JPS62262417A - 気相成長用サセプタ - Google Patents
気相成長用サセプタInfo
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- JPS62262417A JPS62262417A JP10589286A JP10589286A JPS62262417A JP S62262417 A JPS62262417 A JP S62262417A JP 10589286 A JP10589286 A JP 10589286A JP 10589286 A JP10589286 A JP 10589286A JP S62262417 A JPS62262417 A JP S62262417A
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- JP
- Japan
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- wafer
- susceptor
- crystal orientation
- counterbore
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
本発明は気相成長装置に係り、特に結晶方位（１００）
のウェハが結晶欠陥であるスリップを発生しないサセプ
タに関する。
のウェハが結晶欠陥であるスリップを発生しないサセプ
タに関する。
気相成長装置は一般に縦型・横型・バレル型等に分類さ
れており、基本的にはサセプタ上に載置した半導体基板
（以下ウェハと記す）を加熱し反応ガスにより気相成長
させている。以下縦型気相成長装着の一例を第３図によ
り述べる。基板１１と石英ベルジャ１２とにより反応室
１３が形成され反応室１３内の回転するサセプタ１４に
は多数のウェハ１５が載置されている。ウェハ１５はサ
セプタ１４の下面に設けたワークコイル１６により訪導
加熱されたサセプタ１４を介して加熱され、サセプタ１
４の中心に設けたノズル１７からキャアガスと混合され
た反応ガスを噴出させることにより、ウェハ１５の表面
に半導体の結晶を成長させている。
れており、基本的にはサセプタ上に載置した半導体基板
（以下ウェハと記す）を加熱し反応ガスにより気相成長
させている。以下縦型気相成長装着の一例を第３図によ
り述べる。基板１１と石英ベルジャ１２とにより反応室
１３が形成され反応室１３内の回転するサセプタ１４に
は多数のウェハ１５が載置されている。ウェハ１５はサ
セプタ１４の下面に設けたワークコイル１６により訪導
加熱されたサセプタ１４を介して加熱され、サセプタ１
４の中心に設けたノズル１７からキャアガスと混合され
た反応ガスを噴出させることにより、ウェハ１５の表面
に半導体の結晶を成長させている。
第４図はウェハの熱履歴の一例を示したもので、前回の
反応ガスを水素ガスと窒素ガスによりパージした後、ヒ
ートアップｌおよび２により極力均熱されるように成長
温度まで加熱されウェハのエツチングが行われる０次い
で成長行程として気相成長が実施され所定の成長後反応
ガスをパージし降温過程に移る。こ・のようにサセプタ
１４の熱によりウェハを加熱しそして冷却する場合ウェ
ハを除熱除冷すると共に、温度を均一にして結晶欠陥で
あるスリップを発生させないことが重要である。またス
リップの発生はウェハの結晶方位により異なることが知
られている。
反応ガスを水素ガスと窒素ガスによりパージした後、ヒ
ートアップｌおよび２により極力均熱されるように成長
温度まで加熱されウェハのエツチングが行われる０次い
で成長行程として気相成長が実施され所定の成長後反応
ガスをパージし降温過程に移る。こ・のようにサセプタ
１４の熱によりウェハを加熱しそして冷却する場合ウェ
ハを除熱除冷すると共に、温度を均一にして結晶欠陥で
あるスリップを発生させないことが重要である。またス
リップの発生はウェハの結晶方位により異なることが知
られている。
［従来技術］
ウェハを均一に加熱冷却させるため従来からサセプタ１
４には、第５図に示すように底面を深さｄｉの凹形球面
にしたザグリ２１が設けられている。このザグリ２１に
結晶方位（１１１）と（１００）のウェハについでザグ
リ２１の底面形状を中央の逃げ１ｄｌ＝０．０５ｍｍ舎
０．１ｍｍ・０．１５ｍｍの３種にしてテストを行った
。
４には、第５図に示すように底面を深さｄｉの凹形球面
にしたザグリ２１が設けられている。このザグリ２１に
結晶方位（１１１）と（１００）のウェハについでザグ
リ２１の底面形状を中央の逃げ１ｄｌ＝０．０５ｍｍ舎
０．１ｍｍ・０．１５ｍｍの３種にしてテストを行った
。
なお結晶方位によって各ウェハかどのように反するかを
確認するため各ザグリ２１には予め厚さ約５ｇｍのＳｔ
を被覆した。これは各ザグリ２１の温度が１０００℃以
上になるとＳｔはウェハに接触することによりウェハに
移動し付着することを利用するためである。
確認するため各ザグリ２１には予め厚さ約５ｇｍのＳｔ
を被覆した。これは各ザグリ２１の温度が１０００℃以
上になるとＳｔはウェハに接触することによりウェハに
移動し付着することを利用するためである。
ここで結晶方位（１１１）かつ４叶のウニ／Ｘを上記３
種の凹形球面にしたザグリ２１に載置し、サセプタ１４
の温度を１１５０℃に加熱した後ウェハの裏面を調査し
た所、全てのウェハにＳｔが移動し付着していると共に
スリップの発生は認められなった。その付着の度合はｄ
ｌ＝０．０５ｍｍの場合ウェハの裏面全体であり、ｄｌ
＝０．１ｍｍの場合はぼ半径の２／３の外方のドーナッ
ツ状であり、ｄｌ＝０．１５ｍｍの場合はぼ半径の１／
２の外方のドーナッツ状であった。従って結晶方位（１
１１）のウェハが気相成長温度１１５０℃に加熱された
場合第６図に示すように第５図のザグリ２１の底面に合
致する方向へ変形したと考えられる。
種の凹形球面にしたザグリ２１に載置し、サセプタ１４
の温度を１１５０℃に加熱した後ウェハの裏面を調査し
た所、全てのウェハにＳｔが移動し付着していると共に
スリップの発生は認められなった。その付着の度合はｄ
ｌ＝０．０５ｍｍの場合ウェハの裏面全体であり、ｄｌ
＝０．１ｍｍの場合はぼ半径の２／３の外方のドーナッ
ツ状であり、ｄｌ＝０．１５ｍｍの場合はぼ半径の１／
２の外方のドーナッツ状であった。従って結晶方位（１
１１）のウェハが気相成長温度１１５０℃に加熱された
場合第６図に示すように第５図のザグリ２１の底面に合
致する方向へ変形したと考えられる。
次に結晶方位（１００）で４叶のウェハを前記した結晶
方位（１１１）の場合と同様に３種のザグリ２１にａ置
し、かつ同一温度に加熱した所ウェハ裏面へのＳｔ移動
は３種のザグリ共全く発生しなかったが、スリップは全
てのウェハの外周部に発生していた。従って比較的スリ
ップの発生し易い結晶方位（１００）のウェハは結晶方
位（ｌ ｌ １）のウェハとは逆に、第７図に示すよう
に第５図のザグリ２１の底面形状とは逆の形状に変形を
していると考えられる。またこのような変形をすること
によりウェハの外周部と中心部とでは温度差が大きくな
りスリップが発生すると考えられる。
方位（１１１）の場合と同様に３種のザグリ２１にａ置
し、かつ同一温度に加熱した所ウェハ裏面へのＳｔ移動
は３種のザグリ共全く発生しなかったが、スリップは全
てのウェハの外周部に発生していた。従って比較的スリ
ップの発生し易い結晶方位（１００）のウェハは結晶方
位（ｌ ｌ １）のウェハとは逆に、第７図に示すよう
に第５図のザグリ２１の底面形状とは逆の形状に変形を
していると考えられる。またこのような変形をすること
によりウェハの外周部と中心部とでは温度差が大きくな
りスリップが発生すると考えられる。
以上の観察から発明者等はザグリ形状と加熱変形するウ
ェハ結晶方位との間に何らかの相関があると判断し、試
行錯誤的なテストの結果本発明を見出した。
ェハ結晶方位との間に何らかの相関があると判断し、試
行錯誤的なテストの結果本発明を見出した。
［発明の目的］
本発明はこのような観点からなされたものでその目的は
、特に結晶方位（Ｚｏｏ）のウェハに対しスリップの発
生しない気相成長用サセプタを提供することにある。
、特に結晶方位（Ｚｏｏ）のウェハに対しスリップの発
生しない気相成長用サセプタを提供することにある。
［発明の要点］
本発明の気相成長用サセプタは、結晶方位（１００）の
半導体基板に対する気相成長装置において、半導体基板
を載置するサセプタのザグリの底面形状を凸球面或いは
凸円錐面にしたことを特徴にしている。
半導体基板に対する気相成長装置において、半導体基板
を載置するサセプタのザグリの底面形状を凸球面或いは
凸円錐面にしたことを特徴にしている。
［発明の実施例］
以下本発明の一実施例を示した第１図について説明する
。ザグリ３１は底面を凸球面にした形状でその球面の半
径は１０ｍないし２０ｍである。
。ザグリ３１は底面を凸球面にした形状でその球面の半
径は１０ｍないし２０ｍである。
このようなザグリ３１に厚さ約５ルｍのＳｉを被覆しそ
の上面に結晶方位（１００）で４叶のウエハを載置し一
般的な加熱として温度６５０℃までは１℃／１秒で加熱
しそれ以後は１°Ｃ／２秒の加熱により１１５０℃まで
昇温させた。その結果ウェハの裏面全体にＳｉの付着が
認められスリップの発生は認められなかった。
の上面に結晶方位（１００）で４叶のウエハを載置し一
般的な加熱として温度６５０℃までは１℃／１秒で加熱
しそれ以後は１°Ｃ／２秒の加熱により１１５０℃まで
昇温させた。その結果ウェハの裏面全体にＳｉの付着が
認められスリップの発生は認められなかった。
なお第２図は本発明の他の実施例を示し、このような底
面が円錐形状のザグリ４１にしてもｆ：ＪＳＩ図の場合
と同様にスリップの発生は認められなかった。また以上
の説明は縦型気相Ｊ＆長装置について述べたが横型およ
びバレル型にも適用可能であることはいうまでもない。
面が円錐形状のザグリ４１にしてもｆ：ＪＳＩ図の場合
と同様にスリップの発生は認められなかった。また以上
の説明は縦型気相Ｊ＆長装置について述べたが横型およ
びバレル型にも適用可能であることはいうまでもない。
［発明の効果］
従来のザグリの底面形状はウェハの結晶方位に関係なく
一定形状であったため、特に結晶方位（１００）のウエ
ハに対しスリップが多発し製品歩留を悪くしていた。し
かしながら本発明のように結晶方位（１００）のウェハ
に対レザグリ形状を凸球面或いは凸円錐面にすることに
より、スリップの発生はなくなって製品歩留は良くなり
生産性が向上する利点を有する。
一定形状であったため、特に結晶方位（１００）のウエ
ハに対しスリップが多発し製品歩留を悪くしていた。し
かしながら本発明のように結晶方位（１００）のウェハ
に対レザグリ形状を凸球面或いは凸円錐面にすることに
より、スリップの発生はなくなって製品歩留は良くなり
生産性が向上する利点を有する。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
他の実施例の断面図、第３図は縦型気相成長装置の一例
の断面図、第４図はウェハの熱履歴の一例を示す線図、
第５図は従来のザグリの断面図、第６図および第７図は
ウェハの変形を示す断面図である。 １４・・・サセプタ、１５・・・半導体基板、３１・４
１・・・ザグリ。
他の実施例の断面図、第３図は縦型気相成長装置の一例
の断面図、第４図はウェハの熱履歴の一例を示す線図、
第５図は従来のザグリの断面図、第６図および第７図は
ウェハの変形を示す断面図である。 １４・・・サセプタ、１５・・・半導体基板、３１・４
１・・・ザグリ。
Claims (1)
- 結晶方位（１００）の半導体基板に対する気相成長装
置において、前記半導体基板を載置するサセプタのザグ
リの底面形状を凸球面或いは凸円錐にしたことを特徴と
する気相成長用サセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10589286A JPS62262417A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 気相成長用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10589286A JPS62262417A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 気相成長用サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62262417A true JPS62262417A (ja) | 1987-11-14 |
Family
ID=14419561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10589286A Pending JPS62262417A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 気相成長用サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62262417A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6916373B2 (en) | 2002-07-18 | 2005-07-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing method |
| US7591908B2 (en) | 2003-08-01 | 2009-09-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
| US8361817B2 (en) | 2009-06-09 | 2013-01-29 | Ricoh Company, Ltd. | Method for manufacturing surface-emitting laser device, optical scanner, image forming apparatus, and oxidation apparatus |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP10589286A patent/JPS62262417A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6916373B2 (en) | 2002-07-18 | 2005-07-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing method |
| US7591908B2 (en) | 2003-08-01 | 2009-09-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
| US8361817B2 (en) | 2009-06-09 | 2013-01-29 | Ricoh Company, Ltd. | Method for manufacturing surface-emitting laser device, optical scanner, image forming apparatus, and oxidation apparatus |
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