JPS62193277A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS62193277A JPS62193277A JP61033889A JP3388986A JPS62193277A JP S62193277 A JPS62193277 A JP S62193277A JP 61033889 A JP61033889 A JP 61033889A JP 3388986 A JP3388986 A JP 3388986A JP S62193277 A JPS62193277 A JP S62193277A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像装置に関する。
従来1代表的な、光導電膜積層型固体撮像装置としては
、第2図に示す白黒用インターライン転送方法で、光導
電膜にH型アモルファスシリコン[a−8i : H′
f:用いたアモルファスシリコン積1Δ型CODイメー
ジセンナが知られている。図中1はP型シリコン半導体
基板である。この基板1の表面に¥′i、光入射により
生成した信号電荷を7小トダイオート°に18:渚す入
介めのN十剤の笛l木鎮物層5と継型の第1不純物層2
.フォトダイオードに蓄積された信号電荷を読出して垂
直CODにおけるチャネルを形成するための継型の第2
不純物層31,32.P+型の第3不純物R(チャネル
・ストッパ)41.42が形成されている。前記基板1
上には絶縁[61,62が形成され、該絶縁膜61.6
2内には第1の多結晶シリコンゲー)’1tff17□
7□第2の多結晶シリコンゲート電極8□8□が段階的
に所定距離おいて設けられ、また第4不純物層5に一部
が接合された第1電極例えば、At電極171172が
形成されている。さらにこの第1At電極17□、17
□の一部及び絶縁膜1o□、1o2の一部の表面に第2
を極例えば、At電極181.18□が形成されている
。さらに、アモルファスシリコン光=l[15が形成さ
れ、最後に透明電極としてITO電極16が形成される
。
、第2図に示す白黒用インターライン転送方法で、光導
電膜にH型アモルファスシリコン[a−8i : H′
f:用いたアモルファスシリコン積1Δ型CODイメー
ジセンナが知られている。図中1はP型シリコン半導体
基板である。この基板1の表面に¥′i、光入射により
生成した信号電荷を7小トダイオート°に18:渚す入
介めのN十剤の笛l木鎮物層5と継型の第1不純物層2
.フォトダイオードに蓄積された信号電荷を読出して垂
直CODにおけるチャネルを形成するための継型の第2
不純物層31,32.P+型の第3不純物R(チャネル
・ストッパ)41.42が形成されている。前記基板1
上には絶縁[61,62が形成され、該絶縁膜61.6
2内には第1の多結晶シリコンゲー)’1tff17□
7□第2の多結晶シリコンゲート電極8□8□が段階的
に所定距離おいて設けられ、また第4不純物層5に一部
が接合された第1電極例えば、At電極171172が
形成されている。さらにこの第1At電極17□、17
□の一部及び絶縁膜1o□、1o2の一部の表面に第2
を極例えば、At電極181.18□が形成されている
。さらに、アモルファスシリコン光=l[15が形成さ
れ、最後に透明電極としてITO電極16が形成される
。
上記したような構造からなる白黒用インターライン転送
方式のアモルファスシリコン積i型ccDイメージセン
サにおいては、アモルファスシリ:F ン15 (D
下jthハ、 第2 Tjua51R,18゜のバタ一
二ングのため生じ念急峻な段差部により平坦性が悪い。
方式のアモルファスシリコン積i型ccDイメージセン
サにおいては、アモルファスシリ:F ン15 (D
下jthハ、 第2 Tjua51R,18゜のバタ一
二ングのため生じ念急峻な段差部により平坦性が悪い。
アモルファスシリコン15は、その下地にこのような急
峻段差部があると、その近傍に形成されたアモルファス
シリコンの膜質に劣化現象が起こる。さらにこの膜質劣
化部は電荷発生部となり、白キズのような画像欠陥を発
生させ、問題となっている。し念がって、アモルファス
シリコン15下地の段差部を失<シ、アモルファスシリ
コンの局所的膜質の劣化全防止する必要がある。
峻段差部があると、その近傍に形成されたアモルファス
シリコンの膜質に劣化現象が起こる。さらにこの膜質劣
化部は電荷発生部となり、白キズのような画像欠陥を発
生させ、問題となっている。し念がって、アモルファス
シリコン15下地の段差部を失<シ、アモルファスシリ
コンの局所的膜質の劣化全防止する必要がある。
この発明は上述し次従来装置の欠点を改良したもので、
第2電極のパターニングを改良し、アモルファスシリコ
ン15下地の平坦性の向上全行ない、アモルファスシリ
コツ150局所的膜質劣化を防止し、画像欠陥を少なく
することのできるアモルファスシリコン瞑積層型CCD
イメージセンサを提供することを目的とする。
第2電極のパターニングを改良し、アモルファスシリコ
ン15下地の平坦性の向上全行ない、アモルファスシリ
コツ150局所的膜質劣化を防止し、画像欠陥を少なく
することのできるアモルファスシリコン瞑積層型CCD
イメージセンサを提供することを目的とする。
本発明は@2電極111112の材料にリン圀が適度に
ドープされた多結晶ポリシリコン11やポリサイド、メ
タルシリサイド、及びAt−8i[等O酸化物を形成す
る本のを選択し、シリコンナイトライド(s 13N4
) 12 tマスクに用いて、該多結晶ポリシリコン1
1の選択的酸化を行ない第2電極11111□間に酸化
膜(8i0□)14を形成することにより、第2電極1
11112間の絶縁全行ない。
ドープされた多結晶ポリシリコン11やポリサイド、メ
タルシリサイド、及びAt−8i[等O酸化物を形成す
る本のを選択し、シリコンナイトライド(s 13N4
) 12 tマスクに用いて、該多結晶ポリシリコン1
1の選択的酸化を行ない第2電極11111□間に酸化
膜(8i0□)14を形成することにより、第2電極1
11112間の絶縁全行ない。
従来の如く第21L極111112の段差部に直接アモ
ルファスシリコン15が形成されないようにしたアモル
ファスシリコン膜積層型CODイメージセンサを提供す
るものである。
ルファスシリコン15が形成されないようにしたアモル
ファスシリコン膜積層型CODイメージセンサを提供す
るものである。
この発明により、第2電極111112間に酸化膜14
が挿入された構造となり、第2′I!極111112の
段差部に直接アモルファスシリコン15が形成されず、
緩慢な該酸化膜表面にアモルファスシリコン15が形成
される九め、従来問題となっている第2電極11111
2段差部でのアモルファスシリコンの局所的膜質劣化が
防止でき、該膜質起因の画像欠陥の発生を少なくできる
アモルファスシリコン膜積層型CODイメージセンナを
提供できる。
が挿入された構造となり、第2′I!極111112の
段差部に直接アモルファスシリコン15が形成されず、
緩慢な該酸化膜表面にアモルファスシリコン15が形成
される九め、従来問題となっている第2電極11111
2段差部でのアモルファスシリコンの局所的膜質劣化が
防止でき、該膜質起因の画像欠陥の発生を少なくできる
アモルファスシリコン膜積層型CODイメージセンナを
提供できる。
〔i〕まずP型シリコン基板1表面に公知の所定の方法
により選択拡散、エツチング処理等全行ない。
により選択拡散、エツチング処理等全行ない。
光入射により生成し良信号電荷をフォトダイオードに蓄
積する念めのN+の第1不純物層2.フォトダイオード
に蓄積された信号電荷を読出して垂直CODにおけるチ
ャネルを形成する之めのN中型の@2不純物NA3□3
2.チャネルストッパを形成する九めの?形の第3不純
物層、4142に形成した。
積する念めのN+の第1不純物層2.フォトダイオード
に蓄積された信号電荷を読出して垂直CODにおけるチ
ャネルを形成する之めのN中型の@2不純物NA3□3
2.チャネルストッパを形成する九めの?形の第3不純
物層、4142に形成した。
つづいて前記基板1上に絶縁膜6162 t−介して。
該絶縁膜6162内に第1の多結晶シリコンのゲート電
極’y172 、第2の多結晶シリコンのゲート電極5
182 t−形成した。つづいてN+の第1不純物層2
上の一部の絶縁1i16□6□をシリコン基板1表面ま
でエツチングし、イオン注入法によシN+十の第4不純
物M5t−形成した後、第1電極9192をモリブデン
シリサイドとその下の多結晶シリコンとの積層膜から成
るポリサイドにて形成した。さらに絶縁膜101102
t″その上に形成した。(第1図f8)図示)。
極’y172 、第2の多結晶シリコンのゲート電極5
182 t−形成した。つづいてN+の第1不純物層2
上の一部の絶縁1i16□6□をシリコン基板1表面ま
でエツチングし、イオン注入法によシN+十の第4不純
物M5t−形成した後、第1電極9192をモリブデン
シリサイドとその下の多結晶シリコンとの積層膜から成
るポリサイドにて形成した。さらに絶縁膜101102
t″その上に形成した。(第1図f8)図示)。
(ii)次いで、前記絶縁膜101102を開口し、全
面に多結晶ポリシリコン1it−CVD法にて0.1μ
〜1μ被着し、(Pat−適度にドープし、次にシリコ
ンナイトライド(8t3N、) 12を(uD法にて被
着する(第1図(b)図示)、つづいてフォトレジスト
13を塗布した後、写真蝕刻法により、第2電極111
.112のレジストパターンを形成する(第1図(q図
示)次に、該レジストパターンを用いて、几IEにてシ
リコンナイトライド12t−エツチングし念後。
面に多結晶ポリシリコン1it−CVD法にて0.1μ
〜1μ被着し、(Pat−適度にドープし、次にシリコ
ンナイトライド(8t3N、) 12を(uD法にて被
着する(第1図(b)図示)、つづいてフォトレジスト
13を塗布した後、写真蝕刻法により、第2電極111
.112のレジストパターンを形成する(第1図(q図
示)次に、該レジストパターンを用いて、几IEにてシ
リコンナイトライド12t−エツチングし念後。
フォトレジスト13を除去する(第1図(d)図示入つ
づいてバターニングされ念上記シリコンナイトライド1
2をマスクに熱酸化を施し、多結晶ポリシリコン層11
の選択的酸化を行なりた後、シリコンナイトライド12
をホットリン酸で除去する(第1図(e)図示)。
づいてバターニングされ念上記シリコンナイトライド1
2をマスクに熱酸化を施し、多結晶ポリシリコン層11
の選択的酸化を行なりた後、シリコンナイトライド12
をホットリン酸で除去する(第1図(e)図示)。
(iii) 次いで、H型のアモルファスシリコンa
−8i :Hl 5 Yt クロー 放′M、CV I
)法にテ形成後。
−8i :Hl 5 Yt クロー 放′M、CV I
)法にテ形成後。
ITO電極16f:形成する(第1図げ)図示)。
本発明に係るアモルファスクリ;ン膜積層型CODイメ
ージセンサは、白黒用インターライン転送方式に関わら
ず、カラー用の1次元、2次元センサのアモルファスシ
リコン膜fl型CODイメージセンサにも適用できる。
ージセンサは、白黒用インターライン転送方式に関わら
ず、カラー用の1次元、2次元センサのアモルファスシ
リコン膜fl型CODイメージセンサにも適用できる。
また、実施例では多結晶シリコンαυに限定したが、メ
タルシリサイド、ポリサイド、Al−8i膜等、絶縁性
の酸化物を形成し、またそれ自身導電性を有するものな
らば適用可能である。
タルシリサイド、ポリサイド、Al−8i膜等、絶縁性
の酸化物を形成し、またそれ自身導電性を有するものな
らば適用可能である。
第1図は本発明の実施例である白黒用インターライン転
送方式アモルファスシリコン膜積層型CODイメージセ
ンサの製造工8tl−示す断面図。 第2図は従来の白黒用インターライン転送方式アモルフ
ァスシリコン膜積層型CODイメージセンサの断面図で
ある。 1・・・P型シリコン半導体基板、2・・・N中型の第
1不純物層、3□、3□18.N中型の第2不純物層%
41.42・・・P+型の第3不純Im(チャネルスト
ッパ)5・・・N←型の第4不純物層、 6162.、
、絶、縁膜、7172・・・第1の多結晶クリコン・ゲ
ート電極58182・・・第2の多結晶シリコン・ゲー
ト電極、 9192・・・第1電極(ポリサイド電極
)、10□1(52・・・絶縁膜、11・・・第2電極
材料層(多結晶シリコンノ→)、11111□・・・第
2電極(多結晶シリコン)、】2・・・シリコンナイト
ライド、13・・・フォトレジスト、14・・・S i
O2g h 15・・・HIHアモルファスシリコ
ン膜。 16・・・ITO電極、171172・・・第1ht電
鈑。 18.182・・・第2At1f極。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第1図 第1図
送方式アモルファスシリコン膜積層型CODイメージセ
ンサの製造工8tl−示す断面図。 第2図は従来の白黒用インターライン転送方式アモルフ
ァスシリコン膜積層型CODイメージセンサの断面図で
ある。 1・・・P型シリコン半導体基板、2・・・N中型の第
1不純物層、3□、3□18.N中型の第2不純物層%
41.42・・・P+型の第3不純Im(チャネルスト
ッパ)5・・・N←型の第4不純物層、 6162.、
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ート電極58182・・・第2の多結晶シリコン・ゲー
ト電極、 9192・・・第1電極(ポリサイド電極
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材料層(多結晶シリコンノ→)、11111□・・・第
2電極(多結晶シリコン)、】2・・・シリコンナイト
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ン膜。 16・・・ITO電極、171172・・・第1ht電
鈑。 18.182・・・第2At1f極。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第1図 第1図
Claims (1)
- 回路基板上に光導電膜を設けた2階建の固体撮像装置に
おいて、回路基板表面の画素電極間が、該電極の絶縁化
層により分離されている事を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61033889A JPS62193277A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61033889A JPS62193277A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62193277A true JPS62193277A (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=12399098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61033889A Pending JPS62193277A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62193277A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6013928A (en) * | 1991-08-23 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having interlayer insulating film and method for forming the same |
EP1113499A2 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-04 | Xerox Corporation | High fill factor image array having a continuous amorphous silicon sensor layer and a doped poly-silicon back contact |
JP2013093353A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Fujifilm Corp | 有機撮像素子 |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61033889A patent/JPS62193277A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6013928A (en) * | 1991-08-23 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having interlayer insulating film and method for forming the same |
EP1113499A2 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-04 | Xerox Corporation | High fill factor image array having a continuous amorphous silicon sensor layer and a doped poly-silicon back contact |
EP1113499A3 (en) * | 1999-12-28 | 2003-04-16 | Xerox Corporation | High fill factor image array having a continuous amorphous silicon sensor layer and a doped poly-silicon back contact |
JP2013093353A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Fujifilm Corp | 有機撮像素子 |
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