JPS62195815A - 電気接点部品の製造法 - Google Patents
電気接点部品の製造法Info
- Publication number
- JPS62195815A JPS62195815A JP3787786A JP3787786A JPS62195815A JP S62195815 A JPS62195815 A JP S62195815A JP 3787786 A JP3787786 A JP 3787786A JP 3787786 A JP3787786 A JP 3787786A JP S62195815 A JPS62195815 A JP S62195815A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- graphite
- carbon
- electrical contact
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 13
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical group CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- ASMQPJTXPYCZBL-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Cd+2].[Ag+] Chemical compound [O-2].[Cd+2].[Ag+] ASMQPJTXPYCZBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- UYKQQBUWKSHMIM-UHFFFAOYSA-N silver tungsten Chemical compound [Ag][W][W] UYKQQBUWKSHMIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気接点部品の製造法に関する。更に詳しく
は、耐摩耗性を改善せしめた電気接点部品の製造法に関
する。
は、耐摩耗性を改善せしめた電気接点部品の製造法に関
する。
炭素あるいは黒鉛(グラファイト)は、元来溶着性が全
くなく、化学的にきわめて安定である。銀−グラファイ
ト合金も同様な性質を有しており、絶対的に確実な接触
を必要とする接点材料として適している。即ち、少量の
グラファイトを合金中に加えることにより、消耗量は増
加するものの、絶対に溶着せず、導通のなくなることも
ないので接触抵抗が安定しており、接触の確実性の要求
される接点として好適に使用されるのである。
くなく、化学的にきわめて安定である。銀−グラファイ
ト合金も同様な性質を有しており、絶対的に確実な接触
を必要とする接点材料として適している。即ち、少量の
グラファイトを合金中に加えることにより、消耗量は増
加するものの、絶対に溶着せず、導通のなくなることも
ないので接触抵抗が安定しており、接触の確実性の要求
される接点として好適に使用されるのである。
接点部品材料として用いる場合には、一般にグラファイ
トの割合が約1〜10重量%のものが実用域であり、そ
の割合に応じて種々の用途に用いられる。即ち、グラフ
ァイトの割合が約5〜10重量%のものは、グラファイ
トの自己潤滑性および耐摩耗性を必要とする摺動接点、
集電子などに用いられる。グラファイト約3〜5重量%
のものは、あまり潤滑性を必要とはせず、耐溶着性およ
び耐アーク性を必要とする中負荷の継電器、遮断器など
に使用される。特に耐溶着性および耐アーク性が要求さ
れる6〜30Vの中負荷の直流継電器には、銀−ニッケ
ル、銀−タングステンカーバイトと組合されて使用され
る。
トの割合が約1〜10重量%のものが実用域であり、そ
の割合に応じて種々の用途に用いられる。即ち、グラフ
ァイトの割合が約5〜10重量%のものは、グラファイ
トの自己潤滑性および耐摩耗性を必要とする摺動接点、
集電子などに用いられる。グラファイト約3〜5重量%
のものは、あまり潤滑性を必要とはせず、耐溶着性およ
び耐アーク性を必要とする中負荷の継電器、遮断器など
に使用される。特に耐溶着性および耐アーク性が要求さ
れる6〜30Vの中負荷の直流継電器には、銀−ニッケ
ル、銀−タングステンカーバイトと組合されて使用され
る。
また、グラファイトが0.1〜1.0%のものも用いら
れ、これは溶着性が最も問題となる小型低電圧の直流継
電器に用いられ、銀−ニッケル、銀−酸化カドミウムあ
るいは純銀と組み合されて使用される。
れ、これは溶着性が最も問題となる小型低電圧の直流継
電器に用いられ、銀−ニッケル、銀−酸化カドミウムあ
るいは純銀と組み合されて使用される。
このように、銀−グラファイト接点部品は、最小アーク
電圧が高いこともあって、一般に低電圧・大電流の開閉
接点として有効であるが、反面法のような欠点も有して
いる。
電圧が高いこともあって、一般に低電圧・大電流の開閉
接点として有効であるが、反面法のような欠点も有して
いる。
(1)軟質であるため、機械的摩耗が多い(2)電気的
開閉による消耗量が多い (3)一般に、粉末冶金法によって成形されるため、煩
雑な工程を必要とする (4)粉末冶金法の原料として用いられるグラフアイ1
〜の製造法による粒度のバラツキおよび粉末冶金成形時
のグラファイトの方向性などにより接点性能にもバラツ
キがみられる (5)粉末冶金法により成形されたものを機械加工し、
これを銅あるいは銅合金の台金に銀ロウ付けして使用さ
れるが、このままではロウ付けできないため、ロウ付げ
に先立って銀層をバックメタル層として設ける必要があ
る (6)粉末冶金法で成形するため、最低限必要な厚さが
あり、用途によってはこの厚さが必要以上の厚さである
こともあり、更にバックメタル層を設けることにより、
それ以上の厚さとなる不経済性がみられる (7)銀ロウ付けの際、銀ロウの種類、ロウ付温度、ロ
ウ付時間、前処理などの影響ファクターが多く、これら
の条件の不備によりロウ付強度が弱くなる危険性がある 〔発明が解決しようとする問題点〕 3一 本発明者らは、このように問題点の多い粉末冶金法に代
って銀−グラファイト混合物接点を製造可能とし、しか
も耐摩耗性の点でもすぐれている電気接点部品を与え得
るような方法を求めて種々検討した結果、接点部分に予
めイオンボンバード処理を行なった後、銀および炭素を
同時に真空蒸着させる方法がきわめて有効であることを
見出した。
開閉による消耗量が多い (3)一般に、粉末冶金法によって成形されるため、煩
雑な工程を必要とする (4)粉末冶金法の原料として用いられるグラフアイ1
〜の製造法による粒度のバラツキおよび粉末冶金成形時
のグラファイトの方向性などにより接点性能にもバラツ
キがみられる (5)粉末冶金法により成形されたものを機械加工し、
これを銅あるいは銅合金の台金に銀ロウ付けして使用さ
れるが、このままではロウ付けできないため、ロウ付げ
に先立って銀層をバックメタル層として設ける必要があ
る (6)粉末冶金法で成形するため、最低限必要な厚さが
あり、用途によってはこの厚さが必要以上の厚さである
こともあり、更にバックメタル層を設けることにより、
それ以上の厚さとなる不経済性がみられる (7)銀ロウ付けの際、銀ロウの種類、ロウ付温度、ロ
ウ付時間、前処理などの影響ファクターが多く、これら
の条件の不備によりロウ付強度が弱くなる危険性がある 〔発明が解決しようとする問題点〕 3一 本発明者らは、このように問題点の多い粉末冶金法に代
って銀−グラファイト混合物接点を製造可能とし、しか
も耐摩耗性の点でもすぐれている電気接点部品を与え得
るような方法を求めて種々検討した結果、接点部分に予
めイオンボンバード処理を行なった後、銀および炭素を
同時に真空蒸着させる方法がきわめて有効であることを
見出した。
〔問題点を解決するための手段〕および〔作用〕従って
、本発明は電気接点部品の製造法に係り、電気接点部品
の製造は、電気接点部品の接点部分表面に銀−グラファ
イト混合薄膜を形成させるに際し、接点部分に予めイオ
ンボンバード処理を行なった後、別々のルツボに収容さ
れている銀および炭素を同時に真空蒸着させることによ
り行われる。
、本発明は電気接点部品の製造法に係り、電気接点部品
の製造は、電気接点部品の接点部分表面に銀−グラファ
イト混合薄膜を形成させるに際し、接点部分に予めイオ
ンボンバード処理を行なった後、別々のルツボに収容さ
れている銀および炭素を同時に真空蒸着させることによ
り行われる。
電気接点部品の接点部分表面に銀−グラファイト混合薄
膜を形成させるに前に、接点部分に予め行われるイオン
ボンバード処理は、真空蒸着チャンバー内に薬品などで
洗浄された接点部品基板を4一 基板ホルダーに設置した後、一旦チャンバー内を排気し
てから所定圧力(例えばI X 10”−3Torr)
のアルゴンガスなどの不活性ガスを導入し、バイアス用
電流電源などにより基板ホルダーに約−50〜500V
程度の直流電圧をかけ、高周波電源および整流器により
基板ホルダーに対向して位置するコイルに13.56M
Hzの高周波を有効電力約10〜400Wでかけて約1
〜20分間グロー放電状態とすることにより行われ、か
かる処理により接点部分表面のクリーニングが行われる
。
膜を形成させるに前に、接点部分に予め行われるイオン
ボンバード処理は、真空蒸着チャンバー内に薬品などで
洗浄された接点部品基板を4一 基板ホルダーに設置した後、一旦チャンバー内を排気し
てから所定圧力(例えばI X 10”−3Torr)
のアルゴンガスなどの不活性ガスを導入し、バイアス用
電流電源などにより基板ホルダーに約−50〜500V
程度の直流電圧をかけ、高周波電源および整流器により
基板ホルダーに対向して位置するコイルに13.56M
Hzの高周波を有効電力約10〜400Wでかけて約1
〜20分間グロー放電状態とすることにより行われ、か
かる処理により接点部分表面のクリーニングが行われる
。
次に、別々のルツボに収容されている銀および炭素を同
時に真空蒸着させるが、真空蒸着はイオンボンバード処
理の際の高周波によるグロー放電状態を保ったまま行わ
れるイオンプレーティング法により好適に行われ、付着
力の大きい銀−グラファイト混合薄膜をそこに形成させ
ることができる。
時に真空蒸着させるが、真空蒸着はイオンボンバード処
理の際の高周波によるグロー放電状態を保ったまま行わ
れるイオンプレーティング法により好適に行われ、付着
力の大きい銀−グラファイト混合薄膜をそこに形成させ
ることができる。
この銀および炭素の同時蒸着に先立って、同様に行われ
るイオンプレーティング法により、銀単独の蒸着膜を形
成させておくことが好ましい。これは、次のような理由
に基いている。銀と炭素のそれぞれの蒸着速度を調節す
るためには、個々の蒸着速度の調節を行わなければなら
ず、このためにはどちらかを先に蒸発させなければなら
ない。
るイオンプレーティング法により、銀単独の蒸着膜を形
成させておくことが好ましい。これは、次のような理由
に基いている。銀と炭素のそれぞれの蒸着速度を調節す
るためには、個々の蒸着速度の調節を行わなければなら
ず、このためにはどちらかを先に蒸発させなければなら
ない。
この場合、どちらを先に蒸発させたらよいかが重要であ
り、銅などの金属材料とグラファイト薄膜とでは温度に
よる膨張率や弾性が異なるため熱や力学的な歪により剥
れ易いという事情を考慮し、銀の薄膜を先に形成させた
後、徐々に炭素を蒸発させた方が密着力の大きいものか
えられという考慮に基いている。
り、銅などの金属材料とグラファイト薄膜とでは温度に
よる膨張率や弾性が異なるため熱や力学的な歪により剥
れ易いという事情を考慮し、銀の薄膜を先に形成させた
後、徐々に炭素を蒸発させた方が密着力の大きいものか
えられという考慮に基いている。
このようにして、好ましくは膜厚約1000人程度の銀
単独の薄膜を形成させた上で、銀−グラファイト混合薄
膜を約0.5〜30μ程度の膜厚に形成させる。かかる
膜厚の範囲は、接点材料としての耐久性などから決定さ
れる。
単独の薄膜を形成させた上で、銀−グラファイト混合薄
膜を約0.5〜30μ程度の膜厚に形成させる。かかる
膜厚の範囲は、接点材料としての耐久性などから決定さ
れる。
形成された銀−グラファイト混合薄膜は、別々のルツボ
に収容された銀および炭素を加熱するための電子ビーム
の照射条件を個々に調節することにより、銀およびグラ
ファイトが約80 : 20〜99.5 :0.5の範
囲内の重量比組成になるようにする。このような重量比
組成の範囲内では、前記したような各種の用途に使用し
得る接点部品材料として用いることができる。
に収容された銀および炭素を加熱するための電子ビーム
の照射条件を個々に調節することにより、銀およびグラ
ファイトが約80 : 20〜99.5 :0.5の範
囲内の重量比組成になるようにする。このような重量比
組成の範囲内では、前記したような各種の用途に使用し
得る接点部品材料として用いることができる。
本発明方法によれば、次のような点ですぐれた電気接点
部品が製造される。
部品が製造される。
(1)粉末冶金法焼結体と比較して、摩擦特性はほぼ同
等でしかも硬度が高いため耐摩耗性の点ですぐれている (2)粉末冶金法でのような原料炭素や方向性などによ
る差異はなく、同一条件で銀−グラファイト混合薄膜を
形成させれば、常にほぼ同一性能の電気接点が形成され
る (3)粉末冶金法よりも工程が簡単である(4)膜厚の
制御が簡単でしかも必要なだけの膜厚のものを形成させ
ることができ、特にバックメタル層を設けた粉末冶金法
焼結体のように不必要な厚さにする必要はなく、低コス
ト化が図れる〔実施例〕 −7〜 次に、実施例について本発明を説明する。
等でしかも硬度が高いため耐摩耗性の点ですぐれている (2)粉末冶金法でのような原料炭素や方向性などによ
る差異はなく、同一条件で銀−グラファイト混合薄膜を
形成させれば、常にほぼ同一性能の電気接点が形成され
る (3)粉末冶金法よりも工程が簡単である(4)膜厚の
制御が簡単でしかも必要なだけの膜厚のものを形成させ
ることができ、特にバックメタル層を設けた粉末冶金法
焼結体のように不必要な厚さにする必要はなく、低コス
ト化が図れる〔実施例〕 −7〜 次に、実施例について本発明を説明する。
実施例1
銅を材料とする接点部品基板を、次の工程に従って洗浄
した。
した。
(1)中性洗剤超音波洗浄 2分間(2
)水洗 2 〃(3)酸
洗(5%塩酸) 5 〃(4)水洗
21I(5)エタノ
ール置換 21ノ(6)1,1.
1−トリクロルエタン超音波洗浄 5 〃(7)1,1
..1−トリクロルエタン蒸気洗浄 10〃この洗浄
基板について、第1図に示される電子ビーム方式のルツ
ボを2セツト有する真空蒸着装置を用いて、真空蒸着を
次のようにして行なった。
)水洗 2 〃(3)酸
洗(5%塩酸) 5 〃(4)水洗
21I(5)エタノ
ール置換 21ノ(6)1,1.
1−トリクロルエタン超音波洗浄 5 〃(7)1,1
..1−トリクロルエタン蒸気洗浄 10〃この洗浄
基板について、第1図に示される電子ビーム方式のルツ
ボを2セツト有する真空蒸着装置を用いて、真空蒸着を
次のようにして行なった。
真空蒸着チャンバー1内の上部空間に設置された基板ホ
ルダー2に上記洗浄基板3.3 ’、・・・・・を取り
付け、チャンバー内をI X 1O−5Torr以下に
排気した。次に、ガス導入バルブ14から、アルゴンガ
スをI Xl0−3Torrになるまで導入し、バイア
ス用電流電源10にこより基板ホルダー2に一100V
の直流電圧をかけ、また高周波電源11および整流器1
2によりコイル13に13.56MHzの高周波を10
0Wの有効電力でかけてグロー放電状態とし、10分間
のイオンボンバード処理を行なった。
ルダー2に上記洗浄基板3.3 ’、・・・・・を取り
付け、チャンバー内をI X 1O−5Torr以下に
排気した。次に、ガス導入バルブ14から、アルゴンガ
スをI Xl0−3Torrになるまで導入し、バイア
ス用電流電源10にこより基板ホルダー2に一100V
の直流電圧をかけ、また高周波電源11および整流器1
2によりコイル13に13.56MHzの高周波を10
0Wの有効電力でかけてグロー放電状態とし、10分間
のイオンボンバード処理を行なった。
このコイル13の下方には、2個のルツボ4および5が
セットされており、ルツボ4には銀6が、またルツボ5
には炭素塊7がそれぞれ収容されている。上記のグロー
放電状態を保ったまま、電子ビーム電源8に接続された
電子ビームフィラメント9,9′に電流を流すイオンプ
レーティング法により、真空蒸着が開始される。
セットされており、ルツボ4には銀6が、またルツボ5
には炭素塊7がそれぞれ収容されている。上記のグロー
放電状態を保ったまま、電子ビーム電源8に接続された
電子ビームフィラメント9,9′に電流を流すイオンプ
レーティング法により、真空蒸着が開始される。
真空蒸着は、まずルツボ4側の銀6を電子ビームにより
蒸発させ、膜厚モニター15により約1000人の厚さ
に銀を基板上に付着させたならば、今度はルツボ5側の
炭素塊7にも電子ビームを照射し、銀と炭素とを同時に
蒸発させて、膜厚約lOμの混合薄膜を形成させた。
蒸発させ、膜厚モニター15により約1000人の厚さ
に銀を基板上に付着させたならば、今度はルツボ5側の
炭素塊7にも電子ビームを照射し、銀と炭素とを同時に
蒸発させて、膜厚約lOμの混合薄膜を形成させた。
形成された混合薄膜の成分組成は、ESCAによる表面
観察ではAg : Cは元素比で83 : 17(Ag
の比重を10.49、グラファイトの比重を2.267
とすると、重量比では96:4となる)となっている。
観察ではAg : Cは元素比で83 : 17(Ag
の比重を10.49、グラファイトの比重を2.267
とすると、重量比では96:4となる)となっている。
比較例1
実施例1において、イオンボンバード処理を行わなかっ
た。形成された混合薄膜の成分組成は、ESCAによる
表面観察ではAg:Cは元素比で80 : 20(重量
比では95 : 5)であった。
た。形成された混合薄膜の成分組成は、ESCAによる
表面観察ではAg:Cは元素比で80 : 20(重量
比では95 : 5)であった。
以上の実施例1および比較例1でそれぞれ形成された混
合薄膜について、銘木式スラスト試験機を用いて、摺動
条件を変更しながら、摩擦係数および摺動面温度の測定
を行なった。また、マイクロビッカース硬度Hvの測定
も行なった。得られた結果は、次の表に示される。なお
、この表には、銀−グラファイト(重量比96 : 4
)粉末冶金法焼結体(比較例2)およびAgメッキ体(
比較例3)についての測定結果も併記されている。
合薄膜について、銘木式スラスト試験機を用いて、摺動
条件を変更しながら、摩擦係数および摺動面温度の測定
を行なった。また、マイクロビッカース硬度Hvの測定
も行なった。得られた結果は、次の表に示される。なお
、この表には、銀−グラファイト(重量比96 : 4
)粉末冶金法焼結体(比較例2)およびAgメッキ体(
比較例3)についての測定結果も併記されている。
表
実施例1 0.295 58 0.241
49 88比較例1 0.350
60 0.290 54 80n
2 0.395 70 0.138
40 48u 3 0.998 9
3 0.797 59以上の結果から、イ
オンボンバード処理を行なった上で銀−グラファイト混
合薄膜を形成させたものは、イオンボンバード処理しな
いものおよびAgメッキ体と比較して明らかに摩擦特性
がすぐれており、焼結体と比較すると摩擦特性はほぼ同
等であるが、硬度が高く耐摩耗性の点ですぐれているこ
とが分る。
49 88比較例1 0.350
60 0.290 54 80n
2 0.395 70 0.138
40 48u 3 0.998 9
3 0.797 59以上の結果から、イ
オンボンバード処理を行なった上で銀−グラファイト混
合薄膜を形成させたものは、イオンボンバード処理しな
いものおよびAgメッキ体と比較して明らかに摩擦特性
がすぐれており、焼結体と比較すると摩擦特性はほぼ同
等であるが、硬度が高く耐摩耗性の点ですぐれているこ
とが分る。
実施例2
実施例1において、接点部品基板として表面粗さ約IS
のタフピッチ銅板(10X 20 X 1 、1mm)
が用いられた。銀薄膜上に形成された銀−グラファイト
混合薄膜は、約5μの膜厚を有し、成分組成は実施例1
のそれと同等であった。
のタフピッチ銅板(10X 20 X 1 、1mm)
が用いられた。銀薄膜上に形成された銀−グラファイト
混合薄膜は、約5μの膜厚を有し、成分組成は実施例1
のそれと同等であった。
このようにして作製された試料について、JISH−8
618の5.5.1の方法による折曲試験をそれぞれ9
0°および180″′で行なったが、いずれの場合にも
剥れはみられなかった。
618の5.5.1の方法による折曲試験をそれぞれ9
0°および180″′で行なったが、いずれの場合にも
剥れはみられなかった。
比較例2
実施例2において、イオンボンバード処理を行わなかっ
た。膜厚約5μの銀−グラファイト混合薄膜を形成させ
た試料について、同様の折曲試験を行なうと、90°お
よび18o°のいずれの場合にも混合薄膜層に剥離がみ
られた。
た。膜厚約5μの銀−グラファイト混合薄膜を形成させ
た試料について、同様の折曲試験を行なうと、90°お
よび18o°のいずれの場合にも混合薄膜層に剥離がみ
られた。
第1図は、本発明方法の一実施態様の概要図である。
(符号の説明)
1・・・・・・真空蒸着チャンバー
2・・・・・・基板ホルダー
3・・・・・・接点部品基板
4.5・・・ルツボ
6・・・・・・銀
7・・・・・・炭素塊
9・・・・・・電子ビーム
11・・・・・・高周波電源
13・・・・・・コイル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電気接点部品の接点部分表面に銀−グラファイト混
合薄膜を形成させるに際し、接点部分に予めイオンボン
バード処理を行なった後、別々のルツボに収容されてい
る銀および炭素を同時に真空蒸着させることを特徴とす
る電気接点部品の製造法。 2、銀および炭素の同時蒸着に先立って、銀の蒸着膜の
形成が行われる特許請求の範囲第1項記載の電気接点部
品の製造法。 3、銀およびグラファイトが約80:20〜99.5:
0.5の範囲内の重量比組成の混合薄膜を形成させるよ
うに銀および炭素を同時蒸着させる特許請求の範囲第1
項記載の電気接点部品の製造法。 4、銀および炭素の同時蒸着がイオンプレーティング法
によって行われる特許請求の範囲第1項または第3項記
載の電気接点部品の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3787786A JPS62195815A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 電気接点部品の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3787786A JPS62195815A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 電気接点部品の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62195815A true JPS62195815A (ja) | 1987-08-28 |
Family
ID=12509760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3787786A Pending JPS62195815A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 電気接点部品の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62195815A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006005200A1 (de) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Oc Oerlikon Balzers Ag | KUPFERHATLTIGER LEITWERKSTOFF MIT Me-DLC HARTSTOFFBESCHICHTUNG |
WO2006137405A1 (ja) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Toshima Mfg Co., Ltd. | 薄膜形成用材料、及びそれを用いて形成された薄膜並びにその形成方法 |
CN108060399A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-05-22 | 南京工业大学 | 一种Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层及其制备方法 |
-
1986
- 1986-02-21 JP JP3787786A patent/JPS62195815A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006005200A1 (de) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Oc Oerlikon Balzers Ag | KUPFERHATLTIGER LEITWERKSTOFF MIT Me-DLC HARTSTOFFBESCHICHTUNG |
US7771822B2 (en) | 2004-07-09 | 2010-08-10 | Oerlikon Trading Ag, Trubbach | Conductive material comprising an Me-DLC hard material coating |
WO2006137405A1 (ja) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Toshima Mfg Co., Ltd. | 薄膜形成用材料、及びそれを用いて形成された薄膜並びにその形成方法 |
JP2007002275A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Toyoshima Seisakusho:Kk | 薄膜形成用材料、及びそれを用いて形成された薄膜並びにその形成方法 |
CN108060399A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-05-22 | 南京工业大学 | 一种Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6923692B2 (en) | Electrical connectors incorporating low friction coatings and methods for making them | |
US5593082A (en) | Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby | |
WO1996015283A1 (en) | Method of bonding targets to backing plate member | |
JPS61214312A (ja) | 電気接触部材用複合体およびその製法 | |
JPS6336941B2 (ja) | ||
US4964969A (en) | Semiconductor production apparatus | |
JPS62195815A (ja) | 電気接点部品の製造法 | |
JPH07157893A (ja) | 電気接点用Snめっき線とその製造方法 | |
JP3215452B2 (ja) | 電 極 | |
JPS6230887A (ja) | アルミニウム複合材 | |
JP3009527B2 (ja) | 耐摩耗性に優れたアルミニウム材およびその製造方法 | |
EP0612085A2 (en) | Encapsulated contact material and process for producing the same | |
JPH07220788A (ja) | Icソケット用端子及びその製造方法 | |
JPH07118221B2 (ja) | 導電性基板およびその製造方法 | |
JP3775273B2 (ja) | 電磁波シールド膜 | |
JPS6258524A (ja) | 電気接点部品の接触面被覆方法 | |
JPH11126531A (ja) | 接点材料及び接点 | |
KR930006642B1 (ko) | 이온도금용 금합금 | |
JPS6348151B2 (ja) | ||
JP2555270B2 (ja) | 封入接点材料およびその製造方法 | |
JPH1021772A (ja) | 封入接点材料 | |
JPH10219479A (ja) | 封入接点材料 | |
JPH1040763A (ja) | 封入電気接点材料 | |
JPS61213369A (ja) | 炭化チタンの被覆方法 | |
JP3154253B2 (ja) | 封入接点材料とその製造方法 |