JPS6222470A - Apparatus for trimming semiconductor circuit - Google Patents
Apparatus for trimming semiconductor circuitInfo
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- JPS6222470A JPS6222470A JP60161118A JP16111885A JPS6222470A JP S6222470 A JPS6222470 A JP S6222470A JP 60161118 A JP60161118 A JP 60161118A JP 16111885 A JP16111885 A JP 16111885A JP S6222470 A JPS6222470 A JP S6222470A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、例えば半導体集積回路において回、路定数
の調整、発振器あるいはＤ／Ａ変換器等の精度合せ等を
、抵抗素子の抵抗値の調整、ヒユーズの溶断等によって
実行する半導体回路のトリミング装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is useful for adjusting the circuit and circuit constants, adjusting the accuracy of oscillators or D/A converters, etc. in semiconductor integrated circuits, and adjusting the resistance value of resistive elements. The present invention relates to a semiconductor circuit trimming device that performs adjustment, blowing out fuses, etc.
［背景技術］
不純物を高濃度に含むポリシリコン素子に対して、特定
され閾値以上の電流密度で通電することによって、上記
ポリシリコン素子の抵抗値が減少し、上記通電を解除す
れば上記抵抗値の減少が停止するものであることが知ら
れている。そして、このポリシリコン素子は、それ以後
閾値以上の通電を行なわない限り、その抵抗値の状態が
安定に保たれるものである。[Background Art] By energizing a polysilicon element containing a high concentration of impurities at a current density higher than a specified threshold value, the resistance value of the polysilicon element decreases, and when the energization is canceled, the resistance value is reduced. It is known that the decrease in The resistance value of this polysilicon element is kept stable as long as it is not energized with more than a threshold value thereafter.
したがって、このような高不純物濃度のポリシリコンに
よって、例えば半導体回路の抵抗体を構成し、この抵抗
体の抵抗値をトリミング調整するようにすれば、上記半
導体回路の定数等が効果的に設定制御できるものである
。すなわち、回路内の組込み設定された高不純物濃度の
ポリシリコン抵抗体に対して、回路動作状態を監視しな
がら例えば数十ｍＡのパルス信号を供給することにより
て、その抵抗値を減少制御するものである。Therefore, if a resistor of a semiconductor circuit, for example, is configured using polysilicon with such a high impurity concentration, and the resistance value of this resistor is trimmed and adjusted, the constants, etc. of the semiconductor circuit can be effectively controlled. It is possible. In other words, it controls the resistance value of a polysilicon resistor with a high impurity concentration built into the circuit by supplying a pulse signal of, for example, several tens of milliamps while monitoring the circuit operating state. It is.
しかし、このような状態でトリミング動作を実行すると
、上記トリミングされるポリシリコン抵抗体に対して供
給されるパルス信号が、この抵抗体以外の回路部分にも
流れるようになり、この回路部分に対して悪影響を与え
るおそれがある。However, when a trimming operation is performed in such a state, the pulse signal supplied to the polysilicon resistor to be trimmed will also flow to circuit parts other than this resistor, causing damage to this circuit part. may have an adverse effect.
［発明が解決しようとする問題点コ
この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、例え
ば半導体回路内に接続設定されている抵抗体の抵抗値を
調整するために、この抵抗体に対 Ａしてトリミ
ング用のパルス電圧信号を供給するようにした場合であ
っても、この抵抗体が接続設定された回路部分に対する
影響を確実に除去できるようにして、他の半導体回路部
分に対して悪影響をおよぼすことなく、回路定数、発振
器の発振周波数、Ｄ／Ａ変換特性等を調整できるように
した半導体回路のトリミング装置を提供しようとする°
ものである。[Problems to be Solved by the Invention] This invention was made in view of the above points. For example, in order to adjust the resistance value of a resistor connected in a semiconductor circuit, a Even if a pulse voltage signal for trimming is supplied in contrast A, the effect on the circuit part to which this resistor is connected must be reliably removed, and the effect on other semiconductor circuit parts must be removed. To provide a semiconductor circuit trimming device that can adjust circuit constants, oscillation frequency of an oscillator, D/A conversion characteristics, etc. without causing any adverse effects.
It is something.
［問題点を解決するための手段］
すなわち、この発明に係る半導体回路のトリミング装置
は、高不純物濃度のポリシリコンによって構成される被
トリミング素子の両端に、それぞれスイッチ素子を接続
設定するようにすると共に、このスイッチ素子それぞれ
の内側から上記被トリミング素子に対してトリミング用
パルス電圧信号を供給するようばしているものであり、
この場合上記トリミング用パルス電圧信号によって上記
スイッチ素子がオフ状態に制御されるようにしているも
のである。[Means for Solving the Problems] That is, in the semiconductor circuit trimming device according to the present invention, switch elements are connected to both ends of an element to be trimmed made of polysilicon with a high impurity concentration. In addition, a trimming pulse voltage signal is supplied from the inside of each switch element to the trimmed element,
In this case, the switching element is controlled to be in an OFF state by the trimming pulse voltage signal.
［作用］
上記のようなトリミング装置にあっては、被トリミング
素子に対してトリミング用のパルス信号の供給されてい
ない状態では、上記トリミング素子は半導体回路内に通
常に接続設定され、上記半導体回路を構成するようにな
っているものである。[Function] In the trimming device as described above, when the trimming pulse signal is not supplied to the element to be trimmed, the trimming element is normally connected within the semiconductor circuit, and the trimming element is normally connected to the semiconductor circuit. It is designed to make up the following.
しかし、この被トリミング素子に対してトリミング用パ
ルス信号が供給されるようになると、このトリミング素
子は上記スイッチ素子によって他の回路部分から切り離
されるようになり、トリミング用パルス信号が他の回路
部分に流れない。したがって、このトリミング用パル信
号によって他の回路部分に影響が及ぶことは確実に防止
されるものである。However, when the trimming pulse signal is supplied to this element to be trimmed, the trimming element is separated from other circuit parts by the switch element, and the trimming pulse signal is applied to the other circuit parts. Not flowing. Therefore, it is possible to reliably prevent this trimming pulse signal from affecting other circuit parts.
［発明の実施例］ 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。[Embodiments of the invention] Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図はその構成を示すもので、１１は抵抗値のトリミ
ング調整される抵抗体である。この抵抗体１１は、この
図では特に詳細に示されていないが、半導体回路内に接
続設定されるものであり、この抵抗体１１の両端はそれ
ぞれスイッチ素子１２および１３を介して点Ａおえよび
Ｂに接続され、この点ＡおよびＢが図示されない回路に
対して接続設定されるようになるものである。FIG. 1 shows its structure, and 11 is a resistor whose resistance value is trimmed and adjusted. Although this resistor 11 is not shown in particular detail in this figure, it is connected within the semiconductor circuit, and both ends of this resistor 11 are connected to points A and 1 through switch elements 12 and 13, respectively. B, and these points A and B are connected to a circuit not shown.
上記抵抗体１１は、例えば第２図に示すような状態で高
不純物濃度ポリシリコン抵抗体薄膜によって構成される
。この場合、この電膜状の抵抗体１１はその電流の流れ
る方向の略中央部分においてくびれ１０１が形成され、
このくびれ１０１部分で電流が集中されるようになって
いる。そして、この抵抗体１１の両端部分には、例えば
アルミニューム配線部に対する接続部分となる端子１０
２および１０３が形成されているものである。The resistor 11 is constituted by a highly impurity-concentrated polysilicon resistor thin film in the state shown in FIG. 2, for example. In this case, the electric film-like resistor 11 has a constriction 101 formed approximately at the center in the direction of current flow.
Current is concentrated at this constriction 101 portion. Terminals 10 are provided at both ends of the resistor 11, for example, to connect to an aluminum wiring section.
2 and 103 are formed.
たま、上記スイッチ素子１２および１３は、それぞれＮ
型ＭＯＳトランジスタ１４および１５、さらにＰ型ＭＯ
Ｓトランジスタ１Ｂおよび１７によって構成されている
ものであり、これらトランジスタ１４〜１７は上記抵抗
体１１に対して、直列にトランスファゲートを形成する
ようになっている。そして、上記Ｎ型ＭＯＳトランジス
タ１４および１５のゲート電極に対しては、プルアップ
抵抗１８を介して電源ｖｅｃが供給設定されているもの
であり、またＰ型ＭＯＳトランジスタ１Ｂおよび１７の
ゲート電極は、プルダウン抵抗■９を介して接地電位Ｖ
ｓｓが供給設定されるようになっている。Also, the switch elements 12 and 13 each have N
type MOS transistors 14 and 15, and further P type MOS transistors 14 and 15, and P type MOS transistors 14 and 15.
It is composed of S transistors 1B and 17, and these transistors 14 to 17 form a transfer gate in series with the resistor 11. The gate electrodes of the N-type MOS transistors 14 and 15 are supplied with a power supply vec via a pull-up resistor 18, and the gate electrodes of the P-type MOS transistors 1B and 17 are Ground potential V via pull-down resistor ■9
ss is set to be supplied.
上記抵抗体１１の両端のスイッチ素子■２および１３と
のそれぞれの間の点ｌおよびｈには、それぞれアルミニ
ューム等によって構成されるパッド２０および２１が接
続設定されている。さらに、このパッド２０および２１
に対しでは、それぞれ小間隔でパッド２２および２３が
形成されているものであり、このパッド２２および２３
はそれぞれ抵抗ＩＢおよび１９を介して電源Ｖｃｃおよ
びＶＳＳに接続されている。Pads 20 and 21 made of aluminum or the like are connected to points l and h between switch elements 2 and 13 at both ends of the resistor 11, respectively. Furthermore, these pads 20 and 21
In this case, pads 22 and 23 are formed at small intervals, respectively.
are connected to power supplies Vcc and VSS via resistors IB and 19, respectively.
上記パッド２０と２２との間、および２１と２３との間
は、例えば第３図に示すようなプローブ針２５および２
Ｂの接触によりて短絡されるようになっているものであ
る。この場合、上記プローブ針２５および２Ｂの間には
、トリミング用のパルス発生装置２７が接続されている
もので、プローブ針２５および２Ｂを上記パッド２０〜
２３部分に対して接触した状態で、パルス発生装置２７
を駆動すれば、トリミングされる抵抗体１１に対してト
リミング用のパルス電圧が供給設定されるようになるも
のである。For example, between the pads 20 and 22 and between the pads 21 and 23, probe needles 25 and 2 as shown in FIG.
It is designed to be short-circuited by contact with B. In this case, a pulse generator 27 for trimming is connected between the probe needles 25 and 2B, and the probe needles 25 and 2B are connected to the pads 20 to 20.
The pulse generator 27 is in contact with the part 23.
When driven, a pulse voltage for trimming is set to be supplied to the resistor 11 to be trimmed.
すなわち、抵抗体１１のトリミングは、プローブ針２５
および２Ｂを上記パッド２０〜２３部に接触した状・態
でパルス発生装置２７を動作設定することによって行わ
れるもので、トリミングに際して高不純物濃度ポリシリ
コン抵抗体１１に対してパルス電流が通電される。That is, the trimming of the resistor 11 is performed using the probe needle 25.
This is performed by setting the pulse generator 27 to operate while the pads 2B and 2B are in contact with the pads 20 to 23, and a pulse current is applied to the high impurity concentration polysilicon resistor 11 during trimming. .
このようなトリミング用パルス信号が与えられる状態で
、抵抗体１■の両端の点ノおよび点りの電位はｖＬおよ
びｖＨとなるものであり、この電位ＶＬおよびｖＨはそ
れソｉｎ ｒＶＩ、 ＜ＶＡ ＋ＶｔｎＪおよびｒ Ｖ
Ｈ＞ Ｖ ａ −Ｖ ｔｐＪの関係に設定されるよに
する。When such a trimming pulse signal is applied, the potentials of the dots and dots at both ends of the resistor 1 become vL and vH, and these potentials VL and vH are so in rVI, <VA +VtnJ and rV
The relationship is set so that H>V a −V tpJ.
ここで、ｖＡおよびｖＢはそれぞれ点ＡおよびＢの電位
であり、またＶｔｎはＮ型ＭＯ３）ランジスタＩ４およ
び１５の閾値電圧、ＶｔｐはＰ型ＭＯ８）ランジスタ１
６および１７の閾値電圧である。Here, vA and vB are the potentials of points A and B, respectively, Vtn is the threshold voltage of N-type MO3) transistors I4 and 15, and Vtp is P-type MO8) transistor 1.
6 and 17 threshold voltages.
したがって、上記のようなりＬおよびｖＨの電圧の設定
されるパルス電圧信号が点ノおよび点りに供給設定され
るようになると、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１４および１
５、さらにＰ型ＭＯＳトランジスタ１Ｂおよび１７がオ
フ状態に制御されるようになり、したがって抵抗体１１
は他の回路部分から電気的に分離されるようになる。す
なわち、トリミング用のパルス信号のエネルギーは抵抗
体１１に対してのみ与えられるようになり、この抵抗体
１１以外の回路は確実に上記パルス信号による影響から
保護されるようになる。Therefore, when the pulse voltage signal in which the voltages L and vH are set as described above is supplied to the dots and dots, the N-type MOS transistors 14 and 1
5. Furthermore, the P-type MOS transistors 1B and 17 are controlled to be off, and therefore the resistor 11
becomes electrically isolated from other circuit parts. That is, the energy of the trimming pulse signal is applied only to the resistor 11, and circuits other than the resistor 11 are reliably protected from the influence of the pulse signal.
上記のようなトリミング用のパルス信号が供給設定され
ていない状態では、プルアップ抵抗１８によってトラン
ジスタ１４および１５が、またプルダウン抵抗１９によ
ってトランジスタ１６および１７がそれぞれオン状態に
制御されているものであり、抵抗体１１と他の回路部分
はスイッチ素子１２および１３を介して電気的に接続さ
れているものである。When the trimming pulse signal is not set to be supplied as described above, the pull-up resistor 18 controls the transistors 14 and 15, and the pull-down resistor 19 controls the transistors 16 and 17 to turn on. , the resistor 11 and other circuit parts are electrically connected via switch elements 12 and 13.
尚、上記のようにして被トリミング素子として使用され
る抵抗体１１は、第２図で示したようにくびれ１０１で
電流を集中させ、トリミングに必要な電流値を軽減して
いるものであるが、この抵抗体１１の構造は上記のよう
なものに限るものではなく、例えば第４図に示すように
開口１０４を形成するようにしても上記同様の効果が発
揮される。The resistor 11 used as the element to be trimmed as described above concentrates the current at the constriction 101 as shown in FIG. 2, reducing the current value required for trimming. The structure of this resistor 11 is not limited to the one described above; for example, the same effect as described above can be obtained even if an opening 104 is formed as shown in FIG.
上記実施例では被トリミング素子として高不純物濃度の
ポリシリコン抵抗体１１をトリミングする場合について
説明したが、これは同じく高不純物濃度ポリシリコンに
よって構成されるヒユーズをトリミングする場合おいて
も同様に適用できるものである。In the above embodiment, a case has been described in which a polysilicon resistor 11 with a high impurity concentration is trimmed as an element to be trimmed, but this can be similarly applied to a case where a fuse made of polysilicon with a high impurity concentration is trimmed. It is something.
第４図は高不純物濃度のポリシリコンヒユーズ３１をト
リミングする実施例を示すもので、このヒユーズ３１の
両端にそれぞれスイッチ素子となるＰ型ＭＯ３）ランジ
スタ３２および８３を接続し、このトランジスタ３１お
よび３２を介して接続されている点ＡおよびＢから図示
しない他の回路部分に接続されるようになっている。FIG. 4 shows an embodiment in which a polysilicon fuse 31 with a high impurity concentration is trimmed. P-type MO3) transistors 32 and 83, which serve as switching elements, are connected to both ends of this fuse 31, respectively. The connected points A and B are connected to other circuit parts (not shown).
そして、ヒユーズ８１とトランジスタ３２との間の点り
にパッド３４を接続し、またヒユーズ３１とトランジス
タ３３との間の点ノにパッド３５を接続設定するもので
、このパッド３４および３５に対して前記パルス発生装
置２７のプローブ２６および２５を接触させるようにす
る。The pad 34 is connected to the point between the fuse 81 and the transistor 32, and the pad 35 is connected to the point between the fuse 31 and the transistor 33. The probes 26 and 25 of the pulse generator 27 are brought into contact.
この実施例にあっては、被トリミング素子の両端のスイ
ッチ素子をそれぞれ１個のＰ型ＭＯＳ）ランジスタによ
って構成しているものであり、前実施例のＮ型ＭＯ８）
ランジスタ１４および１５が省略された状態で構成して
いる。In this embodiment, the switch elements at both ends of the element to be trimmed are each constituted by one P-type MOS) transistor, which is different from the N-type MO8) transistor in the previous embodiment.
The configuration is such that transistors 14 and 15 are omitted.
［発明の効果］
以上のようにこの発明に係る半導体回路のトリミング装
置にあっては、パルス発生装置から被トリミング素子と
なる例えば高不純物濃度のポリシリコンによって構成さ
れる抵抗体に対してトリミングパルス信号を供給するこ
とによって、簡単に抵抗値のトリミング制御が実行され
るようになる。[Effects of the Invention] As described above, in the semiconductor circuit trimming device according to the present invention, a trimming pulse is applied from the pulse generator to a resistor made of polysilicon with a high impurity concentration, which is an element to be trimmed. By supplying a signal, trimming control of the resistance value can be easily executed.
この場合、上記被トリミング素子はスイッチ素子によっ
て半導体回路内に接続設定されているもの スであ
り、このスイッチ素子が上記トリミングパルスの存在に
よってオフ制御されるようになるものであるため、上記
被トリミング素子は、トリミング動作状態で、他の回路
部分から電気的に分離されている。したがって、トリミ
ングパルスによる他の回路部分に対する影響は確実に阻
止されるものであり、回路の安全性が保証されるように
なる。In this case, the above-mentioned element to be trimmed is connected in the semiconductor circuit by a switch element, and this switch element is turned off by the presence of the above-mentioned trimming pulse. The device is electrically isolated from other circuit parts in the trimming operation. Therefore, the influence of the trimming pulse on other circuit parts is reliably prevented, and the safety of the circuit is guaranteed.
第１図はこの発明の一実施例に係るトリミング装置を説
明する回路構成図、第２図は上記実施例で使用される抵
抗体を示す図、第３図はトリミング動作状態を説明する
パルス発生装置部を含む構成図、第４図は抵抗体の他の
例を示す図、第５図はこの発明に他の実施例を示す回路
構成図である。
１１・・・抵抗体（高不純物濃度抵抗体）、１２．１３
・・・スイッチ素子、１４．１５・・・Ｎ型ＭＯ３）ラ
ンジスタ、１Ｂ、１７・・・Ｐ型ＭＯ８）ランジスタ、
２０〜２３・・・パッド、２５．２６・・・プローブ、
２７・・・パルス発生装置。
出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図Fig. 1 is a circuit diagram illustrating a trimming device according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing a resistor used in the above embodiment, and Fig. 3 is a pulse generation diagram illustrating the trimming operation state. FIG. 4 is a diagram showing another example of the resistor, and FIG. 5 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. 11...Resistor (high impurity concentration resistor), 12.13
...Switch element, 14.15...N-type MO3) transistor, 1B, 17...P-type MO8) transistor,
20-23...pad, 25.26...probe,
27...Pulse generator. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue Figure 1 Figure 2
Claims (4)
シリコンによって構成された被トリミング素子と、 この被トリミング素子の両端に接続設定され、上記被ト
リミング素子を他の回路部分に対して接続設定させるス
イッチ素子と、 上記被トリミング素子の両端と上記スイッチ素子それぞ
れとの間にそれぞれ接続設定されたトリミング用端子と
、 この被トリミング用端子相互間にトリミング用パルス電
圧信号を供給設定するパルス発生装置とを具備し、 このパルス発生装置から上記トリミング用端子相互間に
パルス電圧信号が供給される状態で、上記被トリミング
素子の抵抗値をトリミング制御すると共に、上記パルス
電圧信号によって上記スイッチ素子がそれぞれカットオ
フ状態に設定されるようにしたことを特徴とする半導体
回路のトリミング装置。(1) A trimmed element made of high impurity concentration polysilicon that is connected in a semiconductor circuit, and a trimmed element that is connected to both ends of this trimmed element and connected to other circuit parts. a trimming terminal connected between both ends of the trimmed element and each of the switch elements, and a pulse generator configured to supply a trimming pulse voltage signal between the trimmed terminals. In a state where a pulse voltage signal is supplied between the trimming terminals from the pulse generator, the resistance value of the element to be trimmed is trimmed, and each of the switch elements is controlled by the pulse voltage signal. A semiconductor circuit trimming device characterized by being set in a cut-off state.
される状態でオフ状態に制御されるトランジスタ素子に
よって構成されるようにした特許請求の範囲第１項記載
の半導体回路のトリミング装置。(2) The semiconductor circuit trimming device according to claim 1, wherein the switch element is constituted by a transistor element that is controlled to be in an off state when the pulse voltage signal is supplied.
面積を小さくするように構成された高不純物濃度ポリシ
リコン抵抗体で構成されるようにした特許請求の範囲第
１項記載の半導体回路のトリミング装置。(3) The semiconductor circuit according to claim 1, wherein the element to be trimmed is constituted by a highly impurity-concentration polysilicon resistor configured to have a small cross-sectional area in its current path portion. trimming device.
コンによるヒューズによって構成されるようにした特許
請求の範囲第１項記載の半導体回路のトリミング装置。(4) The semiconductor circuit trimming device according to claim 1, wherein the element to be trimmed is constituted by a fuse made of polysilicon with a high impurity concentration.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161118A JPS6222470A (en) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | Apparatus for trimming semiconductor circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161118A JPS6222470A (en) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | Apparatus for trimming semiconductor circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6222470A true JPS6222470A (en) | 1987-01-30 |
Family
ID=15728942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60161118A Pending JPS6222470A (en) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | Apparatus for trimming semiconductor circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6222470A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461046A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Nec Corp | Semiconductor device |
| US5559433A (en) * | 1993-02-04 | 1996-09-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor device including apparatus for aligning a magnetoresistance element and a circuit board and a method of manufacturing the magnetoresistive device |
| JP2006502592A (en) * | 2002-12-23 | 2006-01-19 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | Adjustment method of resistance of resistance path |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP60161118A patent/JPS6222470A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461046A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Nec Corp | Semiconductor device |
| US5559433A (en) * | 1993-02-04 | 1996-09-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor device including apparatus for aligning a magnetoresistance element and a circuit board and a method of manufacturing the magnetoresistive device |
| JP2006502592A (en) * | 2002-12-23 | 2006-01-19 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | Adjustment method of resistance of resistance path |
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