JPS62216638A - 表面処理装置 - Google Patents
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- JPS62216638A JPS62216638A JP6139686A JP6139686A JPS62216638A JP S62216638 A JPS62216638 A JP S62216638A JP 6139686 A JP6139686 A JP 6139686A JP 6139686 A JP6139686 A JP 6139686A JP S62216638 A JPS62216638 A JP S62216638A
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- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 33
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 241000269627 Amphiuma means Species 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、気体の放電により発生するプラズマを利用し
、被処理基板表面にエツチング、デポジション、改質、
清浄化等の所定の表面処理を施す表面処理装置に関する
。
、被処理基板表面にエツチング、デポジション、改質、
清浄化等の所定の表面処理を施す表面処理装置に関する
。
（従来技術とその問題点）
従来、上記の種類の表面処理装置で最も多く使用されて
いるものは、第３図に概略の断面を示すような平行平板
型の表面処理装置である。この装置では、ガス導入系３
０と排気系３９をそなえる真空容器３１内に対向設置さ
れた平行平板型電極３２．３３ （３３は接地された真
空容器３１に接続）間に、ｉｔ源３５から直流、交流、
高周波などの電圧を印加して放電を発生させ、その放電
プラズマ３８を用いて、ヒーター３６で加熱される電極
３３上の被処理基板３７に表面処理を施すものである。
いるものは、第３図に概略の断面を示すような平行平板
型の表面処理装置である。この装置では、ガス導入系３
０と排気系３９をそなえる真空容器３１内に対向設置さ
れた平行平板型電極３２．３３ （３３は接地された真
空容器３１に接続）間に、ｉｔ源３５から直流、交流、
高周波などの電圧を印加して放電を発生させ、その放電
プラズマ３８を用いて、ヒーター３６で加熱される電極
３３上の被処理基板３７に表面処理を施すものである。
３４は絶縁物である。
同類の装置には、被処理基板３７を電極３２上に設置し
た装置や平行平板型電極を同軸円筒型電極に変形・置換
したり、電極数を増減したりした様々の装置がある。し
かしこれらの装置には共通して、放電プラズマ３８の密
度が低く、高速の処理ができない欠点がある。
た装置や平行平板型電極を同軸円筒型電極に変形・置換
したり、電極数を増減したりした様々の装置がある。し
かしこれらの装置には共通して、放電プラズマ３８の密
度が低く、高速の処理ができない欠点がある。
何れの装置も放電プラズマの密度がかなり低いために、
実用に耐える処理速度を得るには大電力の投入を必要と
する等の欠点を残している。
実用に耐える処理速度を得るには大電力の投入を必要と
する等の欠点を残している。
高密度の放電プラズマが得られて、処理速度の速い表面
処理装置としては、第４図に概要の断面を略伝するよう
な、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲと略す）を利用す
る表面処理装置がある。この装置を説明すると、プラズ
マ発生用ガス導入系４２が接続され、マグネットコイル
４０の作る磁場Ｂの中に設けられたプラズマ室４１内に
、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波４３が投入される
と、ＥＣＲｆｌｉ？ｌｉによって導入ガスのプラズマが
発生する。このプラズマは前記の磁界Ｂの下端に作られ
る発散磁界によってプラズマ流４４となって処理室４５
内に拡大および加速されて噴出し。
処理装置としては、第４図に概要の断面を略伝するよう
な、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲと略す）を利用す
る表面処理装置がある。この装置を説明すると、プラズ
マ発生用ガス導入系４２が接続され、マグネットコイル
４０の作る磁場Ｂの中に設けられたプラズマ室４１内に
、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波４３が投入される
と、ＥＣＲｆｌｉ？ｌｉによって導入ガスのプラズマが
発生する。このプラズマは前記の磁界Ｂの下端に作られ
る発散磁界によってプラズマ流４４となって処理室４５
内に拡大および加速されて噴出し。
（必要のときは、ガス導入用リング状管４６を経由して
処理室４５内に反応用ガスが導入され、これと協力して
）試料台５０上の被処理基板４７に所定の処理を施すも
のである。処理室４５には排気系４９、プラズマ室４１
には冷却系４８が接続されている。
処理室４５内に反応用ガスが導入され、これと協力して
）試料台５０上の被処理基板４７に所定の処理を施すも
のである。処理室４５には排気系４９、プラズマ室４１
には冷却系４８が接続されている。
しかしこの装置は高密度プラズマとは言っても、プラズ
マ密度が１０１１Ｇ−３程度であり、イオン化効率も数
％であってなお低く、そのため大電力のマイクロ波発振
器を必要として、装置が大掛りで高価になるほか、放電
室の形状がＥＣＨに適する特殊形状に限定されるなどの
欠点をもっている。
マ密度が１０１１Ｇ−３程度であり、イオン化効率も数
％であってなお低く、そのため大電力のマイクロ波発振
器を必要として、装置が大掛りで高価になるほか、放電
室の形状がＥＣＨに適する特殊形状に限定されるなどの
欠点をもっている。
（発明の目的）
本発明は、上記の問題を解決し、大電力を必要とせず高
効率で高密度のプラズマを生成し、そのプラズマを利用
して、損傷の少ない高品質の表面処理を高速に行なうこ
とのできる、小型かつ安価な放電反応装置の提供を目的
とする。
効率で高密度のプラズマを生成し、そのプラズマを利用
して、損傷の少ない高品質の表面処理を高速に行なうこ
とのできる、小型かつ安価な放電反応装置の提供を目的
とする。
（発明の構成）
本発明は。
（Ｌ）ａ、絶縁物よりなる中空構造の筒状体の内部に所
定のガスを導入する手段。
定のガスを導入する手段。
ｂ、前記筒状体の内部空間に、その軸方向に向う磁場を
形成する手段。
形成する手段。
Ｃ０前記筒状体の内部空間に、前記軸方向の所定長さに
亘って、所定の形状のアンテナを設置し、これに交番電
力を印加することにより、磁場中のプラズマ波を励起し
て。
亘って、所定の形状のアンテナを設置し、これに交番電
力を印加することにより、磁場中のプラズマ波を励起し
て。
該空間内にプラズマを発生させる手段。
ｄ、前記筒状体の内部空間からガスを排気する手段、
をそなえ、該内部空間に設置された被処理物の表面にプ
ラズマ波を用いて所定の処理を施す表面処理装置によっ
て、前記目的を達成したものである。
ラズマ波を用いて所定の処理を施す表面処理装置によっ
て、前記目的を達成したものである。
（実施例）
以下１図に基いて本発明の放電反応装置の実施例を説明
する。第１図は本発明の実施例の表面処理装置の概略の
断面図であって、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面断
面図である。
する。第１図は本発明の実施例の表面処理装置の概略の
断面図であって、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面断
面図である。
ガラス、石英２石英ガラス、サファイア、各種セラミク
ス等の高融点絶縁材料で作られた円筒１０（必要に応じ
て、冷却系を付設することがある）内には１図示しない
ガス供給装置からバルブ１１を通して放電用ガス１２が
導入され、円筒１０を包囲するコイル１３ （１３１，
１３２に分割設置されている）には図示しない直流電源
から直流電流が流されて１円５１０の軸方向に、矢印で
図示する磁場Ｂ（磁束密度もＢとする）が形成されてい
る。
ス等の高融点絶縁材料で作られた円筒１０（必要に応じ
て、冷却系を付設することがある）内には１図示しない
ガス供給装置からバルブ１１を通して放電用ガス１２が
導入され、円筒１０を包囲するコイル１３ （１３１，
１３２に分割設置されている）には図示しない直流電源
から直流電流が流されて１円５１０の軸方向に、矢印で
図示する磁場Ｂ（磁束密度もＢとする）が形成されてい
る。
磁場Ｂの作成手段として、前記電磁コイルを用いた場合
のみならず、永久磁石を用いても良いし、永久磁石と電
磁コイルを併用しても良い。また磁場の方向はＢと逆方
向でも良い。
のみならず、永久磁石を用いても良いし、永久磁石と電
磁コイルを併用しても良い。また磁場の方向はＢと逆方
向でも良い。
更にこの円筒１０（直径Ｄ）には、その表面に沿って軸
方向の所定長さくＱ）に亘って、図の如く特殊な形状に
曲折されたアンテナ１４が設けられ、高周波電源１５か
ら整合回路１６を経由して高周波電圧が（周波数ｆ、電
力Ｗ）が印加されて。
方向の所定長さくＱ）に亘って、図の如く特殊な形状に
曲折されたアンテナ１４が設けられ、高周波電源１５か
ら整合回路１６を経由して高周波電圧が（周波数ｆ、電
力Ｗ）が印加されて。
円筒１０の中に、前記の磁場Ｂと直交する方向に。
高周波交番磁界が加えられるようになっている。
周知のように、（参考文献、ＰＨＹＳＩＣ８ＬＥＴＴＥ
Ｒ８Ｖｏｌ、３３Ａ、Ｎ［Ｌ７．Ｐ２Ｓ５−Ｐ２Ｓ５．
ｒＰＬＡｓＭＡ ＰＲＯＤＵＣＴＩＯＮ ＵＳＩＮ
Ｇ Ａ ５ＴＡＮＤＩＮＧ ＨＥＬＩＣＯＮ
ＷＡＶＥＪ １４Ｄｅｅｅｍｂｅｒ １９７０および、
同Ｖｏ１．９１Ａ、Ｎａ４．Ｐ２Ｓ５ Ｐｉ６６、ｒ
ｓＯＭＥ ＦＥＡＴＵＲＥＳ ＯＦ ＲＦＥＸＣ
ＩＴＥＤ ＦＵＬＬＹ ｌ０ＮＩＺＥＤＬＯＷ
ＰＲＥＳＳＵＲＥ ＡＲＧＯＮ ＰＬＡＳ ＭＡＪ
６ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒｌ ９８２） 、放電用ガス
１２をバルブ１１を通して導入して後述のガス排気バル
ブ２５から排気を行ない１円筒１０内のガス圧力を所定
値に保ち、アンテナ１４に高周波電力を印加するときは
１条件Ｑ＝（Ｂａ／ｎｆ）’”５によって、放電管１０
内のプラズマにプラズマ波の１つであるところの低周波
共振としての定在ヘリコン波モードを発生させることが
できる。但し、ａはプラズマの直径、ｎはプラズマの電
子密度、Ｑ。
Ｒ８Ｖｏｌ、３３Ａ、Ｎ［Ｌ７．Ｐ２Ｓ５−Ｐ２Ｓ５．
ｒＰＬＡｓＭＡ ＰＲＯＤＵＣＴＩＯＮ ＵＳＩＮ
Ｇ Ａ ５ＴＡＮＤＩＮＧ ＨＥＬＩＣＯＮ
ＷＡＶＥＪ １４Ｄｅｅｅｍｂｅｒ １９７０および、
同Ｖｏ１．９１Ａ、Ｎａ４．Ｐ２Ｓ５ Ｐｉ６６、ｒ
ｓＯＭＥ ＦＥＡＴＵＲＥＳ ＯＦ ＲＦＥＸＣ
ＩＴＥＤ ＦＵＬＬＹ ｌ０ＮＩＺＥＤＬＯＷ
ＰＲＥＳＳＵＲＥ ＡＲＧＯＮ ＰＬＡＳ ＭＡＪ
６ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒｌ ９８２） 、放電用ガス
１２をバルブ１１を通して導入して後述のガス排気バル
ブ２５から排気を行ない１円筒１０内のガス圧力を所定
値に保ち、アンテナ１４に高周波電力を印加するときは
１条件Ｑ＝（Ｂａ／ｎｆ）’”５によって、放電管１０
内のプラズマにプラズマ波の１つであるところの低周波
共振としての定在ヘリコン波モードを発生させることが
できる。但し、ａはプラズマの直径、ｎはプラズマの電
子密度、Ｑ。
Ｂ、ｆは前述の通りである。
（放電管内にプラズマ波を励起してプラズマ中のイオン
を共鳴的に加熱することにより、放電管内に効率的に高
密度のプラズマを生起させることの可能なプラズマ波と
しては、ＩＣＲＦ（ＩｏｎＣｙｃｒｏｔｒｏｎ Ｒａｎ
ｇｅ Ｆｒａｇｕｅｎｃｙ）、 ＬＨ（ＬｏｗｅｒＨｙ
ｂｒｉｄ）波、 Ａｌｆｅｎ波等も考えられるが、コＮ
では定在Ｈａｒｉｃｏｎ波で代表させて説明している。
を共鳴的に加熱することにより、放電管内に効率的に高
密度のプラズマを生起させることの可能なプラズマ波と
しては、ＩＣＲＦ（ＩｏｎＣｙｃｒｏｔｒｏｎ Ｒａｎ
ｇｅ Ｆｒａｇｕｅｎｃｙ）、 ＬＨ（ＬｏｗｅｒＨｙ
ｂｒｉｄ）波、 Ａｌｆｅｎ波等も考えられるが、コＮ
では定在Ｈａｒｉｃｏｎ波で代表させて説明している。
）この条件下では、プラズマ中を電磁波が効果的に伝搬
するため、装置の設計諸元を適当にすることで、現在広
く使用されている１３．５６ＭＨｚ近辺の工業用周波数
の、比較的小容量の高周波電源を用いて、極めて効率的
に円筒１０内にプラズマ密度が１０”ａｎ−３程度以上
の高密度のプラズマを発生させることができる。しかも
条件によっては放電用ガスの殆んど１００％をイオン化
することが可能であって、これはＥＣＲプラズマ装置の
１０倍以上という高い値である。プラズマが高密度であ
るため、生成する活性種、イオンの量は極めて大きく、
放射される光も強大である。
するため、装置の設計諸元を適当にすることで、現在広
く使用されている１３．５６ＭＨｚ近辺の工業用周波数
の、比較的小容量の高周波電源を用いて、極めて効率的
に円筒１０内にプラズマ密度が１０”ａｎ−３程度以上
の高密度のプラズマを発生させることができる。しかも
条件によっては放電用ガスの殆んど１００％をイオン化
することが可能であって、これはＥＣＲプラズマ装置の
１０倍以上という高い値である。プラズマが高密度であ
るため、生成する活性種、イオンの量は極めて大きく、
放射される光も強大である。
また当然ながら本実施例では高周波電源５を用いている
が、先の共振条件をみたす周波数ｆであれば高周波領域
でなくてもよい。
が、先の共振条件をみたす周波数ｆであれば高周波領域
でなくてもよい。
高密度プラズマの高い温度が円筒１０を破壊するおそれ
があり、そのときは、投入する交番電力を減じ、若くは
、交番電力をパルス状に断続的に印加して保護する。
があり、そのときは、投入する交番電力を減じ、若くは
、交番電力をパルス状に断続的に印加して保護する。
またコイル１３に印加する電流をパルス状にしたり交番
状にしたりしても同様の保護作用がある。
状にしたりしても同様の保護作用がある。
排気室２０に接続される排気系は、排気ポンプ（図示し
ない）、排気バルブ２５等すべて第３゜４図の従来の場
合と同様であって、処理の種類に適合したものが使用さ
れる。被処理物である基体２４を加熱ないし冷却するた
めの温度調節系２２についても同様である。
ない）、排気バルブ２５等すべて第３゜４図の従来の場
合と同様であって、処理の種類に適合したものが使用さ
れる。被処理物である基体２４を加熱ないし冷却するた
めの温度調節系２２についても同様である。
基板ホルダー２３を回転ないし移動させて、処理が基体
２４上で均一になるよう配慮することも ′従来と同様
である。
２４上で均一になるよう配慮することも ′従来と同様
である。
さて、基板の処理が単純なエツチングや、Ｓｉ基板表面
のＳｉｎ、皮膜作りあるいは基板表面の有機物除去等の
場合なら、第１図の装置に放電用ガス１２としてＡｒや
０２を使用しただけのもので充分であるが、一層複雑な
処理が要求されるときには第２図の実施例（概要の断面
図で示す）のような、処理用ガス２８を導入加味する表
面処理装置が有利である。
のＳｉｎ、皮膜作りあるいは基板表面の有機物除去等の
場合なら、第１図の装置に放電用ガス１２としてＡｒや
０２を使用しただけのもので充分であるが、一層複雑な
処理が要求されるときには第２図の実施例（概要の断面
図で示す）のような、処理用ガス２８を導入加味する表
面処理装置が有利である。
図示しないガス供給装置から供給される処理用ガス２８
は、バルブ２７を経由してガス導入用リング状管２６に
入り、リング状管２６のリング内側に多数穿設されたガ
ス噴出孔２６０から央部に向って基板２４の表面上に噴
出し、円筒１０内に生成しているプラズマにより励起１
分解、イオン化等の反応を起し、基板２４の表面に、薄
膜堆積などの所定の処理を施すことになる。
は、バルブ２７を経由してガス導入用リング状管２６に
入り、リング状管２６のリング内側に多数穿設されたガ
ス噴出孔２６０から央部に向って基板２４の表面上に噴
出し、円筒１０内に生成しているプラズマにより励起１
分解、イオン化等の反応を起し、基板２４の表面に、薄
膜堆積などの所定の処理を施すことになる。
なお、処理用ガス２８の導入方法は、上記に限られるも
のではなく、従来の各種の方法が採用できる。例えば、
第１図の装置を用いて、バルブ１１を経由し、放電用ガ
スと処理用ガスを混合したガスをプラズマ内に供給して
も良い。
のではなく、従来の各種の方法が採用できる。例えば、
第１図の装置を用いて、バルブ１１を経由し、放電用ガ
スと処理用ガスを混合したガスをプラズマ内に供給して
も良い。
第１表に、堆積できる薄膜の種類と、そのとき利用され
る放電用ガス、処理用ガスの組合せを例示した。
る放電用ガス、処理用ガスの組合せを例示した。
なお、例えばＥＣＲのように電子の共鳴により高密度プ
ラズマを得る場合には、電子の平均自由行程が、そのラ
ーマ−半径に比べて十分大きいことが必要であり、ガス
圧力をある程度以上あげることはできないが、プラズマ
波例えばヘリコン波によってプラズマを発生させる場合
はガス圧力を上げて、高密度状態で反応を進行させるこ
とが可能であり、半導体デバイスの層間絶縁膜、パッシ
ベーション膜、三次元デバイスの層間配線膜等段差被覆
性の良い膜を作る場合に特に有効である。
ラズマを得る場合には、電子の平均自由行程が、そのラ
ーマ−半径に比べて十分大きいことが必要であり、ガス
圧力をある程度以上あげることはできないが、プラズマ
波例えばヘリコン波によってプラズマを発生させる場合
はガス圧力を上げて、高密度状態で反応を進行させるこ
とが可能であり、半導体デバイスの層間絶縁膜、パッシ
ベーション膜、三次元デバイスの層間配線膜等段差被覆
性の良い膜を作る場合に特に有効である。
またプラズマ波をコントロールすることによりプラズマ
内に生じる活性種のエネルギー状態をある程度制御でき
る。このため従来の装置で問題となったＭＯＳデバイス
、化合物半導体デバイスのプラズマ照射によるダメージ
を低減できる利点がある。
内に生じる活性種のエネルギー状態をある程度制御でき
る。このため従来の装置で問題となったＭＯＳデバイス
、化合物半導体デバイスのプラズマ照射によるダメージ
を低減できる利点がある。
（発明の効果）
本発明は、高効率で生成される高密度のプラズマにより
、損傷の少ない高品質の表面処理を高速に行なうことの
できる小型かつ安価な放電反応装置を提供する効果があ
る。
、損傷の少ない高品質の表面処理を高速に行なうことの
できる小型かつ安価な放電反応装置を提供する効果があ
る。
第１図は、本発明の実施例の放電反応装置の概略の断面
図、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面断面図。第２図
は、別の実施例の同様の図。第３図は、従来の平行平板
型表面処理装置の概略の断面図。第４図は、従来のＥＣ
Ｒプラズマ装置の概略の断面図。 １０−−−一絶縁物よりなる円筒、１１−−−一放電用
ガス１２の導入用バルブ、１３−−−一電磁コイル。 １４−−−−アンテナ、１５−−−一高周波電源、１６
一一整合回路、２０−−−−排気室、２２−−−−一温
度調節系、２３−−−−基板ホルダー、２４−−−一基
板、２５−一一一排気バルブ、２６−−−−ガス導入用
リング状管、２７−−−−処理用ガス２８の導入用バル
ブ。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村 上 健 次 ＦＩＧ、３ 手続補正書（自発） 昭和６１年７月２１日 昭和６１年特許願第６１３９６号 ２、発明の名称 表面処理装置 ３、補正をする者
図、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面断面図。第２図
は、別の実施例の同様の図。第３図は、従来の平行平板
型表面処理装置の概略の断面図。第４図は、従来のＥＣ
Ｒプラズマ装置の概略の断面図。 １０−−−一絶縁物よりなる円筒、１１−−−一放電用
ガス１２の導入用バルブ、１３−−−一電磁コイル。 １４−−−−アンテナ、１５−−−一高周波電源、１６
一一整合回路、２０−−−−排気室、２２−−−−一温
度調節系、２３−−−−基板ホルダー、２４−−−一基
板、２５−一一一排気バルブ、２６−−−−ガス導入用
リング状管、２７−−−−処理用ガス２８の導入用バル
ブ。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村 上 健 次 ＦＩＧ、３ 手続補正書（自発） 昭和６１年７月２１日 昭和６１年特許願第６１３９６号 ２、発明の名称 表面処理装置 ３、補正をする者
Claims (3)
- （１）ａ、絶縁物よりなる中空構造の筒状体の内部に所
定のガスを導入する手段、 ｂ、前記筒状体の内部空間に、その軸方向に向う磁場を
形成する手段、 ｃ、前記筒状体の内部空間に、前記軸方向の所定長さに
亘って、所定の形状のアンテナ を設置し、これに交番電力を印加すること により、磁場中の定在プラズマ波を励起し て、該空間内にプラズマを発生させる手段、ｄ、前記筒
状体の内部空間からガスを排気する手段、をそなえ、 該内部空間に設置された被処理物の表面に プラズマ波を用いて所定の処理を施すことを特徴とする
表面処理装置。 - （２）プラズマ波がヘリコン定在波である特許請求の範
囲第１項記載の表面処理装置。 - （３）該所定のガスがメタンおよび水素であり、該所定
の処理が該被処理物の表面にダイヤモンド状カーボン膜
を作成することを特徴とする特許請求の範囲第１または
２項記載の表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6139686A JPS62216638A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6139686A JPS62216638A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216638A true JPS62216638A (ja) | 1987-09-24 |
Family
ID=13169950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6139686A Pending JPS62216638A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216638A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0619576A2 (en) * | 1993-04-05 | 1994-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and process for manufacturing it |
| EP0641151A1 (en) * | 1993-08-27 | 1995-03-01 | Hughes Aircraft Company | RF plasma source and method for plasma cleaning of surfaces in space |
| EP0677866A1 (en) * | 1994-04-11 | 1995-10-18 | Canon Sales Co., Inc. | Apparatus for forming film |
| US6876154B2 (en) | 2002-04-24 | 2005-04-05 | Trikon Holdings Limited | Plasma processing apparatus |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP6139686A patent/JPS62216638A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0619576A2 (en) * | 1993-04-05 | 1994-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and process for manufacturing it |
| EP0619576A3 (en) * | 1993-04-05 | 1995-04-05 | Canon Kk | Optical record carrier and manufacturing process. |
| EP0641151A1 (en) * | 1993-08-27 | 1995-03-01 | Hughes Aircraft Company | RF plasma source and method for plasma cleaning of surfaces in space |
| US5418431A (en) * | 1993-08-27 | 1995-05-23 | Hughes Aircraft Company | RF plasma source and antenna therefor |
| US5514936A (en) * | 1993-08-27 | 1996-05-07 | Hughes Aircraft Company | RF plasma source and method for plasma cleaning of surface in space |
| US5628831A (en) * | 1993-08-27 | 1997-05-13 | Hughes Aircraft Company | Method for cleaning contaminants from a body in space using a space charge neutral plasma |
| US5696429A (en) * | 1993-08-27 | 1997-12-09 | Hughes Aircraft Company | Method for charge neutralization of surface in space with space-charge neutral plasma |
| EP0677866A1 (en) * | 1994-04-11 | 1995-10-18 | Canon Sales Co., Inc. | Apparatus for forming film |
| US6876154B2 (en) | 2002-04-24 | 2005-04-05 | Trikon Holdings Limited | Plasma processing apparatus |
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