DE3678761D1 - Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung unter verwendung des aetzens einer ga-as-schicht mittels einer alkalischen loesung von wasserstoffperoxide. - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung unter verwendung des aetzens einer ga-as-schicht mittels einer alkalischen loesung von wasserstoffperoxide.

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Gerardus Lambertus Dinghs
Hendrikus Johannes Hub Rheiter
Rudolf Paulus Tijburg
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