JPS62252941A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS62252941A JPS62252941A JP9714286A JP9714286A JPS62252941A JP S62252941 A JPS62252941 A JP S62252941A JP 9714286 A JP9714286 A JP 9714286A JP 9714286 A JP9714286 A JP 9714286A JP S62252941 A JPS62252941 A JP S62252941A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 52
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子を製造する装置に関するもので、
特【半導体基板を装置内反応室に出し入れするための搬
送機構に関するものである。
特【半導体基板を装置内反応室に出し入れするための搬
送機構に関するものである。
従来の技術
半導体素子の微細化と平行して半導体基板の大口径化が
進んでいる。これまで人手による搬送が行なわれていた
が、装置内、装置間を含めて自動搬送化が検討されてい
る。しかしながら処理室のウェハの受は渡しに関しては
、処理室に必要な機能を満足させるために、搬送系が不
自由になったり、処理室に必要な機能が制限を受けだり
する事が多い。その−例を第4図に示す。第4図は枚葉
式のドライエツチャーの処理室の概略の構造図を示す図
で、処理室1の上部にウェハ台2が設けられておシ、ウ
ェハ台2は、ウェハ搬送のために上下する機構を有して
いる。真空中でウェハの上下を駆動する事はかなり難し
いので、駆動系は処理室1の外に設けられている。ウェ
ハの上下の機構が優先されているので、真空ポンプによ
る排°気経路はウェハに対して対称位置に設ける事がで
きず、従ってウェハ内の均一性が低下している。真空ポ
ンプの排気経路による圧力の分布は圧力が低くなるに従
って小さくはなるが、1omTorr以下でも圧力の分
布によるエツチングレートのばらつきが認められる。
進んでいる。これまで人手による搬送が行なわれていた
が、装置内、装置間を含めて自動搬送化が検討されてい
る。しかしながら処理室のウェハの受は渡しに関しては
、処理室に必要な機能を満足させるために、搬送系が不
自由になったり、処理室に必要な機能が制限を受けだり
する事が多い。その−例を第4図に示す。第4図は枚葉
式のドライエツチャーの処理室の概略の構造図を示す図
で、処理室1の上部にウェハ台2が設けられておシ、ウ
ェハ台2は、ウェハ搬送のために上下する機構を有して
いる。真空中でウェハの上下を駆動する事はかなり難し
いので、駆動系は処理室1の外に設けられている。ウェ
ハの上下の機構が優先されているので、真空ポンプによ
る排°気経路はウェハに対して対称位置に設ける事がで
きず、従ってウェハ内の均一性が低下している。真空ポ
ンプの排気経路による圧力の分布は圧力が低くなるに従
って小さくはなるが、1omTorr以下でも圧力の分
布によるエツチングレートのばらつきが認められる。
次の例を第5図に示す。第6図は第4図とは逆に、真空
系を搬送系よりも優先して設計した場合である。処理室
1のすぐ下に真空ポンプがあるだめ、エツチングの均一
性は良好であるが、搬送機構に無理が生じやすい。第4
図では、ウェハ台2はカム3を介して上下しているが、
ウェノ・上下の幅があまり大きくとる事ができず、また
動きも正確ではない。
系を搬送系よりも優先して設計した場合である。処理室
1のすぐ下に真空ポンプがあるだめ、エツチングの均一
性は良好であるが、搬送機構に無理が生じやすい。第4
図では、ウェハ台2はカム3を介して上下しているが、
ウェノ・上下の幅があまり大きくとる事ができず、また
動きも正確ではない。
以上の様に、処理室は多くの機能を限られた空間に入れ
込むため互いに制限され不十分な機能しか満足されない
事が多い。第3図、第4図は、RI IE (Reac
tive Ion Eting )装置であれば、さら
にRF電極用のマツチングボックスを設置する必要があ
り、ますます制限は大きくなる。
込むため互いに制限され不十分な機能しか満足されない
事が多い。第3図、第4図は、RI IE (Reac
tive Ion Eting )装置であれば、さら
にRF電極用のマツチングボックスを設置する必要があ
り、ますます制限は大きくなる。
発明が解決しようとする問題点
以上説明した様に、本発明は、排気系と搬送系が相互に
位置の制約を受けて互いに十分な機能を有せないという
問題点を解決しようとするものである。
位置の制約を受けて互いに十分な機能を有せないという
問題点を解決しようとするものである。
問題点を解決するだめの手段
ウェハの上下動をする機構の駆動部を処理室外部に設け
、処理室底部の上下動によりウェハの上下を行なえば、
排気系を制約する比率は減少する。
、処理室底部の上下動によりウェハの上下を行なえば、
排気系を制約する比率は減少する。
枚葉式の装置では、処理室とロードロック室の仕切りパ
ルプは、処理室底部外壁の上下動で行なう事が多いので
、この機構に組み込んでウェハの上下動を行なう事が可
能である。
ルプは、処理室底部外壁の上下動で行なう事が多いので
、この機構に組み込んでウェハの上下動を行なう事が可
能である。
すなわち、処理室底部外壁が第1.第2.第3の位置た
とえば”上” 、”中” 、下”の3つの位置を取り得
る様にシリンダー等で駆動する。処理室底部外壁が”上
” 、′中”の位置にあるときは、ウェハ台は、処理室
底部外壁の位置によらず一定であるが、処理室底部外壁
が”下”の位置にあるときは、処理室底部外壁が下降す
るにつれてウェハ台も下降する様にする。ウェハの受は
渡しは必ず処理室底部外壁は”中”あるいは”下“の位
置になければならないので、”下”の位置でウェハをの
せたアームを反応室に出し入れし、“中”の位置でウニ
・・を受は取るという動作が可能になる0 作用 本発明によれば、処理室底部そのものの上下動のみが必
要であり、ウェハの上下動専用の駆動部は必要ないので
、排気系は、処理室の中心線上に設ける事が可能である
。
とえば”上” 、”中” 、下”の3つの位置を取り得
る様にシリンダー等で駆動する。処理室底部外壁が”上
” 、′中”の位置にあるときは、ウェハ台は、処理室
底部外壁の位置によらず一定であるが、処理室底部外壁
が”下”の位置にあるときは、処理室底部外壁が下降す
るにつれてウェハ台も下降する様にする。ウェハの受は
渡しは必ず処理室底部外壁は”中”あるいは”下“の位
置になければならないので、”下”の位置でウェハをの
せたアームを反応室に出し入れし、“中”の位置でウニ
・・を受は取るという動作が可能になる0 作用 本発明によれば、処理室底部そのものの上下動のみが必
要であり、ウェハの上下動専用の駆動部は必要ないので
、排気系は、処理室の中心線上に設ける事が可能である
。
実施例
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図、第2図は、本発明の一実施例を示す図で第1図
(&) 、 (b) 、 (0)は、処理室底部の断面
でそれぞれ上、中、下の状態を示す。第2図は処理室底
部の平面図で第1図は第2図のムー人′線断面を示す。
(&) 、 (b) 、 (0)は、処理室底部の断面
でそれぞれ上、中、下の状態を示す。第2図は処理室底
部の平面図で第1図は第2図のムー人′線断面を示す。
第1図において、ウェハ台2上にウェハ(半導体基板)
4が置かれており、処理室底部外壁7の一部はフレキシ
ブルチューブ5になっている。このフレキシブルチュー
ブ5は処理室底部の一部が上下動する際に、その動きが
排気系にまでおよばない様ドする役目を持っている。(
a)に示している状態は、処理室底部外壁7が”上”の
位置にある場合である。同様に(b) 、 (C)はそ
れぞれ処理室底部外壁が”中” 、′下”位置にある場
合を示している。ウェハ台2はバネ6上にあり、処理室
底部外壁が“上”の位置にあるときは、バネ6は伸びき
るかわずかに縮んでいる。ウェハ台2は主に処理室底部
外壁7にささえられているだめ、底面よシ上に出る事は
ない。処理室底部外壁が”中″位置にあるときは、ウェ
ハ台足8とウェハ押しさげ9が接するか接しないかの位
置にあるので、ウェハ台2り位置は、”上”の位置にあ
るときと同じである。さらに処理室底部外壁が”下”の
位置にくるとウェハ台押し下げ部9はウェハ台足8を押
し下げるので、ウェハ台2も処理室底部外壁7とともに
下降する。以上の動きを表にすると次表のようになる。
4が置かれており、処理室底部外壁7の一部はフレキシ
ブルチューブ5になっている。このフレキシブルチュー
ブ5は処理室底部の一部が上下動する際に、その動きが
排気系にまでおよばない様ドする役目を持っている。(
a)に示している状態は、処理室底部外壁7が”上”の
位置にある場合である。同様に(b) 、 (C)はそ
れぞれ処理室底部外壁が”中” 、′下”位置にある場
合を示している。ウェハ台2はバネ6上にあり、処理室
底部外壁が“上”の位置にあるときは、バネ6は伸びき
るかわずかに縮んでいる。ウェハ台2は主に処理室底部
外壁7にささえられているだめ、底面よシ上に出る事は
ない。処理室底部外壁が”中″位置にあるときは、ウェ
ハ台足8とウェハ押しさげ9が接するか接しないかの位
置にあるので、ウェハ台2り位置は、”上”の位置にあ
るときと同じである。さらに処理室底部外壁が”下”の
位置にくるとウェハ台押し下げ部9はウェハ台足8を押
し下げるので、ウェハ台2も処理室底部外壁7とともに
下降する。以上の動きを表にすると次表のようになる。
(以 下 余 白)
なお、フレキシブルチューブ6の駆動は、処理室底部外
壁に取りつけられた複数個のシリンダー(図示せず)に
よって行なう。処理室底部外壁の三つの位置”上” 、
中” 、下”は1つのシリンダーで位置センサによって
制御してもいいし、台2と外壁7に取付られた2つのシ
リンダー■。
壁に取りつけられた複数個のシリンダー(図示せず)に
よって行なう。処理室底部外壁の三つの位置”上” 、
中” 、下”は1つのシリンダーで位置センサによって
制御してもいいし、台2と外壁7に取付られた2つのシ
リンダー■。
■(図示せず)を用いてもいい。表では2つのシリンダ
ーを組み合わした場合の例を示している。
ーを組み合わした場合の例を示している。
本発明の機構を組み込んだ装置の概要を第3図に示す。
第3図はECRプラズマを用いた枚葉式のエツチング装
置であり、EGRプラズマ装置の場合には、RF電極を
ウェノ・台周辺に設ける必要がないので本発明を有効に
生かす事ができる。真空ポンプとしては、大きな開口径
を必要とするターボ分子ポンプ、油拡散ポンプ、クライ
オポンプ等に有効である。また本発明は工Iチング装置
に限定する事なく堆積などウェノ・の搬送を必要とする
装置すべてに適用可能である。21はECRマグネット
、22a 、22bはウェハアーム、23ハウエノ・搬
送ベルト、24はウエノ・カセット、3Qはウェハであ
る。
置であり、EGRプラズマ装置の場合には、RF電極を
ウェノ・台周辺に設ける必要がないので本発明を有効に
生かす事ができる。真空ポンプとしては、大きな開口径
を必要とするターボ分子ポンプ、油拡散ポンプ、クライ
オポンプ等に有効である。また本発明は工Iチング装置
に限定する事なく堆積などウェノ・の搬送を必要とする
装置すべてに適用可能である。21はECRマグネット
、22a 、22bはウェハアーム、23ハウエノ・搬
送ベルト、24はウエノ・カセット、3Qはウェハであ
る。
処理1底部外壁7は、上、中、下の3つの位置を取り、
ウェハ台2は、それに対応して、上、上。
ウェハ台2は、それに対応して、上、上。
下の位置を取る。処理室底部外壁7の上”の位置では、
EORマグネット21とその内部にある処理室上部とで
閉じられたたとえばエツチング。
EORマグネット21とその内部にある処理室上部とで
閉じられたたとえばエツチング。
デポジション等の処理室を構成している。処理室底部外
壁7の“中”および”下”の位置は、ウェハの受は取9
、受は渡しのだめのものである。例えば、ウェノ・の受
は取シでは、処理室底部外壁7が”下”の位置になった
のち(従ってウニノ一台2も”下”の位置とある)、搬
送ベル)231Lからのウェハを保持した搬入側のウエ
ノ・アーム221Lがウェハ保持台2の上方に移動する
。しかる後、処理室底部外壁7が0中”の位置まで上昇
しく従ってウェハ台2は”上”の位置まで上昇する)、
台2はウェハを受は取る。ウエノ・台の“上”の位置は
、ウェハアーム22& 、22bよりも高く、かつウェ
ハ台の”下”の位置は、ウェノ・アーム22a。
壁7の“中”および”下”の位置は、ウェハの受は取9
、受は渡しのだめのものである。例えば、ウェノ・の受
は取シでは、処理室底部外壁7が”下”の位置になった
のち(従ってウニノ一台2も”下”の位置とある)、搬
送ベル)231Lからのウェハを保持した搬入側のウエ
ノ・アーム221Lがウェハ保持台2の上方に移動する
。しかる後、処理室底部外壁7が0中”の位置まで上昇
しく従ってウェハ台2は”上”の位置まで上昇する)、
台2はウェハを受は取る。ウエノ・台の“上”の位置は
、ウェハアーム22& 、22bよりも高く、かつウェ
ハ台の”下”の位置は、ウェノ・アーム22a。
22bよりも低いので、ウェノ・は支障なく受は取りが
可能である。またウヱノ・の受は渡しでは、ウェハ台2
にウェノ・がある状態で処理室底部外壁アが“中”の位
置にあるとき(従ってウエノ・台2は”上”の位置にあ
る。)、搬出側のウエノ・アーム22bが、ウェハ台2
の下に移動し、処理室底部外壁7が”下”の位置まで下
降し、台2上のウェハは、搬出側のウェノ・アーム22
b上に乗る。その後搬出側のウェノ・アーム22bは処
理室から移動し、搬出側のベル)23bにウエノ・を乗
せる。
可能である。またウヱノ・の受は渡しでは、ウェハ台2
にウェノ・がある状態で処理室底部外壁アが“中”の位
置にあるとき(従ってウエノ・台2は”上”の位置にあ
る。)、搬出側のウエノ・アーム22bが、ウェハ台2
の下に移動し、処理室底部外壁7が”下”の位置まで下
降し、台2上のウェハは、搬出側のウェノ・アーム22
b上に乗る。その後搬出側のウェノ・アーム22bは処
理室から移動し、搬出側のベル)23bにウエノ・を乗
せる。
なお、第3図では、処理室底部外壁子が、“中”。
”下°′にある状態を示している。
発明の効果
以上の様に本発明では、ウェハの上下機構を処理室の外
壁が移動する際にあわせて行なうため、大きな開口部を
有する真空ポンプの中心を反応室の中心に一致させる事
ができる。従って、均一性の向上をはかる事ができる。
壁が移動する際にあわせて行なうため、大きな開口部を
有する真空ポンプの中心を反応室の中心に一致させる事
ができる。従って、均一性の向上をはかる事ができる。
また、真空を維持している壁の両端を貫通する回転する
軸がないので、リーク等の発生がない。
軸がないので、リーク等の発生がない。
第1図は本発明の一実施例の処理室底部の断面図、第2
図は同処理室底部の平面図、第3図は本発明を用いたエ
ツチング装置の概略図、第4図。 第5図は従来の処理室の概略図である。 2・・・・・・ウェハ台、6・・・・・・フレキシブル
チューブ、6・・・・・・バネ、7・・・・・・処理室
底部外壁、8・・・・・・ウェハ台足、9・・・・・・
ウェハ台押しさげ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第1図 第1図 第2図 第3図 第4図
図は同処理室底部の平面図、第3図は本発明を用いたエ
ツチング装置の概略図、第4図。 第5図は従来の処理室の概略図である。 2・・・・・・ウェハ台、6・・・・・・フレキシブル
チューブ、6・・・・・・バネ、7・・・・・・処理室
底部外壁、8・・・・・・ウェハ台足、9・・・・・・
ウェハ台押しさげ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第1図 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (2)
- (1)半導体基板を搬送し、処理をする装置において、
処理室底部が第1、第2、第3の3つの位置に静止する
動作を行い、この動作に連動して、前記半導体基板を保
持する台が、前記第1と第2の位置および第3の位置に
それぞれ対応して2つの位置に静止する事を特徴とする
半導体製造装置。 - (2)処理室底部の動作が、処理室と外部を遮断する事
と、半導体基板の搬送する事との二つの機能を有する事
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9714286A JPS62252941A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9714286A JPS62252941A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62252941A true JPS62252941A (ja) | 1987-11-04 |
Family
ID=14184320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9714286A Pending JPS62252941A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62252941A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0425230U (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-28 | ||
JPH06112165A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH06283467A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP9714286A patent/JPS62252941A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0425230U (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-28 | ||
JPH06112165A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH06283467A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP3092383B2 (ja) * | 1993-03-26 | 2000-09-25 | 住友金属工業株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
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