JPS62245712A

JPS62245712A - 表面波装置の周波数調整方法

Info

Publication number: JPS62245712A
Application number: JP8907786A
Authority: JP
Inventors: Michio Kadota; 道雄門田; Toshiaki Ikeda; 利昭池田; Chikafumi Kondou; 親史近藤
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1986-04-16
Filing date: 1986-04-16
Publication date: 1987-10-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉この発明は、表面波基板上に薄膜を形成して表面波装置
の周波数調整を行なう方法に関するものである。

（発明の概要）この発明は、表面波装置の周波数調整方法において、表面波基板上に成る特定の樹脂からなる薄膜をたとえば
スプレーにより形成し、その形成される膜厚を変えるこ
とにより、表面波装置の周波数調整を行なおうとするものである。

（従来の技術）表面波装置において、電極形成後に周波数調整を行なう
ことは、実用上、はとんど不可能であるとされていた。

なぜなら、周波数特性は、表面波伝搬速度（音速）に依
存するが、この音速は表面波基板の材料によって決まっ
てしまうからである。

なお、表面波基板上にａｍを形成することにより、表面
波装置の周波数特性が変わることが知られているが、こ
れは、わずかに実験室レベルの規模でしか実施されてお
らず、未だ実用化には至っていない。

上述した周波数調整のために用いられるＲ１ｉ材料、！
：　Ｌ　−ｃ　ｔ、ｔ、Ｓｉ　０２　、ＡＩ　２０Ｇ　
’７７（Ｉｌｆ！４４Ｆｌ、あるいは、エポキシ系樹脂
、シリコーン系樹ｒＦ１などの有機材料がある。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、上述の材料を用いての薄膜形成には、以
下のような欠点があった。

マス、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの無機薄膜は、その膜
形成にスパッタや電子ビーム蒸着などの手法を用いなけ
ればならず、そのため、装置が大形化されるとともに、
長時間を要するという欠点を有している。

他方、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂などの有機薄
膜は、膜形成については容易であるが、この薄膜により
表面波が吸収、ダンピングされ、結果として、表面波の
伝搬損失および変換損失が大きくなるという欠点を有す
る。

また、エポキシ系樹脂の場合、有機溶剤に溶けやすいと
いう欠点もある。有機溶剤は、次のような２つの典型的
な場面で、表面波装置と接する可能性がある。第１に、
バルク波を除去するために、表面波基板の裏面に溝また
は凹凸を形成することがある。この場合、サンドブラス
ト等の実施により汚れた表面波装置をイソブ［＋ビルア
ルコールのような有機溶剤で洗浄することが行なわれる
。第２に、表面波装置を樹脂モールドする場合がある。

この場合、樹脂には、酢酸エチル、アセトン、各種アル
コールなど００機溶剤が含まれている。このような意味
から、上述の薄膜は、＠機溶剤１．：耐え得る材料でな
ければならない。

また、エポキシ系樹脂などの有機材料によるａ９脱形成
には、加熱による硬化処理を行なわなければならない。

この場合、エポキシ系樹脂の硬化処理には、比較的＾温
を必要とするため、たとえばアルミニウムなどから構成
されるＴ１圃やＺｎＯなどから構成される圧電薄膜が腐
蝕されるおそれしある。

そこで、この発明は、上述の従来技術の欠点を解消し、
簡単に薄膜形成力Ｃでき、薄膜形成による伝搬損失およ
び変換損失も少なく、有機溶剤に強い、薄膜形成による
表面波装置の周波数調整方法を提供するものである。

（問題点を解決するための手段）表面波基板上に薄膜を形成して表面波装置の周波数調整
を行なう方法において、この発明では、＊膜としてポリ
ベンゾイミダゾール系樹脂、ポリベンゾオキサジノン系
樹脂、ポリキナゾリンジオン系樹脂、ポリアミド系樹脂
、ポリスルホン系樹脂、ポリエステル系樹脂、フッ素系
樹脂、ポリエステル系樹脂、ビニール系樹脂およびフェ
ノール系樹脂からなる樹脂群から選ばれた樹脂を用い、
その形成される膜厚を変えることにより周波数調整を行
なおうとするものである。

（発明の作用効果）この発明によれば、上述した特定の樹脂に適当な希釈剤
を加えることにより、その粘度を調整すれば、たとえば
スプレーを用いて１ｍ単に薄膜を形成することができる
。このとき、適当なマスクを用いると、表面波＠置の周
波数調整を所望する箇所にのみ選択的に薄膜を形成する
ことが容易である。そしてこの発明による樹脂の場合に
は、このようなマスクの裏側にまで回り込むことがない
ことが確認されているので、′Ｎｉ膜が形成される領域
をｍ密に限定することができる。これらのことから、上
述した特定の樹脂を用いることにより、膜厚が均一な１
ＩＩｆ＊が得られ、たとえばスプレーの時間を調整する
だけでＰＩＡ厚の制御が可能となる。表面波装置の周波
数は、この膜厚に依存し、１ＡＪ９を変えることにより
、周波数調整ができる。このようなことから、所望の周
波数からずれた表面波装置にこの発明を適用すれば、製
造される表面波装置の聞品率を大幅に向上させることが
できる。

また、上述した特定の樹脂からなるｗＩ膜は、萌述した
エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂の薄膜に比べて、そ
れが形成されたとしても、表面波の伝搬損失および変換
損失の増加が少ないことがわかった。したがって、伝搬
損失をそれほど増大ざＶることなく、周波数調整を行な
うことができる。

また、上述した特定の樹脂は、はとんどの有機溶剤によ
って侵されることがないので、表面波装置の有機溶剤に
よる洗浄や樹脂モールドを問題なく行なうことができる
。

また、上述した特定の樹脂は、比較的低い温度で硬化処
理できるので、アルミニウム電極やＺ００圧電薄膜等の
腐蝕を生じさせることはないし、ＰＺＴのような基板で
は分極がはずれることもない。また、硬化処理された、
上述の特定の樹脂からなる薄膜は、酸化されやすいアル
ミニウム電極等の保護膜としても働く。

（実施例）第１図は、表面波基板１上に上述した樹脂群から選ばれ
た樹脂からなるＩｌｌを形成する状態を図解している。

図示されないが、表面波基板１には、既に電極が形成さ
れている。表面波基板１上には、たとえばステンレスか
らなるマスク２が配ｆｉされる。これによって、薄膜の
形成は、マスク２の窓３が形成された部分に限定される
。第１図に示す表面波基板１は、後で切断して複数個の
表面波装置を得ることが意図されていて、多窓３に対応
して１個の表面波装置が得られる。窓３の形状および大
きさは、表面波装置に含まれる端子電極に薄膜が形成さ
れないように考慮される。

薄膜を構成する樹脂は、スプレーガン４のような簡単な
スプレーガン茸で表面波基板１上に付与される。スプレ
ーによる場合、上述した特定の樹脂は、適当な希釈剤で
希釈されて、スプレーガン４に供給される。樹脂の薄膜
の厚みは、スプレ一時開および粘度により容易に調整す
ることができる。

第２図は、得られた表面波装置の一例としての、表面波
フィルタの一部を所面図で示したものである。ここに例
示した表面波フィルタは、ガラス等の誘電体基板５上に
ＺｎＯなとの圧電簿１１１６を形成して表面波基板１を
構成したものである。誘電体基板５上には、インターデ
ィジタルトランスデユーサ（ＩＤＴ）７が形成されてい
る。圧電薄膜６上には、第１図に示すスプレーガンを経
てその後映化処理された、上述の特定の樹脂からなる薄
ｒ！Ａ８が形成されている。その膜厚は“ｈ　ＰＩで現
わされる。

第３図および第４図は、それぞれ、表面波フィルタの挿
入損失および６ｄＢバンド幅の中心周波数ＣＯの変化量
の、例えばポリベンゾイミダゾール系樹脂ｉ’１１１ｇ
１８の膜厚りへの依存性を示すグラフである。なお、比
較例として、上述の樹脂薄膜８に代えてシリコーン系樹
脂からなる１ｌｌｌｌを形成した場合も併せて示されて
いる。

第３図および第４図を併せて参照することにより、この
発明にかかる樹脂１Ｍ！８によれば、挿入損失をあまり
増加させることなく、中心周波数ｆ。

を低下させることができる。たとえば、挿人勧失の増加
を約＋１ｄＢまで許容すれば、この発明による樹Ｗ１薄
膜では、中心周波数ｆｏを１％低下させることかできる
のに対し、シリコーン薄膜では、約０．４〜０．５％し
か低下させることができない。さらに、シリコーン薄膜
では、膜厚が大きくなるにつれて、挿入損失の増加が極
めて大きくなり、実用的でないことがわかる。

なお、工場規模の実施においては、表面波装置の周波数
特性は、同一０ツト内ではほとんどばらつかず、異なる
ロフト間で大きくばらつくことが知られている。したが
って、各ロフト単位で周波数特性を測定して、その測定
結果から、所望の周波数特性を得るためのこの発明によ
る樹脂Ｉｌｌ膜の厚みが設定される。そして、所定の厚
みのこの発明による樹脂ｗａ膜を形成するためのスプレ
ー条件が決定され、同一ロット内のものに対しては、共
通のスプレー条件で薄膜形成工程が実施される。

スプレーに供給される単位時間あたりの樹脂量を一定に
しておけば、スプレー条件は単に時間のファクタのみに
よって決定することができる。

また、この発明が適用される表面波装置としては、上述
したようなフィルタには限らない。その他、表面波共振
器、表面波発振器、遅延線などにも同様に適用角能であ
る。

さらに、この発明による樹脂量ＷＡ８が形成されるｆｒ
１ｉＩ！ｔは、表面波基板１上の端子電極が形成された
領域を除く全領域であってもよいが、一部だけでもよい
。たとえば、表面波共振器の場合、インターディジタル
トランスデユーサの部分だけにこの発明による樹脂薄膜
を設けても、リフレクタの部分だけに樹脂′？Ｉ９膜を
設けても、あるいは両方に設けてもよい。

さらにまた、表面波長板１の構造は、第２図に示したも
のには限らない。たとえば、ＰＺＴ、ニオブ酸リチウム
などの圧電単結晶材料を用いた表面波基板であっても、
圧電セラミックからなる表面波基板であってもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例による樹脂薄膜を形成す
るための工程を図解したものである。第２図は、この発
明による樹Ｗ４薄１１８が表面波基板１上に形成された
状態を示す表面波フィルタの断面図である。第３図は、
表面波フィルタの挿入損失の増加の膜厚に対する依存性
を、この発明による樹脂薄膜とシリコーン薄膜との比較
で示したグラフである。第４図は、表面波フィルタの６
ｄＢバンド幅中心周波数ｆＯの変化量の膜厚に対する依
存性を、この発明による樹脂ＷＩ膜とシリコーン薄膜と
の比較で示したグラフである。図において、１は表面波基板、４はスプレーガン、８は
この発明による樹脂ＷＩ！ｌである。官　ｌ　圓

Claims

【特許請求の範囲】　表面波基板上に薄膜を形成して表面波装置の周波数調
整を行なう方法において、前記薄膜として、ポリベンゾイミダゾール系樹脂、ポリ
ベンゾオサシジノン系樹脂、ポリキナゾリンジオン系樹
脂、ポリアミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリＰキ
シレン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリエステル系樹脂、ビ
ニル系樹脂およびフェノール系樹脂からなる樹脂群から
選ばれた樹脂を用い、その形成される膜厚を変えること
により周波数調整を行なうことを特徴とする表面波装置
の周波数調整方法。