JPS62204848A - 脂肪族及び芳香族化合物中の炭素−炭素二重結合、ニトロ基及びアルデヒド基の水素化用触媒製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、触媒の９１造方法に関し、特に、脂肪族及び
芳香族化合物中の炭素−炭素二重結合、ニトロ基及びア
ルデヒド基の水素化用触媒の製造方法に関する。

先行技術 今日、知られている触媒化学は、例えば、脂肪族及び芳
香族化合物中の炭素−炭素二重結合、ニトロ基及びアル
デヒド基の水素化に使用されるよく発達した表面（ｗｅ
ｌｌ−ｃ！ｅｖｅｌｏｐｅｃｌｎｕｒ　ｆａｃｅ）を有
する金属触媒の製造方法である。これらの方法は、キャ
リヤ（ｃａｒｒｉｅｒ）に高分散形態で金属を適用する
ことを含む、更に、よく発達した表面を有する金属触媒
（スケルトン型触媒）も、例えば、触媒活性金属の合金
をアルミニウム、シリコン等で浸出して製造される。

〔シー、エヌ、セターフイールド「実際における異質の
触媒」マグロ−ヒル、インコーホレーテッド、、二ｚ−
”Ｊ−り（１９８０）参照（ｃｆ。

Ｃ，Ｎ、５ｅｔｔｅｒｆ　　１ｅｌｄ。

”ＨｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓＣａｔａｌｙｓｔｓ＋　
　ｎ　　Ｐｒａｃｔ　ｉｃｅ”　　ＭｃＧｒａｗ　　Ｈ
ｉ　　ｌ’ＩＩｎｃ、、Ｎｅｗ　　Ｙｏｒｋ、１９８０
））これらの触媒の製造方法では、よく発達した表面を
有し、また、水素の選択的透過性及び高い機械的強度を
所有する膜触媒を製造することは不可能なことである６ パラジウム　ブラック（ｐａｌｌａｃＪｉｕｍｂｌａｃ
ｋ）の屑のパラノウム基礎合金（例えば銀或はニッケル
）或は他の多くの触媒活性金属〆　ｊブラックの合金で
作られた箔或は管の如く形成されたａ表面に化学的或は
電気化学的沈積物を含み、ｆ飽和炭化水素の水素化工程
に使用しうるよく発達した表面を有する膜触媒を’ＪＩ
Ｈする方法は、既に公知である。〔ゲイ。エム、グリャ
ズノ７、ゲイ。ニス、スミル／７、エル、ケイ、イヴア
／ヴＴ１エイ、ビイ、ミシェンコによるドクレディ７ン
　ニスニスニスアル（ｃ　ｆ、Ｖ、Ｍ。

Ｇｒｙａｚｎｏｖ、Ｖ、Ｓ、Ｓｍ　ｉ　ｒｎｏｖ、Ｌ。

Ｋ、　　Ｉｖａｎｏｖａ、　　Ａ、Ｐ＋Ｍｉｓｃｈｅｎ
ｋｏ。

Ｄｏｋｌａｃｌｙ　　ΔＮ　　５ＳＳＲ，１９７０）　
、Ｖｏｌ、１９０．Ｐ、１４４参照〕 しかしながら、この先行技術の方法は、パラノウムブラ
ック或は他の金属ブラック（ｍｅｔａｌｌ）ｌａｃｋ）
を有する膜の耐久性被覆を保証しない、更にパラジウム
合金からの膜表面のがなりの部分が、水素分子及び有機
物質にとって利用され難いので、膜被覆のためのもう一
つの触媒活性金属の使用は、しばしば水素に対する膜触
媒の低透過性をもたらす、水素、空気及び炭化水素の雰
囲気下の長時間操業で、ブラックレイヤー（ｂｌａｃｋ
ｌａｙｅｒ）は、破壊され、剥Ｂされる。

また、不飽和炭化水素の水素化触媒の製造方法が、その
表面に設けられたニッケルパラジウム或は白金のような
触媒活性金属の多孔質層を有する構造金属材料で作られ
た基質を含むことは公知である。

この方法は、触媒活性金属が基質表面に適用され、それ
から亜鉛或はアルミニウムの如き触媒的に不活性な金属
層で被覆され、触媒活性金属と触媒的に不活性な金属と
の内部拡散のために、３００〜ｉ、ｏ　ｏ　ｏ℃の範囲
内の温度に保持され、続いて水酸化ナトリッム或は水酸
化カリウムで漂白して、触媒活性金属から亜鉛或はアル
ミニウムを化学的に回収するものである。

触媒的に不活性な金属層の厚さは、触媒活性金属層の厚
さと等しいが、または１０倍までの厚さである。〔ソ連
発明者証（ＵＳＳＲＩｎｖｅｎｔｏｒ’ｓ　　Ｃｅｒｔ
ｉｆｉｃａｔｅ）Ｎｏ。

２１８８３０、Ｉｎｔ、ＣＩ、ＢＯＩＪ２５１００、発
明公告公報（ｐｕｂｌｉｓｈｅｄｉｎ　　Ｂｕｌｌｅｔ
ｉｎ　　Ｉｎｖｅｎｔｉｏｎｓ）Ｎｏ、２４，１９６７
参＠） 水素化工程が、膜を通って拡散する活性（元素状）水素
を使用することにより起こるから、この先行技術の方法
では、膜触媒を製造することができない。

この方法で製造された触媒においては、該工程は、試薬
と水素の競争的吸着で、分子状水素の使用により進行す
るので、水素化速度及び工程の選択性は低下する。この
ような触媒において、大気圧下のニトロ化合物の水素化
は、実質的には、殆んど進行しない。それは、触媒表面
上へのニトロ化合物の強力な吸着のためであり、触媒の
活性中心への水素の接近を妨げることになる。

発明が解決しようとする問題点 本発明は、通し孔ではなく、よく発達した多孔質表面を
もち、脂肪族及び芳香族化合物中の炭素−炭素二重結合
、ニド四基及びアルデヒド基の水素化工程において、水
素に対する向上した選択的透過性を有し、同様に、該多
孔質層の高い機械的強度を有する触媒の製造方法を提供
する。

問題点を解決するための手段 本発明の目的は、触媒活性金属上へ亜鉛を沈積させ、こ
れらの金属を相互拡散を確実にする温度に保持し、続い
て触媒活性金属から亜鉛を化学的に回収することによっ
て、脂肪族及び芳香族化合物中の炭素−炭素二重結合、
ニトロ基及びアルデヒド基の水素化用触媒を製造する方
法によって達成される。本発明によれば、触媒活性金属
は、８０〜９５賀量％のパラジウムと５〜２０質量％の
ルテニウムまたはロジウムとから成る合金の膜形状にお
いて使用される。亜鉛は、亜鉛の１５１部材１こ大・す
するＲ１４１！７．比が１＝１０〜１００において、膜
表面の片面または両面に適用される。亜鉛層が適用さ枕
た膜部材は、２０〜２５０℃の範囲内の温度に保持され
、膜部材からの亜鉛の化学的回収は、塩酸で、該膜部材
を処理することによって行われる。

本発明による方法によって、９５〜８０質量％のパラジ
ウムと５〜２０質量％のルテニウム又はロジウムから成
る合金で作られており、また、非多孔質層と該非孔質層
の片側又は両側に位置する多孔ｆｆ層を包含する膜部材
を有する触媒を製造することができる６多孔質の表面の
面積は単位α２の膜表面に対して１５０〜１，５００口
２の気孔（ρｏｓｅ）に等しく、多孔質層の非孔質層に
対する厚さの比は、それぞれに１　：　５．７〜１００
である１本発明による模触媒は、通し孔のないよく発達
した多孔性表面を有し、元素状水素の使用による水素化
工程処理において、触媒の生産性を向上させるものであ
る。水素の選択的透過性ががなり増加する。したがって
、室温（１８〜２５℃）において、本発明による方法で
Ｓｔ造された膜触媒の水素透過性は、公知の膜触媒の水
素透過性より約５〜１０倍高い。そして該水素透過性は
、低温（２０〜４０℃の範囲内）での脂肪族及び芳香族
化合物中の炭素−炭素二重結合、ニトロ基又はアルデヒ
ド基の水素化工程を行うために、本発明による方法で製
造された膜触媒を使用することを可能にする。

更に、本発明による方法で製造された触媒は、膜触媒の
操業及び再生中に破壊されない多孔Ｙ！Ｊ層の高いは械
的強度を特色とする。

すでに、上述したように、触媒活性金属として用いられ
るものは、８０〜９５質量％のパラジウム及び５〜２０
’ｆｊ量％のルテニウム或はロジウム　゛から成る合金
で作られる。パラノウム含量が少い（８０ｆｆｆ１％以
下）合金を使用することは、該合金を通過する水素透過
性が非常に低いので不適当である。一方、９５ｆｆｆ１
％を越えるパラノウム含量の場合には、該合金は、水ｉ
雰囲気中で不安定となり、容易に破壊される。

多量の亜鉛は、収に通し孔を形成する結果となるので、
亜鉛の膜に対する層厚比が１：１０以上のものを使用す
ることは、いづれも適当でない。

層厚比が１：１００以下では、高活性の水素化触媒を得
ることができない膜表面の不十号な弛み（Ｉｏｓｓｅｎ
ｉｎＨ）を生ずる。

高温では、パラゾ・クム表面層内に亜鉛の深い拡散が起
こり、次の塩酸処理に於いで、亜鉛を十分に分離するこ
とができず、模触媒の活性に悪影響を与えるので、亜鉛
層を有する膜の滞溜温度は、２５０℃を越えるべきでな
い、２０℃以下では、　２パラジウム合金中への亜鉛の
拡散は、非常におそく、塩酸で亜鉛を溶解する際に、多
孔質層は実質的に形成されない。

作用 本発明による脂肪族及び芳香族化合物中の炭素−炭素二
重結合、ニトロ基及びアルデヒド基の水素化ｍ膜触媒を
製造する方法は、次の方法Ｃｈｔ了われる。

まず第１に、８０〜９５貿量％のパッジ１ンム及び５〜
２０質量％のルテニウム又はロジウムから成る合金で作
られた箔または管の如き膜の清浄な２層２面に、亜鉛の
１層が、亜鉛層の膜に対する厚さの比が１：１０〜１０
０で、片側又は両側へ電気化学的に析出される。析出さ
れた亜鉛層を有する膜を、２０〜２５０℃の範囲内の温
度に保持し、ソノ後、１０〜３７％の濃度の塩酸に入れ
る。乾燥後、得られた欣触媒は、原料と同一組成の合金
に準じ、そして非孔質層と多孔質層から成る。すなわち
多孔質層は、非多孔′Ｉ！層の両側又は片側のいづれか
に設けてもよい。後者の場合は、水素化工程は、多孔質
層側に°導がれる。

本発明による方法で製？Ｌされた膜触媒は、熱伝導度セ
ンサーすなわちカサロメーターを使用して直接流動法に
より、水素透過性を試験する。

炭素−炭素二重結合、ニトロ基及ｖアルデヒド基を有す
る脂肪族及び芳香族化合物、例えば１゜３−ペンタノエ
ン、ニドミニタン、アセトアルデヒド、ニトロベンゼン
、カルボキシベンズアルデヒド、スチレンの水素化工程
を行うために、反応器の内部空間を２つの区画に分割す
る如き様式の反応器へ脱触媒を配置する。

一方の区画室には水素を供給し、同時に他方には、水素
化される化合物が供給される。水素は、他の区画室へ脱
触媒を通って拡散し、所望の製品の形成と共に、脱触媒
の多孔質表面上で、活性元素形態において、水素化され
る化合物と相互に作用する。触媒組成は、クロマトグラ
フィによって決定されろ。触媒の多孔質層及び非孔質層
の厚さは、電子顕微鏡によって決定される。

〆〆 一込− １，／− 一／゛ 、／− 、／ 実施例 本発明のより良き理解のために、その特別の実施例を示
すいくつかの特定の例を以下に与える。

例１ ９０．２［１％のパラジウムおよび９．８質量％のルテ
ニウムからなる合金から遺られた１００肩の箔を脱脂し
、蒸留水ですすぎ、水１１中に硫酸亜鉛１３０ｇを溶解
した溶液を含んでなる電解液中に置いた０次いで、亜鉛
７）−ドを用いて、２０℃の温度、３．５Ａ／ｃ１ｍ２
の電ｔｉＬ密度および１．５の電解′ｌ＆ｐ　Ｉ（にお
いて、１２分間、箔表面の片面上に亜鉛を析出せしめた
。

１〇−厚さの亜鉛層が析出した箔を２５０　’Ｃの温度
に加熱し、この温度に２時間保持した６次いで、箔を冷
却し、沸騰２０％塩酸内にｉさ、水素気泡の発生の停止
によって制御される亜鉛の完全な除去まで箔を塩酸内に
保持し、そして塩素イオンに基づく反応が存在しなくな
るまで水で洗浄した。かくして、上記合金から造られか
つ９０／Ｊｌ厚さの非孔質層と９１厚さの多孔質層とか
らなる箔の形の脱触媒が得られた。多孔質表面を、ＢＥ
Ｔテラー　イー＋　（Ｂｒｕｎａｕｅｒ　　Ｓ、＋Ｅｍ
ｍｅｔ　　Ｐ、Ｈ，、Ｔｅ１ｌｅｒ　　Ｅ、））法によ
って測定した。得られたデータは、１５００ｃｍ２の気
孔（ｐｏｒｅｓ）が膜表面１ｃ＊”内に存在しているこ
とを示している。

上記のようにして製ｎされた脱触媒の水素透過度（Ｊ）
を第１表に示す。

ｍｉ表 初めの箔（すなわち処理を受けていない箔）の水素透過
度は、２５℃の温度において４．７×１０−６Ｃ１１２
・ｓ−’　・ＭＰａ−”、１００℃において−５，２１
Ｘｌ　０−５ｔｘ２・ｓ−’　・ＭＰａ−”であった、
上記データから明らかなように、上記したようにして製
造された脱触媒の透過度は１００℃の温度において１５
倍だけ増加し、室温において１３０倍だけ増加した。

例２ 前記例１記載のようにして、例１と同じ組成を有す為合
金の箔を用いて脱触媒を製造した。１０樗厚さの亜鉛層
が適用された箔を２０℃の温度に１日間保持した６次い
で、３０％塩酸中で亜鉛を溶解して除去し、上記合金か
ら遺られかつ８５牌厚さの非孔質層と１５／ＪＩＦｇ、
さの多孔質層とからなる箔として成形された脱触媒を得
た。脱触媒の多孔質表面の面積は、膜表面ＩＣ１１２当
たり気孔１．２００α２であった。脱触媒の水素透過度
を次のｔＪＳ２表に示す。

第　２　表 温度、’Ｃ５４９４１０５１４４ ＭＰａ−０Ｊ５　　２．９５　４．５２　４，２７　４
．０８上記第２表のデータから推して、例１に示された
初めの箔の透過度に対するデータとの比較により、本発
明に従って、製造された触媒の水素透過度はかなり高い
（１００℃の温度において約８倍だけ高い。） 例３ ９４質荒％のパラジウムお上び６’ｊｔｆｉ％のルテニ
ウムからなる合金から造られた、外径１ｍ、肉Ｆｒｊ−
１００ｎの管の外表面上に、前記例１に記載したように
して、１−厚さになるまで亜鉛層を析出せしめた１次い
で、管を２３０℃の温度に加熱し、この温度に３０分間
保持し、次いで冷却し、その後、２５％塩酸を用いて亜
鉛を除去した。かくして、管として成形された脱触媒が
得られた。この管は、上記合金から遣られかつ９９／４
Ｊ１７さの非孔質内層とｌ　Ｉｎｘ厚さの多孔質外層と
からなってし・た。

脱触媒の多孔質表面の面積は、膜表面１ｃＲ２当たり気
孔１５０α２であった。２４℃の温度における脱触媒の
水素透過度は５．０２　Ｘ　１０−５α２　・Ｓ−１・
ＭＰａ−”であり、すなわち初めの管の透過度より６１
オーダーの大きさだけ高かった。

例４ ８０質量％のパラジウムおよび２０質量％のロジウムか
らなる合金から遣られた１００陣の箔の両面上に、それ
ぞれが４岸の亜鉛層を適用した。

亜鉛層の適用された箔を１５０℃の温度に４時間保持し
た。箔を冷却し、その後２０％塩酸中で煮沸することに
よって亜鉛を除去した。上記合金から遺られかつ９８纜
厚さの非孔質層と非孔質層の両面に置かれ、それぞれが
３−厚さの表面多孔質層とからなる箔として、脱触媒が
得られた。脱触媒の多孔ｓ２表面の面積は、膜表面１ｃ
Ｒ２当たり気孔４７０ｃｍ２であった。この触媒の１２
５℃の温度における水素透過度は、２．８２　Ｘ　１０
−’α２・ｓ−’　・ＭＰａ−”であった。

例５ ９５ｒＩ量％のパラジウムおよびＳｆｆ量％のロジウム
からなる合金から造られた５０／Ｊ１の笛から、脱触媒
を製造した。前記例１に記載したようにして、４．７趨
厚さの亜鉛層を宿の片面に析出せしめた。亜鉛層の析出
した箔を２５０℃の温度に加熱し、この温度に５時間保
持した。３７％塩酸で膜を処理して亜鉛を除去した。か
くして、上記合金から遺られかつ４９．ｒｉ、さの非孔
質層と２４厚さの多孔質層とからなる箔の形の脱触媒が
得られた。

脱触媒の多孔質表面の面積は、膜表面１ｃｖ２当たり気
孔５４０Ｇ１１２であった。触媒の水素透過度は、２４
℃において７．９４　Ｘ　１０−’ｃｍ２・ｓ−’　・
ＭＰａ−”　、１２０℃においで−１０，２Ｘ１０”ｃ
ｍ２　・ｓ−’−ＭＰａ−Ｏｊであった。

例６ ９５質量％のパラジウムおよび５質量％のロジウムから
なる合金から造られた１００．厚さの苗土に、例１に記
載したようにして、６陣厚さの亜鉛層を析出せしめた。

次いで、箔を２００℃の温度に３時間保持し、１０％塩
酸中で煮沸して亜鉛を除去した。上記合金から造られか
つ９６ｘＪ！７さの非孔質層と４／Ｊ１厚さの多孔質層
とからなる箔として、脱触媒が得られた。脱触媒の多孔
質表面の面積は、膜表面１α２当たり気孔８１０α２で
あった。この触媒の１２５℃における水素透過度は１．
０ＸＩＯ−’ｃｕｅｓ−’−ＭＰａ−”であった。

発明の効果 上記データから推しで、前記例１〜６記載のようにして
ｇＩ遺された脱触媒は高い水素透過度を示している。こ
れは、水素化工程における触媒の高い生産性を可能にす
る。

例１〜６に従って、！ｌ！遺された脱触媒により、１．
３ペンタジエン、ニトロベンゼン、パラ−カルボキシベ
ンズアルデヒド エタン、スチレンを水素化する方法を示している例７〜
１２を以下に与える。

例７ 前記例１に記載されたようにして笛の形に製造された膜
触媒の触媒特性の研究を、上記触媒によって２つのチャ
ンバーに分割された反応器内で１゜３−ペンタノエンを
水素化することによって行なった。一方のチャンバー内
へ、膜触媒の非孔質層の側で、水素を３０ｄ／分の速度
で通し、他方のチャンバー内へ、膜触媒の多孔質層の側
で、アルゴンと１，３−ペンタジェンとの混合物を、１
０寵■２の１，３−ペンタノエン蒸気の圧力下、１０ｄ
／分の速度で供給した。

種々の温度の水素化工程で得られた接触反応生成物の組
成を以下の第３表に示す。

／′− ／′ 比較のために、初めの箔により１，３−ペンタノエンを
水素化して得られた接触反応生成物の組成をｉ＠４表に
示す。

ｔＩＳ４　　表 温度、”ｃ　　−、−−、、−、、−−−−−、、、、
、、−−−、、、、−−−、、−、、、＝ペンタン　１
−２−１．３− ペンテン　ペンテン　ペンタジェン １００　　１．０　　　１３．０　　３６，０　　　５
０．０１５０　　１．９　　２３．３　　４９，７　　
　２５．１／゛′ ／′ 、／”’ ７、／ ／′ 第３表および第４表に与えられたデータかられかるよう
に、本発明の膜触媒を用いて達成された水素化の深さは
かなり高い。かくして、１００℃の温度において、ペン
タンの収率は１モル％から９５モル％へ増大した。水素
化工程の選択率もまた環状炭化水素の形成に対して変化
した。

例８ 前記例２におけるように箔として製造された膜触媒の触
媒特性の研究を、上記膜触媒によって２つのチャンバー
に分割された反応器内でスチレンを水素化することによ
って打なった。一方のチャンバー内へ、膜触媒の非孔質
層の側で、水素を５０ｄ２分の速度で供給し、また別の
チャンバー内へ、触媒の多孔質層の側で、スチレンをア
ルゴンとの混合物で、１５０　ｗＨｇのスチレン蒸気の
圧力下、５ｏｄ１分の速度で通した。種々の温度の水素
化工程で得られた接触反応生成物の組成が以下の第５表
に与える。

第　５　表 ンゼン　　　ヘキサン ｆ３０　　２５，６　　　−　　　　　　７４．４１０
０　　４５．３　　　　１２，１　　　　４２．６１８
０　　３８．７　　　　３３．５　　　　２７．８２５
０　　２３．４　　　　２８，１　　　　４８．５第４
表および第５表に示されたデータかられかるように、本
発明により製造された膜触媒は、脂肪族および芳香族化
合物の炭素−炭素二重結合の水素化において活性である
。

例９ 前記例３におけるように管として９１ｉされた膜触媒の
触媒特性の研究を、パラ−カルボキシベンズアルデヒド
の水素化により行なった。水素化は、かかる管の東を含
む反応器内で行なわれた。Ｗの内部に、水素を５０ｄ／
分の速度で６ＭＰａの圧力下供給し、−万骨の間の空間
に、１０％パラ−カルボキシベンズアルデヒド水溶液を
供給した。

反応器内の温度を２５４℃に上昇させ、５．４　ＭＰａ
の圧力下、１時開、水素化を行なった６得られた触媒の
分析によれば、パラ−カルボキシベンズアルデヒドは、
パラ−トルイル酸へ実質的に完全に転化した。未転化パ
ラ−カルボキシベンズアルデヒドの量は、その初めの量
の０．０４％であった。

例１０ 例４におけるように箔として製ｉされた膜触媒の触媒特
性の研究を、この狡触媒によって２つのチャンバーに分
割された反応器内で７セトアルデビドを水素化すること
によって行なった。一方のチャンバー内に、水素流を６
０ｄ／分の速度で供給し、また他方のチャンバー内へ、
アセトアルデヒドの蒸気を、アルゴンとの混合物として
４００ｆｌ　ｏｇの７七トアルデヒド蒸気の圧力下、３
０ｎ／分の速度で供給した。

種々の温度の水素化工程で製造された接触反応生成物の
組成をｔＪＳＧ表に示す。

第　６　表 ５０　　−　　　５　、７　　　９４　、３１００　　
−　　　１５．７　　　８４．０２００　　４．３　　
５６．７　　　３９．０２５０　　１３．２　　２４，
２　　　６２．６例１１ 前記例５におけるように箔として製造された膜触媒の触
媒特性の研究を、該膜触媒によって２つのチャンバーに
仕切られた反応器内でニトロベンゼンを水素化すること
によって行なった。一方のチャンバー内へ、膜触媒の非
孔ＹＸＭの側で、水素を４５ｄ／分の速度で通し、また
他方のチャンバー内へ、触媒の多孔１！ｌ屑の側で、ニ
トロベンゼンの蒸気を、アルゴンとの混合物として、１
００ｆｉ−のニトロベンゼン蒸気の圧力下、３０ｄ１分
の速度で供給した。２５０℃、２７２℃およ１３１０℃
の温度において、ニトロベンゼンのアニリンへの十分な
転化が観測された。１７０℃の温度において、反応生成
物中に０．５％未反応ニトロベンゼンが含まれていた。

例１２ 例６におけるように箔の形で製造された膜触媒の触媒特
性の研究を、該膜触媒によって、２つのチャンバーに仕
切られた反応器内でニトロエタンを水素化することによ
って行なった。一方のチャンバー内へ、触媒の非孔質層
の側で、水素を５０ｄ／分の速度で供給し、また他方の
チャンバー内へ、ニトロエタン蒸気を、アルゴンとの混
合物として、４００　ｍ　）Ｉｇのニトロエタン蒸気の
圧力下、４０ｄ１分の速度で供給した。種々の温度の水
素化工程で得られた接触反応生成物の組成を以下の第７
表に与える（接触反応生成物の組成は水を計算せずに示
す。） 第　７　表 ６５　　９６．４　　　３．６　　　−１２０　　１０
０．０　　　−　　　　−２１０　　１００．０　　　
−　　　　−３００　　９７．１　　　１．０　　　１
．９３５０　　　Ｂ３．６　　　１０，４　　　６．０
上記例８〜１２から推して、本発明に従う方法によって
製造された膜触媒は、種々の有機化合物中の炭素−炭素
二重結合の水素化工程において大いに活性である。これ
により、種々の化学的方法において上記膜触媒を広く用
いることが可能になる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 触媒活性金属上に亜鉛を適用し、これらの金属を相互拡
   散を確実にする温度に保持し、続いて触媒活性金属から
   亜鉛を化学的に回収することによって、脂肪族及び芳香
   族化合物中の炭素−炭素二重結合、ニトロ基及びアルデ
   ヒド基の水素化用触媒を製造する方法であって、前記触
   媒活性金属が８０〜９５質量％のパラジウム及び５〜２
   ０質量％のルテニウム或はロジウムから成る合金の膜と
   して使用され、亜鉛は、膜表面の片側又は両側に、亜鉛
   層の厚さの膜厚に対する比が１：１０〜１００で適用さ
   れ、そしてこの亜鉛を適用された膜は、２０〜２５０℃
   の範囲内の温度に保持され、そして該膜から亜鉛の化学
   的回収が該膜を塩酸で処理することによって達成される
   ことを特徴とする水素化用触媒の製造方法。