JPS62211157A - 高密度ic搭載形サ−マルヘツド - Google Patents
高密度ic搭載形サ−マルヘツドInfo
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- JPS62211157A JPS62211157A JP5541486A JP5541486A JPS62211157A JP S62211157 A JPS62211157 A JP S62211157A JP 5541486 A JP5541486 A JP 5541486A JP 5541486 A JP5541486 A JP 5541486A JP S62211157 A JPS62211157 A JP S62211157A
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- film resistor
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
サーマルヘッドの高密度化を実現する方法として各IC
の下に該ICの出力端子と薄膜抵抗体とを結ぶ配線パタ
ーンを設けると共に、隣接するIC間にアースパターン
を設けた高密度IC搭載形サーマルヘッド。
の下に該ICの出力端子と薄膜抵抗体とを結ぶ配線パタ
ーンを設けると共に、隣接するIC間にアースパターン
を設けた高密度IC搭載形サーマルヘッド。
本発明は高密度化を実現したサーマルヘッドの構成に関
する。
する。
大量の情報を高速に処理するために情報処理技術の進歩
は著しく、装置の小形化と大容量化が進められている。
は著しく、装置の小形化と大容量化が進められている。
ここで、プリンタは情報処理装置への入力或いは出力す
る情報を記録するもので情報処理には不可欠のものであ
り、これはインパクトプリンタとノンインパクトプリン
タに大別されている。
る情報を記録するもので情報処理には不可欠のものであ
り、これはインパクトプリンタとノンインパクトプリン
タに大別されている。
本発明に係るサーマルプリンタは代表的なノンインパク
トプリンタであって騒音が発生せず、また現像、定着を
必要としないため取り扱いが容易と云う特徴をもってい
る。
トプリンタであって騒音が発生せず、また現像、定着を
必要としないため取り扱いが容易と云う特徴をもってい
る。
サーマルプリンタはアルミナ(α−八へ20.)などの
耐熱性絶縁基板の上に窒化タンタル(TaN。
耐熱性絶縁基板の上に窒化タンタル(TaN。
)などからなるドツト状の薄膜抵抗体を横一列にパター
ン形成してサーマルヘッドが形成されており、この各ド
ツト状の薄膜抵抗体はトランジスタを介して共通電源に
回路接続され、このトランジスタを情報に応じてON、
OFFさせて選択的に薄膜抵抗体を発熱させるように
なっている。
ン形成してサーマルヘッドが形成されており、この各ド
ツト状の薄膜抵抗体はトランジスタを介して共通電源に
回路接続され、このトランジスタを情報に応じてON、
OFFさせて選択的に薄膜抵抗体を発熱させるように
なっている。
一方、感熱紙はサーマルヘッドに沿って走行しており、
薄膜抵抗体の選択的な発熱によりその部分の感熱紙が発
色して印字が行われている。
薄膜抵抗体の選択的な発熱によりその部分の感熱紙が発
色して印字が行われている。
第3図はICC搭載形−マルヘッドの従来の構成を示す
もので、電源線路1を通じてドツト状の各薄膜抵抗体2
に電源電圧(v、i)が印加されており、さらにIC3
を構成する各トランジスタの出力端子に回路接続されて
いる。
もので、電源線路1を通じてドツト状の各薄膜抵抗体2
に電源電圧(v、i)が印加されており、さらにIC3
を構成する各トランジスタの出力端子に回路接続されて
いる。
ここで、IC3は横形であって、上部には多数(具体的
には64個)の出力端子があり、下部にはデータのIN
およびOUT端子、クロック端子、ラッチ端子、ストロ
ーブ信号端子など複数の信号端子とアース端子が設けら
れており、各端子はそれぞれの信号線4とアース!5に
回路接続がなされている。
には64個)の出力端子があり、下部にはデータのIN
およびOUT端子、クロック端子、ラッチ端子、ストロ
ーブ信号端子など複数の信号端子とアース端子が設けら
れており、各端子はそれぞれの信号線4とアース!5に
回路接続がなされている。
ここで、従来のようにサーマルヘッドをm成する薄膜抵
抗体が8ドy ) / **のように比較的低密度に配
列している場合は64ビツトの配列に811が必要であ
り、64個の出力端子をもつIC3の横寸法が7.5鶴
程度であることから適合性がよく、第3図のようにIC
3をドツトを形成する薄膜抵抗体2と同様に横一列に基
板上に配列してサーマルヘッドが形成されていた。
抗体が8ドy ) / **のように比較的低密度に配
列している場合は64ビツトの配列に811が必要であ
り、64個の出力端子をもつIC3の横寸法が7.5鶴
程度であることから適合性がよく、第3図のようにIC
3をドツトを形成する薄膜抵抗体2と同様に横一列に基
板上に配列してサーマルヘッドが形成されていた。
然し、高密度化のためには24ドツト/flを実現する
ことが必要であり、その方法として第4図に示すように
薄膜抵抗体2と電源線路1を中央にパターン形成すると
共にIC3の64個の出力端子を内側に向けて装着し、
ワイヤボンディングなどの方法で薄膜抵抗体と回路接続
する方法がとられていた。
ことが必要であり、その方法として第4図に示すように
薄膜抵抗体2と電源線路1を中央にパターン形成すると
共にIC3の64個の出力端子を内側に向けて装着し、
ワイヤボンディングなどの方法で薄膜抵抗体と回路接続
する方法がとられていた。
然し、この方法は電源線路lと多数設けられている薄膜
抵抗体2とを広い面積に亙って完全に層絶縁する必要が
あり、絶縁基板のサイズが大きくなり、また構成が複雑
でコスト高になるなどの問題があった。
抵抗体2とを広い面積に亙って完全に層絶縁する必要が
あり、絶縁基板のサイズが大きくなり、また構成が複雑
でコスト高になるなどの問題があった。
以上記したようにサーマルヘッドを構成する薄膜抵抗体
が24ドツト/龍のように高密度化すると各薄膜抵抗体
と回路接続してスイッチング作用をするICのスペース
がアンバランスとなり、サーマルヘッドの薄膜抵抗体を
従来のようにエツジタイプに配列することができず、絶
縁基板のサイズが大きくなると共に構成が複雑化し、コ
スト高に繋がることが問題である。
が24ドツト/龍のように高密度化すると各薄膜抵抗体
と回路接続してスイッチング作用をするICのスペース
がアンバランスとなり、サーマルヘッドの薄膜抵抗体を
従来のようにエツジタイプに配列することができず、絶
縁基板のサイズが大きくなると共に構成が複雑化し、コ
スト高に繋がることが問題である。
上記の問題は並列に配置した複数の薄膜抵抗体の各々を
ICを構成する各トランジスタの出力端子に回路接続し
、該トランジスタを情報により動作せしめて前記薄膜抵
抗体を選択的に発熱させ、ドツト印字を行うサーマルヘ
ッドにおいて、従来の横形ICに換えて縦形ICを用い
、該ICの下を絶縁層により絶縁し、ICの各出力端子
と薄膜抵抗体とを結ぶ配線パターンを設けると共に、隣
接するIC間にアースパターンを設ける高密度IC搭載
形サーマルヘッドの使用により解決することができる。
ICを構成する各トランジスタの出力端子に回路接続し
、該トランジスタを情報により動作せしめて前記薄膜抵
抗体を選択的に発熱させ、ドツト印字を行うサーマルヘ
ッドにおいて、従来の横形ICに換えて縦形ICを用い
、該ICの下を絶縁層により絶縁し、ICの各出力端子
と薄膜抵抗体とを結ぶ配線パターンを設けると共に、隣
接するIC間にアースパターンを設ける高密度IC搭載
形サーマルヘッドの使用により解決することができる。
本発明はサーマルヘッドが24ドットノmmのような高
密度の場合でもエツジタイプの構成を可能にする方法と
して従来の横形rcに代わって縦形ICを使用すると共
に、ICを構成する各トランジスタの出力端子と薄膜抵
抗素子とを繋ぐ配線パターンをICの下も利用して形成
し、またIC間にアースパターンを設けるようにしたも
のである。
密度の場合でもエツジタイプの構成を可能にする方法と
して従来の横形rcに代わって縦形ICを使用すると共
に、ICを構成する各トランジスタの出力端子と薄膜抵
抗素子とを繋ぐ配線パターンをICの下も利用して形成
し、またIC間にアースパターンを設けるようにしたも
のである。
すなわち、縦形ICの場合、アース線での電圧降下を少
なくするため、左右に分散してアース端子が設けられて
いるが、隣接して配置されるIC間にアースパターンを
作り、これにワイヤー接続することにより抵抗増加を防
ぐことができる。
なくするため、左右に分散してアース端子が設けられて
いるが、隣接して配置されるIC間にアースパターンを
作り、これにワイヤー接続することにより抵抗増加を防
ぐことができる。
このように縦形ICを用いると64ドツト分の薄膜抵抗
体の横寸法が3.2mmであり、一方64個の出力端子
をもつICの幅は2龍以下であることから隣接するIC
間には0.6mm以上の間隔があり、そのためにアース
パターンやポンディングパッドなどの形成が可能となる
。
体の横寸法が3.2mmであり、一方64個の出力端子
をもつICの幅は2龍以下であることから隣接するIC
間には0.6mm以上の間隔があり、そのためにアース
パターンやポンディングパッドなどの形成が可能となる
。
なお、薄膜抵抗体が発熱して感熱紙を発色させるには約
400°Cにまで急速に温度上昇させる必要があり、そ
のため従来の8ドツト/11の場合は約2A程度の電流
密度を必要としたが、高密度化によって薄膜抵抗体の面
積が減少するため、供給電流が少しで済むと云う利点を
もっている。
400°Cにまで急速に温度上昇させる必要があり、そ
のため従来の8ドツト/11の場合は約2A程度の電流
密度を必要としたが、高密度化によって薄膜抵抗体の面
積が減少するため、供給電流が少しで済むと云う利点を
もっている。
第1図は本発明に係るIC搭載法を説明する平面図、ま
た第2図はx−x′位置における断面図である。
た第2図はx−x′位置における断面図である。
すなわち厚さ約11mのアルミナ基板(以下略して基板
)6の上に部分的にガラスペーストをスクリーン印刷し
て焼成し、約60μmのグレーズ層7を形成しておく。
)6の上に部分的にガラスペーストをスクリーン印刷し
て焼成し、約60μmのグレーズ層7を形成しておく。
このグレーズ層7は基板6を平滑化する以外に薄膜抵抗
体の放熱を妨げる役割りをしている。
体の放熱を妨げる役割りをしている。
先ず、スクリーン印刷を用いる厚膜法により銅(Cu)
ペーストを使用して電源線路1とデータIN。
ペーストを使用して電源線路1とデータIN。
データOUT、クロック信号などの信号線4をパターン
印刷して焼成し、次に電源線路1と信号線4の上に絶縁
ペーストを用いて第1の絶縁層8を作り、被覆して絶縁
する。
印刷して焼成し、次に電源線路1と信号線4の上に絶縁
ペーストを用いて第1の絶縁層8を作り、被覆して絶縁
する。
なお、電源線路1の上には、以後に形成する薄膜抵抗体
と回路接続するためのコンタクトホールを設けておく。
と回路接続するためのコンタクトホールを設けておく。
次に真空蒸着法と写真蝕刻技術(ホトリソグラフィ)と
を用いる薄膜法により、グレーズ層7の上にTaN、よ
りなる薄膜抵抗体9をパターン形成した後、電源線路1
と薄膜抵抗体9を結ぶ線路。
を用いる薄膜法により、グレーズ層7の上にTaN、よ
りなる薄膜抵抗体9をパターン形成した後、電源線路1
と薄膜抵抗体9を結ぶ線路。
薄膜抵抗体9と以後装着するICのボンディング位置の
周囲に設けるポンディングパッド10に到る多数の配線
パターン11およびアースパターン12を薄膜法でニク
ロム(Ni −Cr)−金(Au)やCr−Auまた
はCr−Cu (銅)でパターン形成した後、これに金
(Au)メッキを施すことにより形成する。
周囲に設けるポンディングパッド10に到る多数の配線
パターン11およびアースパターン12を薄膜法でニク
ロム(Ni −Cr)−金(Au)やCr−Auまた
はCr−Cu (銅)でパターン形成した後、これに金
(Au)メッキを施すことにより形成する。
次に薄膜抵抗体9の上には二酸化珪素(Si(h)や酸
化タンタル(Tag’s)など耐摩耗性のある絶縁物か
らなる保護層13を薄膜法で形成して薄膜抵抗体9を保
護する。
化タンタル(Tag’s)など耐摩耗性のある絶縁物か
らなる保護層13を薄膜法で形成して薄膜抵抗体9を保
護する。
次いで配線パターン11の上で、この上にICの搭載が
行われる位置に第2の絶縁層14を厚膜法で形成し、こ
の上に絶縁性グイボンディング樹脂(例えばエポキシ樹
脂)15を用いて、IC16のダイボンディングを行う
。
行われる位置に第2の絶縁層14を厚膜法で形成し、こ
の上に絶縁性グイボンディング樹脂(例えばエポキシ樹
脂)15を用いて、IC16のダイボンディングを行う
。
この後、IC16の周辺に設けられているパッドとグレ
ーズ層7の上に形成しであるアースパターン12のポン
ディングパッド部および配線パターン11のポンディン
グパッド10とをワイヤボンディング法で結んでサーマ
ルヘッドが完成する。
ーズ層7の上に形成しであるアースパターン12のポン
ディングパッド部および配線パターン11のポンディン
グパッド10とをワイヤボンディング法で結んでサーマ
ルヘッドが完成する。
以上記したように本発明の実施により高密度化したにも
拘らず、エツジタイプのサーマルへラドの形成が可能と
なり、これにより回路構成が可能となり低コスト化が達
成される。
拘らず、エツジタイプのサーマルへラドの形成が可能と
なり、これにより回路構成が可能となり低コスト化が達
成される。
第1図は本発明に係るIC搭載法を説明する平面図、
第2図は本発明に係るIC搭載法を説明する断面図、
第3図は従来のIC搭載法を説明する平面図、第4図は
従来の高密度搭載法を説明する平面図、・である。 図において、 1は電源線路、 2,9は薄膜抵抗体、3.1
6はIC,4は信号線、 5はアース線、 8は第1の絶縁層、10は
ポンディングパッド、11は配線パターン、12はアー
スパターン°、 14は第2の絶縁層、である。 A発明に係5IC塔載法1言Iすう平面圀y6+ 図 r 第3 円
従来の高密度搭載法を説明する平面図、・である。 図において、 1は電源線路、 2,9は薄膜抵抗体、3.1
6はIC,4は信号線、 5はアース線、 8は第1の絶縁層、10は
ポンディングパッド、11は配線パターン、12はアー
スパターン°、 14は第2の絶縁層、である。 A発明に係5IC塔載法1言Iすう平面圀y6+ 図 r 第3 円
Claims (1)
- 並列に配置した複数の薄膜抵抗体の各々をICを構成す
る各トランジスタの出力端子に回路接続し、該トランジ
スタを情報により動作せしめて前記薄膜抵抗体を選択的
に発熱させ、ドット印字を行うサーマルヘッドにおいて
、従来の横形ICに換えて縦形ICを用い、該サーマル
ヘッド基板の長手方向に対し、縦形ICの長手方向が直
角になるように配置し、該ICの下を絶縁層により絶縁
してICの各出力端子と薄膜抵抗体とを結ぶ配線パター
ンを設けると共に、隣接するIC間にアースパターンを
設けることを特徴とする高密度IC搭載形サーマルヘッ
ド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5541486A JPS62211157A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 高密度ic搭載形サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5541486A JPS62211157A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 高密度ic搭載形サ−マルヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62211157A true JPS62211157A (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=12997904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5541486A Pending JPS62211157A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 高密度ic搭載形サ−マルヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62211157A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04126858U (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-18 | 株式会社タムラ製作所 | 厚膜型サーマルヘツド |
JPH0553949U (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-20 | アオイ電子株式会社 | サーマルヘッド |
JPH05177863A (ja) * | 1992-06-22 | 1993-07-20 | Rohm Co Ltd | サーマルヘッド |
US5675366A (en) * | 1989-03-10 | 1997-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording apparatus and recording head substrate for use in the same |
WO2023210426A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP5541486A patent/JPS62211157A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5675366A (en) * | 1989-03-10 | 1997-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording apparatus and recording head substrate for use in the same |
JPH04126858U (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-18 | 株式会社タムラ製作所 | 厚膜型サーマルヘツド |
JPH0553949U (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-20 | アオイ電子株式会社 | サーマルヘッド |
JPH05177863A (ja) * | 1992-06-22 | 1993-07-20 | Rohm Co Ltd | サーマルヘッド |
WO2023210426A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
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