JPS62252967A - 入出力装置 - Google Patents
入出力装置Info
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- JPS62252967A JPS62252967A JP61096146A JP9614686A JPS62252967A JP S62252967 A JPS62252967 A JP S62252967A JP 61096146 A JP61096146 A JP 61096146A JP 9614686 A JP9614686 A JP 9614686A JP S62252967 A JPS62252967 A JP S62252967A
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- Japan
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- output device
- heating resistor
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
且Jしど乱
本発明は、入出力装置、より詳細には、ファクシミリ等
の入出力装置2例えば、感熱記録装置、密着型イメージ
センサに関する。
の入出力装置2例えば、感熱記録装置、密着型イメージ
センサに関する。
史來技地
第6図は、従来の出力装置の一例を示す電気回路図で、
図中、1は発熱抵抗体、2はドライバー、3はラッチ回
路、4はシフトレジスタで、周知のように、画情報はシ
リアルにシフトレジスタ4に入力され、1ライン分の入
力終了後、パラレルにラッチ回路3に入力される。画情
報によりドライバー2をオン、オフさせて発熱抵抗体1
に電流を流して該発熱抵抗体1を発熱させて感熱紙に記
録する。
図中、1は発熱抵抗体、2はドライバー、3はラッチ回
路、4はシフトレジスタで、周知のように、画情報はシ
リアルにシフトレジスタ4に入力され、1ライン分の入
力終了後、パラレルにラッチ回路3に入力される。画情
報によりドライバー2をオン、オフさせて発熱抵抗体1
に電流を流して該発熱抵抗体1を発熱させて感熱紙に記
録する。
第7図は、従来の入力装置の一例を示す電気回路図で、
図中、6は共通側スイッチ素子、7は光センサ、8は個
別側スイッチで、例えばCdSを用いた密着型センサー
では1図示のように、マトリクス型に構成され、MOS
−ICによるスイッチング素子が設けられている。
図中、6は共通側スイッチ素子、7は光センサ、8は個
別側スイッチで、例えばCdSを用いた密着型センサー
では1図示のように、マトリクス型に構成され、MOS
−ICによるスイッチング素子が設けられている。
上述のように、従来装置においては、入力装置と出力装
置が別々に構成され、スイッチング素子及び駆動回路が
各々独立に構成されているため、これが装置の小型化及
びコストダウンに対して大きな障害となっていた。
置が別々に構成され、スイッチング素子及び駆動回路が
各々独立に構成されているため、これが装置の小型化及
びコストダウンに対して大きな障害となっていた。
上述のごとき実情に鑑みて、本出願人は、先に。
上記入力装置及び出力装置のスイッチング素子及び駆動
回路を共通化することにより、装置の小型化、コストダ
ウンを図った入出力装置について提案した。
回路を共通化することにより、装置の小型化、コストダ
ウンを図った入出力装置について提案した。
第8図は、本出願人が先に提案した入出力装置の一例を
説明する概略構成図で、図中、11は抵抗体アレイ、1
2はセンサアレイ、13はスイッチング素子で、発熱抵
抗体11と光電変換素子12は、それぞれ共通電極と個
別電極に接続され、個別電極側はそれぞれ一組づつ共通
に接続されている。また、個別電極はそれぞれスイッチ
ング素子13に接続されている。出力装置として使用す
る場合は、スイッチSWaをVTH側に接続し、各発熱
抵抗体(Ti)に電圧(VTH)を印加する。なお。
説明する概略構成図で、図中、11は抵抗体アレイ、1
2はセンサアレイ、13はスイッチング素子で、発熱抵
抗体11と光電変換素子12は、それぞれ共通電極と個
別電極に接続され、個別電極側はそれぞれ一組づつ共通
に接続されている。また、個別電極はそれぞれスイッチ
ング素子13に接続されている。出力装置として使用す
る場合は、スイッチSWaをVTH側に接続し、各発熱
抵抗体(Ti)に電圧(VTH)を印加する。なお。
スイッチSWbは開放I VBに接続、GNDに接続の
どれでも良いが、以下の説明はGNDに接続したものと
する。また、スイッチSWcはGNDに接続する。
どれでも良いが、以下の説明はGNDに接続したものと
する。また、スイッチSWcはGNDに接続する。
第9図は、スイッチング素子の構成図で、図中、13は
スイッチング素子、14はアンド回路。
スイッチング素子、14はアンド回路。
15はエネーブルシフトレジスタ、16はクロック選択
回路、17はラッチ回路、18はデータシフトレジスタ
である。
回路、17はラッチ回路、18はデータシフトレジスタ
である。
第10図は、動作説明をするためのタイムチャートで、
(1)は出力装置として使用した場合のタイムチャート
、(n)は入力装置として使用した場合のタイムチャー
トで、各個別スイッチ(SW i )はCMO8−IC
等による駆動素子で、図示のごとき回路構成にすると、
記録効率の向上を計ることができ、また、入力装置の駆
動回路としても使用できる。光電変換素子(Si)は照
射された光量に応じて、その抵抗値が変化するもので、
発熱抵抗体の抵抗値と比較して非常に大きいものが良い
。今、発熱抵抗体Tiの抵抗値をRT、光電変換素子S
iの抵抗値をRsとする。
(1)は出力装置として使用した場合のタイムチャート
、(n)は入力装置として使用した場合のタイムチャー
トで、各個別スイッチ(SW i )はCMO8−IC
等による駆動素子で、図示のごとき回路構成にすると、
記録効率の向上を計ることができ、また、入力装置の駆
動回路としても使用できる。光電変換素子(Si)は照
射された光量に応じて、その抵抗値が変化するもので、
発熱抵抗体の抵抗値と比較して非常に大きいものが良い
。今、発熱抵抗体Tiの抵抗値をRT、光電変換素子S
iの抵抗値をRsとする。
画情報に応じ5個別スイッチSWiを開閉し、それによ
り印字を行う、スイッチSWiが開の場合、これは印字
しない場合であるが、この時、電流は発熱抵抗体Ti、
光電変換素子Siを通ってG N D 電流れる。流れ
る電流工9は、I/V=VTH/ (RT + Rs
)であり発熱抵抗体Tiで消費さレル電力P s It
、 P// = I s 2RT=VTH” ・RT/
(R工+Rs)”となる。個別スイッチSWiが閉の場
合、これは印字する場合であるが、この時、電流は発熱
抵抗体Ti、スイッチSwcを通ってGNDに流れる。
り印字を行う、スイッチSWiが開の場合、これは印字
しない場合であるが、この時、電流は発熱抵抗体Ti、
光電変換素子Siを通ってG N D 電流れる。流れ
る電流工9は、I/V=VTH/ (RT + Rs
)であり発熱抵抗体Tiで消費さレル電力P s It
、 P// = I s 2RT=VTH” ・RT/
(R工+Rs)”となる。個別スイッチSWiが閉の場
合、これは印字する場合であるが、この時、電流は発熱
抵抗体Ti、スイッチSwcを通ってGNDに流れる。
流れる電流IBは、l8=I。2・R7= V TH2
/ R7となる。両者の消費電力PNとPBを比較する
と次のようになる。
/ R7となる。両者の消費電力PNとPBを比較する
と次のようになる。
ここで、RT<<R3とすると次のようになる。
P8/P#中(Rs / R7)” >> 1即ちPB
はPNより非常に大きく、PBの時発熱発色し、PNの
時は発熱発色しない。この様に従来のサーマルヘッドと
同等の機能となる。
はPNより非常に大きく、PBの時発熱発色し、PNの
時は発熱発色しない。この様に従来のサーマルヘッドと
同等の機能となる。
入力装置として使用する場合は、スイッチswbをVB
に接続し、各光電変換装置(Si)に電圧(Vs )を
印加する。スイッチSWcは開とする。スイッチSWa
はGNDに接続すると電圧読み取り型となり、開放とす
ると電流読み取り型となる。
に接続し、各光電変換装置(Si)に電圧(Vs )を
印加する。スイッチSWcは開とする。スイッチSWa
はGNDに接続すると電圧読み取り型となり、開放とす
ると電流読み取り型となる。
電流読み取り型の場合、個別スイッチSiを順次1ビツ
トずつオンさせていくと、センサSiの抵抗値に応じた
光電流Ipが増幅器19に流れ込む。このIpを観測す
ることにより画像を読み取る。電圧読み取り型の場合、
光電流IpはTiを通ってGNDに流れている。即ち、
個別端子にはVP=Ip−R工の電圧が現われている。
トずつオンさせていくと、センサSiの抵抗値に応じた
光電流Ipが増幅器19に流れ込む。このIpを観測す
ることにより画像を読み取る。電圧読み取り型の場合、
光電流IpはTiを通ってGNDに流れている。即ち、
個別端子にはVP=Ip−R工の電圧が現われている。
個別スイッチSiを順次1ビツトずつオンさせていくこ
とにより、各素子のVpを増幅器19に入力して画像を
読み取る。
とにより、各素子のVpを増幅器19に入力して画像を
読み取る。
而して、上記入力装置は、駆動回路の共通化を図ったも
のであり、発熱抵抗体、光電変換素子、これらの電極等
の一体構成については何ら開示していない。
のであり、発熱抵抗体、光電変換素子、これらの電極等
の一体構成については何ら開示していない。
また、特開昭57−38061号公報には同一基板上に
発熱抵抗体及び光電変換素子を配設し、かつ駆動回路を
同一基板上に設けることが開示されているが、該公報に
記載された入出力装置はマトリクス駆動型で高速駆動に
適しておらず、また、各素子の位置関係が具体的に開示
されていない等の問題点がある。
発熱抵抗体及び光電変換素子を配設し、かつ駆動回路を
同一基板上に設けることが開示されているが、該公報に
記載された入出力装置はマトリクス駆動型で高速駆動に
適しておらず、また、各素子の位置関係が具体的に開示
されていない等の問題点がある。
目 的
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、
特に、製造工程が容易で、かつ、装置の小型化を計るこ
とのできる一体型の入出力装置を提供することを目的と
してなされたものである。
特に、製造工程が容易で、かつ、装置の小型化を計るこ
とのできる一体型の入出力装置を提供することを目的と
してなされたものである。
崖−一處
本発明は、上記目的を達成するために、一列に配列され
た発熱抵抗体と、一列に配列された光電変換素子とを同
一基板上に略平行に有し、前記発熱抵抗体列及び光電変
換素子列のそれぞれの相対する外側に各々共通電極を構
成し、前記発熱抵抗体列と光電変換素子列との間に各発
熱抵抗体及び光電変換素子に対する個別電極を構成した
ことを特徴としたものである。以下、本発明の実施例に
基いて説明する。
た発熱抵抗体と、一列に配列された光電変換素子とを同
一基板上に略平行に有し、前記発熱抵抗体列及び光電変
換素子列のそれぞれの相対する外側に各々共通電極を構
成し、前記発熱抵抗体列と光電変換素子列との間に各発
熱抵抗体及び光電変換素子に対する個別電極を構成した
ことを特徴としたものである。以下、本発明の実施例に
基いて説明する。
第1図は1本発明による入出力装置の一実施例を説明す
るための断面構成図、第2図は、平面図で、図中、21
は基板、22は発熱抵抗体層。
るための断面構成図、第2図は、平面図で、図中、21
は基板、22は発熱抵抗体層。
23は光電変換素子層、24は発熱抵抗体用共通電極、
25は光電変換素子用共通電極、26は個別電極、27
は配線パッド、28は配線ライン。
25は光電変換素子用共通電極、26は個別電極、27
は配線パッド、28は配線ライン。
29は駆動用IC130はボンディング線、31は絶縁
層で、第5図における参照番号はそれぞれ前記参照番号
に対応して付されている。
層で、第5図における参照番号はそれぞれ前記参照番号
に対応して付されている。
而して、本発明においては、同一基板21上に発熱抵抗
体22及び光電変換素子23を一列に形成するが、これ
は平行に形成することが望ましい。
体22及び光電変換素子23を一列に形成するが、これ
は平行に形成することが望ましい。
発熱抵抗体22の共通電極24は光電変換素子23が形
成されている側と反対側に形成する。又。
成されている側と反対側に形成する。又。
光電変換素子23の共通電極25は発熱抵抗体22が形
成されている側と反対側に形成する0個別電極26は光
電変換素子23と発熱抵抗体22の間に形成し、画素子
を一対づつ接続し、この上に絶縁層(兼保護層)31を
形成し、この上に駆動用IC29と電気的接続をするた
めの各種配線パターン28及びボンディング用パッド2
7を形成する。又、駆動用ICもここに配置し、スイッ
チング端子と個別電極をボンディング線30等により接
続する。
成されている側と反対側に形成する0個別電極26は光
電変換素子23と発熱抵抗体22の間に形成し、画素子
を一対づつ接続し、この上に絶縁層(兼保護層)31を
形成し、この上に駆動用IC29と電気的接続をするた
めの各種配線パターン28及びボンディング用パッド2
7を形成する。又、駆動用ICもここに配置し、スイッ
チング端子と個別電極をボンディング線30等により接
続する。
第3図は、本発明の他の実施例を説明するための断面図
、第4図は、平面図で、図中、第1図及び第2図に示し
た実施例と同様の作用をする部分には第1図及び第2図
の場合と同一の参照番号が付しである。而して、この実
施例は、個別電極26の下部にコンタクトホールを設け
、共通電極24.25、個別電極26の下の導電層27
により個別電極26を共通電極の外側に引き出す。共通
電極の外側に各種配線パターン及び駆動用IC29を設
けることにより、第1図及び第2図と同様の回路が形成
できる。なお、以上は、構成の概略のみを示したもので
あり、他の特性上必要な層は従来と同様であることは言
うまでもない。
、第4図は、平面図で、図中、第1図及び第2図に示し
た実施例と同様の作用をする部分には第1図及び第2図
の場合と同一の参照番号が付しである。而して、この実
施例は、個別電極26の下部にコンタクトホールを設け
、共通電極24.25、個別電極26の下の導電層27
により個別電極26を共通電極の外側に引き出す。共通
電極の外側に各種配線パターン及び駆動用IC29を設
けることにより、第1図及び第2図と同様の回路が形成
できる。なお、以上は、構成の概略のみを示したもので
あり、他の特性上必要な層は従来と同様であることは言
うまでもない。
効ニーー過
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、発熱
抵抗体及び光電変換素子が同一基板上に構成でき、かつ
、駆動回路の共通化が計れるので、低コストでかつコン
パクトな入出力装置が構成できる。
抵抗体及び光電変換素子が同一基板上に構成でき、かつ
、駆動回路の共通化が計れるので、低コストでかつコン
パクトな入出力装置が構成できる。
第1図は、本発明による入出力装置の一実施例を説明す
るための断面図、第2図は、平面図、第3図は、本発明
の他の実施例を説明するための断面図、第4図は、平面
図、第5図は、本発明が適用される電気回路の一例を示
す図、第6図は、従来の出力装置の一例を示す図、第7
図は、従来の入力装置の一例を示す図、第8図は、本出
願人が先に提案した入出力装置の一例を説明するた亀の
概略構成図、第9図は、スイッチング素子の構成例を示
す図、第10図は、その動作説明をするためのタイムチ
ャートである。 21・・・基板、22・・・発熱抵抗体層、23・・・
光電変換素子層、24・・・発熱抵抗体用共通電極、2
5・・・光電変換素子用共通電極、26・・・個別電極
、27・・・配線パッド、28・・・配線ライン、29
・・・駆動用工C130・・・ボンディング線、31・
・・絶縁層。 特許出願人 株式会社 リコー 嘉 1 図 tつ @ 6 図 第 7 図 第 8 図 第 9 図
るための断面図、第2図は、平面図、第3図は、本発明
の他の実施例を説明するための断面図、第4図は、平面
図、第5図は、本発明が適用される電気回路の一例を示
す図、第6図は、従来の出力装置の一例を示す図、第7
図は、従来の入力装置の一例を示す図、第8図は、本出
願人が先に提案した入出力装置の一例を説明するた亀の
概略構成図、第9図は、スイッチング素子の構成例を示
す図、第10図は、その動作説明をするためのタイムチ
ャートである。 21・・・基板、22・・・発熱抵抗体層、23・・・
光電変換素子層、24・・・発熱抵抗体用共通電極、2
5・・・光電変換素子用共通電極、26・・・個別電極
、27・・・配線パッド、28・・・配線ライン、29
・・・駆動用工C130・・・ボンディング線、31・
・・絶縁層。 特許出願人 株式会社 リコー 嘉 1 図 tつ @ 6 図 第 7 図 第 8 図 第 9 図
Claims (3)
- (1)、一列に配列された発熱抵抗体と、一列に配列さ
れた光電変換素子とを同一基板上に略平行に有し、前記
発熱抵抗体列及び光電変換素子列のそれぞれの相対する
外側に各々共通電極を構成し、前記発熱抵抗体列と光電
変換素子列との間に各発熱抵抗体及び光電変換素子に対
する個別電極を構成したことを特徴とする入出力装置。 - (2)、前記個別電極の上に配線パッド及び他の配線ラ
インを設けるとともに駆動用ICを設けたことを特徴と
する特許請求の範囲第(1)項記載の入出力装置。 - (3)、前記個別電極の下に他の導電層を設け、個別電
極端子を該共通電極の外側に引き出したことを特徴とす
る特許請求の範囲第(1)項記載の入出力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61096146A JPS62252967A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 入出力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61096146A JPS62252967A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 入出力装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62252967A true JPS62252967A (ja) | 1987-11-04 |
Family
ID=14157240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61096146A Pending JPS62252967A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 入出力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62252967A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63318157A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Sony Corp | イメ−ジセンサ複合装置 |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP61096146A patent/JPS62252967A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63318157A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Sony Corp | イメ−ジセンサ複合装置 |
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