【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]
産業上の利用分野
本発明は、集積回路等の縁線パターン形成用感光性組成
物に関し、さらに詳しくは、感度と耐熱性に優れたｄク
ジ型）オドレジスト組成物に開する。
従来の技術
近来半導体集積回路の微細化に伴って、フォトレジスト
を用いたエツチング−「稈は、プラズマ発生装置中に集
積回路基板を曝す、いわゆるドライエツチングとこまっ
て行われるようになってきた。
この際、基板を保護するために形成されたフォトレジス
トも同時にプラズマによフて削られる。エツチングにお
いでは、フォトレジストがてきるたけ削られないことが
好ましいが、その程度はエツチング前のフォトレジスト
の熱処理温度と関係している。通常、この温度が高いと
エツチング時にフォトレジストは削られ難い。し・かし
、ごうした高温での熱処理を行った場合、形成されたフ
ォトレジスト
グ後の基板のパターンが設計とおりζこ形成されない１
！１１題があった。このため、熱処理温度を下げ、様や
かな条件でトライエツチングするため処理？’Ａ度が」
二がらないす１１題もあフた。
こうした問題を解決するために、特開昭５８−１７１１
２では軟化温度が１１０〜１４５℃のノボラック樹脂を
用いることが示されでいる。しかし、単に軟化温度の高
い樹脂を用いることによっては、感度が大幅に低下する
という問題を解決することができなかった。
発明が解決しようとする問題点
本発明者らは航記欠点を解決すべく鋭意研究の結果、高
い軟化温度のアルカリ可溶性樹脂を用いた場合でも、ピ
ＩＪ力ロールとアセトンとの縮合物及びキノンジアシド
化合物を同時に配合したポジ７（＋２フオトレジストに
おいては、極めて高い耐熱性と高い感度が？ｊｆられる
ことを見い出し、この知見ここ↓（づいて本発明を完成
するに到−〕た。
問題点を解決するための手段
断くして本発明によれは、２００ ’Ｃ以−１，の軟化
温度をイ１するアルカリ可溶性樹脂、ビロカロールとア
セトンとの縮合物及びキノンジアジド化合物よりなるポ
ジ型フォトレジスト
る。
本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、フェ
ノールホルムアルデヒド樹脂，フレソール等のアルキル
フェノールとホルムアルデヒドの縮合物が挙げられろ。
これらはフェノールとアルキルフェノールを混合して用
いてもよく、さろにカテコール、レソルシノールなとの
多価フェノールやナフトールなとを共縮合してもよく、
ポルＪ、アルデヒ！・以外のアルデヒドも用い得るが、
縮合の際の触媒としては、酸を用いる必要がある。また
、ボリヒニルフェノール，ポリイソプロペニルフェノー
ルあるいはこれらの共重合体も用いられる。これらの樹
脂が縮合またとｉ重合したままでは軟化温度が２ ０
０℃以上に達しない場合ここは一旦良溶媒ｔご溶解した
のち貧溶媒を加えるか、ｉ溶媒に滴下するなとの方法に
よって低分子量部分を分別により除去することで２００
℃以上の軟化温度を有する樹脂とすることができる。ア
ルノＪり可溶性樹脂としては、フレソールとポル１１ア
ルデヒドの縮合物が好ましい。
本発明のビロカｊＪ−ルとアセトンとの縮合物は、感度
を向−１−させる効果を示すが、耐熱性を低下させない
ためには、軟化温度が１００°Ｃ．ｔｌｒましくは、１
４０℃以」−の樹脂を用いるのが良い。
本発明のキノンジアジ］・化合物としては、永松元太部
，乾英夫茗、「感光性高分子」、講談社サイ１ンティフ
ィク（１９８０）、１１７ページ〜１１８ベージ；ある
いは、デフォレスト（ １） ｅ Ｆｏｒｅｓｔ）著、
「フｔ ｌ−レジスｌ−．＋ （Ｐｌ＋ ｏ ｌ。
〜３−
ｏｒｅｓｉｓｔ）、１９７５，マグロウヒル（ＩＶｌｃ
Ｇｒｏｗ−ＩＴｉ Ｉ ｌ）＋ （ニーＬーヨーク）
の５０ベージなとに記敏されている。またキノンジアジ
ド化合物は、アルカ１ハｉＩ溶性樹脂の一部または全部
と結合したものであってもよい。特に２，３。
４−トリヒドロキシへンゾフエノンまたは２，／１．６
−ドリヒト０キシベンゾフェノンの０−ナフトキノンジ
アシド−５−スルフォン酸エステルが好ましい。
本発明のアルカリ可溶性樹脂（Ａ）とピ［ツガロール・
アセトンの縮合物（Ｉ３）とキノンジアジド化合物（Ｃ
）のｔ４１成は、Ａを１ （１ ０重量部とした場Ｑ，
Ｂ（、ｔ． １ 〜６ ０重量部、Ｃは３０〜５０重量
部とすることができる。
」二記のＭＩ成の固形物は、有機溶剤に均一に溶解する
ことによって塗イ１１可能なフォトレジストとなる。溶
剤としては、プロパツール、ブタノールなとのアルコー
ル類、メチル１チルケトン、メチルイソブチル）１ １
．ン．シクロヘキサノンなとのケトン類、酢酸エチル、
酢酸フチルウ酢酸イソアミルなどの酢酸エステル類、テ
トラヒト“ロフラン，ジオキサンなどの環式エーテル、
メチルセ［１ソルブ。
エナルセに１ソルブ，ブチルセｒ１ソルフ゛なと，さら
にエチル上１Ｊソルブアセテー］・、ブチルセロソルブ
アセテート、γーブチINDUSTRIAL APPLICATION FIELD The present invention relates to a photosensitive composition for forming edge line patterns of integrated circuits, etc., and more specifically, to a d-Kuji type) odresist composition having excellent sensitivity and heat resistance. BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, with the miniaturization of semiconductor integrated circuits, etching using photoresists has come to be carried out in conjunction with so-called dry etching, in which the integrated circuit board is exposed to a plasma generator. At this time, the photoresist formed to protect the substrate is also etched away by the plasma at the same time.In etching, it is preferable that the photoresist is not etched as much as possible; It is related to the heat treatment temperature. Normally, if this temperature is high, the photoresist is difficult to be removed during etching. However, when heat treatment is performed at a very high temperature, the substrate after the photoresist is formed The pattern of ζ is not formed as designed1
! There were 11 questions. For this reason, it is necessary to lower the heat treatment temperature and perform tri-etching under various conditions. 'A degree'
I also missed 11 questions in Nigaranasu. In order to solve these problems,
No. 2 discloses the use of a novolac resin having a softening temperature of 110 to 145°C. However, simply using a resin with a high softening temperature could not solve the problem of a significant decrease in sensitivity. Problems to be Solved by the Invention The inventors of the present invention have conducted intensive research to solve the drawbacks of navigation, and have found that even when using an alkali-soluble resin with a high softening temperature, the condensation product of PII roll and acetone and the quinone diacid It was discovered that a positive 7 (+2) photoresist containing the compound at the same time has extremely high heat resistance and high sensitivity, and based on this knowledge, the present invention was completed. Means for Solving the Problem Specifically, the present invention provides a positive photoresist comprising an alkali-soluble resin having a softening temperature of 200'C or higher, a condensate of virocalol and acetone, and a quinonediazide compound. Examples of the alkali-soluble resin used in the present invention include phenol-formaldehyde resins and condensates of alkylphenols and formaldehyde such as Fresol.These may be used as a mixture of phenol and alkylphenol, and may also be used in combination with catechol, resorcinol, etc. may be co-condensed with polyhydric phenol or naphthol,
Pol J, Aldehi! Aldehydes other than ・can also be used, but
It is necessary to use an acid as a catalyst during condensation. Further, polyhinylphenol, polyisopropenylphenol, or a copolymer thereof may also be used. If these resins remain condensed or polymerized, the softening temperature will be 20.
If the temperature does not reach 0°C or higher, either add a poor solvent after dissolving the good solvent, or remove the low molecular weight portion by fractionation by adding it dropwise to the solvent.
The resin may have a softening temperature of ℃ or higher. As the Arno J-soluble resin, a condensate of Fresol and Pol-11 aldehyde is preferred. The condensate of birocal and acetone of the present invention exhibits the effect of improving sensitivity, but in order not to reduce heat resistance, the softening temperature must be 100°C. tlr preferably, 1
It is preferable to use a resin with a temperature of 40° C. or higher. The quinonediazide] compound of the present invention includes Gentabe Nagamatsu, Hideo Inui, "Photosensitive Polymer", Kodansha Scientific (1980), pp. 117-118; or DeForest (1) e Forest). Author,
“Ftl-Regisl-.+ (Pl+ol.~3-oresist), 1975, McGraw-Hill (IVlc
Grow-ITi I l)+ (knee L-yoke)
It is recorded in the 50th page. Further, the quinonediazide compound may be combined with a part or all of the alkali-1-iI-soluble resin. Especially 2 and 3. 4-trihydroxyhenzophenone or 2,/1.6
0-Naphthoquinonediacid-5-sulfonic acid ester of -drichtoxybenzophenone is preferred. The alkali-soluble resin (A) of the present invention and
Acetone condensate (I3) and quinonediazide compound (C
) is t41 when A is 1 (10 parts by weight) Q,
B (t. 1 to 60 parts by weight, C can be 30 to 50 parts by weight). It becomes a photoresist.Solvents include propatool, alcohols such as butanol, methyl 1 thyl ketone, methyl isobutyl) 1 1
．． hmm. Ketones such as cyclohexanone, ethyl acetate,
Acetate esters such as phthyl acetate and isoamyl uroacetate, cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane,
Methylce [1 solve. 1 solv on enarce, 1 solv on butyl cello, 1 J solv acetate on ethyl], butyl cellosolve acetate, γ-butyl
【て１ラクトンなとが挙げられる
。また、キシレン、トルエンなとの芳香族炭化水素を混
合しでもよい。固形物の含量は、ｌＯ〜４０重量％程度
が通常用いられる。
本発明のレジスｌ［ｌ酸物は基板に回転塗布法によって
塗布し・た後、露光・現像することによってパターンを
形成する、約ＩＨ．ｍ程度の厚みを有するレジスト膜を
形成することができる。塗イ５（Ｄ後、８０〜９０℃の
温度で熱処理し、残留する溶剤を除去する。次いで、紫
外線，電子線などのエネルギー線で所望のパターンを露
光する。
本発明のレジス） ＩＩ成酸物用現像液としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、メタケイ酸ナトリウム
などの無機アルカリ、水酸化テトラメチルアンモニウム
、コリンなどの有機アルカリが用いられる。また、アミ
ン類・アルコール・エーテル類などを混合して用いるこ
ともできる。
発明の効果
）υ１くしで４、発明によれは、従来技術に比較して耐
熱性と感度に優れたポジ型フＡトレジストを得ることが
できる。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。なお、実施例、比較例及び合成例中の部及び％は特に
断わりのないかぎり重量基準である。
なお、軟化温度は次のよ−）に測定した。、１１５に２
２０７石油アスファルト軟化点試験方法に記載のリンク
、ボールおよび試験片を保持する冶貝な用意する。ポッ
トプレート１−にリングを置き、測定する樹脂を溶融・
軟化させながらリング中に充填した。信越化学（株）製
ＫＦ ５４シリコーンオイルな熱媒に用いる以外はＪＩ
Ｓ Ｋ ２２０７と同様にして測定した。
合成例 １
メタクレゾール１４４ ｇとパラクレゾール９６ｇと：
）７％ホルムアルデヒド１６０ｇとシ：Ｌつ酸二水和物
２．３ｇを１リツトルのセパラブルフラスコに入れ、シ
ョウ酸を溶解した後、マントルヒータ“Ｃ加熱し）（時
間泣け、ヌマ流させた。次いで１１１１酸セロソルブ２
００ｇを加え撹拌した後、静置し、分シｕした水層な傾
斜させて除いた。次に減圧蒸留装置を１１″Ｉり付け、
残留している水とともに約１００ｇの酢酸セロソルブを
留出した。撹拌翼が固着しないように生成した樹脂を４
０°（：に冷却し、３００ ｇのアセトンを加え均一に
溶解した。１０リットルのトルコーンに撹拌しながら、
樹脂のアセトン溶液を滴下し、析出した樹脂を濾別し真
空乾燥した。収単は１８０ｇ、樹脂の軟化温度は２１（
）℃であった・
合成例 ２
８０ｇのピロカＬ１−ルを／ｌ Ｆ３０ ｇのアセトン
に溶解し、オキシ塩化リン３．０ｇを加え７１０℃で８
時間撹拌を行った後、反応物を大量の水に撹拌しながら
滴下すると固形物が析出する。これを濾別し、真空乾燥
してピロカロールとアセトンの縮合物４８．３ｇを得た
。軟化温度は１６１℃であった。
合成例 ３
１５ （ｌ ＩＨのヒ゛ＩＪ力にｌ−ルと２００ ＨＨ
のアセトンとオキシ塩化リン１．Ｏｇを用いた以外は合
成例２と同様にしてピロカロールとアセトンの縮合物９
２ｇを得た。軟化温度は１１８℃であった。
合成例 ４
γ−イソプロペニルフェノール４ （１ｇ 、アクリロ
ニトリル３７ｇをテトラヒドロフラン３００ ｇに溶解
し、窒素置換した１リツトルカラスボトルに充填した。
次いでアゾビスイソブチ［Ｊ二Ｉ・リル０．５０ｇを５
０ｇのテトラヒドロフランに溶解してカラスボトルに注
入し、６０℃の恒温水槽中で２時間静置重合した。ガラ
スボトルの内容物を冷却した後、２リツトルのヘキサン
に撹拌しながら注ぎ析出物を濾別した。析出物をテトラ
ヒドロフラン３００ｇに溶解し、再び２リツトルのヘキ
サンに注ぎ、析出物を４０℃で４８時間真空乾燥した。
３２ ｇのｒ−イソプロペニルフェノールとアクリロニ
トリルの共重合体が得られた。軟化温度は２０・１℃で
あった。
合成例 ５
メタクレゾール１４４ ｇとバラクレゾール９６ｇと３
７％ホル１１アルデヒド１６０ｇとシュウ酸二水和物２
．３ｇを１リットルのセパラブルフラスコに入れ、シュ
ウ酸を溶解した後、マントルヒータで８時間撹拌、還流
させた。次いで撹拌した後、静置し、減圧蒸留装置を取
り１］け、１８０ ’Ｃ１５ｍｍ１１３まで減圧蒸留し
内容物を直ちにバットに注ぎ同化させた。収ｆｆｔ２７
３ｇ、軟化温度１３５℃であった。
合成例 ６
黄色光下で、２，３．４− ）リヒト〔Ｉキシヘンシフ
エノン１３．０ｇとＯ−ナフトキノンジアジ１ζ−５−
スルフオン酸クロライド２ Ｂ 、Ｏｇを２４０ｇの１
，４−ジオキサンに溶解し、４０℃に加温しながら撹拌
し、、２０．０ｇのトリエチルアミンと８３．２ｇの１
，４−ジオキサンの混合溶液を約３０分かけて滴下した
。さらに１時間加温撹拌を続けた後、反応液を濾過して
析出物を除き、店液を１％クシ：つ酸水溶液１２リツト
ルに撹拌しなから注いた。析出した固形物を７３別し４
０℃で２１１時間真空乾燥し、２．：１．／ｌ−トリヒ
トロキシヘンソフ工ノン００〜ナフトキノンジアジド−
５−スルフォン酸エステル／１９．２ｇを得た。
合成例 ７
２．２′、４，１１゛−テトラヒトｌフキジベンゾフェ
ノンＩ１１．Ｏｇと０−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルフォン酸り［ｌライド２８．０ｇを用いた以外は合成
例６と同様にして、２．２’、／ｌ、／Ｉ’−テトラヒ
ドロキシベンツフェノンの０−ナフトキノンジアジド−
５−スルフォン酸エステル５１．１ｇを得た。
実施例 １〜４．比較例 １〜３
合成例１〜７でｊ二また原料を実施例４の場合はシクロ
ヘキサノン、曲は酢酸セロソルブに溶解し、スピンコー
ド後、８５℃、３０分のベーキングによって１．５７１
ｍの膜厚が１＋１られるように濃度を調整（へ店過して
得たレジスト溶液の配合と、感度、耐熱変形性の評価結
果を表１に示す。
ピロガロールとアセトンの縮合物を配合しない比較例］
、；３および軟化温度の低いアルカリ可溶性樹脂を配合
した比較例２においては、耐熱変形性あるいは感度の何
れかしか改良され−Ｃいないが、本発明においては、両
者ともに優れていることが判る。
感度は以下のような方法で測定した。４インチ径のシリ
コン酸化膜つｌハにレジスト溶液を塗布し、８５℃、３
０分のプリベークを行い、１．５）ｉ ｒｎの膜を形成
する。次いて、オプトライン社製ステップタブレットマ
スクを介して、ギヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ型ア
ライナ−ζこよって８０ｍＪ／ｃｍ２（４０５ｎ ｍに
て測定）の紫外線を＝ａｖｂ、２．６％のテトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイ１８水溶液で１分間浸漬
現像する。各ステップの膜厚を測定し、横軸に照射エネ
ルギーの対数を取り、縦軸に現像前の膜厚て規格化した
各ステップの膜厚をとってブロワ］・シて残膜率曲線を
得る。この曲線が横軸をＬＪＪる点の照口・１エネルギ
ーをもって感度とした。
また、耐熱変形性は以下のように評価した。）３０℃、
３０分のベーキングの後、１．５７１ｍに形成されたシ
リコン酸化膜ウェハのレジスト層に対して、解像度パタ
ーンを有するフォトマスクを介してＰＬＡ ５０Ｊ Ｆ
を用いて感度の３倍のエネルギーの紫外線を照射し、２
．６％のテ）・ラメチルアンモニウムハイド°１コオキ
サイド水溶液で１分子ｆｌｌ浸漬現像した後、１２ ｏ
’ｃ、 ａ ０分ボストベークする。このようにしてレ
ジストの解像度パターンが形成されたウェハから５μｎ
１ラインアン１ζスペースの部分を切り出し、１３０℃
から２１０°℃まで】Ｏ℃間隔でエアオーブン９３０分
熱処理した試わ１を作成する。各処理温度ごとの試別の
５μｍラインアンアンスペースのレジスト層の破断面を
走査型電子顕微鏡で観察し、断面の形状が丸くならない
最高の熱処理温度をもって耐熱変形性とした。
以下余白[One example is 1 lactone. Further, aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene may be mixed. The content of solids is usually about 10 to 40% by weight. The resist l[l acid of the present invention is applied to a substrate by a spin coating method, and then exposed and developed to form a pattern, about IH. A resist film having a thickness of about m can be formed. Coating A 5 (After D, heat treatment is performed at a temperature of 80 to 90°C to remove the remaining solvent. Then, the desired pattern is exposed to energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. Resist of the present invention) II Synthetic acid As the material developer, inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, and sodium metasilicate, and organic alkalis such as tetramethylammonium hydroxide and choline are used. Moreover, amines, alcohols, ethers, etc. can also be mixed and used. Effects of the invention) υ1 comb 4 According to the invention, a positive photoresist having superior heat resistance and sensitivity compared to the prior art can be obtained. The present invention will be explained in more detail with reference to Examples below. Note that parts and percentages in Examples, Comparative Examples, and Synthesis Examples are based on weight unless otherwise specified. In addition, the softening temperature was measured as follows. , 115 to 2
207 Petroleum Asphalt Softening Point Test Method A metal shell is prepared to hold the links, balls and test specimens. Place the ring on pot plate 1- and melt the resin to be measured.
It was filled into the ring while being softened. Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KF 54 Silicone oil JI except for use as a heating medium
It was measured in the same manner as SK 2207. Synthesis Example 1 144 g of meta-cresol and 96 g of para-cresol:
) Put 160 g of 7% formaldehyde and 2.3 g of citric acid dihydrate into a 1 liter separable flask, dissolve the citric acid, and then heat with a mantle heater "C". Then 1111 acid cellosolve 2
After adding 00 g and stirring, the mixture was allowed to stand, and the separated aqueous layer was decanted and removed. Next, attach a vacuum distillation device to 11″I,
Approximately 100 g of cellosolve acetate was distilled off along with the remaining water. The resin produced to prevent the stirring blades from sticking is
After cooling to 0° (:), 300 g of acetone was added and dissolved uniformly.
An acetone solution of the resin was added dropwise, and the precipitated resin was filtered off and dried under vacuum. The yield is 180g, and the softening temperature of the resin is 21 (
)℃・Synthesis Example 2 80g of pyrocal L1-1 was dissolved in 30g of acetone/l F, and 3.0g of phosphorus oxychloride was added to it at 710℃.
After stirring for a period of time, the reactant is added dropwise to a large amount of water with stirring, and a solid substance precipitates out. This was filtered and dried under vacuum to obtain 48.3 g of a condensate of pyrocarol and acetone. The softening temperature was 161°C. Synthesis example 3 15 (l IH's IJ force, l-le and 200 HH
acetone and phosphorus oxychloride 1. Condensate 9 of pyrocarol and acetone was prepared in the same manner as in Synthesis Example 2 except that Og was used.
2g was obtained. The softening temperature was 118°C. Synthesis Example 4 γ-Isopropenylphenol 4 (1 g) and 37 g of acrylonitrile were dissolved in 300 g of tetrahydrofuran and charged into a 1 liter glass bottle purged with nitrogen.
The solution was dissolved in 0 g of tetrahydrofuran, poured into a glass bottle, and polymerized by standing in a constant temperature water bath at 60° C. for 2 hours. After the contents of the glass bottle were cooled, they were poured into 2 liters of hexane with stirring, and the precipitate was filtered off. The precipitate was dissolved in 300 g of tetrahydrofuran, poured again into 2 liters of hexane, and the precipitate was vacuum-dried at 40° C. for 48 hours. 32 g of a copolymer of r-isopropenylphenol and acrylonitrile was obtained. The softening temperature was 20.1°C. Synthesis example 5 Metacresol 144 g, vala cresol 96 g and 3
160g of 7% form-11 aldehyde and 2 oxalic acid dihydrates
．． After putting 3 g into a 1 liter separable flask and dissolving the oxalic acid, the mixture was stirred and refluxed using a mantle heater for 8 hours. After stirring, the mixture was allowed to stand still, and the vacuum distillation apparatus was removed and vacuum distilled to 180'C15mm113, and the contents were immediately poured into a vat for assimilation. Collectionfft27
3g, and the softening temperature was 135°C. Synthesis Example 6 Under yellow light, 13.0 g of 2,3.4-
1 of 240 g of sulfonic acid chloride 2 B, Og
, 4-dioxane and stirred while heating to 40°C, 20.0 g of triethylamine and 83.2 g of 1
, 4-dioxane was added dropwise over about 30 minutes. After heating and stirring for another 1 hour, the reaction solution was filtered to remove the precipitate, and the solution was poured into 12 liters of a 1% combic acid aqueous solution without stirring. The precipitated solid matter was separated by 73% and 4
Vacuum drying at 0°C for 211 hours, 2. :1. /l-trihydroxyhensofukonone 00~naphthoquinone diazide-
19.2 g of 5-sulfonic acid ester was obtained. Synthesis Example 7 2.2′,4,11′-tetrahuman fukidibenzophenone I11. Og and 0-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid [l] in the same manner as in Synthesis Example 6 except that 28.0 g of 0-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid [l] was used. Naphthoquinone diazide
51.1 g of 5-sulfonic acid ester was obtained. Examples 1-4. Comparative Examples 1 to 3 In Synthesis Examples 1 to 7, the raw materials were dissolved in cyclohexanone in the case of Example 4 and celloacetate in cellosolve acetate, and after spin coding, baking at 85°C for 30 minutes gave 1.571.
Table 1 shows the composition of the resist solution obtained by adjusting the concentration so that the film thickness of m is 1 + 1, and the evaluation results of sensitivity and heat deformation resistance. Comparison without blending the condensate of pyrogallol and acetone. example]
, ;3 and Comparative Example 2 in which an alkali-soluble resin with a low softening temperature was blended, only the heat deformation resistance or the sensitivity was improved -C, but it can be seen that in the present invention, both are excellent. Sensitivity was measured by the following method. Apply a resist solution to a 4-inch diameter silicon oxide film and heat at 85°C for 3
Pre-bake for 0 minutes to form a 1.5) i rn film. Next, through a step tablet mask manufactured by Optoline, ultraviolet rays of 80 mJ/cm2 (measured at 405 nm) were applied using a PLA-501F type aligner (ζ manufactured by Gyanon Co., Ltd.) at = avb, 2.6% tetra Develop by immersion in methylammonium hydroxide 18 aqueous solution for 1 minute. Measure the film thickness at each step, take the logarithm of the irradiation energy on the horizontal axis, and take the film thickness at each step normalized by the film thickness before development on the vertical axis to obtain the residual film rate curve. . The sensitivity was defined as the illumination point/1 energy of the point where the horizontal axis of this curve is LJJ. In addition, heat deformation resistance was evaluated as follows. )30℃,
After baking for 30 minutes, PLA 50J F was applied to the resist layer of the 1.571 m silicon oxide wafer through a photomask with a resolution pattern.
irradiate ultraviolet rays with an energy three times the sensitivity using a
．． After immersing and developing one molecule in a 6% aqueous solution of Te)-ramethylammonium hydride, 12 o
'c, a Bost bake for 0 minutes. 5 μn from the wafer on which the resist resolution pattern was formed in this way.
Cut out a part of 1 line Anne 1ζ space, 130℃
[from 210°C] to 210°C] Trial 1 was prepared by heat treatment in an air oven for 930 minutes at 0°C intervals. The fractured surfaces of the 5 μm line unspaced resist layers for each treatment temperature were observed using a scanning electron microscope, and the highest heat treatment temperature at which the cross-sectional shape did not become round was defined as heat deformation resistance. Margin below