JPS62211157A - 高密度ｉｃ搭載形サ−マルヘツド - Google Patents
高密度ｉｃ搭載形サ−マルヘツドInfo
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- JPS62211157A JPS62211157A JP5541486A JP5541486A JPS62211157A JP S62211157 A JPS62211157 A JP S62211157A JP 5541486 A JP5541486 A JP 5541486A JP 5541486 A JP5541486 A JP 5541486A JP S62211157 A JPS62211157 A JP S62211157A
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- film resistor
- thin film
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- thermal head
- power supply
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
サーマルヘッドの高密度化を実現する方法として各ＩＣ
の下に該ＩＣの出力端子と薄膜抵抗体とを結ぶ配線パタ
ーンを設けると共に、隣接するＩＣ間にアースパターン
を設けた高密度ＩＣ搭載形サーマルヘッド。
の下に該ＩＣの出力端子と薄膜抵抗体とを結ぶ配線パタ
ーンを設けると共に、隣接するＩＣ間にアースパターン
を設けた高密度ＩＣ搭載形サーマルヘッド。
本発明は高密度化を実現したサーマルヘッドの構成に関
する。
する。
大量の情報を高速に処理するために情報処理技術の進歩
は著しく、装置の小形化と大容量化が進められている。
は著しく、装置の小形化と大容量化が進められている。
ここで、プリンタは情報処理装置への入力或いは出力す
る情報を記録するもので情報処理には不可欠のものであ
り、これはインパクトプリンタとノンインパクトプリン
タに大別されている。
る情報を記録するもので情報処理には不可欠のものであ
り、これはインパクトプリンタとノンインパクトプリン
タに大別されている。
本発明に係るサーマルプリンタは代表的なノンインパク
トプリンタであって騒音が発生せず、また現像、定着を
必要としないため取り扱いが容易と云う特徴をもってい
る。
トプリンタであって騒音が発生せず、また現像、定着を
必要としないため取り扱いが容易と云う特徴をもってい
る。
サーマルプリンタはアルミナ（α−八へ２０．）などの
耐熱性絶縁基板の上に窒化タンタル（ＴａＮ。
耐熱性絶縁基板の上に窒化タンタル（ＴａＮ。
）などからなるドツト状の薄膜抵抗体を横一列にパター
ン形成してサーマルヘッドが形成されており、この各ド
ツト状の薄膜抵抗体はトランジスタを介して共通電源に
回路接続され、このトランジスタを情報に応じてＯＮ、
ＯＦＦさせて選択的に薄膜抵抗体を発熱させるように
なっている。
ン形成してサーマルヘッドが形成されており、この各ド
ツト状の薄膜抵抗体はトランジスタを介して共通電源に
回路接続され、このトランジスタを情報に応じてＯＮ、
ＯＦＦさせて選択的に薄膜抵抗体を発熱させるように
なっている。
一方、感熱紙はサーマルヘッドに沿って走行しており、
薄膜抵抗体の選択的な発熱によりその部分の感熱紙が発
色して印字が行われている。
薄膜抵抗体の選択的な発熱によりその部分の感熱紙が発
色して印字が行われている。
第３図はＩＣＣ搭載形−マルヘッドの従来の構成を示す
もので、電源線路１を通じてドツト状の各薄膜抵抗体２
に電源電圧（ｖ、ｉ）が印加されており、さらにＩＣ３
を構成する各トランジスタの出力端子に回路接続されて
いる。
もので、電源線路１を通じてドツト状の各薄膜抵抗体２
に電源電圧（ｖ、ｉ）が印加されており、さらにＩＣ３
を構成する各トランジスタの出力端子に回路接続されて
いる。
ここで、ＩＣ３は横形であって、上部には多数（具体的
には６４個）の出力端子があり、下部にはデータのＩＮ
およびＯＵＴ端子、クロック端子、ラッチ端子、ストロ
ーブ信号端子など複数の信号端子とアース端子が設けら
れており、各端子はそれぞれの信号線４とアース！５に
回路接続がなされている。
には６４個）の出力端子があり、下部にはデータのＩＮ
およびＯＵＴ端子、クロック端子、ラッチ端子、ストロ
ーブ信号端子など複数の信号端子とアース端子が設けら
れており、各端子はそれぞれの信号線４とアース！５に
回路接続がなされている。
ここで、従来のようにサーマルヘッドをｍ成する薄膜抵
抗体が８ドｙ ） ／ ＊＊のように比較的低密度に配
列している場合は６４ビツトの配列に８１１が必要であ
り、６４個の出力端子をもつＩＣ３の横寸法が７．５鶴
程度であることから適合性がよく、第３図のようにＩＣ
３をドツトを形成する薄膜抵抗体２と同様に横一列に基
板上に配列してサーマルヘッドが形成されていた。
抗体が８ドｙ ） ／ ＊＊のように比較的低密度に配
列している場合は６４ビツトの配列に８１１が必要であ
り、６４個の出力端子をもつＩＣ３の横寸法が７．５鶴
程度であることから適合性がよく、第３図のようにＩＣ
３をドツトを形成する薄膜抵抗体２と同様に横一列に基
板上に配列してサーマルヘッドが形成されていた。
然し、高密度化のためには２４ドツト／ｆｌを実現する
ことが必要であり、その方法として第４図に示すように
薄膜抵抗体２と電源線路１を中央にパターン形成すると
共にＩＣ３の６４個の出力端子を内側に向けて装着し、
ワイヤボンディングなどの方法で薄膜抵抗体と回路接続
する方法がとられていた。
ことが必要であり、その方法として第４図に示すように
薄膜抵抗体２と電源線路１を中央にパターン形成すると
共にＩＣ３の６４個の出力端子を内側に向けて装着し、
ワイヤボンディングなどの方法で薄膜抵抗体と回路接続
する方法がとられていた。
然し、この方法は電源線路ｌと多数設けられている薄膜
抵抗体２とを広い面積に亙って完全に層絶縁する必要が
あり、絶縁基板のサイズが大きくなり、また構成が複雑
でコスト高になるなどの問題があった。
抵抗体２とを広い面積に亙って完全に層絶縁する必要が
あり、絶縁基板のサイズが大きくなり、また構成が複雑
でコスト高になるなどの問題があった。
以上記したようにサーマルヘッドを構成する薄膜抵抗体
が２４ドツト／龍のように高密度化すると各薄膜抵抗体
と回路接続してスイッチング作用をするＩＣのスペース
がアンバランスとなり、サーマルヘッドの薄膜抵抗体を
従来のようにエツジタイプに配列することができず、絶
縁基板のサイズが大きくなると共に構成が複雑化し、コ
スト高に繋がることが問題である。
が２４ドツト／龍のように高密度化すると各薄膜抵抗体
と回路接続してスイッチング作用をするＩＣのスペース
がアンバランスとなり、サーマルヘッドの薄膜抵抗体を
従来のようにエツジタイプに配列することができず、絶
縁基板のサイズが大きくなると共に構成が複雑化し、コ
スト高に繋がることが問題である。
上記の問題は並列に配置した複数の薄膜抵抗体の各々を
ＩＣを構成する各トランジスタの出力端子に回路接続し
、該トランジスタを情報により動作せしめて前記薄膜抵
抗体を選択的に発熱させ、ドツト印字を行うサーマルヘ
ッドにおいて、従来の横形ＩＣに換えて縦形ＩＣを用い
、該ＩＣの下を絶縁層により絶縁し、ＩＣの各出力端子
と薄膜抵抗体とを結ぶ配線パターンを設けると共に、隣
接するＩＣ間にアースパターンを設ける高密度ＩＣ搭載
形サーマルヘッドの使用により解決することができる。
ＩＣを構成する各トランジスタの出力端子に回路接続し
、該トランジスタを情報により動作せしめて前記薄膜抵
抗体を選択的に発熱させ、ドツト印字を行うサーマルヘ
ッドにおいて、従来の横形ＩＣに換えて縦形ＩＣを用い
、該ＩＣの下を絶縁層により絶縁し、ＩＣの各出力端子
と薄膜抵抗体とを結ぶ配線パターンを設けると共に、隣
接するＩＣ間にアースパターンを設ける高密度ＩＣ搭載
形サーマルヘッドの使用により解決することができる。
本発明はサーマルヘッドが２４ドットノｍｍのような高
密度の場合でもエツジタイプの構成を可能にする方法と
して従来の横形ｒｃに代わって縦形ＩＣを使用すると共
に、ＩＣを構成する各トランジスタの出力端子と薄膜抵
抗素子とを繋ぐ配線パターンをＩＣの下も利用して形成
し、またＩＣ間にアースパターンを設けるようにしたも
のである。
密度の場合でもエツジタイプの構成を可能にする方法と
して従来の横形ｒｃに代わって縦形ＩＣを使用すると共
に、ＩＣを構成する各トランジスタの出力端子と薄膜抵
抗素子とを繋ぐ配線パターンをＩＣの下も利用して形成
し、またＩＣ間にアースパターンを設けるようにしたも
のである。
すなわち、縦形ＩＣの場合、アース線での電圧降下を少
なくするため、左右に分散してアース端子が設けられて
いるが、隣接して配置されるＩＣ間にアースパターンを
作り、これにワイヤー接続することにより抵抗増加を防
ぐことができる。
なくするため、左右に分散してアース端子が設けられて
いるが、隣接して配置されるＩＣ間にアースパターンを
作り、これにワイヤー接続することにより抵抗増加を防
ぐことができる。
このように縦形ＩＣを用いると６４ドツト分の薄膜抵抗
体の横寸法が３．２ｍｍであり、一方６４個の出力端子
をもつＩＣの幅は２龍以下であることから隣接するＩＣ
間には０．６ｍｍ以上の間隔があり、そのためにアース
パターンやポンディングパッドなどの形成が可能となる
。
体の横寸法が３．２ｍｍであり、一方６４個の出力端子
をもつＩＣの幅は２龍以下であることから隣接するＩＣ
間には０．６ｍｍ以上の間隔があり、そのためにアース
パターンやポンディングパッドなどの形成が可能となる
。
なお、薄膜抵抗体が発熱して感熱紙を発色させるには約
４００°Ｃにまで急速に温度上昇させる必要があり、そ
のため従来の８ドツト／１１の場合は約２Ａ程度の電流
密度を必要としたが、高密度化によって薄膜抵抗体の面
積が減少するため、供給電流が少しで済むと云う利点を
もっている。
４００°Ｃにまで急速に温度上昇させる必要があり、そ
のため従来の８ドツト／１１の場合は約２Ａ程度の電流
密度を必要としたが、高密度化によって薄膜抵抗体の面
積が減少するため、供給電流が少しで済むと云う利点を
もっている。
第１図は本発明に係るＩＣ搭載法を説明する平面図、ま
た第２図はｘ−ｘ′位置における断面図である。
た第２図はｘ−ｘ′位置における断面図である。
すなわち厚さ約１１ｍのアルミナ基板（以下略して基板
）６の上に部分的にガラスペーストをスクリーン印刷し
て焼成し、約６０μｍのグレーズ層７を形成しておく。
）６の上に部分的にガラスペーストをスクリーン印刷し
て焼成し、約６０μｍのグレーズ層７を形成しておく。
このグレーズ層７は基板６を平滑化する以外に薄膜抵抗
体の放熱を妨げる役割りをしている。
体の放熱を妨げる役割りをしている。
先ず、スクリーン印刷を用いる厚膜法により銅（Ｃｕ）
ペーストを使用して電源線路１とデータＩＮ。
ペーストを使用して電源線路１とデータＩＮ。
データＯＵＴ、クロック信号などの信号線４をパターン
印刷して焼成し、次に電源線路１と信号線４の上に絶縁
ペーストを用いて第１の絶縁層８を作り、被覆して絶縁
する。
印刷して焼成し、次に電源線路１と信号線４の上に絶縁
ペーストを用いて第１の絶縁層８を作り、被覆して絶縁
する。
なお、電源線路１の上には、以後に形成する薄膜抵抗体
と回路接続するためのコンタクトホールを設けておく。
と回路接続するためのコンタクトホールを設けておく。
次に真空蒸着法と写真蝕刻技術（ホトリソグラフィ）と
を用いる薄膜法により、グレーズ層７の上にＴａＮ、よ
りなる薄膜抵抗体９をパターン形成した後、電源線路１
と薄膜抵抗体９を結ぶ線路。
を用いる薄膜法により、グレーズ層７の上にＴａＮ、よ
りなる薄膜抵抗体９をパターン形成した後、電源線路１
と薄膜抵抗体９を結ぶ線路。
薄膜抵抗体９と以後装着するＩＣのボンディング位置の
周囲に設けるポンディングパッド１０に到る多数の配線
パターン１１およびアースパターン１２を薄膜法でニク
ロム（Ｎｉ −Ｃｒ）−金（Ａｕ）やＣｒ−Ａｕまた
はＣｒ−Ｃｕ （銅）でパターン形成した後、これに金
（Ａｕ）メッキを施すことにより形成する。
周囲に設けるポンディングパッド１０に到る多数の配線
パターン１１およびアースパターン１２を薄膜法でニク
ロム（Ｎｉ −Ｃｒ）−金（Ａｕ）やＣｒ−Ａｕまた
はＣｒ−Ｃｕ （銅）でパターン形成した後、これに金
（Ａｕ）メッキを施すことにより形成する。
次に薄膜抵抗体９の上には二酸化珪素（Ｓｉ（ｈ）や酸
化タンタル（Ｔａｇ’ｓ）など耐摩耗性のある絶縁物か
らなる保護層１３を薄膜法で形成して薄膜抵抗体９を保
護する。
化タンタル（Ｔａｇ’ｓ）など耐摩耗性のある絶縁物か
らなる保護層１３を薄膜法で形成して薄膜抵抗体９を保
護する。
次いで配線パターン１１の上で、この上にＩＣの搭載が
行われる位置に第２の絶縁層１４を厚膜法で形成し、こ
の上に絶縁性グイボンディング樹脂（例えばエポキシ樹
脂）１５を用いて、ＩＣ１６のダイボンディングを行う
。
行われる位置に第２の絶縁層１４を厚膜法で形成し、こ
の上に絶縁性グイボンディング樹脂（例えばエポキシ樹
脂）１５を用いて、ＩＣ１６のダイボンディングを行う
。
この後、ＩＣ１６の周辺に設けられているパッドとグレ
ーズ層７の上に形成しであるアースパターン１２のポン
ディングパッド部および配線パターン１１のポンディン
グパッド１０とをワイヤボンディング法で結んでサーマ
ルヘッドが完成する。
ーズ層７の上に形成しであるアースパターン１２のポン
ディングパッド部および配線パターン１１のポンディン
グパッド１０とをワイヤボンディング法で結んでサーマ
ルヘッドが完成する。
以上記したように本発明の実施により高密度化したにも
拘らず、エツジタイプのサーマルへラドの形成が可能と
なり、これにより回路構成が可能となり低コスト化が達
成される。
拘らず、エツジタイプのサーマルへラドの形成が可能と
なり、これにより回路構成が可能となり低コスト化が達
成される。
第１図は本発明に係るＩＣ搭載法を説明する平面図、
第２図は本発明に係るＩＣ搭載法を説明する断面図、
第３図は従来のＩＣ搭載法を説明する平面図、第４図は
従来の高密度搭載法を説明する平面図、・である。 図において、 １は電源線路、 ２，９は薄膜抵抗体、３．１
６はＩＣ，４は信号線、 ５はアース線、 ８は第１の絶縁層、１０は
ポンディングパッド、１１は配線パターン、１２はアー
スパターン°、 １４は第２の絶縁層、である。 Ａ発明に係５ＩＣ塔載法１言Ｉすう平面圀ｙ６＋ 図 ｒ 第３ 円
従来の高密度搭載法を説明する平面図、・である。 図において、 １は電源線路、 ２，９は薄膜抵抗体、３．１
６はＩＣ，４は信号線、 ５はアース線、 ８は第１の絶縁層、１０は
ポンディングパッド、１１は配線パターン、１２はアー
スパターン°、 １４は第２の絶縁層、である。 Ａ発明に係５ＩＣ塔載法１言Ｉすう平面圀ｙ６＋ 図 ｒ 第３ 円
Claims (1)
- 並列に配置した複数の薄膜抵抗体の各々をＩＣを構成す
る各トランジスタの出力端子に回路接続し、該トランジ
スタを情報により動作せしめて前記薄膜抵抗体を選択的
に発熱させ、ドット印字を行うサーマルヘッドにおいて
、従来の横形ＩＣに換えて縦形ＩＣを用い、該サーマル
ヘッド基板の長手方向に対し、縦形ＩＣの長手方向が直
角になるように配置し、該ＩＣの下を絶縁層により絶縁
してＩＣの各出力端子と薄膜抵抗体とを結ぶ配線パター
ンを設けると共に、隣接するＩＣ間にアースパターンを
設けることを特徴とする高密度ＩＣ搭載形サーマルヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5541486A JPS62211157A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 高密度ｉｃ搭載形サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5541486A JPS62211157A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 高密度ｉｃ搭載形サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62211157A true JPS62211157A (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=12997904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5541486A Pending JPS62211157A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 高密度ｉｃ搭載形サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62211157A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04126858U (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-18 | 株式会社タムラ製作所 | 厚膜型サーマルヘツド |
| JPH0553949U (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-20 | アオイ電子株式会社 | サーマルヘッド |
| JPH05177863A (ja) * | 1992-06-22 | 1993-07-20 | Rohm Co Ltd | サーマルヘッド |
| US5675366A (en) * | 1989-03-10 | 1997-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording apparatus and recording head substrate for use in the same |
| WO2023210426A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP5541486A patent/JPS62211157A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5675366A (en) * | 1989-03-10 | 1997-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording apparatus and recording head substrate for use in the same |
| JPH04126858U (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-18 | 株式会社タムラ製作所 | 厚膜型サーマルヘツド |
| JPH0553949U (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-20 | アオイ電子株式会社 | サーマルヘッド |
| JPH05177863A (ja) * | 1992-06-22 | 1993-07-20 | Rohm Co Ltd | サーマルヘッド |
| WO2023210426A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
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