JPH01283893A - 半導体レーザ増巾器 - Google Patents
半導体レーザ増巾器Info
- Publication number
- JPH01283893A JPH01283893A JP11288788A JP11288788A JPH01283893A JP H01283893 A JPH01283893 A JP H01283893A JP 11288788 A JP11288788 A JP 11288788A JP 11288788 A JP11288788 A JP 11288788A JP H01283893 A JPH01283893 A JP H01283893A
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- semiconductor substrate
- substrate
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板表面に対して垂直に入射したレー
ザ光を増巾して、半導体基板に対して垂直な方向に出力
光を取出すことのできる半導体レーザ地中器に関する。
ザ光を増巾して、半導体基板に対して垂直な方向に出力
光を取出すことのできる半導体レーザ地中器に関する。
従来の進行波型の半導体レーザ地中器は、例えば第3図
に示すように、基本的にはファブリ・ベロー型半導体レ
ーザ素子の両端面に無反射コーティングを施し、レーザ
発振を押えるようにしたものである。すなわち、半導体
基板n−InP(])の上に、n−1nPの第1クラッ
ド層(2)、I nGaAsP(1,3u)活性層(3
)、p−1nPの第2クラッド層(4)及びp−1nG
aAsPのキャップ層(5)を順次積層し、最後に上部
電極(6)及び下部電極(7)を付けたものである0両
端面には無反射コーティングG5lOx膜(8)、(9
)が蒸着されている。このような構成の半導体レーザ地
中器においては、入射レーザ光は無反射コーテイング膜
(8)を経て活性層(3)に結合し、活性層(3)の内
部を伝搬することにより増巾され、無反射コーテイング
膜(9)を経て取出される。
に示すように、基本的にはファブリ・ベロー型半導体レ
ーザ素子の両端面に無反射コーティングを施し、レーザ
発振を押えるようにしたものである。すなわち、半導体
基板n−InP(])の上に、n−1nPの第1クラッ
ド層(2)、I nGaAsP(1,3u)活性層(3
)、p−1nPの第2クラッド層(4)及びp−1nG
aAsPのキャップ層(5)を順次積層し、最後に上部
電極(6)及び下部電極(7)を付けたものである0両
端面には無反射コーティングG5lOx膜(8)、(9
)が蒸着されている。このような構成の半導体レーザ地
中器においては、入射レーザ光は無反射コーテイング膜
(8)を経て活性層(3)に結合し、活性層(3)の内
部を伝搬することにより増巾され、無反射コーテイング
膜(9)を経て取出される。
しかしながら、上記のような構造の半導体レーザ増巾器
においては、入射及び出射レーザ光は活性層の導波方向
と同じ方向から結合されなければならず、従って、その
結合を効率よくするためにはレンズを用いる必要があり
、レンズの軸合わせ及び固定方法などが問題となる。
においては、入射及び出射レーザ光は活性層の導波方向
と同じ方向から結合されなければならず、従って、その
結合を効率よくするためにはレンズを用いる必要があり
、レンズの軸合わせ及び固定方法などが問題となる。
〔課題を解決するための手段とその作用〕本発明は以上
のような点にかんがみてなされたもので、その目的とす
るところは、入出力レーザ光が半導体レーザ基板面に対
して垂直である半導体レーザ増巾器を提供することにあ
り、その要旨は、半導体基板上に、半導体基板に平行な
活性層を含むエピタキシャル層を存する半導体レーザ増
巾器において、半導体基板面に垂直な光の入射部分及び
出射部分を有し、活性層を含む光導波方向の両端面は、
半導体基板面に対して約45°の角度をなして入出力光
の反射面を形成することを特徴とする半導体レーザ増巾
器である。
のような点にかんがみてなされたもので、その目的とす
るところは、入出力レーザ光が半導体レーザ基板面に対
して垂直である半導体レーザ増巾器を提供することにあ
り、その要旨は、半導体基板上に、半導体基板に平行な
活性層を含むエピタキシャル層を存する半導体レーザ増
巾器において、半導体基板面に垂直な光の入射部分及び
出射部分を有し、活性層を含む光導波方向の両端面は、
半導体基板面に対して約45°の角度をなして入出力光
の反射面を形成することを特徴とする半導体レーザ増巾
器である。
上記のような構造では、第1図に示すように、入力レー
ザ光はキャップ層(5)に垂直に入射し、キャンプN(
5)と45°の角度をなす端面OIの活性層(3)との
交わる第1全反射部分02)で全反射され、活性層(3
)中を伝搬して、キャップ層(5)と456の角度をな
す端面ODの活性層(3)との交わる第2全反射部分面
において再び全反射され、キャップ層(5)から入射方
向と反対方向に出射する。
ザ光はキャップ層(5)に垂直に入射し、キャンプN(
5)と45°の角度をなす端面OIの活性層(3)との
交わる第1全反射部分02)で全反射され、活性層(3
)中を伝搬して、キャップ層(5)と456の角度をな
す端面ODの活性層(3)との交わる第2全反射部分面
において再び全反射され、キャップ層(5)から入射方
向と反対方向に出射する。
以下図面に示した実施例に基づいて本発明を説明する。
第1図は、本発明にかかる一実施例の断面図であり、n
−1nP半導体基板(1)上に、n−1nP第1クラッ
ド層(2)、I nGaAs P活性層〔3)、p−I
nP第2クラッド層(4)及びp−TnGaAsPキャ
ップ層(5)を順次積層し、上部電極(6)と下部電極
(7)をつけたものである、半導体基板(1)と45゜
の角度をなす端面0ω、(10は、リアクティブ、イオ
ン・ビーム・エツチング(RIBE)により形成される
。キャップ層(5)の上面には無反射コーティングll
l5 i O,(8)、(9)がつけられ、入射光及び
出射光の反射を防止している。
−1nP半導体基板(1)上に、n−1nP第1クラッ
ド層(2)、I nGaAs P活性層〔3)、p−I
nP第2クラッド層(4)及びp−TnGaAsPキャ
ップ層(5)を順次積層し、上部電極(6)と下部電極
(7)をつけたものである、半導体基板(1)と45゜
の角度をなす端面0ω、(10は、リアクティブ、イオ
ン・ビーム・エツチング(RIBE)により形成される
。キャップ層(5)の上面には無反射コーティングll
l5 i O,(8)、(9)がつけられ、入射光及び
出射光の反射を防止している。
第2図は、本発明にかかる他の実施例の断面図であり、
キャップ層(5)上の人出耐部分に一体化されたレンズ
04.05)をRIBE法により形成し、光ファイバあ
るいは他の光デバイスとの入出力結合を容易にしたもの
である。なお、レンズ04、面の上面にさらに無反射コ
ーテイング膜を形成して不要な反射を防止できることは
言うまでもない。
キャップ層(5)上の人出耐部分に一体化されたレンズ
04.05)をRIBE法により形成し、光ファイバあ
るいは他の光デバイスとの入出力結合を容易にしたもの
である。なお、レンズ04、面の上面にさらに無反射コ
ーテイング膜を形成して不要な反射を防止できることは
言うまでもない。
以上説明したように本発明によれば、半導体基板面に垂
直な光の入射部分及び出射部分を有し、活性層を含む光
導波方向の両端面は、半導体基板面に対して約45°の
角度をなして入出力光の反射面を形成しているため、半
導体基板面に対して垂直な方向の入射レーザ光を増巾し
て、再び半導体基板に対して垂直な方向に出力レーザ光
を得ることが可能になり、さらに、レンズを一体化して
形成することにより入出力結合を容易にすることができ
るという優れた効果がある。
直な光の入射部分及び出射部分を有し、活性層を含む光
導波方向の両端面は、半導体基板面に対して約45°の
角度をなして入出力光の反射面を形成しているため、半
導体基板面に対して垂直な方向の入射レーザ光を増巾し
て、再び半導体基板に対して垂直な方向に出力レーザ光
を得ることが可能になり、さらに、レンズを一体化して
形成することにより入出力結合を容易にすることができ
るという優れた効果がある。
第1図は、本発明にかかる半導体レーザ増巾器の一実施
例の要部断面図、第2図は、他の実施例の要部断面図、
第3図は従来例の要部断面図である。 1・・・半導体基板、 3・・・活性層、 8,9・・
・無反射コーテイング膜、 10.11・・・45@
の角度をなす端面、 12・・・第1全反射部分、
13・・・第2全反射部分、 14.15・・・レ
ンズ。
例の要部断面図、第2図は、他の実施例の要部断面図、
第3図は従来例の要部断面図である。 1・・・半導体基板、 3・・・活性層、 8,9・・
・無反射コーテイング膜、 10.11・・・45@
の角度をなす端面、 12・・・第1全反射部分、
13・・・第2全反射部分、 14.15・・・レ
ンズ。
Claims (1)
- (1)半導体基板上に、半導体基板に平行な活性層を含
むエピタキシャル層を有する半導体レーザ増巾器におい
て、半導体基板面に垂直な光の入射部分及び出射部分を
有し、活性層を含む光導波方向の両端面は、半導体基板
面に対して約45°の角度をなして入出力光の反射面を
形成することを特徴とする半導体レーザ増巾器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11288788A JPH01283893A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体レーザ増巾器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11288788A JPH01283893A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体レーザ増巾器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01283893A true JPH01283893A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14598005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11288788A Pending JPH01283893A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体レーザ増巾器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01283893A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5608750A (en) * | 1993-07-29 | 1997-03-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and a method for the manufacture thereof |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP11288788A patent/JPH01283893A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5608750A (en) * | 1993-07-29 | 1997-03-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and a method for the manufacture thereof |
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