JPH0758029A - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
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- JPH0758029A JPH0758029A JP20225593A JP20225593A JPH0758029A JP H0758029 A JPH0758029 A JP H0758029A JP 20225593 A JP20225593 A JP 20225593A JP 20225593 A JP20225593 A JP 20225593A JP H0758029 A JPH0758029 A JP H0758029A
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- JP
- Japan
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- susceptor
- wafer
- silicon carbide
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- carbide film
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 上面14側に形成される炭化珪素膜16aの
膜厚よりも、下面15側に形成される炭化珪素膜16b
の膜厚が厚くなっているサセプタ。 【効果】 サセプタ10下部の収縮を抑制させることが
でき、ウエハ収容部11側壁に形成されたリング形状の
炭化珪素膜16aによるサセプタ10上部における収縮
量の抑制効果と、基台13の下面15側に厚く形成され
た炭化珪素膜16bによる収縮量の抑制効果とをバラン
スさせることができる。したがってウエハ収容部11に
おける底面11aの曲率を所定値に設定することがで
き、気相成長処理等を施す際、ウエハ27を所定値通り
の曲率で底面11aに密着させることができ、この結
果、スリップの発生を防止することができる。
膜厚よりも、下面15側に形成される炭化珪素膜16b
の膜厚が厚くなっているサセプタ。 【効果】 サセプタ10下部の収縮を抑制させることが
でき、ウエハ収容部11側壁に形成されたリング形状の
炭化珪素膜16aによるサセプタ10上部における収縮
量の抑制効果と、基台13の下面15側に厚く形成され
た炭化珪素膜16bによる収縮量の抑制効果とをバラン
スさせることができる。したがってウエハ収容部11に
おける底面11aの曲率を所定値に設定することがで
き、気相成長処理等を施す際、ウエハ27を所定値通り
の曲率で底面11aに密着させることができ、この結
果、スリップの発生を防止することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はサセプタに関し、より詳
細には主として半導体製造プロセスにおいて、耐熱性及
び耐食性を有し、気相成長装置等の高温用治具、加熱台
等に用いられるサセプタに関する。
細には主として半導体製造プロセスにおいて、耐熱性及
び耐食性を有し、気相成長装置等の高温用治具、加熱台
等に用いられるサセプタに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、気相
成長装置を用い、外部と遮断された容器内に置かれたウ
エハ上に反応性ガスを供給し、前記ウエハ上に薄膜を形
成する工程がある。
成長装置を用い、外部と遮断された容器内に置かれたウ
エハ上に反応性ガスを供給し、前記ウエハ上に薄膜を形
成する工程がある。
【0003】図3はこの種の気相成長装置を示した模式
的断面図であり、図中30は気相成長装置を示してい
る。気相成長装置30は石英製のチャンバ31とチャン
バベース32とにより外部と隔離されており、チャンバ
31内の中心線上には略円筒形状の支持台33が回転可
能に配設されている。支持台33上面にはサセプタ20
が取りつけられており、サセプタ20上面には複数個の
ウエハ収容部21が形成され、ウエハ収容部21内には
処理される試料としてのウエハ27が載置されている。
サセプタ20中央には開口部22が形成されており、支
持台33上部には開口部22を貫いてノズル34が接続
されている。ノズル34には複数個のノズル孔34aが
形成されており、支持台33の中空部33aに導入され
た原料ガスがノズル孔34aからウエハ27表面に対
し、略平行に供給されるようになっている。支持台33
周辺におけるチャンバーベース32には原料ガスの排出
口35が形成されている。またサセプタ20の下方には
コイル36が配設されており、サセプタ20が1000
℃前後の温度に誘導加熱されるようになっている。
的断面図であり、図中30は気相成長装置を示してい
る。気相成長装置30は石英製のチャンバ31とチャン
バベース32とにより外部と隔離されており、チャンバ
31内の中心線上には略円筒形状の支持台33が回転可
能に配設されている。支持台33上面にはサセプタ20
が取りつけられており、サセプタ20上面には複数個の
ウエハ収容部21が形成され、ウエハ収容部21内には
処理される試料としてのウエハ27が載置されている。
サセプタ20中央には開口部22が形成されており、支
持台33上部には開口部22を貫いてノズル34が接続
されている。ノズル34には複数個のノズル孔34aが
形成されており、支持台33の中空部33aに導入され
た原料ガスがノズル孔34aからウエハ27表面に対
し、略平行に供給されるようになっている。支持台33
周辺におけるチャンバーベース32には原料ガスの排出
口35が形成されている。またサセプタ20の下方には
コイル36が配設されており、サセプタ20が1000
℃前後の温度に誘導加熱されるようになっている。
【0004】図4は従来のサセプタ20を拡大して示し
た模式図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のX
−X線断面図を示している。基台23は等方性黒鉛材を
用い、例えば直径が約700mm、厚さが約20mmの
円板形状に形成されており、基台23中央には開口部2
2が形成され、開口部22及び基台23の周縁にはアー
ル部23aが形成されている。基台上面24には、ウエ
ハ27の直径よりひと回り大きく、ウエハ27の厚さと
ほぼ同一の深さを有する円形座繰り形状のウエハ収容部
21が複数個形成されている。さらにウエハ収容部21
の底面21aは球面形状に形成されており、ウエハの大
きさ等に基づき、曲率半径Rが所定の値(例えば100
00mm程度)に設定されている。そしてサセプタ20
が加熱されることによりウエハ27が底面21aに密着
して凹形状となり、この後ウエハ27表面に気相成長等
の処理を施せば、ウエハ27上に形成される薄膜(図示
せず)とウエハ27との格子定数差または熱膨張係数差
から生じる応力が作用して前記凹形状が修正され、処理
後におけるウエハ27の変形が防止されるようになって
いる。
た模式図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のX
−X線断面図を示している。基台23は等方性黒鉛材を
用い、例えば直径が約700mm、厚さが約20mmの
円板形状に形成されており、基台23中央には開口部2
2が形成され、開口部22及び基台23の周縁にはアー
ル部23aが形成されている。基台上面24には、ウエ
ハ27の直径よりひと回り大きく、ウエハ27の厚さと
ほぼ同一の深さを有する円形座繰り形状のウエハ収容部
21が複数個形成されている。さらにウエハ収容部21
の底面21aは球面形状に形成されており、ウエハの大
きさ等に基づき、曲率半径Rが所定の値(例えば100
00mm程度)に設定されている。そしてサセプタ20
が加熱されることによりウエハ27が底面21aに密着
して凹形状となり、この後ウエハ27表面に気相成長等
の処理を施せば、ウエハ27上に形成される薄膜(図示
せず)とウエハ27との格子定数差または熱膨張係数差
から生じる応力が作用して前記凹形状が修正され、処理
後におけるウエハ27の変形が防止されるようになって
いる。
【0005】さらにウエハ収容部21を含む基台上面2
4側及び基台下面25側には、これらを完全に覆うよう
にして炭化珪素膜26a、26bが形成されており、炭
化珪素膜26a、26bはCVD法等によりそれぞれ同
一厚さ(略200μm以下)に形成されている。そして
気相成長等の処理を施す際、基台23中の不純物が放出
されてウエハ27や気相成長装置30内が汚染されるの
が防止されるようになっている。
4側及び基台下面25側には、これらを完全に覆うよう
にして炭化珪素膜26a、26bが形成されており、炭
化珪素膜26a、26bはCVD法等によりそれぞれ同
一厚さ(略200μm以下)に形成されている。そして
気相成長等の処理を施す際、基台23中の不純物が放出
されてウエハ27や気相成長装置30内が汚染されるの
が防止されるようになっている。
【0006】ところで上記したサセプタ20において
は、ウエハ収容部21にウエハ27を載置し、気相成長
装置30を用いてウエハ27上に薄膜を成長させる際、
ウエハ27にスリップ(一定の結晶方向に現れる線状の
結晶欠陥)が発生し、ウエハ27の歩留りが低下すると
いう問題があった。この問題を解決するため、ウエハ収
容部21の底面21aの形状に関して種々の提案がなさ
れている。
は、ウエハ収容部21にウエハ27を載置し、気相成長
装置30を用いてウエハ27上に薄膜を成長させる際、
ウエハ27にスリップ(一定の結晶方向に現れる線状の
結晶欠陥)が発生し、ウエハ27の歩留りが低下すると
いう問題があった。この問題を解決するため、ウエハ収
容部21の底面21aの形状に関して種々の提案がなさ
れている。
【0007】図5はウエハ収容部41の球面形状に形成
された底面41a周囲に、溝41bが形成されたサセプ
タ40を示している(特開昭64−89318号公
報)。従来の図4に示したサセプタ20では、基台23
表面に炭化珪素膜26a、26bを成長させる際、ウエ
ハ収容部21における底面21a外周隅部に炭化珪素膜
26aが異常成長して突起(図示せず)が形成され、ウ
エハ27が底面21aに密着せず、不均一な加熱により
熱応力が生じ、スリップが発生するという問題があっ
た。しかし図5に示したサセプタ40を用いてウエハ2
7上に気相成長処理を施す場合、溝41bにより前記突
起の形成が防止されており、ウエハ27が底面41aに
密着するため、前記突起によるスリップの発生は減少し
ている。
された底面41a周囲に、溝41bが形成されたサセプ
タ40を示している(特開昭64−89318号公
報)。従来の図4に示したサセプタ20では、基台23
表面に炭化珪素膜26a、26bを成長させる際、ウエ
ハ収容部21における底面21a外周隅部に炭化珪素膜
26aが異常成長して突起(図示せず)が形成され、ウ
エハ27が底面21aに密着せず、不均一な加熱により
熱応力が生じ、スリップが発生するという問題があっ
た。しかし図5に示したサセプタ40を用いてウエハ2
7上に気相成長処理を施す場合、溝41bにより前記突
起の形成が防止されており、ウエハ27が底面41aに
密着するため、前記突起によるスリップの発生は減少し
ている。
【0008】図6はウエハ収容部51の平面状に形成さ
れた底面51a周囲に、段部51bが形成されたサセプ
タ50を示している(特開昭59−44818号公
報)。サセプタ50を用いてウエハ27上に気相成長処
理を施す場合、上記スリップはウエハ27周辺部のみに
発生し、ウエハ27内部における前記スリップの発生は
抑制されている。
れた底面51a周囲に、段部51bが形成されたサセプ
タ50を示している(特開昭59−44818号公
報)。サセプタ50を用いてウエハ27上に気相成長処
理を施す場合、上記スリップはウエハ27周辺部のみに
発生し、ウエハ27内部における前記スリップの発生は
抑制されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記したサセプタ40
においては、ウエハ収容部41の底面41aに上記した
突起がなくなっても、なおスリップが多く発生するとい
う課題があった。またサセプタ50においてはウエハ2
7外周にスリップが多く発生し、ウエハ27の歩留りが
悪いという課題があった。
においては、ウエハ収容部41の底面41aに上記した
突起がなくなっても、なおスリップが多く発生するとい
う課題があった。またサセプタ50においてはウエハ2
7外周にスリップが多く発生し、ウエハ27の歩留りが
悪いという課題があった。
【0010】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、ウエハにおけるスリップの発生を防止するこ
とができ、ウエハの歩留りを高めることができるサセプ
タを提供することを目的としている。
のであり、ウエハにおけるスリップの発生を防止するこ
とができ、ウエハの歩留りを高めることができるサセプ
タを提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るサセプタは、上面に円形座繰り形状のウ
エハ収容部を有し、炭化珪素膜で被覆されたサセプタに
おいて、上面側に形成される炭化珪素膜厚よりも、下面
側に形成される炭化珪素膜厚が厚くなっていることを特
徴としている。
に本発明に係るサセプタは、上面に円形座繰り形状のウ
エハ収容部を有し、炭化珪素膜で被覆されたサセプタに
おいて、上面側に形成される炭化珪素膜厚よりも、下面
側に形成される炭化珪素膜厚が厚くなっていることを特
徴としている。
【0012】
【作用】本発明者らの研究により、ウエハ収容部の底面
における曲率半径が所定の設定値から大きくずれている
場合、前記ウエハ収容部の中心軸がサセプタの垂線に対
して傾いている場合、あるいは曲率半径が底面各部でば
らついてウエハ収容部の底面が全体として球面を成して
いない場合、ウエハに上記したスリップが発生し易いこ
とが明らかとなった。
における曲率半径が所定の設定値から大きくずれている
場合、前記ウエハ収容部の中心軸がサセプタの垂線に対
して傾いている場合、あるいは曲率半径が底面各部でば
らついてウエハ収容部の底面が全体として球面を成して
いない場合、ウエハに上記したスリップが発生し易いこ
とが明らかとなった。
【0013】また、前記ウエハ収容部の底面が所定の球
面形状に設定された基台でも、該基台表面に炭化珪素膜
が均一な膜厚で形成されると、サセプタは凸状に変形し
易く、前記ウエハ収容部の底面が所定の球面形状になり
難いことを突き止めた。他方、図2(a)に示すように
基台61が平板形状であれば、基台61表面に炭化珪素
膜62、63が均一な膜厚で形成されても、サセプタ6
0は変形しないことが分かった。
面形状に設定された基台でも、該基台表面に炭化珪素膜
が均一な膜厚で形成されると、サセプタは凸状に変形し
易く、前記ウエハ収容部の底面が所定の球面形状になり
難いことを突き止めた。他方、図2(a)に示すように
基台61が平板形状であれば、基台61表面に炭化珪素
膜62、63が均一な膜厚で形成されても、サセプタ6
0は変形しないことが分かった。
【0014】これらの原因について考察すると、熱膨張
係数は黒鉛が約5〜6×10-6/℃、炭化珪素が略4.
4×10-6/℃であり、剛性率は黒鉛に比べて炭化珪素
が大きい。また前記炭化珪素膜が黒鉛で形成された前記
基台表面に形成される反応処理温度は略1200℃以上
であり、熱膨張係数差により前記炭化珪素膜には圧縮応
力、前記基台には引っ張り応力が処理後の冷却過程で発
生する。図2(a)に示したものの場合、サセプタ60
の形状は中心面A−Aに関して上下対称であり、熱膨張
係数差に伴う内部応力がサセプタ60の上部及び下部に
生じても、その大きさはそれぞれ同一となり、相互に打
ち消されて変形は発生しない。一方、図2(b)に示し
た基台71に凹部状のウエハ収容部74が形成されたサ
セプタ70の場合、図2(a)のサセプタ60の場合と
略同様、サセプタ70上部における炭化珪素膜72a、
72c、72d近傍の内部応力とサセプタ70下部にお
ける炭化珪素膜73近傍の内部応力とは相互に打ち消し
合う。しかし、熱膨張率が小さく、かつ剛性率が高い
「タガ」のようなリング形状の炭化珪素膜72bがが基
台71内の上部に埋め込まれた態様になっており、この
結果、サセプタ70上部における基台71の収縮が阻止
され、仮想線で示したようにサセプタ70が凸状に変形
することとなる。
係数は黒鉛が約5〜6×10-6/℃、炭化珪素が略4.
4×10-6/℃であり、剛性率は黒鉛に比べて炭化珪素
が大きい。また前記炭化珪素膜が黒鉛で形成された前記
基台表面に形成される反応処理温度は略1200℃以上
であり、熱膨張係数差により前記炭化珪素膜には圧縮応
力、前記基台には引っ張り応力が処理後の冷却過程で発
生する。図2(a)に示したものの場合、サセプタ60
の形状は中心面A−Aに関して上下対称であり、熱膨張
係数差に伴う内部応力がサセプタ60の上部及び下部に
生じても、その大きさはそれぞれ同一となり、相互に打
ち消されて変形は発生しない。一方、図2(b)に示し
た基台71に凹部状のウエハ収容部74が形成されたサ
セプタ70の場合、図2(a)のサセプタ60の場合と
略同様、サセプタ70上部における炭化珪素膜72a、
72c、72d近傍の内部応力とサセプタ70下部にお
ける炭化珪素膜73近傍の内部応力とは相互に打ち消し
合う。しかし、熱膨張率が小さく、かつ剛性率が高い
「タガ」のようなリング形状の炭化珪素膜72bがが基
台71内の上部に埋め込まれた態様になっており、この
結果、サセプタ70上部における基台71の収縮が阻止
され、仮想線で示したようにサセプタ70が凸状に変形
することとなる。
【0015】上記したサセプタ70における収縮量は基
台71と炭化珪素膜73との厚さの比により制御可能で
あり、基台71上面の炭化珪素膜72a、72b、72
c、72dに比べ、基台71下面の炭化珪素膜73を厚
くすることにより、サセプタ70における上下部間の収
縮差をなくし、サセプタ70の変形を阻止することは可
能である。このようにサセプタ70の変形を阻止すれば
ウエハ収容部74底面が所定の球面形状に保持され、前
記スリップの発生を防止し得ることとなる。
台71と炭化珪素膜73との厚さの比により制御可能で
あり、基台71上面の炭化珪素膜72a、72b、72
c、72dに比べ、基台71下面の炭化珪素膜73を厚
くすることにより、サセプタ70における上下部間の収
縮差をなくし、サセプタ70の変形を阻止することは可
能である。このようにサセプタ70の変形を阻止すれば
ウエハ収容部74底面が所定の球面形状に保持され、前
記スリップの発生を防止し得ることとなる。
【0016】前記基台の下面における炭化珪素膜の膜厚
は、前記基台の上面における炭化珪素膜の膜厚に比べて
40〜80%ほど厚くするのがよい。ただし、製法等の
違いにより黒鉛の熱膨張係数のばらつきが大きく、また
サセプタあるいはウエハ収容部の大きさ、あるいはCV
D法による前記炭化珪素膜の成膜処理温度によっても収
縮量が異なるため、前記基台の上下面における炭化珪素
膜の最適な膜厚比はこれに限定されるものではない。
は、前記基台の上面における炭化珪素膜の膜厚に比べて
40〜80%ほど厚くするのがよい。ただし、製法等の
違いにより黒鉛の熱膨張係数のばらつきが大きく、また
サセプタあるいはウエハ収容部の大きさ、あるいはCV
D法による前記炭化珪素膜の成膜処理温度によっても収
縮量が異なるため、前記基台の上下面における炭化珪素
膜の最適な膜厚比はこれに限定されるものではない。
【0017】本発明に係るサセプタによれば、上面側に
形成される炭化珪素膜厚よりも、下面側に形成される炭
化珪素膜厚が厚くなっているので、サセプタ下部の収縮
が抑制され、ウエハ収容部の側壁に形成されたリング形
状の炭化珪素膜によるサセプタ上部における収縮量の抑
制効果と、前記下面側に厚く形成された前記炭化珪素膜
による収縮量の抑制効果とがバランスすることとなる。
したがって前記ウエハ収容部における底面の曲率が所定
値に設定され、気相成長処理等を施す際、ウエハが所定
値通りの曲率で前記底面に密着し、この結果、スリップ
の発生を防止し得ることとなる。
形成される炭化珪素膜厚よりも、下面側に形成される炭
化珪素膜厚が厚くなっているので、サセプタ下部の収縮
が抑制され、ウエハ収容部の側壁に形成されたリング形
状の炭化珪素膜によるサセプタ上部における収縮量の抑
制効果と、前記下面側に厚く形成された前記炭化珪素膜
による収縮量の抑制効果とがバランスすることとなる。
したがって前記ウエハ収容部における底面の曲率が所定
値に設定され、気相成長処理等を施す際、ウエハが所定
値通りの曲率で前記底面に密着し、この結果、スリップ
の発生を防止し得ることとなる。
【0018】
【実施例】以下、本発明に係るサセプタの実施例を図面
に基づいて説明する。なお、従来例と同一の機能を有す
る構成部品には同一の符号を付すこととする。図1は実
施例に係るサセプタを示した模式図であり、(a)は平
面図、(b)は(a)のX−X線断面図を示している。
基台13は等方性黒鉛材を用い、例えば直径が約700
mm、厚さが約20mmの円板形状に形成されており、
基台13中央には開口部12が形成され、開口部12及
び基台13の周縁にはアール部13aが形成されてい
る。基台上面14には、ウエハ27の直径よりひと回り
大きく、ウエハ27の厚さとほぼ同一の深さを有する円
形座繰り形状のウエハ収容部11が複数個形成されてい
る。さらにウエハ収容部11の底面11aは球面形状に
形成されており、ウエハの大きさ等に基づき、曲率半径
Rが所定の値(例えば10000mm程度)に設定され
ている。そしてサセプタ10が加熱されることによりウ
エハ27が底面11aに密着して凹形状となり、この後
ウエハ27表面に気相成長等の処理を施せば、ウエハ2
7上に形成される薄膜(図示せず)とウエハ27との格
子定数差または熱膨張係数差から生じる応力が作用して
前記凹形状が修正され、処理後におけるウエハ27の変
形が防止されるようになっている。
に基づいて説明する。なお、従来例と同一の機能を有す
る構成部品には同一の符号を付すこととする。図1は実
施例に係るサセプタを示した模式図であり、(a)は平
面図、(b)は(a)のX−X線断面図を示している。
基台13は等方性黒鉛材を用い、例えば直径が約700
mm、厚さが約20mmの円板形状に形成されており、
基台13中央には開口部12が形成され、開口部12及
び基台13の周縁にはアール部13aが形成されてい
る。基台上面14には、ウエハ27の直径よりひと回り
大きく、ウエハ27の厚さとほぼ同一の深さを有する円
形座繰り形状のウエハ収容部11が複数個形成されてい
る。さらにウエハ収容部11の底面11aは球面形状に
形成されており、ウエハの大きさ等に基づき、曲率半径
Rが所定の値(例えば10000mm程度)に設定され
ている。そしてサセプタ10が加熱されることによりウ
エハ27が底面11aに密着して凹形状となり、この後
ウエハ27表面に気相成長等の処理を施せば、ウエハ2
7上に形成される薄膜(図示せず)とウエハ27との格
子定数差または熱膨張係数差から生じる応力が作用して
前記凹形状が修正され、処理後におけるウエハ27の変
形が防止されるようになっている。
【0019】さらにCVD法等により、ウエハ収容部1
1を含む基台上面14側には炭化珪素膜16aが形成さ
れ、基台下面15側には炭化珪素膜16aの膜厚より厚
い炭化珪素膜16bが形成されている。そして気相成長
等の処理を施す際、基台13中の不純物が放出されてウ
エハ27や気相成長装置30(図3)内が汚染されるの
が防止されるようになっている。
1を含む基台上面14側には炭化珪素膜16aが形成さ
れ、基台下面15側には炭化珪素膜16aの膜厚より厚
い炭化珪素膜16bが形成されている。そして気相成長
等の処理を施す際、基台13中の不純物が放出されてウ
エハ27や気相成長装置30(図3)内が汚染されるの
が防止されるようになっている。
【0020】以下に、上記のように構成されたサセプタ
10を使用し、20枚のウエハ27に気相成長させた結
果について説明する。基台11に用いられた黒鉛の熱膨
張率、炭化珪素膜16a、16bの成膜処理温度及び膜
厚条件を下記の表1に示す。なお比較例として、炭化珪
素膜16a、16bの膜厚がともに130μmのものを
用いた。
10を使用し、20枚のウエハ27に気相成長させた結
果について説明する。基台11に用いられた黒鉛の熱膨
張率、炭化珪素膜16a、16bの成膜処理温度及び膜
厚条件を下記の表1に示す。なお比較例として、炭化珪
素膜16a、16bの膜厚がともに130μmのものを
用いた。
【0021】
【表1】
【0022】比較例のものでは、窪み深さDが設定値1
00μmに対し50μmと浅く変形し、気相成長処理し
たウエハ27の40%(20枚中8枚)にスリップが発
生した。しかしながら実施例(1)のものでは、窪み深
さDが設定値100μmに対し90μmになり、気相成
長処理したウエハ27におけるスリップの発生率を10
%以下に抑えることができた。また実施例(2)のもの
では、窪み深さDが設定値100μmに対し95μmに
なり、気相成長処理したウエハ27におけるスリップの
発生率を5%以下に抑えることができた。
00μmに対し50μmと浅く変形し、気相成長処理し
たウエハ27の40%(20枚中8枚)にスリップが発
生した。しかしながら実施例(1)のものでは、窪み深
さDが設定値100μmに対し90μmになり、気相成
長処理したウエハ27におけるスリップの発生率を10
%以下に抑えることができた。また実施例(2)のもの
では、窪み深さDが設定値100μmに対し95μmに
なり、気相成長処理したウエハ27におけるスリップの
発生率を5%以下に抑えることができた。
【0023】この結果から明らかなように、実施例に係
るサセプタでは、上面14側に形成される炭化珪素膜1
6aの膜厚よりも、下面15側に形成される炭化珪素膜
16bの膜厚が厚くなっているので、サセプタ10下部
の収縮を抑制させることができ、ウエハ収容部11側壁
に形成されたリング形状の炭化珪素膜16aによるサセ
プタ10上部における収縮量の抑制効果と、基台13の
下面15側に厚く形成された炭化珪素膜16bによる収
縮量の抑制効果とをバランスさせることができる。した
がってウエハ収容部11における底面11aの曲率を所
定値に設定することができ、気相成長処理等を施す際、
ウエハ27を所定値通りの曲率で底面11aに密着させ
ることができ、この結果、スリップの発生を防止するこ
とができる。
るサセプタでは、上面14側に形成される炭化珪素膜1
6aの膜厚よりも、下面15側に形成される炭化珪素膜
16bの膜厚が厚くなっているので、サセプタ10下部
の収縮を抑制させることができ、ウエハ収容部11側壁
に形成されたリング形状の炭化珪素膜16aによるサセ
プタ10上部における収縮量の抑制効果と、基台13の
下面15側に厚く形成された炭化珪素膜16bによる収
縮量の抑制効果とをバランスさせることができる。した
がってウエハ収容部11における底面11aの曲率を所
定値に設定することができ、気相成長処理等を施す際、
ウエハ27を所定値通りの曲率で底面11aに密着させ
ることができ、この結果、スリップの発生を防止するこ
とができる。
【0024】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るサセプ
タにあっては、上面側に形成される炭化珪素膜厚より
も、下面側に形成される炭化珪素膜厚が厚くなっている
ので、サセプタ下部の収縮を抑制させることができ、ウ
エハ収容部の側壁に形成されたリング形状の炭化珪素膜
によるサセプタ上部における収縮量の抑制効果と、前記
下面側に厚く形成された前記炭化珪素膜による収縮量の
抑制効果とをバランスさせることができる。したがって
前記ウエハ収容部における底面の曲率を所定値に設定す
ることができ、気相成長処理等を施す際、ウエハを所定
値通りの曲率で前記底面に密着させることができ、この
結果、スリップの発生を防止することができる。
タにあっては、上面側に形成される炭化珪素膜厚より
も、下面側に形成される炭化珪素膜厚が厚くなっている
ので、サセプタ下部の収縮を抑制させることができ、ウ
エハ収容部の側壁に形成されたリング形状の炭化珪素膜
によるサセプタ上部における収縮量の抑制効果と、前記
下面側に厚く形成された前記炭化珪素膜による収縮量の
抑制効果とをバランスさせることができる。したがって
前記ウエハ収容部における底面の曲率を所定値に設定す
ることができ、気相成長処理等を施す際、ウエハを所定
値通りの曲率で前記底面に密着させることができ、この
結果、スリップの発生を防止することができる。
【図1】本発明のサセプタに係る実施例を示した模式図
であり、(a)は平面図、(b)は(a)のX−X線断
面図を示している。
であり、(a)は平面図、(b)は(a)のX−X線断
面図を示している。
【図2】黒鉛材の上下面に同一厚さの炭化珪素薄膜が形
成されたものの変形原因を説明するための図であり、
(a)は黒鉛材が平板形状のものの場合、(b)は黒鉛
材に凹部が形成されているものの場合を示している。
成されたものの変形原因を説明するための図であり、
(a)は黒鉛材が平板形状のものの場合、(b)は黒鉛
材に凹部が形成されているものの場合を示している。
【図3】気相成長装置を示した模式的断面図である。
【図4】従来のサセプタ20を示した模式図であり、
(a)は平面図、(b)は(a)のX−X線断面図を示
している。
(a)は平面図、(b)は(a)のX−X線断面図を示
している。
【図5】ウエハ収容部41における球面形状に形成され
た底面41a周囲に、溝41bが形成された従来のサセ
プタ40を示した模式的断面図である。
た底面41a周囲に、溝41bが形成された従来のサセ
プタ40を示した模式的断面図である。
【図6】ウエハ収容部51における平面状に形成された
底面51a周囲に、段部51bが形成された従来のサセ
プタ50を示した模式的断面図である。
底面51a周囲に、段部51bが形成された従来のサセ
プタ50を示した模式的断面図である。
10 サセプタ 11 ウエハ収容部 14 基台上面 15 基台下面 16a、16b 炭化珪素膜
Claims (1)
- 【請求項1】 上面に円形座繰り形状のウエハ収容部を
有し、炭化珪素膜で被覆されたサセプタにおいて、上面
側に形成される炭化珪素膜厚よりも、下面側に形成され
る炭化珪素膜厚が厚くなっていることを特徴とするサセ
プタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20225593A JPH0758029A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20225593A JPH0758029A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | サセプタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0758029A true JPH0758029A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16454522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20225593A Pending JPH0758029A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | サセプタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0758029A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10223546A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長用のサセプタ |
US6932872B2 (en) | 2001-11-16 | 2005-08-23 | Kobe Steel, Ltd. | Heating apparatus using induction heating |
KR100527672B1 (ko) * | 2003-07-25 | 2005-11-28 | 삼성전자주식회사 | 서셉터 및 이를 포함하는 증착 장치 |
KR100684359B1 (ko) * | 2005-11-28 | 2007-02-20 | 주식회사 유진테크 | 서셉터 변형 방지기구 |
JP2008186944A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長用サセプタの設計方法及び気相成長方法 |
CN105637118A (zh) * | 2013-09-27 | 2016-06-01 | Lpe公司 | 涂覆的衬托器和抗弯曲法 |
JP2017022320A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 昭和電工株式会社 | ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置 |
JP2021082793A (ja) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハの製造装置及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
US11694893B2 (en) * | 2016-12-20 | 2023-07-04 | Tokai Carbon Korea Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing parts comprising SiC deposition layer, and manufacturing method therefor |
-
1993
- 1993-08-16 JP JP20225593A patent/JPH0758029A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10223546A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長用のサセプタ |
US6932872B2 (en) | 2001-11-16 | 2005-08-23 | Kobe Steel, Ltd. | Heating apparatus using induction heating |
KR100527672B1 (ko) * | 2003-07-25 | 2005-11-28 | 삼성전자주식회사 | 서셉터 및 이를 포함하는 증착 장치 |
KR100684359B1 (ko) * | 2005-11-28 | 2007-02-20 | 주식회사 유진테크 | 서셉터 변형 방지기구 |
JP2008186944A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長用サセプタの設計方法及び気相成長方法 |
CN105637118A (zh) * | 2013-09-27 | 2016-06-01 | Lpe公司 | 涂覆的衬托器和抗弯曲法 |
JP2017022320A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 昭和電工株式会社 | ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置 |
US11694893B2 (en) * | 2016-12-20 | 2023-07-04 | Tokai Carbon Korea Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing parts comprising SiC deposition layer, and manufacturing method therefor |
JP2021082793A (ja) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハの製造装置及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
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