JPS62224935A - Plasma processor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマ処理装置に関し、特ＬＳＩに使用さ
れる多結晶シリコン、アルミニウム、シリコン酸化膜等
の各種躾の堆積やエツチング等を行なうプラズマ処理装
置に係わる。[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Field of Application) The present invention relates to a plasma processing apparatus, and is particularly applicable to the deposition of various types of films such as polycrystalline silicon, aluminum, and silicon oxide films used in LSIs. It relates to plasma processing equipment that performs etching, etc.
（従来の技術）
プラズマ処理装置としては、プラズマエツチング装置や
プラズマスパッタリング装置が一般的に知られている。(Prior Art) As plasma processing apparatuses, plasma etching apparatuses and plasma sputtering apparatuses are generally known.
例えば、プラズマエツチング装置は従来、第３図に示す
構造になっている。即ち、図中の１は真空チャンバであ
り、この真空チャンバ１は通常、腐蝕性の強い反応性ガ
スに耐えるステンレスにより形成されている。前記チャ
ンバ１内には、互いに対向する一対の平行平板電極２ａ
、２ｂが配置されている。これら電極２ａ１２ｂも前記
チャンバ１と同様な理由で通常、ステンレスにより形成
されている。前記下部電極２ｂには、例えば高周波電源
３が接続されており、かつ前記上部電極２ａ及びチャン
バ１は接地されている。For example, a conventional plasma etching apparatus has a structure shown in FIG. That is, 1 in the figure is a vacuum chamber, and this vacuum chamber 1 is usually made of stainless steel that can withstand highly corrosive reactive gas. Inside the chamber 1, there are a pair of parallel plate electrodes 2a facing each other.
, 2b are arranged. These electrodes 2a12b are also usually made of stainless steel for the same reason as the chamber 1. For example, a high frequency power source 3 is connected to the lower electrode 2b, and the upper electrode 2a and the chamber 1 are grounded.
前記チャンバ１には、ガス導入管４及びガス排気管５が
夫々連結されている。A gas introduction pipe 4 and a gas exhaust pipe 5 are connected to the chamber 1, respectively.
上述したプラズマエツチング装置のガス導入管４より所
望の反応性ガスをチャンバ１内に導入し、排気管５より
ガスを排気しながら高周波電源３から下部電極２ｂに高
周波電力を印加すると、各電極２ａ、２ｂ間で放電が生
起され、それらの間にプラズマ６が発生する。プラズマ
６中では、反応性ガスの一部はイオン化し、陽イオンと
電子が存在する。質量の、大きなイオンは、高速で向き
を変える電場に追従できず、あまり動かない。一方、軽
い電子は易動度が大きいために容易に電場に追従する。A desired reactive gas is introduced into the chamber 1 through the gas introduction pipe 4 of the plasma etching apparatus described above, and while the gas is exhausted through the exhaust pipe 5, high frequency power is applied from the high frequency power source 3 to the lower electrode 2b. , 2b, and plasma 6 is generated between them. In the plasma 6, a portion of the reactive gas is ionized, and positive ions and electrons are present. Ions with large masses cannot follow the electric field that changes direction at high speed, and do not move much. On the other hand, light electrons have high mobility and therefore easily follow the electric field.
このため、電子はプラズマ６と接触する各電極２ａ、２
ｂやチャンバ内面に流れ込む。プラズマ６は、それに接
触する物質に対して常に正に帯電するため、該物質の間
には電界が生じ、これによってプラズマ６中の陽−イオ
ンは加速され、該プラズマ６と接する物質に衝突する。Therefore, electrons are transferred to each electrode 2a, 2 that contacts the plasma 6.
b and flows into the inner surface of the chamber. Since the plasma 6 is always positively charged with respect to substances that come into contact with it, an electric field is generated between the substances, and the positive ions in the plasma 6 are accelerated and collide with the substances that are in contact with the plasma 6. .
この加速電圧は、通常のプラズマ条件では数１０Ｖ以上
である。物質に加速イオンが衝突することでスパッタリ
ングが起きるしきい値は、１０Ｖである。こうした作用
より、一方の電極（例えば下部電極２ｂ）上に被エツチ
ング材としての例えばシリコンウェハ７を配置すること
によって、該ウェハ７のエツチングがなされる。This accelerating voltage is several tens of volts or more under normal plasma conditions. The threshold at which sputtering occurs when accelerated ions collide with a substance is 10V. Due to this effect, by placing, for example, a silicon wafer 7 as a material to be etched on one of the electrodes (for example, the lower electrode 2b), the wafer 7 is etched.
しかしながら、上記シリコンウェハ７のエツチング中に
おいて、プラズマ６に接する電極２ａ、２ｂやチャンバ
１内面にも加速された陽イオンが衝突してそれらの構成
材料もスパッタリングされる。こうしてスパッタリング
された原子は、チャンバ１内に充満しているため、ウェ
ハ７表面に不純物として付着する。具体的には、エツチ
ング後のウェハ表面をオージェ分光器により分析すると
、第４図に示す分析チャートが得られた。この第４図よ
り前記エツチング後のウェハ表面には電極の構成材料で
あるステンレス成分が検出された。However, during the etching of the silicon wafer 7, the accelerated positive ions collide with the electrodes 2a, 2b in contact with the plasma 6 and the inner surface of the chamber 1, and their constituent materials are also sputtered. Since the atoms thus sputtered fill the chamber 1, they adhere to the surface of the wafer 7 as impurities. Specifically, when the surface of the wafer after etching was analyzed using an Auger spectrometer, an analysis chart shown in FIG. 4 was obtained. From FIG. 4, a stainless steel component, which is a constituent material of the electrode, was detected on the wafer surface after etching.
このようなことから、前記チャンバ内面や電極表面を有
ＩＩ樹脂膜で被覆したプラズマエツチング装置、又は各
電極表面をアルミナ膜で被覆したプラズマエツチング装
置が開発されている。しかしながら、前者の装置では合
成樹脂膜でチャンバ内面全体を被覆することが不可能で
あり、エツチング後のウェハ表面をオージェ分光器によ
り分析すると、第５図の分析チャートに示すようにチャ
ンバの構成材料の一つであるＦｅが検出され、汚染を充
分に防止できない。また、後者の装置では電極表面にア
ルミナ膜を被覆しても、アルミナ中には微量のＦ ｅ
ｓ Ｎ ｉ 、Ｃｒ等を含むため、該アルミナ膜のスパ
ッタリングにより該微量成分が同様に叩き出され、ウェ
ハに不純物として付着し、汚染を生じる問題がある。For this reason, plasma etching apparatuses have been developed in which the inner surface of the chamber and the electrode surfaces are coated with a dielectric resin film, or plasma etching apparatuses in which each electrode surface is coated with an alumina film. However, with the former device, it is impossible to cover the entire inner surface of the chamber with a synthetic resin film, and when the wafer surface after etching is analyzed using an Auger spectrometer, the constituent materials of the chamber are revealed as shown in the analysis chart in Figure 5. Fe, one of these, was detected, and contamination cannot be sufficiently prevented. In addition, in the latter device, even if the electrode surface is coated with an alumina film, there is a trace amount of Fe in the alumina.
Since it contains s N i , Cr, etc., there is a problem that the trace components are similarly knocked out by sputtering of the alumina film and adhere to the wafer as impurities, causing contamination.
なお、上述したスパッタリングされた金属による汚染は
、プラズマエツチング装置に限らずプラズマスパッタリ
ング装置の場合にも同様に起きる。Note that the above-mentioned contamination due to sputtered metal occurs not only in plasma etching equipment but also in plasma sputtering equipment.
つまり、ターゲットからスパッタリングされた多結晶シ
リコン等の膜が堆積される被堆積材としてのシリコンウ
ェハ上への不純物の付着、汚染を生じる。In other words, impurities adhere to and contaminate a silicon wafer, which is a material to be deposited, on which a film of polycrystalline silicon or the like sputtered from a target is deposited.
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので
、真空チャンバ内に配置された電極等からスパッタリン
グされた金属不純物による汚染を防止したプラズマ処理
装置を提供しようとするものである。(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made to solve the above problems, and is a plasma processing apparatus that prevents contamination due to metal impurities sputtered from electrodes etc. arranged in a vacuum chamber. This is what we are trying to provide.
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、真空チャンバ内の減圧反応性ガス空間に高周
波又は直流電圧を印加し、放電生起せしめでプラズマを
発生させ、このプラズマ中に生成された活性種と物質と
の間で各種反応を行なうプラズマ処理装置において、前
記真空チャンバ内に合成樹脂膜で被覆された永久磁石を
着脱自在に配置したことを特徴とするプラズマ処理装置
である。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention applies a high frequency or DC voltage to a reduced pressure reactive gas space in a vacuum chamber, generates a discharge, and generates plasma. A plasma processing apparatus for performing various reactions between generated active species and substances, characterized in that a permanent magnet coated with a synthetic resin film is removably disposed in the vacuum chamber. .
上記合成樹脂膜を永久磁石に被覆する方法としては、例
えば熱圧着合成樹脂フィルムを使用して永久磁石表面に
熱圧着する方法と、溶剤で溶解した合成樹脂溶液を永久
磁石表面に塗布する方法との２通りがある。但し、前者
の熱圧着合成樹脂フィルムを使用する方法は、後者の合
成樹脂溶液を塗布する方法に比べて膜中への不純物の混
入が少なく、かつ剥離し易いという利点を有するため有
効である。こうした熱圧着合成樹脂フィルムとしては、
例えばポリスチレンフィルム、酢酸ビニル−エチレン共
重合体フィルム又は塩化ビニル樹脂フィルム等を使用す
ることができる。Methods for coating the permanent magnet with the above synthetic resin film include, for example, a method of thermocompression bonding to the surface of the permanent magnet using a thermocompression bonded synthetic resin film, and a method of applying a synthetic resin solution dissolved in a solvent to the surface of the permanent magnet. There are two ways. However, the former method of using a thermocompression-bonded synthetic resin film is more effective than the latter method of applying a synthetic resin solution because it has the advantage of less contamination of impurities into the film and easier peeling. As such a thermocompression bonded synthetic resin film,
For example, polystyrene film, vinyl acetate-ethylene copolymer film, vinyl chloride resin film, etc. can be used.
（作用）
本発明のプラズマ処理装置によれば、真空チャンバ内に
合成樹脂膜で被覆された永久磁石を配置することによっ
て、該チャンバ内に配置された電極、その表面に被覆さ
れたアルミナ膜やチャンバ内面からスパッタリングされ
た鉄、ニッケル等の強磁性成分の微粒子を該永久磁石に
より吸い寄せることができ、ウェハ表面への該微粒子の
付着を抑制できる。この際、永久ｖＡ？Ｅｉ表面には合
成樹脂膜が被覆されているため、該磁石の陽イオンによ
るスパッタリングの保護膜として作用し、永久磁石自体
からその成分がスパッタリングされるのを防止できる。(Function) According to the plasma processing apparatus of the present invention, by arranging a permanent magnet covered with a synthetic resin film in a vacuum chamber, the electrodes arranged in the chamber, the alumina film coated on the surface thereof, Fine particles of ferromagnetic components such as iron and nickel sputtered from the inner surface of the chamber can be attracted by the permanent magnet, and adhesion of the fine particles to the wafer surface can be suppressed. At this time, permanent vA? Since the surface of Ei is coated with a synthetic resin film, it acts as a protective film against sputtering by cations of the magnet, and can prevent the component from being sputtered from the permanent magnet itself.
また、前記永久磁石は前記チャンバ内に着脱自在に設け
られているため、所定期間プラズマ処理を行なった後、
同チャンバから取出し、その表面のスパッタリングによ
り劣化、破損された合成樹脂膜を再被覆でき、これによ
り合成樹脂膜による永久磁石の保護作用を回復できる。Further, since the permanent magnet is removably installed in the chamber, after performing plasma treatment for a predetermined period,
When taken out from the same chamber, the synthetic resin film that has been degraded or damaged by sputtering on its surface can be recoated, thereby restoring the protective effect of the synthetic resin film on the permanent magnet.
（発明の実施例）
以下、本発明の実施例を第１図を参照して詳細に説明す
る。(Embodiments of the Invention) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
図中の１１は真空チャンバであり、この真空チャンバ１
１は通常、腐蝕性の強い反応性ガスに耐えるステンレス
により形成されている。前記チャンバ１１内には互いに
対向する一対の平行平板電極１２ａ、１２ｂが配置され
ている。これら電極１２ａ、１２ｂも前記チャンバ１１
と同様な理由で通常、ステンレスにより形成され、かつ
表面にアルミナ膜が被覆されている。前記下部電極１２
ｂには、例えば＾周波電源１３が接続されており、かつ
前記上部電極１２ａ及びチャンバ１１は接地されている
。前記チャンバ１１には、ガス導入管１４及びガス排気
管１５が夫々連結されている。そして、前記下部電極１
２ｂ上方の近傍には環状をなす第１の永久磁石１６＋が
着脱自在に配置されている。また、前記電極１２８，１
２ｂ間付近に位置するチャンバ１１内周面には、環状を
なす第２の永久磁石１６２が着脱自在に配置されている
。前記各永久磁石１６１．１６２の表面には、例えばボ
リスヂレンフィルムが熱圧着により被覆されている。11 in the figure is a vacuum chamber, and this vacuum chamber 1
1 is usually made of stainless steel that can withstand highly corrosive reactive gases. A pair of parallel plate electrodes 12a and 12b facing each other are arranged in the chamber 11. These electrodes 12a and 12b are also connected to the chamber 11.
For the same reason, it is usually made of stainless steel and its surface is coated with an alumina film. The lower electrode 12
For example, a frequency power supply 13 is connected to b, and the upper electrode 12a and the chamber 11 are grounded. A gas introduction pipe 14 and a gas exhaust pipe 15 are connected to the chamber 11, respectively. Then, the lower electrode 1
A first annular permanent magnet 16+ is removably arranged above and near 2b. Further, the electrodes 128,1
A second annular permanent magnet 162 is removably disposed on the inner peripheral surface of the chamber 11 located near the gap between the magnets 2b. The surface of each of the permanent magnets 161 and 162 is coated with, for example, a Borisdylene film by thermocompression bonding.
このような構成によれば、下部電極１２ｂ上に例えばシ
リコンウェハ１７をヒラＩ〜した後、ガス導入管１４よ
り所望の反応性ガス（例えば塩素ガス）をチャンバ１１
内に導入し、排気管１５よりガスを排気しながら高周波
電源１３から下部電極１２ｂに高周波ミノ〕を印加する
と、各電極１２ａ、１２ｂ間で放電が生起され、それら
の間にプラズマ１８が発生し、該プラズマ１８中でイオ
ン化した陽イオンが加速されて、下部電極１２ｂ上のウ
ェハ１７に衝突してスパッタエツチングがなされる。こ
のスパッタエツチング中において、電極（特に下部電極
１２ｂ）及びチャンバ１１内面に陽イオンの一部が衝突
してそれらの構成材料（鉄やニッケル等の強磁性成分）
がスパッタリングされるが、チャンバ１１内に配置され
た第１、第２の永久磁石１６１．１６２にスパッタリン
グされた鉄やニッケル等の強磁性成分の微粒子が吸い寄
せられて同磁石１６１．１６２に付着されるため、該微
粒子がウェハ１７表面に付着するのを抑制できる。この
際、各永久磁石１６１．１６２には夫々ボリスヂレンフ
ィルムが被覆されているため、スパッタリングエツチン
グ中での永久磁石１６１．１６２自体のスパッタリング
を防止できる。According to such a configuration, after placing, for example, the silicon wafer 17 on the lower electrode 12b, a desired reactive gas (for example, chlorine gas) is introduced into the chamber 11 through the gas introduction pipe 14.
When a high-frequency power source 13 is applied to the lower electrode 12b from the high-frequency power source 13 while exhausting the gas from the exhaust pipe 15, a discharge is generated between each electrode 12a and 12b, and a plasma 18 is generated between them. The positive ions ionized in the plasma 18 are accelerated and collide with the wafer 17 on the lower electrode 12b to perform sputter etching. During this sputter etching, some of the cations collide with the electrodes (especially the lower electrode 12b) and the inner surface of the chamber 11, causing their constituent materials (ferromagnetic components such as iron and nickel)
is sputtered, but the sputtered fine particles of ferromagnetic components such as iron and nickel are attracted to the first and second permanent magnets 161 and 162 arranged in the chamber 11 and attached to the magnets 161 and 162. Therefore, it is possible to suppress the fine particles from adhering to the surface of the wafer 17. At this time, since each of the permanent magnets 161 and 162 is coated with a Borisdyrene film, the permanent magnets 161 and 162 themselves can be prevented from sputtering during sputtering etching.
事実、本実施例でのエツチング後にチャンバ１１からシ
リコンウェハ１７を取出し、その表面層をオージェ分光
器で分析したところ、第２図に示す分析チャートが得ら
れた。この第２図より明らかなように、本実施例による
エツチングではウェハへのＦｅやＮｉの不純物の付着が
殆ど検出されず、従来の永久磁石を配置しないプラズマ
エツチング装置（第４図図示の分析チャー１・）や合成
樹脂膜で真空チャンバ内面等を覆ったプラズマエツチン
グ袋間（第５図図示の分析チャート）に比べて不純物に
よる汚染のない良好なエツチングを行なえることがわか
る。In fact, when the silicon wafer 17 was removed from the chamber 11 after etching in this example and its surface layer was analyzed using an Auger spectrometer, the analysis chart shown in FIG. 2 was obtained. As is clear from FIG. 2, almost no impurities such as Fe or Ni were detected on the wafer in the etching process according to this example, and the etching process was performed using a conventional plasma etching apparatus without a permanent magnet (the analysis chart shown in FIG. 4). It can be seen that better etching can be performed without contamination by impurities compared to the plasma etching bag (Analysis chart shown in FIG. 5) in which the inner surface of the vacuum chamber and the like are covered with a synthetic resin film.
また、各永久磁石１６１．１６２はチャンバ１１に対し
て着脱自在に配置されているため、所定期間でのスパッ
タリングエツチングにより各磁石１６１．１６２表面の
ポリスチレンフィルムが劣化した場合にはそれら磁石を
取出して簡単に再被覆でき、そのフィルムによる保護作
用を回復できる。In addition, since each permanent magnet 161, 162 is arranged to be detachable from the chamber 11, if the polystyrene film on the surface of each magnet 161, 162 deteriorates due to sputtering etching over a predetermined period of time, the magnets can be removed. It can be easily recoated to restore the protection provided by the film.
なお、上記実施例では永久磁石を真空チャンバ内に２、
個装置したが、これに限定されない。例えば、下部電極
の上方近傍に１つ配置してもよく、或いは３つ以上配置
してもよい。In the above embodiment, two permanent magnets are placed in the vacuum chamber.
However, the present invention is not limited to this. For example, one may be arranged near the upper part of the lower electrode, or three or more may be arranged.
上記実施例では、プラズマエツチング装置に適用した例
を説明したが、所望の膜堆積を行なうプラズマスパッタ
リング装置にも同様に適用できる。In the above embodiment, an example in which the present invention is applied to a plasma etching apparatus has been described, but the present invention can be similarly applied to a plasma sputtering apparatus for depositing a desired film.
こうしたプラズマスパッタリング装置のチャンバ内に配
置するターゲットは強磁性材料を除く材料から形成する
必要がある。The target placed in the chamber of such a plasma sputtering apparatus needs to be made of a material other than ferromagnetic material.
［発明の効果］
以上詳述した如く、本発明によれば真空チャンバ内に配
置された電極等からスパッタリングされた金属不純物に
よる汚染を防止でき、ひいてはシリコンウェハ等への汚
染のない良好なスパッタエツチングや膜堆積が可能なプ
ラズマ処理′ａＡＷＩを提供できるものである。[Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention, it is possible to prevent contamination by metal impurities sputtered from electrodes etc. arranged in a vacuum chamber, and as a result, good sputter etching can be achieved without contaminating silicon wafers etc. Accordingly, it is possible to provide a plasma treatment 'aAWI' which enables film deposition.
第１図は本発明の一実施例を示すプラズマエツチング装
置を示す概略図、第２図は本実施例によるスパッタエツ
チング後のシリコンウェハ表面をオージェ分光器で分析
した分析チャート、第３図は従来のプラズマエツチング
装置を示す概略図、第４図は第３図図示の装置によるス
パッタエツチング後のシリコンウェハ表面をオージェ分
光器で分析した分析チャート、第５図はチャンバ内面及
び電極内面を合成樹脂膜で被覆したプラズマエツチング
装置によるスパッタエツチング後のシリコンウェハ表面
をオージェ分光器で分析した分析チャートである。
１１・・・真空チャンバ、１２ａ、１２ｂ・・・電極、
１３・・・高周波電源、１４・・・ガス導入管、１５・
・・ガス排気管、１６１．１６２・・・ポリスチレンフ
ィルムが被覆された環状の永久磁石、１７・・・シリコ
ンウェハ、１８・・・プラズマ。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
工Ｌクトロンエネルキ゛’（ｅＶ）
第２図
荏−戸イ
エレクトロンエネルキ゛’（ｅＶ）
第４図
エレグトロン エネノしキ゛７ｅＶ）
鉋５図FIG. 1 is a schematic diagram showing a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an analysis chart of a silicon wafer surface after sputter etching according to the present embodiment, analyzed using an Auger spectrometer, and FIG. 3 is a conventional etching system. 4 is an analysis chart of the surface of a silicon wafer after sputter etching using the apparatus shown in FIG. 3, analyzed using an Auger spectrometer. FIG. 5 is a schematic diagram showing a plasma etching apparatus shown in FIG. 1 is an analysis chart obtained by analyzing the surface of a silicon wafer coated with a silicon wafer after sputter etching using a plasma etching apparatus using an Auger spectrometer. 11... Vacuum chamber, 12a, 12b... Electrode,
13...High frequency power supply, 14...Gas introduction pipe, 15.
...Gas exhaust pipe, 161.162...Annular permanent magnet covered with polystyrene film, 17...Silicon wafer, 18...Plasma. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue L Electron energy '(eV) Figure 2 Electron energy '(eV) Figure 4 Electron energy '(eV) Figure 5
Claims (2)
又は直流電圧を印加し、放電を生起せしめてプラズマを
発生させ、このプラズマ中に生成された活性種と物質と
の間で各種反応を行なうプラズマ処理装置において、前
記真空チャンバ内に合成樹脂膜で被覆された永久磁石を
着脱自在に配置したことを特徴とするプラズマ処理装置
。(1) A high frequency or DC voltage is applied to a reduced pressure reactive gas space in a vacuum chamber to generate a discharge and generate plasma, and various reactions occur between active species and substances generated in this plasma. 1. A plasma processing apparatus for performing plasma processing, characterized in that a permanent magnet coated with a synthetic resin film is removably disposed in the vacuum chamber.
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプ
ラズマ処理装置。(2) The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the synthetic resin film is a thermocompression bonding type synthetic resin film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61069221A JPH07105380B2 (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Plasma processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61069221A JPH07105380B2 (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Plasma processing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62224935A true JPS62224935A (en) | 1987-10-02 |
| JPH07105380B2 JPH07105380B2 (en) | 1995-11-13 |
Family
ID=13396451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61069221A Expired - Fee Related JPH07105380B2 (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Plasma processing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105380B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03160503A (en) * | 1989-11-18 | 1991-07-10 | Hitachi Seiki Co Ltd | Nc program editing method |
| CN117416072A (en) * | 2023-12-19 | 2024-01-19 | 晋江市创佳纺织科技有限公司 | Manufacturing process and manufacturing equipment of nano waterproof vamp |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59591A (en) * | 1982-06-24 | 1984-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | Motor driven pump apparatus |
| JPS59139627A (en) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Hitachi Ltd | Dry etching device |
-
1986
- 1986-03-27 JP JP61069221A patent/JPH07105380B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH03160503A (en) * | 1989-11-18 | 1991-07-10 | Hitachi Seiki Co Ltd | Nc program editing method |
| CN117416072A (en) * | 2023-12-19 | 2024-01-19 | 晋江市创佳纺织科技有限公司 | Manufacturing process and manufacturing equipment of nano waterproof vamp |
| CN117416072B (en) * | 2023-12-19 | 2024-03-08 | 晋江市创佳纺织科技有限公司 | Manufacturing process and manufacturing equipment of nano waterproof vamp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105380B2 (en) | 1995-11-13 |
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