JPS6220326A - 半導体デバイスの製造法 - Google Patents
半導体デバイスの製造法Info
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- JPS6220326A JPS6220326A JP16390886A JP16390886A JPS6220326A JP S6220326 A JPS6220326 A JP S6220326A JP 16390886 A JP16390886 A JP 16390886A JP 16390886 A JP16390886 A JP 16390886A JP S6220326 A JPS6220326 A JP S6220326A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 241000218645 Cedrus Species 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241001101998 Galium Species 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000828585 Gari Species 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N a1010_sial Chemical compound O=[As]O[As]=O IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033444 hydroxylation Effects 0.000 description 1
- 238000005805 hydroxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 230000001932 seasonal effect Effects 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
- H01L21/30617—Anisotropic liquid etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体デノ\イスの製造法、特にヒ化ガリウ
ム単結晶層の(0(月)または均等配向面上にフォトラ
ッカーマスクを設け、しかる後に層を過酸化水素の塩基
性溶液中でエツチングする半導体デバイスの製造法に関
する。r(001)または均等配向面上」なる語句は、
本書中ではヒ化ガリウムの用結晶層の結晶面(001)
、 (010)および(100)の−・つに平行に延
びる面の意と解するものとする。
ム単結晶層の(0(月)または均等配向面上にフォトラ
ッカーマスクを設け、しかる後に層を過酸化水素の塩基
性溶液中でエツチングする半導体デバイスの製造法に関
する。r(001)または均等配向面上」なる語句は、
本書中ではヒ化ガリウムの用結晶層の結晶面(001)
、 (010)および(100)の−・つに平行に延
びる面の意と解するものとする。
例えば、ジャーナル・オブ・アブリケーンヨン・7 イ
シクス(,1,Appln、円+ys、 )第44巻、
第9号(1973年9月号) 、 4172〜4176
頁から明かな通り、過酸化水素の(pH>6の)塩基性
溶液により、ヒ化ガリウムのエピタキシャル層を、ヒ化
ガリウム層に関する高度の選択性を以ってエツチングす
ることができる。このような高度のエツチング選択性は
、例えば半導体レーザーまたはレーザーダイオートの製
造に頗る望ましい。
シクス(,1,Appln、円+ys、 )第44巻、
第9号(1973年9月号) 、 4172〜4176
頁から明かな通り、過酸化水素の(pH>6の)塩基性
溶液により、ヒ化ガリウムのエピタキシャル層を、ヒ化
ガリウム層に関する高度の選択性を以ってエツチングす
ることができる。このような高度のエツチング選択性は
、例えば半導体レーザーまたはレーザーダイオートの製
造に頗る望ましい。
ジャーナル・オフ゛・エレクトロケミカル・ソサイエテ
イ(」、旧ectrochem、Soc、)第130巻
、第12号(1983年12月号) 2427−243
5頁「ソリッド−ステー1・・ザイエンス・アンド・テ
クノLコシ−」(“5olid−8tate 5cie
nce and Technology ” )から、
字部に述べた種類の方法は公知であり、その方法ではp
H>9の強塩基性溶液を使用している。
イ(」、旧ectrochem、Soc、)第130巻
、第12号(1983年12月号) 2427−243
5頁「ソリッド−ステー1・・ザイエンス・アンド・テ
クノLコシ−」(“5olid−8tate 5cie
nce and Technology ” )から、
字部に述べた種類の方法は公知であり、その方法ではp
H>9の強塩基性溶液を使用している。
こ5ではエツチング溶液の酸度を、苛性ソーダまたは苛
性カリ或いはアンモニア添加によって定めろ。ヒ化ガリ
ウl、の(001)配向層をエツチングする方法は、選
択的に実施されるが、それは、[110〕方向に平行に
延ひる溝をエツチングするときには、蟻はぞ形断面形状
の溝が得られ、〔110〕方向に平行に延びる溝をエッ
チングするときには、■形断面形状の溝が得られること
を意味ずろ。
性カリ或いはアンモニア添加によって定めろ。ヒ化ガリ
ウl、の(001)配向層をエツチングする方法は、選
択的に実施されるが、それは、[110〕方向に平行に
延ひる溝をエツチングするときには、蟻はぞ形断面形状
の溝が得られ、〔110〕方向に平行に延びる溝をエッ
チングするときには、■形断面形状の溝が得られること
を意味ずろ。
エツチング溶液のか5る選択的エツチング挙動は、字部
に述べた方法が極めて限られた数の半導体デバイスの製
造に対してのみ適することを意味する。
に述べた方法が極めて限られた数の半導体デバイスの製
造に対してのみ適することを意味する。
本発明の目的は特に、エツチング溶液の有用性を拡大す
ることにより、該方法の有用性を著しく拡大するにある
。
ることにより、該方法の有用性を著しく拡大するにある
。
本発明によれば、字部に述べた種類の方法は」−記目的
のために、〔110〕または均等方向に平行に延びる溝
を層中にエツチングしたとぎ該溝が■形横断面となるよ
うに定めた酸度の溶液中で層をエツチングすることを牛
肩救とする。r C1]、O)または均等方向」なる語
句は、本書中では、溝を(001,)配向面でエツチン
グするときには[〕、10〕方向を、それが(1,00
)配向面の場合にはCOl、11方向を、またそれが(
010)配向面の場合には(101〕方向を、すなわち
、ヒ化ガリウム層の可能な配向の各々において、r (
001)配向面を有する層における[:110]方向」
に対応する方向を意味すると解するものとする。■形溝
とは下方へ向かって先細りの溝を意味し、それと対跳的
に蟻はぞ形溝は下方へ向かって光拡がりの溝を意味する
と解するものとする。
のために、〔110〕または均等方向に平行に延びる溝
を層中にエツチングしたとぎ該溝が■形横断面となるよ
うに定めた酸度の溶液中で層をエツチングすることを牛
肩救とする。r C1]、O)または均等方向」なる語
句は、本書中では、溝を(001,)配向面でエツチン
グするときには[〕、10〕方向を、それが(1,00
)配向面の場合にはCOl、11方向を、またそれが(
010)配向面の場合には(101〕方向を、すなわち
、ヒ化ガリウム層の可能な配向の各々において、r (
001)配向面を有する層における[:110]方向」
に対応する方向を意味すると解するものとする。■形溝
とは下方へ向かって先細りの溝を意味し、それと対跳的
に蟻はぞ形溝は下方へ向かって光拡がりの溝を意味する
と解するものとする。
本発明に従って酸度を選択することにより、■形横断面
の溝が公知の強塩基性エツチング溶液で得られる方向と
交叉する方向において■形横断面の溝をエツチングなし
得るということが達成されろ。この場合には、■形溝は
[110)方向に延びた。]lO〕方向においては、本
発明方法により蟻はぞ形の溝を得ることもできる。
の溝が公知の強塩基性エツチング溶液で得られる方向と
交叉する方向において■形横断面の溝をエツチングなし
得るということが達成されろ。この場合には、■形溝は
[110)方向に延びた。]lO〕方向においては、本
発明方法により蟻はぞ形の溝を得ることもできる。
過酸化水素溶液の酸度の適宜な選択によって、字部に延
べた方法の有用性が著しく拡大されることが確認された
のは驚くべきことである。
べた方法の有用性が著しく拡大されることが確認された
のは驚くべきことである。
本発明方法の好ましい態様は、やはりl:110 )ま
たは均等方向に平行に延びる溝を層にエツチングする際
に、この溝もまた■形横断面となるように溶液の酸度を
定めることを特徴とする。かくして、字部に述べた種類
の方法の有用性は更に拡大される。
たは均等方向に平行に延びる溝を層にエツチングする際
に、この溝もまた■形横断面となるように溶液の酸度を
定めることを特徴とする。かくして、字部に述べた種類
の方法の有用性は更に拡大される。
■形溝を〔110〕方向にエツチングし得る事実は、半
導体レーザーの製造上頗る重要である一方、■形溝を(
110〕および〔110〕方向双方に同時にエツチング
し得る事実は、ヒ化ガリウムの相互に絶縁された島が存
在する集積回路の製造」−に極めて重要である。
導体レーザーの製造上頗る重要である一方、■形溝を(
110〕および〔110〕方向双方に同時にエツチング
し得る事実は、ヒ化ガリウムの相互に絶縁された島が存
在する集積回路の製造」−に極めて重要である。
こSに添付図面と若干の具体例とを参照し、本発明を実
施例により更に詳細に説明する。
施例により更に詳細に説明する。
第1図および第2図は、本発明方法によって得られた半
導体レーザー製造の若干の工程の概要を示す断面図であ
る。通常の方法で、ドーピンク濃度約101018at
O/cm3のヒ化ガリウムの約2μm厚さのn型層3と
、組成がGao、65八ffo、3sAsでドーピング
濃度的IQ18atoms/cm”のヒ化ガリウムアル
ミニウムの約2μm厚さの層4と、約0.1 μm厚さ
の所謂活性非ドープのヒ化ガリウム層5と、組成がGa
o、 65 A 12 o、 35 Asでドーピング
濃度的5、 IQ”atoms/cm3のヒ化ガリウム
アルミニウムの約0.4 μm厚さのn型層6と、ドー
ピング濃度的3、101018ato/cm3のヒ化ガ
リウムの約0.5 μm厚さのn型層7とを、n型ヒ化
ガリウム基板2の(001)配向面1上に、すなわちヒ
化ガリウム基板2の(001)結晶面に平行に延びる面
11に、液相エピタキシー(1,PB) によって相次
いで形成する。
導体レーザー製造の若干の工程の概要を示す断面図であ
る。通常の方法で、ドーピンク濃度約101018at
O/cm3のヒ化ガリウムの約2μm厚さのn型層3と
、組成がGao、65八ffo、3sAsでドーピング
濃度的IQ18atoms/cm”のヒ化ガリウムアル
ミニウムの約2μm厚さの層4と、約0.1 μm厚さ
の所謂活性非ドープのヒ化ガリウム層5と、組成がGa
o、 65 A 12 o、 35 Asでドーピング
濃度的5、 IQ”atoms/cm3のヒ化ガリウム
アルミニウムの約0.4 μm厚さのn型層6と、ドー
ピング濃度的3、101018ato/cm3のヒ化ガ
リウムの約0.5 μm厚さのn型層7とを、n型ヒ化
ガリウム基板2の(001)配向面1上に、すなわちヒ
化ガリウム基板2の(001)結晶面に平行に延びる面
11に、液相エピタキシー(1,PB) によって相次
いで形成する。
かくして、ヒ化ガリウム層7は、また(001)結晶曲
(、−・[flに延ひ/1)曲((4子]シ;(の結甲
、二〇)曲81−)tJだ(001)配、向るなす5.
5ニーの、態様に、lンい−(1は、出発+」利は、ヒ
化ガリウz−,(:l’) (0旧) [’11’向f
i”’f ’i’不fi−51ろ(0(+1)配向)i
(板1ヒ(゛あっゾどが、同Ffυ−)状況は(010
) −j、八は(l On )配向j−1−も((反、
とヒ化ガリ「〕/、1ビj、)′から出“πずろ、−1
によ−、1’(−”r”i’J能ご上゛あった5、ヒ化
ガリウl−(:’)中結晶It”l ’(’)X(1(
11)配向面、8−[(、゛7第1・ランlノーマーク
[)4−11賃j1、しかる後に層1i−jJl酸化水
木Cノ)塩基・14溶液中で上り−I゛・り−I−ろ。
(、−・[flに延ひ/1)曲((4子]シ;(の結甲
、二〇)曲81−)tJだ(001)配、向るなす5.
5ニーの、態様に、lンい−(1は、出発+」利は、ヒ
化ガリウz−,(:l’) (0旧) [’11’向f
i”’f ’i’不fi−51ろ(0(+1)配向)i
(板1ヒ(゛あっゾどが、同Ffυ−)状況は(010
) −j、八は(l On )配向j−1−も((反、
とヒ化ガリ「〕/、1ビj、)′から出“πずろ、−1
によ−、1’(−”r”i’J能ご上゛あった5、ヒ化
ガリウl−(:’)中結晶It”l ’(’)X(1(
11)配向面、8−[(、゛7第1・ランlノーマーク
[)4−11賃j1、しかる後に層1i−jJl酸化水
木Cノ)塩基・14溶液中で上り−I゛・り−I−ろ。
、か\イ)溶液に61、−p−1’、7、ヒ化ガリウ2
.1σドl−^、[−化・″ノリ+j) l、“〆ルミ
、Sウノ、層にに関し、高Hl、to)選択・I・1す
る−1こJ、、7−トソチ〕ツクずろことツバ−(き6
.3、二の−1−ツ1−ング処叩に、Lす、i+!ii
11旧こ)゛1角]tう向の約(ilim幅の、j/
口1]がヒ化ツノ゛リウム層Y中にエツーfングされ乙
。
.1σドl−^、[−化・″ノリ+j) l、“〆ルミ
、Sウノ、層にに関し、高Hl、to)選択・I・1す
る−1こJ、、7−トソチ〕ツクずろことツバ−(き6
.3、二の−1−ツ1−ング処叩に、Lす、i+!ii
11旧こ)゛1角]tう向の約(ilim幅の、j/
口1]がヒ化ツノ゛リウム層Y中にエツーfングされ乙
。
−との際、ヒ化ガリウムアルミ、:げr i>層0は実
vL[侵3\れない。
vL[侵3\れない。
本発明(、−よ才lば、[1101または均等方向に)
12行11延びる溝を1−化カリ91.層7中に」ツJ
ングーJ霧−)、−う、−の溝がV形横断[r「1とな
るよう1一定めた酸度(+、+tl) 5有“・J“る
溶液中−Cヒ化ガリウ1、層74エソ−1−゛・力ずイ
、5、ピcl101−=[八(L均等J〕向1なイ)語
句は、(0旧)配向面s+=対1.−(−は(l l
OJ Ii li’1峻意味)7、・J、ノ(iOn)
お。1、ひ([110> 配向面8にり1(−7ては
ぞれ−ず:n co1n主〕6J、び[HII]、xr
il’iへ味−4−<ど)、■−の袋、1.二解さ(〕
はr、i:らない51.−の態様にj−)い−(−は、
溝11)は(、’ l H) :’] ’、、、’、、
、Fi向にGlfi (川−1−)溝10にいノ++<
?Ja lli 曲’i 1”iす61、I V Jf
X、hq凹断面1な651)旬ハートツノ\向か一、−
C−古細1gtノ)+I+覧111丁曲のC(3り解ず
イ′、01′))11:ずλち5、 溝1f)<i[化/J’ IJ r′) −1、It”
j 7中1、’、、 エラj>41,7戸、′後(、て
、−、、/ 、l−)ラッカー・2にり(]イ除去し7
−(\約2μm(ゾさ−(ニド−ピング、’jNj度約
5. H)”atoms10H3のL化ツノJl 、:
ノノ、アルミニラ2、「)型層11と約()? μm
1ワさの[)月1′11″:化tノ゛リウl、接触層1
.)y・夕、金figik匹ガス())ガス混合物から
1丁し°タキ・、・N、ル成り智7i(Mlllli]
)にまり通阜(り、〜法て相次いC形成ずろ0、[11
0]方向(、二直角に延びる鏡面を、例ズば層3.4.
5.fi、7.11,124設けた7i(扱2の隼合体
を襞間する5ニ課−によって形成、(また後に、層12
と入(穀2とに最終的に電気的な接続(図示しない)4
なず。、溝10は′t11流が1.・−リ゛゛−を涌−
J7流イ′111つその結果1ノ−リ゛−光力<V占付
層5で先年すン)領域を画成する1゜ 第3および第4図は、ヒ住ガリウl、アルミニラl、層
20と4の十に設けたヒ化ガリウA rB結晶層;21
と−と石を覆ろフ、lトラッカーマスク222−を示ず
1、ヒ化力゛リウAX21は(001)配向し−(゛お
り、第3図におい一ζ(1101ノフ向は画面に直角に
延び、 一方第4図に−1,誓い−(は、cTlo〕方
向が、ニーの面に直角に☆11;ひる。本発明によるj
−ツチンク処理(、−よっで、1:110〕方向にV形
横断曲の溝2;(がエツチングされ、cnf−1]方向
では情はく形(か断面のiA 24がエツチングされろ
。ずなわら1、−の溝の幅はI・方・\向かってそれぞ
れ減少(23) したり増大(24)したりずろ3.尚
明瞭に述べろならば、酸度は比較的低く(pll<8.
2)しなけ才1.ばならない。酸度を1[二中交1白高
((pH>9)なるように調節するならば、全く異なっ
た溝が得られ、その場合(1,10’l方向に延びろ溝
は情はぞ形横断面を有し、一方[110’l方向に延び
る溝は■形横断面を有する。
12行11延びる溝を1−化カリ91.層7中に」ツJ
ングーJ霧−)、−う、−の溝がV形横断[r「1とな
るよう1一定めた酸度(+、+tl) 5有“・J“る
溶液中−Cヒ化ガリウ1、層74エソ−1−゛・力ずイ
、5、ピcl101−=[八(L均等J〕向1なイ)語
句は、(0旧)配向面s+=対1.−(−は(l l
OJ Ii li’1峻意味)7、・J、ノ(iOn)
お。1、ひ([110> 配向面8にり1(−7ては
ぞれ−ず:n co1n主〕6J、び[HII]、xr
il’iへ味−4−<ど)、■−の袋、1.二解さ(〕
はr、i:らない51.−の態様にj−)い−(−は、
溝11)は(、’ l H) :’] ’、、、’、、
、Fi向にGlfi (川−1−)溝10にいノ++<
?Ja lli 曲’i 1”iす61、I V Jf
X、hq凹断面1な651)旬ハートツノ\向か一、−
C−古細1gtノ)+I+覧111丁曲のC(3り解ず
イ′、01′))11:ずλち5、 溝1f)<i[化/J’ IJ r′) −1、It”
j 7中1、’、、 エラj>41,7戸、′後(、て
、−、、/ 、l−)ラッカー・2にり(]イ除去し7
−(\約2μm(ゾさ−(ニド−ピング、’jNj度約
5. H)”atoms10H3のL化ツノJl 、:
ノノ、アルミニラ2、「)型層11と約()? μm
1ワさの[)月1′11″:化tノ゛リウl、接触層1
.)y・夕、金figik匹ガス())ガス混合物から
1丁し°タキ・、・N、ル成り智7i(Mlllli]
)にまり通阜(り、〜法て相次いC形成ずろ0、[11
0]方向(、二直角に延びる鏡面を、例ズば層3.4.
5.fi、7.11,124設けた7i(扱2の隼合体
を襞間する5ニ課−によって形成、(また後に、層12
と入(穀2とに最終的に電気的な接続(図示しない)4
なず。、溝10は′t11流が1.・−リ゛゛−を涌−
J7流イ′111つその結果1ノ−リ゛−光力<V占付
層5で先年すン)領域を画成する1゜ 第3および第4図は、ヒ住ガリウl、アルミニラl、層
20と4の十に設けたヒ化ガリウA rB結晶層;21
と−と石を覆ろフ、lトラッカーマスク222−を示ず
1、ヒ化力゛リウAX21は(001)配向し−(゛お
り、第3図におい一ζ(1101ノフ向は画面に直角に
延び、 一方第4図に−1,誓い−(は、cTlo〕方
向が、ニーの面に直角に☆11;ひる。本発明によるj
−ツチンク処理(、−よっで、1:110〕方向にV形
横断曲の溝2;(がエツチングされ、cnf−1]方向
では情はく形(か断面のiA 24がエツチングされろ
。ずなわら1、−の溝の幅はI・方・\向かってそれぞ
れ減少(23) したり増大(24)したりずろ3.尚
明瞭に述べろならば、酸度は比較的低く(pll<8.
2)しなけ才1.ばならない。酸度を1[二中交1白高
((pH>9)なるように調節するならば、全く異なっ
た溝が得られ、その場合(1,10’l方向に延びろ溝
は情はぞ形横断面を有し、一方[110’l方向に延び
る溝は■形横断面を有する。
強塩斌性溶液(pfl>9)でエツヂンイノしたv h
[q溝は(TTIj面で構成さ才Iた51・面を有j2
、ガリウl、原子−〇占められでおり、社較的弱塩桔溶
液(pH<8.2)でエツチングした\ノル溝は僅か(
、]彎曲した[;、!をイJし、lL較的杉枚のヒ素原
子を1〜fjずろ。、゛。
[q溝は(TTIj面で構成さ才Iた51・面を有j2
、ガリウl、原子−〇占められでおり、社較的弱塩桔溶
液(pH<8.2)でエツチングした\ノル溝は僅か(
、]彎曲した[;、!をイJし、lL較的杉枚のヒ素原
子を1〜fjずろ。、゛。
tll、−i若l、も金属有機成分のガス混合物からの
成長ブ)法(M El巳11])によ−って[メトり設
けな(1れはならないとすれば極めて市せ−C゛ある。
成長ブ)法(M El巳11])によ−って[メトり設
けな(1れはならないとすれば極めて市せ−C゛ある。
、IL較的多数のヒ素原了を含イ」する面トへの沈着は
、ガリウム原子のめしか含有しない山i−1,へ。Lす
も;丸か(、′中、羊屯な−h法でj−1なわれろ。、
−れはガリウ/、酸化物/バヒ素酸化物よりも格段に安
定てあ−、で、珪較的低温−(行なわねろ蒸着二[]稈
の間に徐々にしか破壊り、 ifいのに対し、ヒ素酸化
物はその場合蒸発ず乙とい)11実によろ。
、ガリウム原子のめしか含有しない山i−1,へ。Lす
も;丸か(、′中、羊屯な−h法でj−1なわれろ。、
−れはガリウ/、酸化物/バヒ素酸化物よりも格段に安
定てあ−、で、珪較的低温−(行なわねろ蒸着二[]稈
の間に徐々にしか破壊り、 ifいのに対し、ヒ素酸化
物はその場合蒸発ず乙とい)11実によろ。
本発明方法の好Jニジ、い態様においでは、ヒ化ガリウ
ト層7.21中に(110〕方向に溝をエツチングした
ときに、1−の溝が、[11,[l :l方向の溝のよ
うに、■形横断面となるように溶液の酸度を定めろ。そ
の場合、酸度は7.5乃至8.25の範囲にある。
ト層7.21中に(110〕方向に溝をエツチングした
ときに、1−の溝が、[11,[l :l方向の溝のよ
うに、■形横断面となるように溶液の酸度を定めろ。そ
の場合、酸度は7.5乃至8.25の範囲にある。
この好都合な特性のために、この方法は、ヒ化ガリウム
の相互に絶縁された島が存在する集積回路の製造に特に
好適となる■形溝は、蟻はぞ形横断面の溝よりも絶縁材
料をもって幕かに容易に満たずことができろ。
の相互に絶縁された島が存在する集積回路の製造に特に
好適となる■形溝は、蟻はぞ形横断面の溝よりも絶縁材
料をもって幕かに容易に満たずことができろ。
以下の実施例においては、ヒ化ガリウムの(001)配
向非ドープ層を、過酸化水素の30%溶液中室温でエツ
チングした。異なった物質をこの溶液に、就中酸度を定
めるために添加した。ヒ化ガリウム層にスオトラッカー
マスクを設けたが、それには、ヒ化ガリウl、層中に[
:110)方向と〔110〕方向との両方において溝を
エツチングし碍るように溝形開口部を設けた。
向非ドープ層を、過酸化水素の30%溶液中室温でエツ
チングした。異なった物質をこの溶液に、就中酸度を定
めるために添加した。ヒ化ガリウム層にスオトラッカー
マスクを設けたが、それには、ヒ化ガリウl、層中に[
:110)方向と〔110〕方向との両方において溝を
エツチングし碍るように溝形開口部を設けた。
夫流側1
過酸化水素の30%溶液のp++を水酸化す) IJウ
ムの10%溶液の添加によって調節した。第1表は、溝
をエツチングした両方向に対して、エツチングした溝の
形状がエツチング溶液のpHによって如何様であったか
を示す。
ムの10%溶液の添加によって調節した。第1表は、溝
をエツチングした両方向に対して、エツチングした溝の
形状がエツチング溶液のpHによって如何様であったか
を示す。
同表中、■形溝を■と表示し、蟻はぞ形溝を7と表示し
た。pHが8.25以下の溶液中でエツチングすると〔
1,1,[1〕方向で■形溝が得られ、またp++が7
.80乃至8.25の溶液中でエツチングすると[〕1
0’:1方向および[1,10’:1方向の両方で■形
溝が得られる。
た。pHが8.25以下の溶液中でエツチングすると〔
1,1,[1〕方向で■形溝が得られ、またp++が7
.80乃至8.25の溶液中でエツチングすると[〕1
0’:1方向および[1,10’:1方向の両方で■形
溝が得られる。
第 1 表
実施例2
過酸化水素の30%溶液のpHをアンモニアの25%溶
液の添加によって調節した。エツチング結果は実施例1
と同等であった。
液の添加によって調節した。エツチング結果は実施例1
と同等であった。
上述の具体例においてはエツチングした溝の形状はV形
から蟻はぞ形へ突如として変化するものではないことに
注目すべきである。表中にはV形の性質を有する混合形
態を■と表示し、蟻はぞ形の性質を有する混合形態をZ
と表示している。
から蟻はぞ形へ突如として変化するものではないことに
注目すべきである。表中にはV形の性質を有する混合形
態を■と表示し、蟻はぞ形の性質を有する混合形態をZ
と表示している。
本発明は上述の態様に限定されることなく、本発明の範
囲を逸脱せずに多くの変更をなすことが、当業者にとっ
ては可能であることが理解されよう。
囲を逸脱せずに多くの変更をなすことが、当業者にとっ
ては可能であることが理解されよう。
例えば、エツチング溶液の酸度は例えば水酸化カリウム
のような他の塩基によって定めてもよい。
のような他の塩基によって定めてもよい。
あらゆるこれらの場合において、対応する結果が得られ
ろ。またエツチング溶液に弱酸を加え、しかる後に酸度
を塩基によって調節してもよい。例えば過塩素酸を酸と
して添加したならば、そして酸度をアンモニアによって
調節したならば、エツチング工程は、アンモニアのみを
添加した同じ酸度の溶液中よりも更に迅速に行なわれる
。
ろ。またエツチング溶液に弱酸を加え、しかる後に酸度
を塩基によって調節してもよい。例えば過塩素酸を酸と
して添加したならば、そして酸度をアンモニアによって
調節したならば、エツチング工程は、アンモニアのみを
添加した同じ酸度の溶液中よりも更に迅速に行なわれる
。
第1図および第2図は、本発明方法によって得られた半
導体レーザー製造の若干の工程の概要を示す断面図であ
り、また 第13図および第4図は、イーれぞれ[: 1 ] 0
]方向および[1101方向において、ヒ化ガリウト
の(flol)配向層のエッチ224行な−、 −((
珪だ溝のJ[?ろ]示す断面図−Cある。 1 =−(001)配向面 7−=n型(i a
A 8基((93・・Il型GaAs層 4
(+aA f! As層”、+ −GaAsン古1生層
fi 、 21”ll〕 ノ1
1リ Ga八、ffAs層7 、21−−− n型Ga
Asj$j結晶層8・・面 1→、 22・・・フAトラッカーマスク10・・・溝
23・・・\/lじ溝 24・・・憎はぞ形溝 ノー NC′r
′> ぐ ω O LL LL
導体レーザー製造の若干の工程の概要を示す断面図であ
り、また 第13図および第4図は、イーれぞれ[: 1 ] 0
]方向および[1101方向において、ヒ化ガリウト
の(flol)配向層のエッチ224行な−、 −((
珪だ溝のJ[?ろ]示す断面図−Cある。 1 =−(001)配向面 7−=n型(i a
A 8基((93・・Il型GaAs層 4
(+aA f! As層”、+ −GaAsン古1生層
fi 、 21”ll〕 ノ1
1リ Ga八、ffAs層7 、21−−− n型Ga
Asj$j結晶層8・・面 1→、 22・・・フAトラッカーマスク10・・・溝
23・・・\/lじ溝 24・・・憎はぞ形溝 ノー NC′r
′> ぐ ω O LL LL
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ヒ化ガリウムの単結晶層の(001)または均等配
向面上にフォトラッカーマスクを設け、しかる後に該層
を過酸化水素の塩基性溶液中でエッチングする半導体デ
バイスの製造法において、〔110〕または均等方向に
平行に延びる溝を層中にエッチングしたとき該溝がV形
横断面となるように定めた酸度の溶液中で前記層をエッ
チングすることを特徴とする半導体デバイスの製造法。 2、〔110〕または均等方向に平行に延びる溝を層中
にエッチングしたときにもまたこの溝がV形横断面とな
るように溶液の酸度を定める特許請求の範囲第1項記載
の半導体デバイスの製造法。 3、過酸化水素の溶液の酸度が8.25以下である特許
請求の範囲第1項記載の半導体デバイスの製造法。 4、過酸化水素の溶液の酸度が7.5〜8.25である
特許請求の範囲第2項記載の半導体デバイスの製造法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8502022 | 1985-07-15 | ||
NL8502022 | 1985-07-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6220326A true JPS6220326A (ja) | 1987-01-28 |
JP2641194B2 JP2641194B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=19846297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61163908A Expired - Lifetime JP2641194B2 (ja) | 1985-07-15 | 1986-07-14 | 半導体デバイスの製造法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0209194B1 (ja) |
JP (1) | JP2641194B2 (ja) |
DE (1) | DE3678761D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015030060A1 (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜を適用したパターン形成方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6158273A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | Hitachi Ltd | 化合物半導体メサ状構造体 |
JPS6457786A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor laser device |
DE3920644C1 (ja) * | 1989-06-23 | 1990-12-20 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | |
JP2010050204A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5228873A (en) * | 1975-08-29 | 1977-03-04 | Agency Of Ind Science & Technol | Method for production of the cubic structure consisting of the semicon ductive crystal and the semiconductive device made of it's cubic struc ture |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2168936B1 (ja) * | 1972-01-27 | 1977-04-01 | Labo Electronique Physique | |
US3801391A (en) * | 1972-09-25 | 1974-04-02 | Bell Telephone Labor Inc | Method for selectively etching alxga1-xas multiplier structures |
FR2486104A1 (fr) * | 1980-07-04 | 1982-01-08 | Radiotechnique Compelec | Procede d'obtention de creusures a contour circulaire dans les monocristaux de composes intermetalliques cristallisant dans le systeme cubique a faces centrees et dispositif comportant de telles creusures |
US4623427A (en) * | 1983-08-12 | 1986-11-18 | Hewlett-Packard Company | Means and method for a self-aligned multilayer laser epitaxy structure device |
-
1986
- 1986-07-14 EP EP19860201220 patent/EP0209194B1/en not_active Expired
- 1986-07-14 DE DE8686201220T patent/DE3678761D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-14 JP JP61163908A patent/JP2641194B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5228873A (en) * | 1975-08-29 | 1977-03-04 | Agency Of Ind Science & Technol | Method for production of the cubic structure consisting of the semicon ductive crystal and the semiconductive device made of it's cubic struc ture |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015030060A1 (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜を適用したパターン形成方法 |
JPWO2015030060A1 (ja) * | 2013-08-28 | 2017-03-02 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜を適用したパターン形成方法 |
US9793131B2 (en) | 2013-08-28 | 2017-10-17 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Pattern forming method using resist underlayer film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0209194B1 (en) | 1991-04-17 |
EP0209194A1 (en) | 1987-01-21 |
JP2641194B2 (ja) | 1997-08-13 |
DE3678761D1 (de) | 1991-05-23 |
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