JPS62259772A - Grinding device provided with roughness measuring device - Google Patents
Grinding device provided with roughness measuring deviceInfo
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- JPS62259772A JPS62259772A JP61102651A JP10265186A JPS62259772A JP S62259772 A JPS62259772 A JP S62259772A JP 61102651 A JP61102651 A JP 61102651A JP 10265186 A JP10265186 A JP 10265186A JP S62259772 A JPS62259772 A JP S62259772A
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発１！１１は、平板状の被加工物の表面を研削する
研削装置、特に、被加工物の研削、洗浄の後、被加工物
の表面アラサを自動的に計測するアラサ計測手段を研削
装置内に組込むことによって、アラサ計謂の自動化を可
１Ｆ−とじた、アラサ計測手段付研削装置に関する。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) This invention 1!11 is a grinding device for grinding the surface of a flat workpiece, especially after grinding and cleaning the workpiece. The present invention relates to a grinding machine with a roughness measuring means that allows automation of so-called roughness by incorporating a roughness measuring means for automatically measuring surface roughness into the grinding machine.
（従来技術）
半導体ウェーへのような平板状の被加工物の表面を研削
する研削装置が、多数知られている。このような研削装
置において１被加工物は、支持テーブルに積載、支持さ
れ、切削手段、たとえば、ディスクグラインダーによっ
て、所定の厚さに研削される。(Prior Art) Many grinding apparatuses are known for grinding the surface of a flat workpiece such as a semiconductor wafer. In such a grinding device, one workpiece is loaded and supported on a support table, and is ground to a predetermined thickness by a cutting means, such as a disc grinder.
この種の研削装置として、たとえば、特許公開公報昭和
５６年１５２５６２号、特許公開公報昭和５７年１５６
１５７号に開示された構成の研削装置が広く利用されて
いる。As this type of grinding device, for example, Patent Publication No. 152562 of 1982, Patent Publication No. 156 of 1982
A grinding device having the configuration disclosed in No. 157 is widely used.
これらの研削装置においては、研削装置は、回転自在に
配設されたロータリーテーブルと、ロータリーテーブル
に組込まれて、半導体ウェーハのような平板状の被加工
物を積載する支持テーブルと、支持テーブル上の被加工
物を切削する研削手段とを具備して構成される。研削手
段は、ロータリーテーブルの上方に位置する複数の研削
ホイールアッセンブリーを備え、研削ホイールアッセン
ブリーは、荒仕上げ用、中仕上げ用、精密仕上げ用の３
種の研削ホイールアッセンブリーから、通常、構成され
る。各研削ホイールアッセンブリーは、被加工物と平行
にその裏面（下面）か位ｌするように、通常、水平に位
置する研削ホイールを備えている。研削ホイールは、天
然または合成のダイヤモンド砥粒、または、立方病窒化
硼素砥粒を結合して成形された研削プレートを有し、軸
線方向、つまり、Ｚ軸方向、の位置が調整可能に構成さ
れる。研削ブレードの砥粒の粒径は、荒仕上げ用、中仕
上げ用、精密仕上げ用の順で小さくなる。In these grinding devices, the grinding device includes a rotary table that is rotatably arranged, a support table that is built into the rotary table and that loads a flat workpiece such as a semiconductor wafer, and a support table that is mounted on the support table. and a grinding means for cutting the workpiece. The grinding means includes a plurality of grinding wheel assemblies located above the rotary table, and the grinding wheel assemblies include three grinding wheel assemblies for rough finishing, semi-finishing, and precision finishing.
Usually consists of a variety of grinding wheel assemblies. Each grinding wheel assembly includes a grinding wheel that is typically positioned horizontally, with its backside (bottom) facing parallel to the workpiece. The grinding wheel has a grinding plate formed by bonding natural or synthetic diamond abrasive grains or cubic boron nitride abrasive grains, and is configured to be adjustable in position in the axial direction, that is, in the Z-axis direction. Ru. The grain size of the abrasive grains of the grinding blade decreases in the order of rough finishing, semi-finishing, and precision finishing.
研削されるべき被加工物は、通常、水平に位置する支持
テーブル上に、たとえば、負圧を利用して吸着され、支
持される。被加工物を支持する支持テーブルは、ロータ
リーテーブルが回転することによって、ロータリーテー
ブルの回りを公転する。他方、研削“ドイールは、高速
回転しながら下降衣、その裏面によって、支持テーブル
上の被加工物を研削する。ロータリーテーブルが回転す
る、 につれて、被加工物は、所定の搬送経路に沿って
搬送され、荒仕上げ用、中仕上げ用、精密仕上げ用の各
研削ホイールによって、その表面が順次研削される。そ
して、ロータリーテーブルか一回転する間に、所定の厚
さに研削され、適当な搬出手段によって、！Ｉ２出され
る。The workpiece to be ground is usually attracted and supported on a horizontally positioned support table using, for example, negative pressure. A support table that supports a workpiece revolves around the rotary table as the rotary table rotates. On the other hand, the grinding wheel grinds the workpiece on the support table with its lower surface while rotating at high speed.As the rotary table rotates, the workpiece is transported along a predetermined transport path. The surface is then sequentially ground by rough finishing, semi-finishing, and precision finishing grinding wheels.Then, during one rotation of the rotary table, it is ground to a predetermined thickness, and then transferred to an appropriate conveyance means. By this, !I2 is issued.
（従来技術の問題点）
上記のような公知の研削装置において、各研削ホイール
の２軸方向の位置によって、その研削代が決まり、また
、そのＺ軸方向の位置は、荒仕上げ用、中仕上げ用、精
密仕上げ用研削ホイールの闇で下方に位置する。そ、し
て、精密仕上げ用研削ホイールのＺ軸方向の位置によっ
て、研削後の被加工物の厚さが決定される。(Problems with the prior art) In the known grinding device as described above, the grinding allowance is determined by the position of each grinding wheel in the two-axis direction, and the position in the Z-axis direction is determined for rough finishing and semi-finishing. For precision finishing, the grinding wheel is located at the bottom. Then, the thickness of the workpiece after grinding is determined by the position of the precision finishing grinding wheel in the Z-axis direction.
被加工物は、所定の厚さに研削されるとともに、損傷せ
ず、所定の表面アラサて切削されることも要求される。The workpiece is required to be ground to a predetermined thickness and to be cut with a predetermined surface roughness without damage.
そのため、各研削ホイールの適切な研削代、回転数等が
、プリセットされる６しかし、研削加工をａ！統するに
つれて、研削ホイールは、次第に摩耗し２時としては破
損する。そして、研削ホイールか摩耗するにつれて、所
定の研削は困難となり、被加工物の研削・面の表面アラ
サは粗くなる。表面アラサが基準値以上の被加工物は、
不良、■として破棄されたり、再研削される。不良品の
発生は、歩留りを直接的に低下させ、また、再研削は、
作業効率を低下させるとともに、不良品を生じて、歩留
りを間接的に低下させる。また、破損した研削ホイール
の破片によって、被加工物か損傷したり、表面アラサが
極端に粗くなり、不良品を生じる。Therefore, the appropriate grinding allowance, rotation speed, etc. for each grinding wheel are preset. Over time, the grinding wheel becomes progressively worn and eventually breaks. As the grinding wheel wears, it becomes difficult to perform the desired grinding, and the surface roughness of the grinding and surface of the workpiece becomes rough. For workpieces whose surface roughness is above the standard value,
It is discarded as defective and ■ or is re-grinded. The occurrence of defective products directly reduces yield, and re-grinding
In addition to reducing work efficiency, it also causes defective products, which indirectly reduces yield. In addition, fragments of the broken grinding wheel may damage the workpiece or make the surface extremely rough, resulting in defective products.
研削ホイールの摩耗状態および破損は、被加工物の研削
面の表面アラサを計測することによって、間接的に把握
できる。そして、表面アラサに対応する研削ホイールの
摩耗状態、破損に応じた適当な処理が、施される。つま
り、表面アラサか基準値以上に粗くなれば、研削ホイー
ルをトレッシングしたり、交換して、歩留りの低下を防
止することか必要とされる。また１表面アラサか極端に
粗い被加工物が、連続的に生じれば、研削ホイールの致
命的な破損に起因するものとして、研削ホイールは交換
される。なお、表面アラサが極端に粗い被加工物が、一
時的に生じた場合は、研削ホイールから分離した破片に
起因することが多く、この場合には、研削ホイールを交
換することなく、継続して使用してもよい。The wear state and damage of the grinding wheel can be indirectly understood by measuring the surface roughness of the grinding surface of the workpiece. Then, appropriate treatment is performed depending on the wear condition and damage of the grinding wheel corresponding to surface roughness. In other words, if the surface roughness exceeds the standard value, it is necessary to tress or replace the grinding wheel to prevent a decrease in yield. Further, if one surface roughness or extremely rough workpiece continues to occur, it is assumed that the grinding wheel has been fatally damaged and the grinding wheel is replaced. In addition, if a workpiece with an extremely rough surface occurs temporarily, it is often caused by debris separated from the grinding wheel, and in this case, the grinding wheel can be continuously removed without replacing it. May be used.
そのため、従来においては、被加工物は、研削装こから
搬出されて収納カセットに収納された後、検査工程に運
ばれ、表面アラサか計測されている。つまり、収納カセ
ットから取出されて、被加工物の全品チェックか行なわ
れる。検査工程において、被加工物の表面アラサは、接
触式表面アラサ計測器によって、作業者がマニュアルで
行なう。そして、計測した表面アラサに応じて、研削ホ
イールのドレッシング、交換の時期を知り、適当な処理
か施される。また、表面アラサが極端に粗かったり、再
研削しても公差内の厚さに研削できない破損した被加工
物は、不良品として除去される。Therefore, conventionally, the workpiece is taken out of the grinding machine and stored in a storage cassette, and then transported to an inspection process to measure surface roughness. In other words, all workpieces are checked after being taken out from the storage cassette. In the inspection process, the surface of the workpiece is manually roughened by an operator using a contact type surface roughening measuring device. Then, depending on the measured surface roughness, it is determined when it is time to dress or replace the grinding wheel, and appropriate treatment is applied. In addition, damaged workpieces that have extremely rough surfaces or cannot be ground to a thickness within tolerance even after re-grinding are removed as defective products.
しかしながら、上記のように、研削装置から搬出されて
、収納カセットに収納された後、表面アラサを計測して
いるため、研削ホイー、ルのドレッシング、交換を卓急
に認識することが難しい。そのため、フィードバックが
迅速に行なえない。つまり、トレッシング、交換の時期
を認識して適当な処置をする迄に、表面アラサか基準値
以上の被加工物を大量に生じる虞れがある。特に、この
ような作業者のマニュアル操作による計測ては、表面ア
ラサを迅速かつ正確に計測することは難しく、効率的な
計測かできない。また被加工物に接触して計測するため
、被加工物を損傷させる虞れがある。However, as described above, since the surface roughness is measured after being carried out from the grinding device and stored in the storage cassette, it is difficult to immediately recognize dressing and replacement of the grinding wheel. Therefore, feedback cannot be provided quickly. In other words, until the time for tracing and replacement is recognized and appropriate measures are taken, there is a risk that a large number of workpieces will be produced whose surfaces are rough or whose surfaces exceed the standard value. In particular, it is difficult to measure surface roughness quickly and accurately with such manual measurement by an operator, and only efficient measurement is possible. Furthermore, since the measurement is performed by contacting the workpiece, there is a risk of damaging the workpiece.
（発明の目的）
この発明は、表面アラサの計測工程を研削装置の工程内
に包含した研削装置、つまり、アラサ開定をインプロセ
スで遂行する研削装置の提供を目的としている。(Objective of the Invention) The object of the present invention is to provide a grinding apparatus that includes a surface roughness measurement process in the process of the grinding apparatus, that is, a grinding apparatus that performs roughness determination in-process.
この目的を達成するため、この発明によれば。 To achieve this objective, according to the invention.
アラサ計膓手段が、研削装置に組込まれ、表面アラサ計
訓がインプロセスで行なえるように構成されている。つ
まり、この発明の研削装とは、洗浄後の被加工物表面に
半導体レンチ−光を照射し、反射光から表面アラサを計
測する光学的ピックアップ手段を備えたアラサ計測手段
と、アラサ計側手段と洗浄後の被加工物とを相対的に接
近させる移送手段とを具備して構成される。The roughening measuring means is incorporated into the grinding device, and the surface roughening measuring means is constructed so that surface roughening can be carried out in-process. In other words, the grinding device of the present invention includes a roughness measuring means equipped with an optical pickup means for irradiating semiconductor wrench light onto the surface of the workpiece after cleaning and measuring the surface roughness from the reflected light, and a roughening meter side means. and a transfer means for bringing the cleaned workpiece relatively close to each other.
このような構成ては、被加工物のアラサ計測は洗浄工程
に連続する工程として、インプロセス化され、自動的に
遂行される。With such a configuration, the roughness measurement of the workpiece is carried out in-process as a step subsequent to the cleaning step, and is automatically performed.
以下１図面を参照しながらこの発明の実施例について詳
細に説明する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to one drawing.
第１図に示すように、この発明に係る研削装置１０は、
シャフト１１に固定されてシャフトとともに反時計方向
に回転するロータリーテーブル１２と、ロータリーテー
ブルに組込まれて、平板状の被加工物、たとえば半導体
ウェーハ１４を積載、支持する複数の支持テーブル１６
と、支持テーブル上の半導体ウェーハを切削する研削手
段１８とを具備している。また、研削装置１０は、ロー
タリーテーブル１２にそれぞれ隣接して位置する、被加
工物の搬入手段２０および搬出手段２２と、切削後の半
導体ウェーハを洗浄する洗浄手段２４とを更に具備して
いる、また、洗浄手段２４の上方に、アラサ計測手段２
６（第３図参照）か配設されている。As shown in FIG. 1, a grinding device 10 according to the present invention includes:
A rotary table 12 that is fixed to the shaft 11 and rotates counterclockwise together with the shaft, and a plurality of support tables 16 that are built into the rotary table and load and support flat workpieces, such as semiconductor wafers 14.
and a grinding means 18 for cutting the semiconductor wafer on the support table. Furthermore, the grinding apparatus 10 further includes workpiece loading means 20 and unloading means 22, which are located adjacent to the rotary table 12, and cleaning means 24 for cleaning the semiconductor wafer after cutting. Further, above the cleaning means 24, an aging measurement means 2 is provided.
6 (see Figure 3).
支持テーブル１６は、実施例ては、ロータリーテーブル
１２上に、等角的に１２個配設され、それ自体は回転し
ないように構成されている。そして、ロータリーテーブ
ルのシャフト１１は、減速手段（図示しない）を介して
、ＤＣモータのような駆動源３０（第２図参照）に連結
されている。駆動源３０の駆動によって、シャフト１１
が回転され、ロータリーテーブル１２は、反時計方向に
低速で回転する。そのため、支持テーブル１６は、ロー
タリーテーブル１２の回転に伴って、シャフト１１を中
心とした円形の公転軌Ｑ２８に沿って、反時計方向に公
転する。In this embodiment, twelve support tables 16 are disposed equiangularly on the rotary table 12, and are configured so as not to rotate themselves. The shaft 11 of the rotary table is connected to a drive source 30 (see FIG. 2) such as a DC motor via a deceleration means (not shown). By driving the drive source 30, the shaft 11
is rotated, and the rotary table 12 rotates counterclockwise at low speed. Therefore, as the rotary table 12 rotates, the support table 16 revolves counterclockwise along a circular orbit Q28 centered on the shaft 11.
また、支持テーブル１６は、少なくともその中央に多数
の細孔を有して形成され、細孔か負圧源に連通され、負
圧か作用することによって、半導体ウェーハ１４を吸着
し、確実に支持する。Further, the support table 16 is formed with a large number of pores at least in its center, and the pores are communicated with a negative pressure source, so that the semiconductor wafer 14 is attracted by the negative pressure and is supported securely. do.
研削手段Ｉ８は、ロータリーテーブル１２の上方に位置
する複数の、実施例では、荒仕上げ用、中仕、上げ用、
精密仕上げ用の３．１の、研削ホイールアッセンブリー
を備えている。荒仕上げ用、中仕上げ用、精密仕上げ用
の研削ホイールアッセンブリー ３２Ａ 、 ３２Ｂ
、 ３２Ｃは、反時計方向に順次配設され、実施例では
、その中心が、支持テーブルの公転軌跡２８に位置する
ようにそれぞれ配設されている。無論、各研削ホイール
アッセンブリーは、支持テーブル上の半導体ウェー八を
研削するように配設されれば足り、シャフト１１に対し
て、半径方向等距離に配設する必要はない。A plurality of grinding means I8 are located above the rotary table 12, and in this embodiment, grinding means for rough finishing, semi-finishing, finishing,
Equipped with a 3.1 grinding wheel assembly for precision finishing. Grinding wheel assembly for rough finishing, semi-finishing and precision finishing 32A, 32B
, 32C are sequentially arranged in a counterclockwise direction, and in the embodiment, they are arranged so that their centers are located on the revolution locus 28 of the support table. Of course, each grinding wheel assembly need only be disposed so as to grind the semiconductor wafer on the support table, and does not need to be disposed at equal distances in the radial direction from the shaft 11.
研削ホイールアッセンブリー３２Ａ 、 ３２Ｂ 、
：１２Ｃは、第２図に示すように、上下方向、いわゆる
、Ｚ軸方向に移動可能かつ回転回旋な支持軸３４Ａ、：
１４Ｂ 、 ３４Ｇと、対応する支持軸に着脱自在に取
付けられた、ディスクグラインダーのような研削ホイー
ル：１６Ａ 、 ３５Ｂ 、 ：１６Ｇとを備えている
。支持軸コ４へ、コ４１１ 、コ４Ｃは、 ＤＣモータ
のような駆動源３７Ａ 、 ３７［１，３７Ｃに連結さ
れ、第１図において、たとえば、反時計方向に高速て回
転する。また、支持軸３４Ａ 、 ：１４Ｂ 、 ３４
Ｃは、別の駆動源３８Ａ 、 ３８Ｂ、３８Ｃに連結さ
れ、Ｚ軸方向に移動回旋に構成されている。支持軸３４
Ａ 、 ：１４Ｂ 、 ：１４ＣのＺ軸方向の位置を精
密に制御するために、駆動源：Ｉ８Ａ 、 ３８８、３
８Ｃは、パルスモータであることか好ましい。Grinding wheel assembly 32A, 32B,
:12C is a support shaft 34A which is rotatable and movable in the vertical direction, so-called Z-axis direction, as shown in FIG.
14B, 34G, and grinding wheels 16A, 35B, 16G, such as disc grinders, which are detachably attached to the corresponding support shafts. The support shafts 4, 411, and 4C are connected to drive sources 37A, 37[1, 37C, such as DC motors, and rotate at high speed, for example, counterclockwise in FIG. 1. In addition, support shafts 34A, :14B, 34
C is connected to other drive sources 38A, 38B, and 38C, and is configured to move and rotate in the Z-axis direction. Support shaft 34
In order to precisely control the position of A, :14B, :14C in the Z-axis direction, a driving source: I8A, 388, 3 is used.
8C is preferably a pulse motor.
研削ホイール：１６Ａ 、 ３６８ 、３６Ｃは、天然
または合成のダイヤモンド砥粒、または、立方品窒化硼
素砥粒を、電鋳加工等によって、結合して成形された研
削プレート４０Ａ 、 ４０Ｂ 、 ４０（：を有して
構成される。研削プレート４０Ａ 、 ４０Ｂ 、４０
Ｃは、第２図かられかるように、水平に配設され、支持
チーツル上の半導体ウェーハ１４に平行に対向して位置
し、半導体ウェーハを所定の研削代たけ研削する。Grinding wheels 16A, 368, 36C are grinding plates 40A, 40B, 40 (: Grinding plates 40A, 40B, 40
As shown in FIG. 2, C is disposed horizontally and is positioned parallel to and facing the semiconductor wafer 14 on the support tool, and grinds the semiconductor wafer by a predetermined grinding allowance.
研削プレート４０Ａ 、 ４０Ｂ 、 ４０Ｃの砥粒の
粒径は。The grain sizes of the abrasive grains of the grinding plates 40A, 40B, and 40C are as follows.
研削ブレード４０Ａから４０Ｇにかけて、順次、小さく
なることはいうまでもない。Needless to say, the size of the grinding blades gradually decreases from 40A to 40G.
半導体ウェーハ１４は、第１図において、右下に図示さ
れた搬入手段２０によって、支持テーブル１６上にｖｉ
載され、研削手段１８によって研削された後、左下に示
す搬出手段２２によって、支持テーブルから排出される
。The semiconductor wafer 14 is placed on the support table 16 by the loading means 20 shown at the lower right in FIG.
After being placed and ground by the grinding means 18, it is discharged from the support table by the carrying-out means 22 shown at the lower left.
第１図に示すように、搬入手段２０は、ベース４２と、
ベースにその一端が旋回可俺に取付けられた旋回アーム
４４と、旋回アームの他端に装着された吸着盤４６とを
備えている。吸着盤４６は、負圧源に連結されており、
その下面に半導体ウェーハ１４を吸着可能に構成される
。半導体ウェーハ１４は、ベルトコンベヤ（図示しない
）によって、搬入テーブル４８に順次供給される。搬入
テーブル４８は回転可能に構成され、搬入テーブルが回
転して、半導体ウェーハ１４か所定位置にきたとき、搬
入手段の吸着５１ｉ４６によって、半導体ウェーハは、
吸着される。１点鎖線て示すように、吸着？Ｊ４６か半
導体ウェーハ１４を吸着した後、旋回アーム４４は、１
点鎖線て示す吸着位置から、反時計方向に旋回し、実線
で示す搬入位置て半導体ウェー八を離反し、支持テーブ
ル上に積・彼する。半導体ウェーハ１４か支持テーブル
１６に積載されて、ロータリーテーブル１２に搬入され
た後、細孔か負圧源に連通され、負正によって、半導体
ウェーハは、支持テーブルに吸着されることはいうまで
もない。ここで、ロータリーテーブル１２の回転に伴な
って、ロータリーテーブル上の支持テーブル１６は、そ
の搬入領域５゜に順次位置する。そして、この搬入領域
５０か旋回アームの離反位置と整列するように、ロータ
リーテーブル１２の回転動作と、旋回アーム４４の旋回
動作とか同期されている。As shown in FIG. 1, the carrying means 20 includes a base 42,
The rotating arm 44 has one end attached to the base so as to be able to rotate, and a suction cup 46 attached to the other end of the rotating arm. The suction cup 46 is connected to a negative pressure source,
It is configured to be able to adsorb a semiconductor wafer 14 on its lower surface. The semiconductor wafers 14 are sequentially supplied to the carry-in table 48 by a belt conveyor (not shown). The carry-in table 48 is configured to be rotatable, and when the carry-in table rotates and the semiconductor wafer 14 comes to a predetermined position, the semiconductor wafer is moved by the suction 51i46 of the carry-in means.
It is adsorbed. Adsorption as shown by the dashed line? After picking up the semiconductor wafer 14, the swing arm 44
From the suction position shown by the dotted chain line, the semiconductor wafer is rotated counterclockwise, separated from the loading position shown by the solid line, and stacked on the support table. After the semiconductor wafer 14 is loaded on the support table 16 and transferred to the rotary table 12, the pores are communicated with a negative pressure source, and it goes without saying that the semiconductor wafer is attracted to the support table by the negative pressure. do not have. Here, as the rotary table 12 rotates, the support tables 16 on the rotary table are sequentially located in the carry-in area 5 degrees. The rotational movement of the rotary table 12 and the turning movement of the turning arm 44 are synchronized so that the carry-in area 50 is aligned with the separated position of the turning arm.
搬入領域５０において、支持テーブル１６に積載され、
吸着された半導体ウェーハ１４は、研削ホイールア・ン
センブソーコ２八、 ３２Ｂ 、 ：１２Ｇによって１
１次研削される。上記のように、支持テーブル１６は、
ロータリーテーブル１２の回転に伴って、公転軌跡２８
に沿って公転する。そして、支持テーブルＩ６が公転軌
跡２８に沿って公転し、領域５６を通過する際、支持テ
ーブル上の半導体ウェーハ１４は、荒仕上げ用研削ホイ
ールアッセンフリー３２Ａによって、まず研削される。In the carry-in area 50, it is loaded on the support table 16,
The adsorbed semiconductor wafer 14 is ground by grinding wheels 28, 32B, :12G.
Primary grinding is performed. As mentioned above, the support table 16 is
As the rotary table 12 rotates, the revolution trajectory 28
revolves along. Then, when the support table I6 revolves along the revolution locus 28 and passes through the region 56, the semiconductor wafer 14 on the support table is first ground by the rough finishing grinding wheel assembly free 32A.
その後、支持チーフル１６か公転軌跡２８に沿って更に
公転し、領域５８に至ると、半導体ウェーハ１４は、中
仕上げ用研削ホイールアッセンブリー３２Ｂによって、
更に研削される。そして、領域６０において、精密仕上
げ用研削ホイールアッセンブリー１２Ｇによって、半導
体ウェーハ１４は最終的な厚さまて研削される。その後
、支持テーブル１６は、更に公転し、搬出領域６１に至
り、搬出手段２２によって、ロータリーテーブル１２か
ら搬出される。Thereafter, the support chifur 16 further revolves along the revolution locus 28 and when it reaches the area 58, the semiconductor wafer 14 is processed by the semi-finishing grinding wheel assembly 32B.
It is further ground. Then, in region 60, semiconductor wafer 14 is ground to the final thickness by precision finishing grinding wheel assembly 12G. Thereafter, the support table 16 further revolves, reaches the carry-out area 61, and is carried out from the rotary table 12 by the carry-out means 22.
搬出手段２２は、搬入手段２０と同様に、ベース６２と
、ベースにその一端が旋回可能に取付けられた旋回アー
ム６４と、旋回アームの他端に装着された吸着盤６６と
を備えて構成されている。吸着盤６６は、負圧源に連結
されており、その下面に半導体ウェー八を吸着可能に構
成されることはいうまでもない。旋回アーム６４は、そ
の吸着盤６６が、搬出領域６１に位置する支持テーブル
１６上の半導体ウェーハ１４を吸着し、排出するように
、ロータリーテーブル■２の回転に同期して旋回する。The carrying-out means 22, like the carrying-in means 20, includes a base 62, a rotating arm 64 whose one end is rotatably attached to the base, and a suction cup 66 attached to the other end of the rotating arm. ing. Needless to say, the suction cup 66 is connected to a negative pressure source and is configured to be able to suction a semiconductor wafer onto its lower surface. The swing arm 64 swings in synchronization with the rotation of the rotary table 2 so that the suction cup 66 picks up the semiconductor wafer 14 on the support table 16 located in the carry-out area 61 and ejects it.
搬入手段２０が吸着位置と離反位置との二位置を有する
のに対して、搬出手段２２は、三位置を有している。つ
まり、搬出領域６１から搬出テーブル６８に至る途中に
、半導体ウェーへの洗浄手段２４かあり、搬出手段２２
は、搬出領域から洗浄手段に半導体ウェーハを搬送し、
その後、洗浄手段２４から搬出テーブルまで、半導体ウ
ェーハを搬送する。While the carrying-in means 20 has two positions, a suction position and a separation position, the carrying-out means 22 has three positions. That is, on the way from the carry-out area 61 to the carry-out table 68, there is a cleaning means 24 for semiconductor wafers, and a carry-out means 22 is provided.
transports the semiconductor wafer from the unloading area to the cleaning means,
Thereafter, the semiconductor wafer is transported from the cleaning means 24 to the unloading table.
第１図かられかるように、洗浄手段２４は、ロータリー
テーブル１２と搬出テーブル６８との間に配置されてい
る。そして、洗浄手段２４は、第３図に示すように、ｆ
ｔ載された半導体ウェーハ１４を吸着する洗浄用支持テ
ーブル７０を備えている。支持テーブル７０は、ＤＣモ
ータのような駆動源７２に連結されて高速回転する。支
持テーブル７０の高速回転中、純水のような洗浄液が半
導体ウェーハ１４に噴出される。洗浄液は、半導体ウェ
ーハ１４に付着している切粉な離反させ、切粉を伴なっ
て流出する。半導体ウェーハ１４から切粉を除去した後
、熱風か半導体ウェー八に噴出され、半導体ウェー八を
乾燥させる。このようにして、半導体ウェーハは、挽浄
される。なお、洗浄液は、高速回転する半導体ウェーハ
１４に噴出されるため、半導体ウェー八に衝突した後、
周囲に飛散する。そのため、洗浄手段の周囲か飛散液に
よって汚染されるのを防止するように、支持テーブルの
上方は、カバー７４によって覆われている。このカバー
７４は、回動ビン７６によって、ハウジング７８に回動
可能に取付けられ、ピストンシリンダ８０の動作に連動
して、回動ビン７５の回りを回動する。つまり、ピスト
ンシリンダのピストン８１の自由端に連結アーム８２の
一端が、回動ビン７５に連結アームの他端がそれぞれ連
結されている。そのため、カバー７８はピストン８１の
往復動作に応じて開閉し、たとえば、ピストンが後退す
ると、カバー７４は、回動ビン７５の回りで反時計方向
に回動し、１点鎖線で示す開放位ｔに移動する。As can be seen from FIG. 1, the cleaning means 24 is arranged between the rotary table 12 and the unloading table 68. Then, the cleaning means 24, as shown in FIG.
A cleaning support table 70 for adsorbing the semiconductor wafer 14 placed thereon is provided. The support table 70 is connected to a drive source 72 such as a DC motor and rotates at high speed. While the support table 70 is rotating at high speed, a cleaning liquid such as pure water is sprayed onto the semiconductor wafer 14 . The cleaning liquid separates chips adhering to the semiconductor wafer 14 and flows out together with the chips. After removing chips from the semiconductor wafer 14, hot air is blown onto the semiconductor wafer 14 to dry the semiconductor wafer 14. In this way, the semiconductor wafer is ground. Note that since the cleaning liquid is sprayed onto the semiconductor wafer 14 rotating at high speed, after colliding with the semiconductor wafer 8,
Spread around. Therefore, the upper part of the support table is covered with a cover 74 to prevent the area around the cleaning means from being contaminated by the splashed liquid. This cover 74 is rotatably attached to the housing 78 by a rotation pin 76 and rotates around the rotation pin 75 in conjunction with the operation of the piston cylinder 80. That is, one end of the connecting arm 82 is connected to the free end of the piston 81 of the piston cylinder, and the other end of the connecting arm is connected to the rotating pin 75, respectively. Therefore, the cover 78 opens and closes in response to the reciprocating movement of the piston 81. For example, when the piston retreats, the cover 74 rotates counterclockwise around the rotation pin 75, and is moved to the open position t shown by the dashed line. Move to.
第３図に示すように、洗浄手段２４の上方に、アラサ計
測手段２６か配設されている。このアラサ計測手段２６
は、光学的ピックアップ手段８６を備え、光学的ピック
アップ手段は、三次元的に移動でき、洗浄後の半導体ウ
ェー八表面にレンゲ−光な照射し、その反射光を受ける
ように構成されている。受光信号は、光導電セルのよう
な光電変換手段８８に送られて電気信号に変換され、研
削装置ｌＯの中央処理ユニット（ＣＰＵ ） ８９で処
理される。As shown in FIG. 3, a roughness measuring means 26 is provided above the cleaning means 24. This roughness measurement means 26
The optical pickup means 86 is provided with an optical pickup means 86, which is movable in three dimensions, and is configured to irradiate the surface of the semiconductor wafer after cleaning with astragalus light and receive the reflected light. The received light signal is sent to a photoelectric conversion means 88 such as a photoconductive cell, converted into an electrical signal, and processed by a central processing unit (CPU) 89 of the grinding apparatus IO.
カバー７４によって洗浄液の飛散を防止しているとはい
え、アラサ計測手段２６を洗浄手段２４に隣接して配設
すると、アラサ計膓手段が汚染される虞れがあり、アラ
サ計測装置は洗浄手段から離反して配設される。そのた
め、アラサ計測のために、アラサ計測手段２６と洗浄後
の半導体ウェーハ１４とを相対的に接近させるための、
移送手段が必要となる。実施例では、移送手段９０は、
洗浄用支持テーブル７０に対向して位置する吸着手段９
２と、吸着手段か先端に取付けられたシャフト９４とを
備え、シャフトは、回転可了近かつ昇降回走に構成され
ている。つまり、シャフト９４は、ＤＣモータのような
駆動源９６に連結されて昇降するとともに、ＤＣモータ
のような駆動源９７に連結されて回転する。シャフト９
４は、駆動源９７によって数回転すれば足り、そのため
、減速手段（図示しない）が駆動源９７とシャフトとの
間に配設されている。吸着り段９２として、負圧利用の
吸着盤や支持テーブルを利用てきる。Although the cover 74 prevents the cleaning liquid from scattering, if the roughness measuring means 26 is disposed adjacent to the cleaning means 24, there is a risk that the roughening measuring means will be contaminated, and the roughness measuring device is It is placed away from the Therefore, for roughness measurement, the roughness measuring means 26 and the cleaned semiconductor wafer 14 are brought relatively close to each other.
Transportation means will be required. In an embodiment, the transport means 90 includes:
Adsorption means 9 located opposite to cleaning support table 70
2 and a shaft 94 attached to the tip of the suction means, and the shaft is configured to be able to rotate almost completely and to move up and down. That is, the shaft 94 is connected to a drive source 96 such as a DC motor to move up and down, and is connected to a drive source 97 such as a DC motor to rotate. shaft 9
4 only needs to be rotated several times by the drive source 97, and therefore a deceleration means (not shown) is disposed between the drive source 97 and the shaft. As the suction stage 92, a suction cup using negative pressure or a support table can be used.
上述したように、搬出手段２２の旋回アーム６４は、搬
出領域６！に位置する支持テーブル１６からの半導体ウ
ェーハ１４を吸着した後、時計方向に洗浄用支持テーブ
ル７０まで旋回する（第１図参照）。黒部、洗浄手段の
カバー７４は既に開放されており、旋回アームか支持テ
ーブル７０上にきたとき、吸着盤６６に作用する負圧が
除去され、半導体ウェーハ１４は支持テーブル７０上に
８＆載される。その後、カバー７４の開閉を妨げない位
置に旋回アーム６４が旋回され、カバーか閉じられ、半
導体ウェーハ１４が、負圧によって、支持テーブル７０
に吸着される。As mentioned above, the pivot arm 64 of the carrying out means 22 is located in the carrying out area 6! After picking up the semiconductor wafer 14 from the support table 16 located at , it rotates clockwise to the cleaning support table 70 (see FIG. 1). In black, the cover 74 of the cleaning means has already been opened, and when the rotating arm is placed on the support table 70, the negative pressure acting on the suction cup 66 is removed and the semiconductor wafer 14 is placed on the support table 70. . Thereafter, the swing arm 64 is rotated to a position that does not interfere with the opening and closing of the cover 74, the cover is closed, and the semiconductor wafer 14 is moved onto the support table 70 by negative pressure.
is adsorbed to.
それから、洗浄液を噴射しながら、支持テーブル７０が
高速で回転され、その後、熱風が供給されて、半導体ウ
ェーハは洗浄、乾燥される。Then, the support table 70 is rotated at high speed while spraying the cleaning liquid, and then hot air is supplied to clean and dry the semiconductor wafer.
洗浄後、カバー７４が開放されると、移送手段９Ｇの駆
動源９６が駆動し、シャフト９４とともに吸着手段９２
を下降させ、負圧を利用して、支持テーブル７０の半導
体ウェーハ１４を吸着手段９２に吸着させる。それから
、第３図に実線で示すように、半導体ウェーハ１４か光
学的ピックアップ手段８６の直下に至るまて、吸、？７
手段９２は上昇する。After cleaning, when the cover 74 is opened, the drive source 96 of the transfer means 9G is driven, and the shaft 94 and the suction means 92 are driven.
is lowered, and the semiconductor wafer 14 on the support table 70 is attracted to the attraction means 92 using negative pressure. Then, as shown by the solid line in FIG. 7
Means 92 rises.
そして、ピックアップ手段８６を利用して、半導体ウェ
ーハ１４の表面アラサか計測される。なお。Then, using the pickup means 86, the surface roughness of the semiconductor wafer 14 is measured. In addition.
研削フレートの研削軌跡、いわゆるソーマークは特定の
方向性を有し、ピックアップ手段８６を利用した表面ア
ラサ計膓におい、ては、ピックアップ手段が、ソーマー
クに対して、相対的に直角に横切る必要かある。実施例
では、ロータリーテーブル１２に配設された支持テーブ
ル１６か回転（自転）しないため、ソーマークは、規則
正しく円彊上に形成される。そのため、駆８ＦｊＪ源９
７を駆動して、吸着手段９２を数回転させると、ピック
アップ手段８６は、吸着手段の回転毎に２度、ソーマー
クを直角に横切ることとなり、表面アラサの計測が容易
に行なえる。また、ピックアップ手段８６を平面的に移
動することによって、広範囲に計測できる。なお、吸着
手段９２を回転させる代りに、吸着手段９２の回りで、
ピックアップ手段８６を回転させるように構成してもよ
い。The grinding locus of the grinding plate, the so-called saw mark, has a specific directionality, and when measuring the surface roughness using the pick-up means 86, it is necessary for the pick-up means to cross the saw mark at a relative right angle. . In the embodiment, since the support table 16 disposed on the rotary table 12 does not rotate (rotate), the saw marks are regularly formed on the convex. Therefore, Kakeru 8FjJ Source 9
7 to rotate the suction means 92 several times, the pickup means 86 crosses the saw mark at right angles twice for each rotation of the suction means, making it easy to measure surface roughness. Further, by moving the pickup means 86 in a plane, measurement can be performed over a wide range. Note that instead of rotating the suction means 92, around the suction means 92,
The pickup means 86 may be configured to rotate.
ピックアップ手段８６を利用した計測された表面アラサ
は、ｃｐｕ ８９で、基準値と比較され、基準値以下の
表面アラサの半導体ウェーハ１４は良品とされる。また
、基準値を越える表面アラサの半導体ウェーハ１４につ
いては、再研削するが、不良品として処分されるかが、
ＣＰＵ ８９において判断される。つまり、全ての半導
体ウェーハ１４について、再研削の要有り、良品、不良
品のいづれかに分類され、ＣＰＬＩ ８９に記録され、
この記録に従って、適切な処置が半導体ウェーハに施さ
れる。また、基準値以上の表面アラサか連続して検出さ
れれば、研削ブレード４０Ａ、４０Ｂ 、 ４０Ｇの摩
耗かかなり進んだものと判断され、たとえば、アラーム
ランプか発光したり、警告ブザーが警告を発する等によ
って、研削ブレートのドレッシング、交換が、催告され
る。その場合、研削アッセンブリー：１２Ａ 、 ３２
Ｂ 、３２Ｃによるａ続中の研削の終了後、研削ブレー
ドの支持軸３４八、 ３４８ 、３４Ｃは、上昇し、そ
の初期位置に復帰して待機する。そして、作業員は、研
削ブレード４０Ａ 、 ４０Ｂ 、 ４０Ｇをチェック
し、摩耗の激しい研削ブレードに適当な処置が施こされ
る。つまり、研削ブレードはドレッシングされ、必要な
ら、交換される。The surface roughness measured using the pickup means 86 is compared with a reference value by the CPU 89, and semiconductor wafers 14 whose surface roughness is less than the reference value are determined to be non-defective products. In addition, semiconductor wafers 14 whose surface roughness exceeds the standard value will be re-ground, but it will be determined whether they will be disposed of as defective products or not.
It is determined by the CPU 89. In other words, all semiconductor wafers 14 are classified as requiring re-grinding, non-defective, or defective, and are recorded in CPLI 89.
According to this record, appropriate treatment is applied to the semiconductor wafer. In addition, if surface roughness exceeding the standard value is detected continuously, it is determined that the grinding blades 40A, 40B, and 40G have considerably worn out, and, for example, an alarm lamp will light up or a warning buzzer will sound a warning. etc., the dressing and replacement of the grinding blade is requested. In that case, grinding assembly: 12A, 32
After the ongoing grinding by B and 32C is completed, the support shafts 348, 348, and 34C of the grinding blades rise, return to their initial positions, and wait. The worker then checks the grinding blades 40A, 40B, and 40G, and takes appropriate measures for the grinding blades that are severely worn. That is, the grinding blade is dressed and, if necessary, replaced.
ピックアップ手段８６によって、表面アラサの計測され
た半導体ウェーハ１４は、洗浄用支持テーブル７０に戻
され、その後、搬出手段の旋回アーム６４によって、搬
出テーブル６８に搬送される。黒部、洗ｎ１用支持テー
ブル７０に戻すことなく、移送手段の吸着手段９２によ
って、半導体ウェーハ１４を搬出テーブル６８に直接搬
送してもよい、搬出テーブル６８から、半導体ウェーハ
１４は、エンドレスベルトのような搬送手段によって、
収納カセット送られ、所定の順序て収納される。The semiconductor wafer 14 whose surface roughness has been measured is returned to the cleaning support table 70 by the pickup means 86, and then transported to the carry-out table 68 by the rotating arm 64 of the carry-out means. The semiconductor wafer 14 may be directly transported to the unloading table 68 by the suction means 92 of the transporting means without returning to the support table 70 for washing n1. By means of transportation,
The storage cassettes are sent and stored in a predetermined order.
上記のように、半導体ウェーハ毎に、再研削の要有り、
良品、不良品の分類が、ＣＰＵ ８９に記憶されている
ため、その分類に従って、適当な処置か施される。つま
り、再研削の要ありと判断され半導体ウェーハについて
は、研削装置に戻され、再研削される。また、不良品と
された半導体ウェーハについては、収納カセットから取
り出され、破棄される。As mentioned above, re-grinding is required for each semiconductor wafer.
Since the classification of good products and defective products is stored in the CPU 89, appropriate measures are taken according to the classification. In other words, semiconductor wafers that are determined to require re-grinding are returned to the grinding device and are re-ground. Further, semiconductor wafers that are determined to be defective are taken out from the storage cassette and discarded.
なお、ロータリーテーブル１６上の支持テーブル１６は
、ｖＬ出領領域６１半導体ウェーハ１４が除かれた後、
洗浄領域９９において、洗浄され、切粉が支持テーブル
から除去される。その後、支持テーブル１６は、搬入領
域５０において、新たな半導体ウェーハ１４を支持し、
上述の工程か繰り返される。Note that the support table 16 on the rotary table 16 has a
In the cleaning area 99, cleaning and chips are removed from the support table. After that, the support table 16 supports a new semiconductor wafer 14 in the loading area 50,
The above process is repeated.
移送手段９０は、洗浄後の半導体ウェーハ１４をアラサ
計測手段の光学的ピックアップ手段８６の隣接位置、た
とえば、直下に移送すれば足り、実施例の構成に限定さ
れない。たとえば、搬出手段の旋回アーム６４を昇降可
能とし、搬出手段が移送手段を兼務してもよい。この場
合、吸着盤６６、または、ピックアップ手段８６は、回
転回走に構成される。また、洗浄用支持テーブル７０を
昇降可能とし、支持テーブル７０、または、ピックアッ
プ手段８６を回転させてもよい。これらの構成ては、搬
出手段２０、または、洗浄手段２４が、移送手段を兼任
するため、独立した移送手段か不要となり、構成的に簡
潔化てきる利点かある。The transfer means 90 is not limited to the configuration of the embodiment, as it is sufficient to transfer the cleaned semiconductor wafer 14 to a position adjacent to, for example, directly below, the optical pickup means 86 of the roughening measurement means. For example, the rotating arm 64 of the carrying-out means may be movable up and down, and the carrying-out means may also serve as the transporting means. In this case, the suction cup 66 or the pickup means 86 is configured to rotate. Further, the cleaning support table 70 may be made movable up and down, and the support table 70 or the pickup means 86 may be rotated. These configurations have the advantage that the carrying out means 20 or the cleaning means 24 also serve as the transfer means, so that an independent transfer means is not required and the structure is simplified.
上記のように、この発明に係る研削装置においては、被
加工物の表面アラサ計測が、搬入、研削、ｗｌ出、洗浄
などの工程とともに、連続的に、かつ、自動的に遂行さ
れ、いわゆる、インプロセス化される。そのため、正確
、かつ、迅速に表面アラサが計測され、フィードバック
か容易に行なえる。つまり、基準値より大きな表面アラ
サが、被加工物について、連続的に検出されれば、研削
ホイールのトレッシング、交換がなされる。また、表面
アラサの値に応して、被加工物は、たとえば、再研削の
要有り、良品、不良品のいづれかに分類され、その分類
に応じて、適切な処置、たとえば、不良品の排除等か容
易に行なえる。更に、表面アラサの計測か自動化される
ことにより、省力化か可ｆｋとなり、稼動率の向上も期
待できる。加えて、被加工物に接触することなく、表面
アラサか計測されるため、被加工物を損傷させる虞れも
ない。また、広範囲の計測も容易に行なえる。As described above, in the grinding apparatus according to the present invention, surface roughness measurement of the workpiece is carried out continuously and automatically along with steps such as loading, grinding, extraction, and cleaning. Become in-process. Therefore, surface roughness can be measured accurately and quickly, and feedback can be easily provided. That is, if surface roughness larger than the reference value is continuously detected on the workpiece, the grinding wheel is subjected to treading and replaced. Also, depending on the value of the surface roughness, the workpiece is classified as, for example, requiring re-grinding, a good product, or a defective product, and depending on the classification, appropriate measures are taken, such as eliminating the defective product. etc. can be easily done. Furthermore, by automating the measurement of surface roughness, it is possible to save labor and improve the operating rate. In addition, since surface roughness is measured without contacting the workpiece, there is no risk of damaging the workpiece. Furthermore, measurements over a wide range can be easily performed.
上述した実施例は、この発明を説明するためのものてあ
り、この発明を同等限定するものてなく、この発明の技
術範囲内で変形、改造等の施されたものも全てこの発明
に包含されることはいうまてもない。The above-mentioned embodiments are for illustrating the present invention, and are not intended to limit the present invention in the same way, and all modifications and modifications within the technical scope of the present invention are also included in the present invention. Needless to say.
第１図は、この発明の一実施例に係るアラサ計測手段付
研削装置の概略磨面図、
第２図は、ロータリーテーブルと研削手段とを示す、ア
ラサ計測手段付研削装置の部分正面図、第３図は、アラ
サ計測手段と洗浄手段とを示す、アラサ計測手段付研削
装置の部分正面図である１０：アラサ計測手段付研削装
置、１２：ロータリーテ〜フル、１４：半導体ウェーハ
（被加工物）、１６・ロータリーチーフル上の支持テー
ブル、１８：研削手段、２０ 搬入手段、２２：搬出
手段、２４：洗浄手段、２６：アラサ計測手段、２８・
支持テーブルの回転軌跡、３２Ａ 、 ３２８ 、３２
Ｇ ・研削手段の研削ホイールアッセンツソー、 ４Ｏ
Ａ 、４０Ｒ、＝１０Ｃ： ｉ削プレート、４２．６２
・ベース、４４．６４・旋回アーム、４６．６６、吸着
盤、４８：１人ｙ−フル、５ＯＩＪｌｉ人領域、５６．
５８．６ｏ、研削領域、６１：！ｔｌ出領Ｍ、６８：＠
出テーブル、７０：洗浄用支持チルプル、７・トカバー
、８６：光学的ピックアップ手段、８８：光電変換手段
、８９：中央処理ユニット、９ｏ、移送り段、９２：移
送手段の吸着手段、９９．洗浄領域。
代理人 弁理士 東科孝雄 ″ぞ：”−：： 、”：
、７（１ｔ＋−−一、−１
４＋、：・ −１−
じ＼′・二一一一
第１図
第２図FIG. 1 is a schematic polished surface view of a grinding device with a roughness measuring means according to an embodiment of the present invention; FIG. 2 is a partial front view of the grinding device with a roughness measuring means showing a rotary table and a grinding device; FIG. 3 is a partial front view of the grinding device with roughness measuring means, showing roughness measuring means and cleaning means. 16. Support table on rotary chiffle, 18: Grinding means, 20 Carrying means, 22: Carrying out means, 24: Cleaning means, 26: Abrasion measuring means, 28.
Rotation locus of support table, 32A, 328, 32
G ・Grinding wheel assembly saw for grinding means, 4O
A, 40R, = 10C: i-cut plate, 42.62
・Base, 44.64・Swivel arm, 46.66, suction cup, 48:1 person y-full, 5OIJli person area, 56.
58.6o, grinding area, 61:! tl dispatch M, 68: @
Output table, 70: support chill pull for cleaning, 7-cover, 86: optical pickup means, 88: photoelectric conversion means, 89: central processing unit, 9o, transfer stage, 92: suction means for transfer means, 99. cleaning area. Agent: Patent Attorney Takao Toshina “Zo:”-:: ,”:
,7(1t+--1,-1 4+,:・-1- ji\'・2111Figure 1Figure 2
Claims (4)
さに研削する研削装置において、研削後の被加工物を洗
浄する洗浄手段と、洗浄後の被加工物の研削面に半導体
レーザー光を照射し、反射光から表面アラサを計測する
光学的ピックアップ手段を備えたアラサ計測手段と、ア
ラサ計測手段と洗浄後の被加工物とを相対的に接近させ
る移送手段と、を具備することを特徴とするアラサ計測
手段付研削装置。(1) In a grinding device that grinds a workpiece loaded on a support table to a predetermined thickness, there is a cleaning means for cleaning the workpiece after grinding, and a semiconductor laser is applied to the grinding surface of the workpiece after cleaning. A roughening measuring means equipped with an optical pickup means for irradiating light and measuring surface roughness from the reflected light, and a transporting means for bringing the roughness measuring means and the cleaned workpiece relatively close to each other. A grinding device with roughness measuring means.
能な吸着手段を備え、移送手段の吸着手段は下降し、負
圧を利用して、被加工物を吸着し、その後、上昇して、
光学的ピックアップ手段に隣接する位置まで、被加工物
を移送するように構成されている特許請求の範囲第１項
記載のアラサ計測手段付研削装置。(2) The transfer means is equipped with a suction means that is disposed above the cleaning means and can be raised and lowered, and the suction means of the transfer means descends to adsorb the workpiece using negative pressure, and then ascends. do,
A grinding device with roughness measuring means according to claim 1, which is configured to transport a workpiece to a position adjacent to an optical pickup means.
アームは、負圧を利用した吸着盤を有し、吸着盤によっ
て、被加工物を吸着した後、上昇して、光学的ピックア
ップ手段に隣接する位置まで、被加工物を移送するよう
に構成されている特許請求の範囲第１項記載のアラサ計
測手段付研削装置。(3) The transfer means is equipped with a rotating arm that can be raised and lowered, and the rotating arm has a suction cup that uses negative pressure. A grinding device with roughness measuring means according to claim 1, wherein the grinding device is configured to transport a workpiece to a position adjacent to the grinding device.
テーブルを備え、洗浄手段の支持テーブルが、洗浄後の
被加工物を支持したまま上昇して、光学的ピックアップ
手段に隣接する位置まで、被加工物を移送し、洗浄手段
か移送手段としても機能するように構成されている特許
請求の範囲第１項記載のアラサ計測手段付研削装置。(4) The cleaning means includes a liftable support table that supports the workpiece, and the support table of the cleaning means moves up while supporting the cleaned workpiece to a position adjacent to the optical pickup means. 2. A grinding apparatus with roughness measuring means according to claim 1, which is configured to function as a cleaning means or a transfer means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61102651A JPS62259772A (en) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | Grinding device provided with roughness measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61102651A JPS62259772A (en) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | Grinding device provided with roughness measuring device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62259772A true JPS62259772A (en) | 1987-11-12 |
Family
ID=14333148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61102651A Pending JPS62259772A (en) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | Grinding device provided with roughness measuring device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62259772A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010005717A (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | Machining apparatus |
| JP2012032271A (en) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Kobe Steel Ltd | Measuring apparatus |
| JP2017200720A (en) * | 2016-04-28 | 2017-11-09 | 株式会社ジェイテクト | Grinder system |
| JP2018062030A (en) * | 2016-10-12 | 2018-04-19 | 株式会社ディスコ | Processing device and method for processing workpiece |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4889489A (en) * | 1972-02-28 | 1973-11-22 | ||
| JPS6125769A (en) * | 1984-07-11 | 1986-02-04 | Disco Abrasive Sys Ltd | Residual thickness measuring device in grinder |
-
1986
- 1986-05-02 JP JP61102651A patent/JPS62259772A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4889489A (en) * | 1972-02-28 | 1973-11-22 | ||
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