層
の第1の面と、前記第2の単結晶シリコン層の第1の面
との間に設けられた第1の絶縁層とを有し、前記発熱用
抵抗と前記発熱体温度検出用抵抗とが前記第1の絶縁層
を介して密着配置された流体流量検出用素子を備えたも
のである。
量センサは、第1の単結晶シリコン層の第1の面の内側
に形成された発熱用抵抗と、前記発熱用抵抗から前記第
1の単結晶シリコン層の第1の面の裏面側に取出された
配線と、第2の単結晶シリコン層の第1の面の内側に形
成された発熱体温度検出用抵抗と、前記発熱体温度検出
用抵抗から前記第2の単結晶シリコン層の第1の面の裏
面側に取出された配線と、前記第1の単結晶シリコン層
の第1の面と、前記第2の単結晶シリコン層の第1の面
との間に設けられた第1の絶縁層とを有し、前記発熱用
抵抗と前記発熱体温度検出用抵抗とが前記第1の絶縁層
を介して密着配置された流体流量検出用素子を備えたも
のである。
【0011】
【作用】この発明における熱式流量センサは、発熱用抵
抗と発熱体温度検出用抵抗とが第1の絶縁層を介して密
着配置されたので、発熱用抵抗と発熱体温度検出用抵抗
との間の距離を短くでき、両抵抗間の熱伝導に要する時
間が短縮される。また発熱用抵抗からの取出し配線を第
1の単結晶シリコン層の第1の面の裏面側に取出し、発
熱体温度検出用抵抗からの取出し配線を第2の単結晶シ
リコン層の第1の面の裏面側に取出したので、発熱用抵
抗と発熱体温度検出用抵抗との間の密着配置をより効果
的に実施できる。
抗と発熱体温度検出用抵抗とが第1の絶縁層を介して密
着配置されたので、発熱用抵抗と発熱体温度検出用抵抗
との間の距離を短くでき、両抵抗間の熱伝導に要する時
間が短縮される。また発熱用抵抗からの取出し配線を第
1の単結晶シリコン層の第1の面の裏面側に取出し、発
熱体温度検出用抵抗からの取出し配線を第2の単結晶シ
リコン層の第1の面の裏面側に取出したので、発熱用抵
抗と発熱体温度検出用抵抗との間の密着配置をより効果
的に実施できる。
【0012】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は本発明の第1の実施例を示す熱式流量セン
サにおける流量検出用素子の平面図、図2は図1のII−
II線断面図、図3は同じく図1のIII −III 線断面図で
ある。図において1は単結晶シリコン基板からなる第1
の単結晶シリコン層、2はこの第1の単結晶シリコン層
1に拡散により形成された発熱体温度検出用抵抗、3は
第1の単結晶シリコン層1及び発熱体温度検出用抵抗2
の上に形成されたSiO2やSi3N4 等の第1の絶縁層、4は
第1の絶縁層3上に形成された第2の単結晶シリコン
層、5は第2の単結晶シリコン層4に拡散により形成さ
れた発熱用抵抗、6は第2の単結晶シリコン層4と発熱
用抵抗5の上に形成された第2の絶縁層である。第1の
絶縁膜3上に第2の単結晶シリコン層4を形成する技術
はSOI(Silicon on insulator)技術と呼ばれ、CV
D法により絶縁層上に多結晶シリコンを堆積させ、レー
ザー等により溶融させ、再結晶化させることにより得る
ことができる。
する。図1は本発明の第1の実施例を示す熱式流量セン
サにおける流量検出用素子の平面図、図2は図1のII−
II線断面図、図3は同じく図1のIII −III 線断面図で
ある。図において1は単結晶シリコン基板からなる第1
の単結晶シリコン層、2はこの第1の単結晶シリコン層
1に拡散により形成された発熱体温度検出用抵抗、3は
第1の単結晶シリコン層1及び発熱体温度検出用抵抗2
の上に形成されたSiO2やSi3N4 等の第1の絶縁層、4は
第1の絶縁層3上に形成された第2の単結晶シリコン
層、5は第2の単結晶シリコン層4に拡散により形成さ
れた発熱用抵抗、6は第2の単結晶シリコン層4と発熱
用抵抗5の上に形成された第2の絶縁層である。第1の
絶縁膜3上に第2の単結晶シリコン層4を形成する技術
はSOI(Silicon on insulator)技術と呼ばれ、CV
D法により絶縁層上に多結晶シリコンを堆積させ、レー
ザー等により溶融させ、再結晶化させることにより得る
ことができる。
【0013】第1,第2の絶縁層3,6には発熱体温度
検出用抵抗2および発熱用抵抗5の両端部分にコンタク
トホールがエッチングされ、このコンタクトホールを介
して、絶縁層上に形成されたアルミ配線7,8と前記両
抵抗2,5が電気的に接続される。この場合、第1の絶
縁層3上にアルミ配線7を形成する必要があるため、第
1の絶縁層3を覆っている第2の単結晶シリコン層4と
第2の絶縁層6の両側をエッチングして第1の絶縁層3
の一部を露出させ、その露出した部分にコンタクトホー
ルを形成している。
検出用抵抗2および発熱用抵抗5の両端部分にコンタク
トホールがエッチングされ、このコンタクトホールを介
して、絶縁層上に形成されたアルミ配線7,8と前記両
抵抗2,5が電気的に接続される。この場合、第1の絶
縁層3上にアルミ配線7を形成する必要があるため、第
1の絶縁層3を覆っている第2の単結晶シリコン層4と
第2の絶縁層6の両側をエッチングして第1の絶縁層3
の一部を露出させ、その露出した部分にコンタクトホー
ルを形成している。
【0014】上記のように形成された符号10で示す流
量検出用素子は、図4および図5に示されるように保持
部材11に片持ち構造にて固定され、流量検出用素子1
0の電極取り出し部9と保持部材11に形成されたター
ミナル12がボンディングワイヤ13により電気的に接
続される。
量検出用素子は、図4および図5に示されるように保持
部材11に片持ち構造にて固定され、流量検出用素子1
0の電極取り出し部9と保持部材11に形成されたター
ミナル12がボンディングワイヤ13により電気的に接
続される。
【0015】図6に上記の流量検出用素子10を流体通
路中に配設した状態での断面図を示す。図中15は流体
温度検出用抵抗14が形成された流体温度検出用素子、
16は導管、17は流量検出用導管、18は整流用ネッ
ト、19は駆動回路である。流体温度検出用素子15は
流量検出用素子と同じく保持部材に固定され、ワイヤに
より保持部材上のターミナルと電気的に接続されてい
る。6本のターミナルは駆動回路19へ接続され、図1
8に示したブリッジ回路を構成する。また、発熱用抵抗
5の熱による影響を避けるため、流体温度検出用抵抗1
5は流量検出用抵抗10の上流側に設置されている。
路中に配設した状態での断面図を示す。図中15は流体
温度検出用抵抗14が形成された流体温度検出用素子、
16は導管、17は流量検出用導管、18は整流用ネッ
ト、19は駆動回路である。流体温度検出用素子15は
流量検出用素子と同じく保持部材に固定され、ワイヤに
より保持部材上のターミナルと電気的に接続されてい
る。6本のターミナルは駆動回路19へ接続され、図1
8に示したブリッジ回路を構成する。また、発熱用抵抗
5の熱による影響を避けるため、流体温度検出用抵抗1
5は流量検出用抵抗10の上流側に設置されている。
【0016】上記のように形成された流量検出用素子1
0においては、第1の絶縁層3をサブミクロンのオーダ
ーにまで薄くすることができるので、その上下に位置す
る発熱体温度検出用抵抗2と発熱用抵抗5を非常に近接
させることができ、両抵抗2,5間の熱伝導に要する時
間が短縮される。その結果応答性が向上される。また、
両抵抗間の介在するものが電気絶縁層であるため電気的
な接触の恐れもない。
0においては、第1の絶縁層3をサブミクロンのオーダ
ーにまで薄くすることができるので、その上下に位置す
る発熱体温度検出用抵抗2と発熱用抵抗5を非常に近接
させることができ、両抵抗2,5間の熱伝導に要する時
間が短縮される。その結果応答性が向上される。また、
両抵抗間の介在するものが電気絶縁層であるため電気的
な接触の恐れもない。
【0017】図7に第2の実施例に係わる流量検出用素
子の平面図を示し、図7のVIII−VIII線断面図を図8
に、図7のIX−IX線断面図を図9に各々示す。上記実施
例では第1の絶縁層3の一部を露出させその部分にコン
タクトホールを形成したが、本実施例では、第1の単結
晶シリコン層1の裏面に第3の絶縁層19を形成し、第
1の単結晶シリコン層1の裏面よりコンタクトホールを
形成している。従って、第1の絶縁層3の一部を露出さ
せる必要はない。この場合、アルミ配線7,8が流量検
出用素子10の両面に形成されることになるので、図1
0および図11に示すように、アルミ配線7は保持部材
11のターミナル12に直接半田などの導電性材料によ
り電気的に接続される。アルミ配線8は前記実施例と同
じくボンディングワイヤ13によりターミナル12と接
続される。その他の構成は前記実施例と同様である。こ
の実施例においても、発熱用抵抗2と発熱用抵抗5を非
常に近接させることができ、両抵抗間の熱伝導に要する
時間が短縮される。その結果応答性が向上される。
子の平面図を示し、図7のVIII−VIII線断面図を図8
に、図7のIX−IX線断面図を図9に各々示す。上記実施
例では第1の絶縁層3の一部を露出させその部分にコン
タクトホールを形成したが、本実施例では、第1の単結
晶シリコン層1の裏面に第3の絶縁層19を形成し、第
1の単結晶シリコン層1の裏面よりコンタクトホールを
形成している。従って、第1の絶縁層3の一部を露出さ
せる必要はない。この場合、アルミ配線7,8が流量検
出用素子10の両面に形成されることになるので、図1
0および図11に示すように、アルミ配線7は保持部材
11のターミナル12に直接半田などの導電性材料によ
り電気的に接続される。アルミ配線8は前記実施例と同
じくボンディングワイヤ13によりターミナル12と接
続される。その他の構成は前記実施例と同様である。こ
の実施例においても、発熱用抵抗2と発熱用抵抗5を非
常に近接させることができ、両抵抗間の熱伝導に要する
時間が短縮される。その結果応答性が向上される。
【0018】図12に第3の実施例に係わる流量検出用
素子10の平面図を、図13に図12のXIII−XIII線断
面図を、図14に図12のXIIII −XIIII 線断面図を示
す。構造は第1の実施例と同じであるが、本実施例では
第2の単結晶シリコン層4を形成する方法としてSOI
技術は使わず、2枚の単結晶シリコン基板を張り合わせ
ることによって形成している。その製造方法を図15の
(a)〜(e)に示す。2枚の単結晶シリコン基板を用
意し、一方に発熱体温度検出用抵抗2を、他方に発熱用
抵抗5を拡散により形成する(a)。次に、それぞれの
基板の拡散を施した面にSiO2やSi3N4 等の絶縁層3,6
を形成し(b)、それぞれの単結晶シリコン基板を拡散
深さ程度の厚さに裏面よりエッチングする。そして、一
方の基板の裏面に絶縁層19を形成し(c)、他方の基
板の裏面と陽極接合により接合し、第1の単結晶シリコ
ン層1と第2の単結晶シリコン層4を形成する(d)。
最後に第2,第3の絶縁層6,19にコンタクトホール
をエッチングし、アルミ配線7,8を形成する(e)。
保持部材11との接続方法その他は前記第2の実施例と
同様である。この実施例においても、発熱体温度検出用
抵抗2と発熱用抵抗5を非常に近接して形成することが
でき、両抵抗間の熱伝導に要する時間が短縮され、その
結果応答性が向上される。
素子10の平面図を、図13に図12のXIII−XIII線断
面図を、図14に図12のXIIII −XIIII 線断面図を示
す。構造は第1の実施例と同じであるが、本実施例では
第2の単結晶シリコン層4を形成する方法としてSOI
技術は使わず、2枚の単結晶シリコン基板を張り合わせ
ることによって形成している。その製造方法を図15の
(a)〜(e)に示す。2枚の単結晶シリコン基板を用
意し、一方に発熱体温度検出用抵抗2を、他方に発熱用
抵抗5を拡散により形成する(a)。次に、それぞれの
基板の拡散を施した面にSiO2やSi3N4 等の絶縁層3,6
を形成し(b)、それぞれの単結晶シリコン基板を拡散
深さ程度の厚さに裏面よりエッチングする。そして、一
方の基板の裏面に絶縁層19を形成し(c)、他方の基
板の裏面と陽極接合により接合し、第1の単結晶シリコ
ン層1と第2の単結晶シリコン層4を形成する(d)。
最後に第2,第3の絶縁層6,19にコンタクトホール
をエッチングし、アルミ配線7,8を形成する(e)。
保持部材11との接続方法その他は前記第2の実施例と
同様である。この実施例においても、発熱体温度検出用
抵抗2と発熱用抵抗5を非常に近接して形成することが
でき、両抵抗間の熱伝導に要する時間が短縮され、その
結果応答性が向上される。
【0019】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、発熱用
抵抗と発熱体温度検出用抵抗とが第1の絶縁層を介して
密着配置されたので、発熱用抵抗と発熱体温度検出用抵
抗との間の距離を短くでき、両抵抗間の熱伝導に要する
時間をが短縮することのできる熱式流量センサを得るこ
とができる。また発熱用抵抗からの取出し配線を第1の
単結晶シリコン層の第1の平面の裏面側に取出し、発熱
体温度検出用抵抗からの取出し配線を第2の単結晶シリ
コン層の第1の面の裏面側に取出したので、発熱用抵抗
と発熱体温度検出用抵抗との間をより効果的な密着配置
とすることができ、熱応答性のよい熱式流量センサを得
ることができる。
抵抗と発熱体温度検出用抵抗とが第1の絶縁層を介して
密着配置されたので、発熱用抵抗と発熱体温度検出用抵
抗との間の距離を短くでき、両抵抗間の熱伝導に要する
時間をが短縮することのできる熱式流量センサを得るこ
とができる。また発熱用抵抗からの取出し配線を第1の
単結晶シリコン層の第1の平面の裏面側に取出し、発熱
体温度検出用抵抗からの取出し配線を第2の単結晶シリ
コン層の第1の面の裏面側に取出したので、発熱用抵抗
と発熱体温度検出用抵抗との間をより効果的な密着配置
とすることができ、熱応答性のよい熱式流量センサを得
ることができる。
【図1】この発明の第1の実施例の熱式流量センサにお
ける流量検出用素子の平面図である。
ける流量検出用素子の平面図である。
【図2】図1のII−II線による流量検出用素子の断面図
である。
である。
【図3】図1のIII −III 線による流量検出用素子の断
面図である。
面図である。
【図4】この発明の第1の実施例における保持部材取付
部の平面図である。
部の平面図である。
【図5】図4の保持部材取付部の側面図である。
【図6】この発明における熱式流量センサの導管内取付
部の断面図である。
部の断面図である。
【図7】この発明の第2の実施例の熱式流量センサにお
ける流量検出用素子の平面図である。
ける流量検出用素子の平面図である。
【図8】図7のVIII−VIII線による流量検出用素子の断
面図である。
面図である。
【図9】図7のIX−IX線による流量検出用素子の断面図
である。
である。
【図10】この発明の第2の実施例における保持部材取
付部の平面図である。
付部の平面図である。
【図11】図10のX−X線による保持部材取付部の断
面図である。
面図である。
【図12】この発明の第3の実施例の熱式流量センサに
おける流量検出用素子の平面図である。
おける流量検出用素子の平面図である。
【図13】図12のXIII−XIII線による流量検出用素子
の断面図である。
の断面図である。
【図14】図12のXIIII −XIIII 線による流量検出用
素子の断面図である。
素子の断面図である。
【図15】この発明の第3の実施例における流量検出用
素子の製造工程図である。
素子の製造工程図である。
【図16】従来の流量検出用素子を示す構成図である。
【図17】従来の流量検出用素子の流体通路内設置を示
す図である。
す図である。
【図18】熱式流量センサにおける定温測定法に使用さ
れるブリッジ回路の回路図である。
れるブリッジ回路の回路図である。
1 第1の単結晶シリコン層 2 発熱体温度検出用抵抗 3 第1の絶縁層 4 第2の単結晶シリコン層 5 発熱用抵抗 6 第2の絶縁層 7,8 アルミ配線 10 流量検出用素子
フロントページの続き (72)発明者 別所 三樹生 兵庫県尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電機株式会社 産業システム研究所 内 (56)参考文献 特開 昭57−93212(JP,A) 特開 昭61−88532(JP,A) 特開 昭62−284216(JP,A) 特開 昭62−88364(JP,A) 特開 平2−278766(JP,A) 特開 昭62−123318(JP,A) 特開 昭59−65231(JP,A) 特開 昭61−232661(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01F 1/68 F02D 35/00
Claims (1)
- 【請求項1】 第1の単結晶シリコン層の第1の面の内
側に形成された発熱用抵抗と、前記発熱用抵抗から前記
第1の単結晶シリコン層の第1の面の裏面側に取出され
た配線と、第2の単結晶シリコン層の第1の面の内側に
形成された発熱体温度検出用抵抗と、前記発熱体温度検
出用抵抗から前記第2の単結晶シリコン層の第1の面の
裏面側に取出された配線と、前記第1の単結晶シリコン
層の第1の面と、前記第2の単結晶シリコン層の第1の
面との間に設けられた第1の絶縁層とを有し、前記発熱
用抵抗と前記発熱体温度検出用抵抗とが前記第1の絶縁
層を介して密着配置された流体流量検出用素子を備えた
ことを特徴とする熱式流量センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3102740A JP2842485B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 熱式流量センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3102740A JP2842485B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 熱式流量センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04332822A JPH04332822A (ja) | 1992-11-19 |
JP2842485B2 true JP2842485B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=14335637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3102740A Expired - Fee Related JP2842485B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 熱式流量センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2842485B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108627208A (zh) * | 2017-03-22 | 2018-10-09 | A.O.史密斯公司 | 具有热膜风速计的流量传感器 |
-
1991
- 1991-05-08 JP JP3102740A patent/JP2842485B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108627208A (zh) * | 2017-03-22 | 2018-10-09 | A.O.史密斯公司 | 具有热膜风速计的流量传感器 |
CN108627208B (zh) * | 2017-03-22 | 2020-12-25 | A.O.史密斯公司 | 具有热膜风速计的流量传感器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04332822A (ja) | 1992-11-19 |
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