JPS62195744A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS62195744A JPS62195744A JP3680486A JP3680486A JPS62195744A JP S62195744 A JPS62195744 A JP S62195744A JP 3680486 A JP3680486 A JP 3680486A JP 3680486 A JP3680486 A JP 3680486A JP S62195744 A JPS62195744 A JP S62195744A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は光磁気ディスクなどに用いられる光磁気記録媒
体の改良に関する。
体の改良に関する。
r従来技術とその問題点〕
レーザー光を用い光熱磁気効果により情報な記録し、磁
気カー効果やファラデー効果により再生を行なう光磁気
ディスクは高記録密度、高速アクセスが可能であり、し
かも記録情報の消去・再書き込みが何回でもできること
から実用化が期待されている。特番ここの光磁気ディス
クの記録材料としてTbFe、 ’f’bFeco、
GdFeなど希土類−遷移金属合金(以下RE−’T’
M合金と称する)のアモルファス垂直磁化膜を記録層に
用いた光磁気配録媒体は大面積の薄膜を形成するのが容
易なことと、書き込み感度および再生感度が良好である
ために有望視されている。しかし、その反面1(E−T
M金合金記録層とする光磁気配録媒体は例えば湿気を含
んだ大気中に際されるとRE−TM金合金耐食性が十分
でないために光磁気特性が劣化するという欠点をもって
いる。
気カー効果やファラデー効果により再生を行なう光磁気
ディスクは高記録密度、高速アクセスが可能であり、し
かも記録情報の消去・再書き込みが何回でもできること
から実用化が期待されている。特番ここの光磁気ディス
クの記録材料としてTbFe、 ’f’bFeco、
GdFeなど希土類−遷移金属合金(以下RE−’T’
M合金と称する)のアモルファス垂直磁化膜を記録層に
用いた光磁気配録媒体は大面積の薄膜を形成するのが容
易なことと、書き込み感度および再生感度が良好である
ために有望視されている。しかし、その反面1(E−T
M金合金記録層とする光磁気配録媒体は例えば湿気を含
んだ大気中に際されるとRE−TM金合金耐食性が十分
でないために光磁気特性が劣化するという欠点をもって
いる。
この対策として従来光磁気記録媒体の構成を第3図のよ
うにしている。第3図は光磁気配録媒体の要部を示した
模型的断面図であり、ボ11カーボネートなとプラスチ
ック系基板1の上に配録層2を形成した後、さらに配録
層2の上に5i02.8i0などの酸化物保護膜3を設
けることにより、記録I曽2が直接大気に曝されないよ
うにし、配録層2の環境による特性劣化の改善を図って
いる。なお矢印はレーザー光の進行方向を示している。
うにしている。第3図は光磁気配録媒体の要部を示した
模型的断面図であり、ボ11カーボネートなとプラスチ
ック系基板1の上に配録層2を形成した後、さらに配録
層2の上に5i02.8i0などの酸化物保護膜3を設
けることにより、記録I曽2が直接大気に曝されないよ
うにし、配録層2の環境による特性劣化の改善を図って
いる。なお矢印はレーザー光の進行方向を示している。
しかしながら、5t02や8i0なとの保護膜3はピン
ホールをもたない極めて緻密な薄膜として形成すること
は困難であり、実用上は大気および大気中の湿気がピン
ホールを通って記録層2まで侵入するのを完全に防止す
ることはできない。また保護膜3は酸化物であるから、
その酸素成分が記録層2の中に取り込まれ、配録層2の
酸(eに起因する光磁気特性の劣化を生ずるなど未だ欠
点が解消されず実用化への問題を残している。
ホールをもたない極めて緻密な薄膜として形成すること
は困難であり、実用上は大気および大気中の湿気がピン
ホールを通って記録層2まで侵入するのを完全に防止す
ることはできない。また保護膜3は酸化物であるから、
その酸素成分が記録層2の中に取り込まれ、配録層2の
酸(eに起因する光磁気特性の劣化を生ずるなど未だ欠
点が解消されず実用化への問題を残している。
しため−って光磁気記録媒体としてはより好ましい保護
膜を備えることが望まれている。
膜を備えることが望まれている。
〔発明の目的〕
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、その目
的は湿気を含む大気中に放置されても光磁気特性を劣化
させることのないすぐれた保−膜を備えた耐食性のよい
光磁気配録媒体を提供するととにある。
的は湿気を含む大気中に放置されても光磁気特性を劣化
させることのないすぐれた保−膜を備えた耐食性のよい
光磁気配録媒体を提供するととにある。
本発明はR,E−TM金合金垂直磁化膜をiピ録層とす
る光磁気記録媒体のその配録層の上に高硬良で緻密なし
かも化学的に安定なダイヤモンド状カーボンの保護膜を
堆積することにより、記録層への大気および大気中に含
まれる湿気の侵透を防止し、光磁気記録媒体の耐食性を
向上させたものである。
る光磁気記録媒体のその配録層の上に高硬良で緻密なし
かも化学的に安定なダイヤモンド状カーボンの保護膜を
堆積することにより、記録層への大気および大気中に含
まれる湿気の侵透を防止し、光磁気記録媒体の耐食性を
向上させたものである。
r発明の実施例〕
以下本発明な実施例に基づき説明する。
第1図は本発明により得られた光磁気記録媒体の要部を
示す構成断面図であるが、第3図と共通部分を同一符号
で表わしである。第1 +y1の光磁気配録媒体はボ1
1カーボネートなとプラスチック系基板1の上にTbF
e 、 TbFeCbなどのアモルファス磁性膜からな
り基板1の主面に垂直な方向に磁化容易軸を有する記録
層2を設け、この配録)@ 2の上に厚さ500〜10
000 Aのダイヤモンド状カーボンの保護膜4を堆積
したものである。ダイヤモンド状カーボン保護膜4はC
H,、C21−(2などを用いたプラズマCvD法もし
くはグラファイトターゲラトラ用いたH2雰囲気中の反
応スバ、り法などにより形成することができる。このダ
イヤモンド状カーボン保護膜4として好ましいものは、
5〜30原子%の水素を含み、ヌープ硬さは3000以
上の値を有する緻密な薄膜である。
示す構成断面図であるが、第3図と共通部分を同一符号
で表わしである。第1 +y1の光磁気配録媒体はボ1
1カーボネートなとプラスチック系基板1の上にTbF
e 、 TbFeCbなどのアモルファス磁性膜からな
り基板1の主面に垂直な方向に磁化容易軸を有する記録
層2を設け、この配録)@ 2の上に厚さ500〜10
000 Aのダイヤモンド状カーボンの保護膜4を堆積
したものである。ダイヤモンド状カーボン保護膜4はC
H,、C21−(2などを用いたプラズマCvD法もし
くはグラファイトターゲラトラ用いたH2雰囲気中の反
応スバ、り法などにより形成することができる。このダ
イヤモンド状カーボン保護膜4として好ましいものは、
5〜30原子%の水素を含み、ヌープ硬さは3000以
上の値を有する緻密な薄膜である。
このようにダイヤモンド状カーボン保護膜4を記録層2
の上に設けた本発明の光磁気配録媒体は大気中に放置さ
れたときも、大気および大気中の湿気が記録層2へ侵透
することなく、シかも保時11i4自体に酸素を含んで
いないから配録層2を酸化させることもなく、耐食性に
すぐれた光磁気配録媒体とすることができる。
の上に設けた本発明の光磁気配録媒体は大気中に放置さ
れたときも、大気および大気中の湿気が記録層2へ侵透
することなく、シかも保時11i4自体に酸素を含んで
いないから配録層2を酸化させることもなく、耐食性に
すぐれた光磁気配録媒体とすることができる。
また保護膜の形成方法に関しても、従来の5t02やS
iOなどの絶縁体ターゲットなスバ、りするときに用い
られろRFマグネトロンスパ、り法が、スバ、り時のプ
ラズマの拡がりが大きく、基板位置近傍にもプラズマが
存在して、基板がこのプラズマに曝されるために、基板
温度を100℃以下に保つことがむつかしく、プラスチ
、り基板の熱変形が生じやすかったのに対し、本発明の
ようにダイヤモンド状カーボン保護膜4をスパッタによ
り形成する場合は、ターゲットに用いるグラファイトが
導電性を有するため、DCマグネトロンスパッタ法を採
用することができ、前述のRFマグネトロンスパッタ法
に比べて基板温度の上昇な恢く抑えることが可能である
から、耐熱性の悪いプラスチック基板を使用するときで
もスパッタ時の基板の反りが小さいという利点もある。
iOなどの絶縁体ターゲットなスバ、りするときに用い
られろRFマグネトロンスパ、り法が、スバ、り時のプ
ラズマの拡がりが大きく、基板位置近傍にもプラズマが
存在して、基板がこのプラズマに曝されるために、基板
温度を100℃以下に保つことがむつかしく、プラスチ
、り基板の熱変形が生じやすかったのに対し、本発明の
ようにダイヤモンド状カーボン保護膜4をスパッタによ
り形成する場合は、ターゲットに用いるグラファイトが
導電性を有するため、DCマグネトロンスパッタ法を採
用することができ、前述のRFマグネトロンスパッタ法
に比べて基板温度の上昇な恢く抑えることが可能である
から、耐熱性の悪いプラスチック基板を使用するときで
もスパッタ時の基板の反りが小さいという利点もある。
本発明の光磁気記録媒体についてさらに具体的に述べる
と、まずTbとFeを重ねた複合ターゲットを用いてD
Cマグネトロンスパ、り法により厚さ1000 AのT
b Fe合金薄膜を記録層2として基板1上に形成し、
引続きArとH2を含む雰囲気中でグラファイトターゲ
ットな用いてDCマグネトロンスパッタ法により厚さ2
00OAのダイヤモンド状カーボンを保護膜4として積
層した。かくして得られた光磁気記録媒体を温度80℃
、湿度匍%の恒温恒湿槽中に100時間放置して特性の
変化を調べた結果、記録層2の保磁力(Hc )の初期
値に対する低下は約8%であった。これと同時に比較の
ム−め厚さ2000^のSiOを保護膜としてRFマグ
ネトロンスパッタ法により配録層に形成した光磁気配録
媒体を前述と同一条件で試験した所、記録層のHeは初
期値に対して約6%低下した。このことからダイヤモン
ド状カーボンが保護膜として従来のものよりすぐれてお
り、通常使用される周囲環境においては十分実用性を有
するものと判断される。
と、まずTbとFeを重ねた複合ターゲットを用いてD
Cマグネトロンスパ、り法により厚さ1000 AのT
b Fe合金薄膜を記録層2として基板1上に形成し、
引続きArとH2を含む雰囲気中でグラファイトターゲ
ットな用いてDCマグネトロンスパッタ法により厚さ2
00OAのダイヤモンド状カーボンを保護膜4として積
層した。かくして得られた光磁気記録媒体を温度80℃
、湿度匍%の恒温恒湿槽中に100時間放置して特性の
変化を調べた結果、記録層2の保磁力(Hc )の初期
値に対する低下は約8%であった。これと同時に比較の
ム−め厚さ2000^のSiOを保護膜としてRFマグ
ネトロンスパッタ法により配録層に形成した光磁気配録
媒体を前述と同一条件で試験した所、記録層のHeは初
期値に対して約6%低下した。このことからダイヤモン
ド状カーボンが保護膜として従来のものよりすぐれてお
り、通常使用される周囲環境においては十分実用性を有
するものと判断される。
またダイヤモンド状カーボン保護膜4は、第2図のよう
に基板1と記録112との間に書き込み感度および再生
感度をあげるため、基板1より高い屈折率をもち、かつ
基板1より熱伝導高の低い例えばSiO、ZnSなどの
透明薄膜5を介在させた光磁気配録媒体に適用した場合
にも同様の効果が得られる。
に基板1と記録112との間に書き込み感度および再生
感度をあげるため、基板1より高い屈折率をもち、かつ
基板1より熱伝導高の低い例えばSiO、ZnSなどの
透明薄膜5を介在させた光磁気配録媒体に適用した場合
にも同様の効果が得られる。
さらに本発明における保護膜は水累を5〜ま)%含むダ
イヤモンド状カーボンを例として説明してきたが、保護
膜にはアモルファス状のカーボン薄膜を用いても同様の
効果を発揮することができる。
イヤモンド状カーボンを例として説明してきたが、保護
膜にはアモルファス状のカーボン薄膜を用いても同様の
効果を発揮することができる。
なお、以上説明してきたように、本発明におけるカーボ
ンまたはカーボンを主成分とする保護膜を備えた光磁気
記録媒体はすぐれた耐食性を有するものであるが、これ
ら保護膜は前述したごとく、スープ硬さ3000以上の
緻密な膜であるから、従来の保護−に比べて機械的性質
にも勝るものである。したがって情報記録装置として磁
気ディスクなどに用いられる磁気記録媒体では、磁気へ
、ドに対する耐衝撃磨耗などにすぐれた保護膜として有
効に作用することは容易に推測される。しかし、本発明
のように磁気へ、ドのために制約される条件を必要とし
ない光磁気記録媒体の保護膜として用いるに際して、硬
さや摩擦係斂などと無関係に機械的性質よりも環境汚染
に対する物理化学的性質を重視した点に本発明の飛躍し
た発想があり、磁気へ、ドと関連した磁気記録媒体の保
護膜とは本来の作用効果が異なっており、このことは実
験によってはじめてその効果を確認することができると
いう点でも本発明の新歩性な知ることができる。
ンまたはカーボンを主成分とする保護膜を備えた光磁気
記録媒体はすぐれた耐食性を有するものであるが、これ
ら保護膜は前述したごとく、スープ硬さ3000以上の
緻密な膜であるから、従来の保護−に比べて機械的性質
にも勝るものである。したがって情報記録装置として磁
気ディスクなどに用いられる磁気記録媒体では、磁気へ
、ドに対する耐衝撃磨耗などにすぐれた保護膜として有
効に作用することは容易に推測される。しかし、本発明
のように磁気へ、ドのために制約される条件を必要とし
ない光磁気記録媒体の保護膜として用いるに際して、硬
さや摩擦係斂などと無関係に機械的性質よりも環境汚染
に対する物理化学的性質を重視した点に本発明の飛躍し
た発想があり、磁気へ、ドと関連した磁気記録媒体の保
護膜とは本来の作用効果が異なっており、このことは実
験によってはじめてその効果を確認することができると
いう点でも本発明の新歩性な知ることができる。
〔発明の効果)
希土類−遷移金属合金のアモルファス垂直磁化膜を記録
層とする光磁気配録媒体の表面保護膜として従来用いら
れてきた酸化物瞭はピンホールの生成が避けられないの
で、湿気を含む大気中にこの媒体を放置すると吸湿によ
り光磁気特性の劣化を生ずるという欠点をもっていたの
に対し、本発明によれば実施例で説明したように記録層
の1薯こ高硬度で緻密な化学的に安定度の高いカーボン
またはカーボンを主成分とする保護膜を堆積した光磁気
記録媒体を構成したために、大気中門こ放置しても大気
および大気中門こ含まれる湿気が記録層に侵透するのを
防止することがfき、しかもこの保護膜自体に酸素を含
んでいないから記録層を酸化させるおそれもなく、シた
がって特性劣化が起こらず、安定して良好な特性を長期
間にわたって持続することが回部な光磁気記録媒体が得
られるようになった。
層とする光磁気配録媒体の表面保護膜として従来用いら
れてきた酸化物瞭はピンホールの生成が避けられないの
で、湿気を含む大気中にこの媒体を放置すると吸湿によ
り光磁気特性の劣化を生ずるという欠点をもっていたの
に対し、本発明によれば実施例で説明したように記録層
の1薯こ高硬度で緻密な化学的に安定度の高いカーボン
またはカーボンを主成分とする保護膜を堆積した光磁気
記録媒体を構成したために、大気中門こ放置しても大気
および大気中門こ含まれる湿気が記録層に侵透するのを
防止することがfき、しかもこの保護膜自体に酸素を含
んでいないから記録層を酸化させるおそれもなく、シた
がって特性劣化が起こらず、安定して良好な特性を長期
間にわたって持続することが回部な光磁気記録媒体が得
られるようになった。
第1図は本発明の光磁気配録媒体を説明するための要部
断面図1第2図は同じく異なる実施例を示した断面図、
第3図は従来の光磁気記録媒体の構成を示した断面図で
ある。 1・・・基板、2・・・記録層、3.4・・・保護膜、
第1図 第2図 第3図 保獲東り 基板 逢明簿艮 疼獲輿520)
断面図1第2図は同じく異なる実施例を示した断面図、
第3図は従来の光磁気記録媒体の構成を示した断面図で
ある。 1・・・基板、2・・・記録層、3.4・・・保護膜、
第1図 第2図 第3図 保獲東り 基板 逢明簿艮 疼獲輿520)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板上の主面に該主面に垂直な方向の磁化容易軸を
有する記録層および保護膜をこの順に積層してなる光磁
気記録媒体において、保護膜としてカーボンを主成分と
する薄膜を用いることを特徴とする光磁気記録媒体。 2)特許請求の範囲第1項記載の媒体において、保護膜
がアモルファスカーボンであることを特徴とする光磁気
記録媒体。 3)特許請求の範囲第1項記載の媒体において、保護膜
が水素を5〜30原子%含むダイヤモンド状カーボンで
あることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3680486A JPS62195744A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3680486A JPS62195744A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62195744A true JPS62195744A (ja) | 1987-08-28 |
Family
ID=12479969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3680486A Pending JPS62195744A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62195744A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0237549A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 磁気光学記憶媒体 |
JPH0253240A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
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- 1986-02-21 JP JP3680486A patent/JPS62195744A/ja active Pending
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