JPS62248283A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS62248283A JPS62248283A JP9275686A JP9275686A JPS62248283A JP S62248283 A JPS62248283 A JP S62248283A JP 9275686 A JP9275686 A JP 9275686A JP 9275686 A JP9275686 A JP 9275686A JP S62248283 A JPS62248283 A JP S62248283A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- semiconductor laser
- substrate
- laser
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ活性層光伝搬方向と異る方向へ、
レーザ光出力を取り出し得る半導体レーザ装置に関する
。
レーザ光出力を取り出し得る半導体レーザ装置に関する
。
従来の技術
半導体レーザは、一般にＧａＡｓもしくはＩｎＰ等ノウ
エバー上に、所定の組成のエピタキシャル結晶成長と、
エツチング等の操作を行って形成された基板に平行に設
けられた活性層によって構成される。第３図は例えば、
従来の半導体レーザの構成を示すもので、３１は活性層
、３２は基板である０ 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記した従来の半導体レーザでは、レーザ
出力光は矢印３３１Ｌ、３３ｂで示した方向、すなわち
基板に対して平行な方向にしか取り出す事ができず、半
導体レーザを用いた機器の設計における著しい障害とな
っていた。
エバー上に、所定の組成のエピタキシャル結晶成長と、
エツチング等の操作を行って形成された基板に平行に設
けられた活性層によって構成される。第３図は例えば、
従来の半導体レーザの構成を示すもので、３１は活性層
、３２は基板である０ 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記した従来の半導体レーザでは、レーザ
出力光は矢印３３１Ｌ、３３ｂで示した方向、すなわち
基板に対して平行な方向にしか取り出す事ができず、半
導体レーザを用いた機器の設計における著しい障害とな
っていた。
本発明は上記問題点に鑑み、基板に対して平行でない方
向ヘレーザ出力光を取り出すことのできる半導体レーザ
装置を提供することを目的とする。
向ヘレーザ出力光を取り出すことのできる半導体レーザ
装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達するため、半導体レーザ共振器を
構成する対向し比２面の反射面もしくは、対向する２つ
の回折格子の間に、半導体レーザ活性層の光伝搬方向に
対して平行でも垂直でもない新たな反射面を、前記活性
層を横切る様に少なくとも１面設けるとともに、前記活
性層と半導体レーザ基板との間に、多層膜によって構成
された反射層を設ける構成となっている。
構成する対向し比２面の反射面もしくは、対向する２つ
の回折格子の間に、半導体レーザ活性層の光伝搬方向に
対して平行でも垂直でもない新たな反射面を、前記活性
層を横切る様に少なくとも１面設けるとともに、前記活
性層と半導体レーザ基板との間に、多層膜によって構成
された反射層を設ける構成となっている。
作用
本発明は上記した構成により、半導体レーザ共振器中を
基板と平行に進行する励起光は、新たに設けた反射面に
よって反射され、基板に対して平行な方向以外にも出射
する。前記新たな反射面によって反射された２本の反射
光の内、基板方向に進行するレーザ光は、活性層と半導
体レーザ基板との間に設けられた多層膜によって構成さ
れた反射層によって再び反射され、基板と反対方向に出
射する。
基板と平行に進行する励起光は、新たに設けた反射面に
よって反射され、基板に対して平行な方向以外にも出射
する。前記新たな反射面によって反射された２本の反射
光の内、基板方向に進行するレーザ光は、活性層と半導
体レーザ基板との間に設けられた多層膜によって構成さ
れた反射層によって再び反射され、基板と反対方向に出
射する。
実施例
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
断面を示すものである。第１図において１は半導体レー
ザの基板である。この基板１に対して平行に、活性層２
ａ、２ｂが形成されており１活性層端面には、襞間また
は、エツチングで形成された反射面３ａ、３ｂがあり、
レーザ共振器を構成している。前記２つの対向する反射
面の間に活性層の光伝搬方向と平行でも垂直でもない反
射面４をエツチング等で設ける。例えば、この反射面４
を、活性層の光伝搬方向及び基板に垂直な直線に対して
それぞれ４６°の角度を成す様に形成すれば、活性層２
＆より反射面４の方向へ進むレーザ光は１反射面４で反
射され、矢印６の方向に出射する。反射面４の反射率が
小さければ、一部のレーザ光は活性層２ｂへも入射し進
行する。
断面を示すものである。第１図において１は半導体レー
ザの基板である。この基板１に対して平行に、活性層２
ａ、２ｂが形成されており１活性層端面には、襞間また
は、エツチングで形成された反射面３ａ、３ｂがあり、
レーザ共振器を構成している。前記２つの対向する反射
面の間に活性層の光伝搬方向と平行でも垂直でもない反
射面４をエツチング等で設ける。例えば、この反射面４
を、活性層の光伝搬方向及び基板に垂直な直線に対して
それぞれ４６°の角度を成す様に形成すれば、活性層２
＆より反射面４の方向へ進むレーザ光は１反射面４で反
射され、矢印６の方向に出射する。反射面４の反射率が
小さければ、一部のレーザ光は活性層２ｂへも入射し進
行する。
活性層２ｂより反射面４の方向へ進行するレーザ光の一
部は活性層２ａの方向へそのまま進行し、一部は反射面
４で反射され矢印６方向へ反射される。矢印６方向へ進
むレーザ光は、活性層２＋Ｌ。
部は活性層２ａの方向へそのまま進行し、一部は反射面
４で反射され矢印６方向へ反射される。矢印６方向へ進
むレーザ光は、活性層２＋Ｌ。
２ｂと基板１の間に設けられた多層反射膜７によって反
対方向へ再び反射され、反射面４によって、矢印６の方
向へ進むレーザ光と、活性層２ｂの方向へ進むレーザ光
に分けられる。反射面３＆及び３ｂの反射率１１００％
近くに設定しておけば、基板に対して平行な方向に出射
するレーザ光はほとんど無く、レーザ出力は、基板と垂
直な矢印６の方向に取り出す事ができる。
対方向へ再び反射され、反射面４によって、矢印６の方
向へ進むレーザ光と、活性層２ｂの方向へ進むレーザ光
に分けられる。反射面３＆及び３ｂの反射率１１００％
近くに設定しておけば、基板に対して平行な方向に出射
するレーザ光はほとんど無く、レーザ出力は、基板と垂
直な矢印６の方向に取り出す事ができる。
この様な構成の半導体レーザにおいて、反射面３ａ、３
ｂ及び４の位置関係を適当に選ぶ事によって、レーザ発
振縦モードの制御と安定化も容易となる。また、多層反
射膜７の膜厚をレーザ発振波長の純に選ぶ事によっても
、縦モードの制御と安定化を達成できる。
ｂ及び４の位置関係を適当に選ぶ事によって、レーザ発
振縦モードの制御と安定化も容易となる。また、多層反
射膜７の膜厚をレーザ発振波長の純に選ぶ事によっても
、縦モードの制御と安定化を達成できる。
第２図は本発明の第２の実施例を示すものである。第２
図において、基板２１、活性層２２ ＩＬ＋２２ｂ１多
層反射膜２７の配置は第１の実施例と同じである。この
実施例では、対向する反射面２３２Ｌ・ ２３ｂの間に
、２面の新たな反射面２４ａ。
図において、基板２１、活性層２２ ＩＬ＋２２ｂ１多
層反射膜２７の配置は第１の実施例と同じである。この
実施例では、対向する反射面２３２Ｌ・ ２３ｂの間に
、２面の新たな反射面２４ａ。
２４ｂｉ設ける。この様な構成の半導体レーザでは、近
接した２点より、矢印２５＆、２５ｂで示した方向に、
レーザ光を取り出す事ができる。
接した２点より、矢印２５＆、２５ｂで示した方向に、
レーザ光を取り出す事ができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、共振器を構成する対向す
る２面の反射面もしくは対向する２つの回折格子の間に
、活性層の光伝搬方向に対して平行でも垂直でもない新
たな反射面を、前記活性層を横切って設けるとともに、
前記活性ノーと半導体レーザ基板との間に、多層膜で構
成された反射層金膜ける構成により基板とは平行でない
方向に、レーザ出力光を容易に取シ出す事ができる。
る２面の反射面もしくは対向する２つの回折格子の間に
、活性層の光伝搬方向に対して平行でも垂直でもない新
たな反射面を、前記活性層を横切って設けるとともに、
前記活性ノーと半導体レーザ基板との間に、多層膜で構
成された反射層金膜ける構成により基板とは平行でない
方向に、レーザ出力光を容易に取シ出す事ができる。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
断面図、第２図は同地の実施例の半導体レーザ装置の断
面図、第３図は従来の半導体レーザ装置の断面図である
。 ２ａ、２ｂ・・・・・・活性層、４・・・・・・反射面
、７・・・・・・多層反射膜、２２ａ％ ２２ｂ・・
・・・・活性層、２４ａ。 ２４ｂ・・・・・・反射面、２７・・・・・・多層反射
膜。
断面図、第２図は同地の実施例の半導体レーザ装置の断
面図、第３図は従来の半導体レーザ装置の断面図である
。 ２ａ、２ｂ・・・・・・活性層、４・・・・・・反射面
、７・・・・・・多層反射膜、２２ａ％ ２２ｂ・・
・・・・活性層、２４ａ。 ２４ｂ・・・・・・反射面、２７・・・・・・多層反射
膜。
Claims (1)
- 半導体レーザ共振器を構成する対向する２面の反射面も
しくは、対向する２つの回折格子を有し、前記対向する
２面の反射面、もしくは対向する２つの回折格子の間に
、半導体レーザ活性層の光伝搬方向に対して平行でも垂
直でもない新たな反射面を、前記活性層を横切って設け
るとともに、前記活性層と半導体レーザ基板との間に、
多層膜で構成された反射層を設けたことを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9275686A JPS62248283A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9275686A JPS62248283A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62248283A true JPS62248283A (ja) | 1987-10-29 |
Family
ID=14063265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9275686A Pending JPS62248283A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62248283A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5253263A (en) * | 1992-03-12 | 1993-10-12 | Trw Inc. | High-power surface-emitting semiconductor injection laser with etched internal 45 degree and 90 degree micromirrors |
| JP2016119397A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
-
1986
- 1986-04-22 JP JP9275686A patent/JPS62248283A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5253263A (en) * | 1992-03-12 | 1993-10-12 | Trw Inc. | High-power surface-emitting semiconductor injection laser with etched internal 45 degree and 90 degree micromirrors |
| JP2016119397A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
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