JPS62248232A - 半導体ウエハ検査装置 - Google Patents
半導体ウエハ検査装置Info
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- JPS62248232A JPS62248232A JP9360386A JP9360386A JPS62248232A JP S62248232 A JPS62248232 A JP S62248232A JP 9360386 A JP9360386 A JP 9360386A JP 9360386 A JP9360386 A JP 9360386A JP S62248232 A JPS62248232 A JP S62248232A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の低温特性をウニへ段階で迅速に測
定し得る半導体ウェハ検査装置に関する。
定し得る半導体ウェハ検査装置に関する。
半導体装置の低温特性はその高温特性と共に実用上きわ
めて重要である。この低温特性を検査するということは
言わば生産者が使用者に対し動作可能な温度範囲の下限
値を保証する意味合いをもつが、従来、この検査はモー
ルドまでを終えた完成品に対して行なわれる。すなわち
、液体窒素（−ｉｓｏ〜１９０℃）を介して半導体装置
全体を例えば（−４０〜５０℃）程度に冷却しこの低温
下における電気的特性を求めるのが通常である。
めて重要である。この低温特性を検査するということは
言わば生産者が使用者に対し動作可能な温度範囲の下限
値を保証する意味合いをもつが、従来、この検査はモー
ルドまでを終えた完成品に対して行なわれる。すなわち
、液体窒素（−ｉｓｏ〜１９０℃）を介して半導体装置
全体を例えば（−４０〜５０℃）程度に冷却しこの低温
下における電気的特性を求めるのが通常である。
この検査法は半導体装置の低温特性をトータル１的に調
べるためＩＣ＃ｉ有効ではあるが既に素子段階で問題が
ある場合はきわめて経済的でない。従って、ウニへ段階
で問題のある素子を予かしめ見出し排除し得ることが好
ましい。この考え方は、例えばジ冒セ７ソン（Ｊｏｓｅ
ｐｈａｏｎ）素子のような一部のものに採用される。す
なわち、この棟のウェハは低温下の真空容器内に収容さ
れマニユピレータによって素子特性が個々に測定される
。
べるためＩＣ＃ｉ有効ではあるが既に素子段階で問題が
ある場合はきわめて経済的でない。従って、ウニへ段階
で問題のある素子を予かしめ見出し排除し得ることが好
ましい。この考え方は、例えばジ冒セ７ソン（Ｊｏｓｅ
ｐｈａｏｎ）素子のような一部のものに採用される。す
なわち、この棟のウェハは低温下の真空容器内に収容さ
れマニユピレータによって素子特性が個々に測定される
。
この検査法に真空容器が準備されるのはウェハ表面にお
ける所謂繕つき現象を防止するためである。すなわち、
一般の物理現象として大気を露点以下まで冷却すると大
気中の水分は周囲の′物体表面に析出して所謂霜つき現
象をおこすことはよく知られているので、この検査装置
では大気（通常３０〜６０％の湿度をもつ）との間を遮
断しリーク電流を生せしめない目的で半導体ウェハは真
空容器内の収容される。しかしながら、かかるジョセフ
ソン素子に対するウェハ検査装置は面倒な真空技術を必
要とするので保守が容易でないのみならず排気に長時間
を要し、加えて、投入できるウニへ枚数も挿入できるマ
ニエピレタ本数も比較的少ないので作業性がきわめて悪
くスルー・プツトが極端に小さい。この場合、マニュピ
レータに代工てプローブ・カードが使用できれば測定工
数を大幅に改善し得るが、グローブ・カードは真空容器
内にガスを放出して霜つき現象を助長するよう作用する
ので、従来のウェハ検査装置は大量に生産される一般の
半導体ウェハに実施することは実質上不可である。
ける所謂繕つき現象を防止するためである。すなわち、
一般の物理現象として大気を露点以下まで冷却すると大
気中の水分は周囲の′物体表面に析出して所謂霜つき現
象をおこすことはよく知られているので、この検査装置
では大気（通常３０〜６０％の湿度をもつ）との間を遮
断しリーク電流を生せしめない目的で半導体ウェハは真
空容器内の収容される。しかしながら、かかるジョセフ
ソン素子に対するウェハ検査装置は面倒な真空技術を必
要とするので保守が容易でないのみならず排気に長時間
を要し、加えて、投入できるウニへ枚数も挿入できるマ
ニエピレタ本数も比較的少ないので作業性がきわめて悪
くスルー・プツトが極端に小さい。この場合、マニュピ
レータに代工てプローブ・カードが使用できれば測定工
数を大幅に改善し得るが、グローブ・カードは真空容器
内にガスを放出して霜つき現象を助長するよう作用する
ので、従来のウェハ検査装置は大量に生産される一般の
半導体ウェハに実施することは実質上不可である。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、面倒な真空技術を
全く必要とせず且つプローブ・カードを用い素子段階で
その低温特性を迅速に大量に測定し得る半導体ウェハ検
査装置を提供することである。
全く必要とせず且つプローブ・カードを用い素子段階で
その低温特性を迅速に大量に測定し得る半導体ウェハ検
査装置を提供することである。
本発明の半導体ウェハ検査装置は、半導体ウェハを載置
するステージと、前記半導体ウェハの素子特性を測定す
るプローブ・カードと、前記ステージ上の半導体ウェハ
をプローブ・カードと共にフッ素炭化水素系溶液中に浸
漬する半導体ウェハ冷却用容器と、前記ステージに対す
るＸ、Ｙ、Ｚ方向駆動装置と、前記プローブ・カード出
力を検出する測定装置とを備えることを含む。
するステージと、前記半導体ウェハの素子特性を測定す
るプローブ・カードと、前記ステージ上の半導体ウェハ
をプローブ・カードと共にフッ素炭化水素系溶液中に浸
漬する半導体ウェハ冷却用容器と、前記ステージに対す
るＸ、Ｙ、Ｚ方向駆動装置と、前記プローブ・カード出
力を検出する測定装置とを備えることを含む。
すなわち、本発明によれば、半導体ウェハとその素子特
性を測定するプローブ・カードはステージごとフッ素炭
化水素系の溶液内に浸漬される。
性を測定するプローブ・カードはステージごとフッ素炭
化水素系の溶液内に浸漬される。
このフッ素炭化水素系溶液は本来可燃性で毒性の弱い溶
剤として開発され、例えば″″ＣＧＣＧトリエタンう商
品名で市販されているものであるが、油脂、グリースな
どをよく溶解する反面、エラストマー、プラスチックス
、絶縁材等の基材には影響を与えないという選択的溶解
性および鋼、鋳鉄、錫、銅、真ちゅう、アルミニウムな
どに対する非腐蝕性、更には電気的絶縁性などの好まし
い性質を合わせ有するので、浸漬された半導体ウェハお
よびプローブ・カードの各素材を傷めることなくこれら
を充分に冷却した状態におくことができ、またグローブ
・カードに規定電圧を直接印加して迅速且つ正確にウェ
ハ上の素子特性を個々に測定することができる。以下図
面を参照して本発明の詳細な説明する。
剤として開発され、例えば″″ＣＧＣＧトリエタンう商
品名で市販されているものであるが、油脂、グリースな
どをよく溶解する反面、エラストマー、プラスチックス
、絶縁材等の基材には影響を与えないという選択的溶解
性および鋼、鋳鉄、錫、銅、真ちゅう、アルミニウムな
どに対する非腐蝕性、更には電気的絶縁性などの好まし
い性質を合わせ有するので、浸漬された半導体ウェハお
よびプローブ・カードの各素材を傷めることなくこれら
を充分に冷却した状態におくことができ、またグローブ
・カードに規定電圧を直接印加して迅速且つ正確にウェ
ハ上の素子特性を個々に測定することができる。以下図
面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面構造図である。
本実施例では、半導体ウェハ１を載置するステージ２と
、グローブ・カード３と、フッ素炭化水素系溶液４内に
半導体ウェハ１およびグローブ・カード３とを測定条件
を設定した状態のまま浸漬する半導体ウェハ冷却用容器
５と、ステージ２をＸ、Ｙおよび２の各方向に任意にモ
ータ駆動するＸ、Ｙ、Ｚ方向駆動装置６と、プローブ・
カード３の出カニを検出する測定装置７とを含む。また
、８はステージ２と駆動装置６との間を結ぶ連結部、９
は温度制御信号ｔｐを出力する温度センサ、１゜は間隙
１１に冷却剤（例えば液体窒素）を通じるプローバ外側
容器である。
、グローブ・カード３と、フッ素炭化水素系溶液４内に
半導体ウェハ１およびグローブ・カード３とを測定条件
を設定した状態のまま浸漬する半導体ウェハ冷却用容器
５と、ステージ２をＸ、Ｙおよび２の各方向に任意にモ
ータ駆動するＸ、Ｙ、Ｚ方向駆動装置６と、プローブ・
カード３の出カニを検出する測定装置７とを含む。また
、８はステージ２と駆動装置６との間を結ぶ連結部、９
は温度制御信号ｔｐを出力する温度センサ、１゜は間隙
１１に冷却剤（例えば液体窒素）を通じるプローバ外側
容器である。
ここで、フッ素炭化水素系溶液４は絶縁性冷却剤として
働き、半導体ウェハ１をプローブ・カード３を装着した
ままの状態で規定温度にまで冷却すると共にプローブ・
カード３に対する規定電圧の印加をも可能にする。すな
わち、一般に′″ＣＧＣＧトリフロンばれるフッ素炭化
水素系化合物は低い沸点（例えば−３１６Ｃ）と融点（
例えば７４１℃）をもつので常温では常に液体の状態に
あり、また、小さな表面張力（例えば１８〜３Ｑｄｙｎ
ｅ／ ｃｒＩＭ、 ２０℃）と粘度（例えば０．５８〜
０．９ｃｐ、２０℃）および高い液体固有抵抗（例えば
１０〜１０ Ω／１，２５℃、１ｋＨｚ）などの物理的
諸量を備えるので、半導体ウェハ１およびプローブ・カ
ード３のすみずみまでに浸透し相互の絶縁性を充分維持
した状態でこれらを包み込むことができる。従って、半
導体ウェハ１およびプローブ・カード３は溶液４がもつ
選択的溶解性と非腐蝕性とにより電極、アルミ配線また
はプリント基板等の基材に何んらの損傷を受けることな
く、液体窒素Ｎ ｔ （Ｌｅｑ）を介し規定温度まで相
互の絶息性を維持したまま充分冷却され、従来のマニュ
ピレータによるものとは比較にならない迅速さと正確さ
を以ってウェハ上の素子特性を測定することができる。
働き、半導体ウェハ１をプローブ・カード３を装着した
ままの状態で規定温度にまで冷却すると共にプローブ・
カード３に対する規定電圧の印加をも可能にする。すな
わち、一般に′″ＣＧＣＧトリフロンばれるフッ素炭化
水素系化合物は低い沸点（例えば−３１６Ｃ）と融点（
例えば７４１℃）をもつので常温では常に液体の状態に
あり、また、小さな表面張力（例えば１８〜３Ｑｄｙｎ
ｅ／ ｃｒＩＭ、 ２０℃）と粘度（例えば０．５８〜
０．９ｃｐ、２０℃）および高い液体固有抵抗（例えば
１０〜１０ Ω／１，２５℃、１ｋＨｚ）などの物理的
諸量を備えるので、半導体ウェハ１およびプローブ・カ
ード３のすみずみまでに浸透し相互の絶縁性を充分維持
した状態でこれらを包み込むことができる。従って、半
導体ウェハ１およびプローブ・カード３は溶液４がもつ
選択的溶解性と非腐蝕性とにより電極、アルミ配線また
はプリント基板等の基材に何んらの損傷を受けることな
く、液体窒素Ｎ ｔ （Ｌｅｑ）を介し規定温度まで相
互の絶息性を維持したまま充分冷却され、従来のマニュ
ピレータによるものとは比較にならない迅速さと正確さ
を以ってウェハ上の素子特性を測定することができる。
この際、フッ素炭化水素系溶液４および冷却剤（例えば
液体窒素Ｎｔ （Ｌｅｑ ） に対しそれぞれ連速回
路を構成すれば（図示しない）大量のウェハを効率良く
検光することができるので、従来の排気装置を必要とす
るものと比べれば作業効率は遥るかに改善され大量に生
産される半導体ウェハの検査装置として実用性を顕著に
高め得る。
液体窒素Ｎｔ （Ｌｅｑ ） に対しそれぞれ連速回
路を構成すれば（図示しない）大量のウェハを効率良く
検光することができるので、従来の排気装置を必要とす
るものと比べれば作業効率は遥るかに改善され大量に生
産される半導体ウェハの検査装置として実用性を顕著に
高め得る。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、不燃性で
毒性がなくまた選択的溶解性と非腐蝕性更には高い絶縁
性とを兼備したフッ素炭化水素系溶液を冷却媒体として
用いることにより、今日、最も測定効率が高いと言われ
るプローブ・カードを半導体ウェハの検査手段に直接導
入し得る。すなわち、測定工数を著しく短縮し得ると共
に作業性、量産性の何れをも顕著に改善し得るので、特
に大量生産される半導体ウェハの検査装置に実施すれば
大なる効果をあげることができる。
毒性がなくまた選択的溶解性と非腐蝕性更には高い絶縁
性とを兼備したフッ素炭化水素系溶液を冷却媒体として
用いることにより、今日、最も測定効率が高いと言われ
るプローブ・カードを半導体ウェハの検査手段に直接導
入し得る。すなわち、測定工数を著しく短縮し得ると共
に作業性、量産性の何れをも顕著に改善し得るので、特
に大量生産される半導体ウェハの検査装置に実施すれば
大なる効果をあげることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面構造図である。
１・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・ステージ
、３・・・・・・グローブ・カード、４・・・・・・７
ツ素炭化水素系溶液、５・・・・・・半導体ウェハ冷却
用容器、６・・・・・、Ｘ 、 Ｙ 。 ２方向駆動装置、７・・・・・・測定装置、８・・・・
・・連結部、９・・・・・・温度センサ、 １０−−−
−−−プローバ外側容器、１１・・・・・・冷却剤出入
用間隙、■・・・・・・プローブ・カード出力、ｔｐ
・・・・・・温度制御信号、Ｎｔ（Ｌｅｑ）・・・・・
・成体窒素。 代理人 弁理士 内 原 ”・ 日 イ１０．半」１不Ｆ’７エハ ９．
・・ シヱ戊センプ２・−・ ゛ステージ°
１０・・・プローパ゛り（り菜４
廖（３・・・ア０−７−刀−）’ ｆｆ・
・２今ムｐ、Ｉ１１出入用聞隙４２０．フッ条約り水系
糸Ａし友 Ｉ・−１℃−ア゛、カード比力５・−・
単４１本ヴエハ）／？ｐ用容圀 与＝−Ｊｔ卆１吻両吉
号ｇ−一庄＃部 手続補正書輸発）
、３・・・・・・グローブ・カード、４・・・・・・７
ツ素炭化水素系溶液、５・・・・・・半導体ウェハ冷却
用容器、６・・・・・、Ｘ 、 Ｙ 。 ２方向駆動装置、７・・・・・・測定装置、８・・・・
・・連結部、９・・・・・・温度センサ、 １０−−−
−−−プローバ外側容器、１１・・・・・・冷却剤出入
用間隙、■・・・・・・プローブ・カード出力、ｔｐ
・・・・・・温度制御信号、Ｎｔ（Ｌｅｑ）・・・・・
・成体窒素。 代理人 弁理士 内 原 ”・ 日 イ１０．半」１不Ｆ’７エハ ９．
・・ シヱ戊センプ２・−・ ゛ステージ°
１０・・・プローパ゛り（り菜４
廖（３・・・ア０−７−刀−）’ ｆｆ・
・２今ムｐ、Ｉ１１出入用聞隙４２０．フッ条約り水系
糸Ａし友 Ｉ・−１℃−ア゛、カード比力５・−・
単４１本ヴエハ）／？ｐ用容圀 与＝−Ｊｔ卆１吻両吉
号ｇ−一庄＃部 手続補正書輸発）
Claims (1)
- 半導体ウェハを載置するステージと、前記半導体ウェハ
の素子特性を測定するプローブ・カードと、前記ステー
ジ上の半導体ウェハをプローブ・カードと共にフッ素炭
化水素系溶液中に浸漬する半導体ウェハ冷却用容器と、
前記ステージに対するＸ、Ｙ、Ｚ方向駆動装置と、前記
プローブ・カード出力を検出する測定装置とを備えるこ
とを特徴とする半導体ウェハ検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360386A JPS62248232A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 半導体ウエハ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360386A JPS62248232A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 半導体ウエハ検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62248232A true JPS62248232A (ja) | 1987-10-29 |
Family
ID=14086901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9360386A Pending JPS62248232A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 半導体ウエハ検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62248232A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03195038A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体集積回路の評価装置 |
| JP2007142246A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ及びウエハテスト方法 |
| JP2016004912A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 三菱電機株式会社 | 測定装置、測定方法 |
| CN111487521A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-04 | 江苏七维测试技术有限公司 | 一种温度传感器液体环境晶圆级测试装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59162465A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 試験装置 |
| JPS59172284A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 低温テスタ |
| JPS61242B2 (ja) * | 1978-05-19 | 1986-01-07 | Ishii Seisakusho |
-
1986
- 1986-04-22 JP JP9360386A patent/JPS62248232A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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