JPS6217348B2 - - Google Patents
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- JPS6217348B2 JPS6217348B2 JP10865578A JP10865578A JPS6217348B2 JP S6217348 B2 JPS6217348 B2 JP S6217348B2 JP 10865578 A JP10865578 A JP 10865578A JP 10865578 A JP10865578 A JP 10865578A JP S6217348 B2 JPS6217348 B2 JP S6217348B2
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- magnetic
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 32
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数の電子ビームを有する電磁集束形
陰極線管に関する。
陰極線管に関する。
第１図は複数の電子ビームを有する電磁集束形
陰極線管の例として３個の電子銃が同一水平面内
に配列されているインライン形カラー受像管を示
す平面断面図、第２図は第１図におけるＡ−Ａ断
面図である。図において、１，３はサイド電子
銃、２はセンタ電子銃で、それぞれヒータ、カソ
ード、第１グリツド、第２グリツドよりなる。４
ａ，４ｂは軟強磁性体製の磁気ヨーク、５は４極
磁界発生装置（環状永久磁石材）、６は偏向ヨー
ク、７はバルブ、８はけい光面、９ａ，９ｃはサ
イドビーム、９ｂはセンタビームである。９a′，
９c′は４極磁界発生装置５が存在せず、サイド電
子銃１，３から射出された電子流が直進した場合
の電子軌道である。１０は円柱状永久磁石で磁気
ヨーク４ａ，４ｂの間にビーム集束磁界を作る磁
界発生装置として作用し、磁気ヨーク４ａ，４ｂ
と共に磁界集束装置１１を形成する。電子銃１，
２，３から射出された３本の電子ビームは磁界集
束装置１１で電磁集束作用を受けた後、さらに４
極磁界発生装置５の磁界の作用によつて第２図に
示すように、両サイドビーム９ａ，９ｃはセンタ
ビーム９ｂの方に曲げられ、けい光面８の近くで
この３本のビームが交わり、かつけい光面上に集
束結像するようになつている。４極磁界発生装置
５は環状永久磁石材よりなり、第２図に示す磁界
の強さも容易に適当な値に調節できるが、この方
法による場合の両サイドビーム９ａ，９ｃのけい
光面８上に生ずるビームスポツト形状は偏平なも
のとなり、そのため解像度が低下し、画質劣下の
大きな要因となつていた。また４極磁界発生装置
５を使用することは原価上昇の原因にもなつてい
た。
陰極線管の例として３個の電子銃が同一水平面内
に配列されているインライン形カラー受像管を示
す平面断面図、第２図は第１図におけるＡ−Ａ断
面図である。図において、１，３はサイド電子
銃、２はセンタ電子銃で、それぞれヒータ、カソ
ード、第１グリツド、第２グリツドよりなる。４
ａ，４ｂは軟強磁性体製の磁気ヨーク、５は４極
磁界発生装置（環状永久磁石材）、６は偏向ヨー
ク、７はバルブ、８はけい光面、９ａ，９ｃはサ
イドビーム、９ｂはセンタビームである。９a′，
９c′は４極磁界発生装置５が存在せず、サイド電
子銃１，３から射出された電子流が直進した場合
の電子軌道である。１０は円柱状永久磁石で磁気
ヨーク４ａ，４ｂの間にビーム集束磁界を作る磁
界発生装置として作用し、磁気ヨーク４ａ，４ｂ
と共に磁界集束装置１１を形成する。電子銃１，
２，３から射出された３本の電子ビームは磁界集
束装置１１で電磁集束作用を受けた後、さらに４
極磁界発生装置５の磁界の作用によつて第２図に
示すように、両サイドビーム９ａ，９ｃはセンタ
ビーム９ｂの方に曲げられ、けい光面８の近くで
この３本のビームが交わり、かつけい光面上に集
束結像するようになつている。４極磁界発生装置
５は環状永久磁石材よりなり、第２図に示す磁界
の強さも容易に適当な値に調節できるが、この方
法による場合の両サイドビーム９ａ，９ｃのけい
光面８上に生ずるビームスポツト形状は偏平なも
のとなり、そのため解像度が低下し、画質劣下の
大きな要因となつていた。また４極磁界発生装置
５を使用することは原価上昇の原因にもなつてい
た。
本発明の目的は、上記のような欠点のない磁気
ヨークによる電磁集束レンズ自体によつて、複数
の電子ビームがけい光面の近くで相交わり、けい
光面に結像するようにした電磁集束形陰極線管を
提供することにある。
ヨークによる電磁集束レンズ自体によつて、複数
の電子ビームがけい光面の近くで相交わり、けい
光面に結像するようにした電磁集束形陰極線管を
提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、
対となす磁気ヨークに設けた複数組の電子ビーム
通過孔対のうち、陰極線管軸と同心でない各ビー
ム通過孔対の少なくとも一方の孔を、前記各ビー
ムに対するカソード、第１グリツド、第２グリツ
ドで形成されるカソードレンズ系の中心軸より
も、管軸に近付けて設けることとした。
対となす磁気ヨークに設けた複数組の電子ビーム
通過孔対のうち、陰極線管軸と同心でない各ビー
ム通過孔対の少なくとも一方の孔を、前記各ビー
ムに対するカソード、第１グリツド、第２グリツ
ドで形成されるカソードレンズ系の中心軸より
も、管軸に近付けて設けることとした。
第３図は本発明の第１実施例図で、４a′，４
b′は本発明による磁気ヨーク、１１′は磁界集束
装置である。この実施例では磁気ヨーク４b′に設
けたサイドビーム通過孔１２ｂのみを、サイドビ
ームのカソードレンズ系の中心軸よりもΔｄだけ
管軸に近付けてある。第４図は本実施例における
サイドビームカソードレンズ系中心軸とサイドビ
ーム通過孔１２ｂの中心との偏心量Δｄと、けい
光面８上におけるセンタビーム９ｂのビームスポ
ツトとサイドビーム９ｃのビームスポツト間ずれ
量Ｓとの関係を実測して得た結果を示す図であ
る。この図からΔｄ＝0.6mm前後の時に、ビーム
スポツトずれ量Ｓが零となることがわかる。なお
第４図は14形管で陽極電圧20kVの時の測定結果
で、最適偏心量が、受像管の大きさ、陽極電圧、
バルブネツク径等により変化することは言うまで
もない。本発明を実施した場合、けい光面上のビ
ームスポツト形状はほぼ真円に近く、解像度の劣
化、ミスコンバージエンスの発生等による画質劣
化がほとんどなく、又４極磁界発生装置５を用い
なくとも良好な特性が得られ、これが不要となれ
ば原価も低減する。第５図は本発明の第２実施例
図で、磁気ヨーク４a′に設けたサイドビーム通過
孔１２ａだけをサイドビームのカソードレンズ系
の中心軸よりも管軸に近付けてある。その結果、
第１実施例の場合同様サイドビームを集束する磁
気レンズの中心軸が管軸方向に近付き、サイドビ
ームはセンタビームの方に曲げられる。第６図は
本発明の第３実施例で、サイドビーム通過孔１２
ａ，１２ｂの双方ともサイドビームのカソードレ
ンズ系の中心軸よりも管軸に近付けて設けてあ
る。
b′は本発明による磁気ヨーク、１１′は磁界集束
装置である。この実施例では磁気ヨーク４b′に設
けたサイドビーム通過孔１２ｂのみを、サイドビ
ームのカソードレンズ系の中心軸よりもΔｄだけ
管軸に近付けてある。第４図は本実施例における
サイドビームカソードレンズ系中心軸とサイドビ
ーム通過孔１２ｂの中心との偏心量Δｄと、けい
光面８上におけるセンタビーム９ｂのビームスポ
ツトとサイドビーム９ｃのビームスポツト間ずれ
量Ｓとの関係を実測して得た結果を示す図であ
る。この図からΔｄ＝0.6mm前後の時に、ビーム
スポツトずれ量Ｓが零となることがわかる。なお
第４図は14形管で陽極電圧20kVの時の測定結果
で、最適偏心量が、受像管の大きさ、陽極電圧、
バルブネツク径等により変化することは言うまで
もない。本発明を実施した場合、けい光面上のビ
ームスポツト形状はほぼ真円に近く、解像度の劣
化、ミスコンバージエンスの発生等による画質劣
化がほとんどなく、又４極磁界発生装置５を用い
なくとも良好な特性が得られ、これが不要となれ
ば原価も低減する。第５図は本発明の第２実施例
図で、磁気ヨーク４a′に設けたサイドビーム通過
孔１２ａだけをサイドビームのカソードレンズ系
の中心軸よりも管軸に近付けてある。その結果、
第１実施例の場合同様サイドビームを集束する磁
気レンズの中心軸が管軸方向に近付き、サイドビ
ームはセンタビームの方に曲げられる。第６図は
本発明の第３実施例で、サイドビーム通過孔１２
ａ，１２ｂの双方ともサイドビームのカソードレ
ンズ系の中心軸よりも管軸に近付けて設けてあ
る。
なお以上インライン形電子銃配列に対する実施
例のみを示したが、本発明をいわゆるデルタ形電
子銃配列に対して実施することも勿論可能で、デ
ルタ形配列では、３本のビームがすべて管軸から
はずれているから、磁界集束装置によつて、３本
のビームすべてを管軸に近付くようにまげればよ
い。そのために、インライン形配列の場合にサイ
ドビームを集束する磁気レンズの中心軸をサイド
ビームカソードレンズ系中心軸よりも管軸に近く
なるように実施したのと同様のことを、デルタ形
配列の場合はすべてのビームに対して行えばよ
い。すなわち具体的にはすべてのビームに対して
そのビームのカソードレンズ系中心軸よりも、そ
れぞれ前記第１，２，３実施例に対応して、けい
光面に近い方の磁気ヨークのビーム通過孔だけを
管軸に近付けて設けるカソードに近い方の磁気ヨ
ークのビーム通過孔だけを管軸に近付けて設け
る、両方の磁気ヨークのビーム通過孔を双方とも
管軸に近付けて設ける、などを実施すればよい。
例のみを示したが、本発明をいわゆるデルタ形電
子銃配列に対して実施することも勿論可能で、デ
ルタ形配列では、３本のビームがすべて管軸から
はずれているから、磁界集束装置によつて、３本
のビームすべてを管軸に近付くようにまげればよ
い。そのために、インライン形配列の場合にサイ
ドビームを集束する磁気レンズの中心軸をサイド
ビームカソードレンズ系中心軸よりも管軸に近く
なるように実施したのと同様のことを、デルタ形
配列の場合はすべてのビームに対して行えばよ
い。すなわち具体的にはすべてのビームに対して
そのビームのカソードレンズ系中心軸よりも、そ
れぞれ前記第１，２，３実施例に対応して、けい
光面に近い方の磁気ヨークのビーム通過孔だけを
管軸に近付けて設けるカソードに近い方の磁気ヨ
ークのビーム通過孔だけを管軸に近付けて設け
る、両方の磁気ヨークのビーム通過孔を双方とも
管軸に近付けて設ける、などを実施すればよい。
以上説明したように本発明によれば、良好なビ
ームスポツト形状、良好なコンバージエンスが得
られ、したがつて解像度が良く、画質良好で、し
かも原価も低減できるなどの効果が得られる。
ームスポツト形状、良好なコンバージエンスが得
られ、したがつて解像度が良く、画質良好で、し
かも原価も低減できるなどの効果が得られる。
第１図は電磁集束形陰極線管の平面断面図、第
２図は第１図におけるＡ−Ａ断面図、第３図は本
発明の第１実施例図、第４図はビーム通過孔偏心
量とビームスポツトずれ量の関係を示す図、第
５，６図はそれぞれ本発明の第２，３実施例図で
ある。 １，３……サイド電子銃、２……センサ電子
銃、４ａ，４a′，４ｂ，４b′……磁気ヨーク、８
……けい光面、９ａ，９ｃ……サイドビーム、９
ｂ……センタビーム、１０……永久磁石、１２
ａ，１２ｂ……サイドビーム通過孔。
２図は第１図におけるＡ−Ａ断面図、第３図は本
発明の第１実施例図、第４図はビーム通過孔偏心
量とビームスポツトずれ量の関係を示す図、第
５，６図はそれぞれ本発明の第２，３実施例図で
ある。 １，３……サイド電子銃、２……センサ電子
銃、４ａ，４a′，４ｂ，４b′……磁気ヨーク、８
……けい光面、９ａ，９ｃ……サイドビーム、９
ｂ……センタビーム、１０……永久磁石、１２
ａ，１２ｂ……サイドビーム通過孔。
Claims (1)
- １ 磁界発生装置、及びこの装置によつて複数の
電子ビームのそれぞれに対して発生する集束用磁
界を前記各ビームがけい光面近くで相交わり、け
い光面に結像するように整える軟強磁性体製で管
軸方向に対向配置させた１対の磁気ヨーク、を備
えた電磁集束形陰極線管において、複数の電子ビ
ームのそれぞれに対して前記１対の磁気ヨークに
設けたビーム通過孔対のうち、管軸と同心でない
各ビーム通過孔対の少なくとも一方の孔を、前記
各ビームに対するカソード、第１グリツド、第２
グリツドで形成されるカソードレンズ系の中心軸
よりも、管軸に近付けて設けたことを特徴とする
電磁集束形陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10865578A JPS5535450A (en) | 1978-09-06 | 1978-09-06 | Electromagnetic focusing type cathode ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10865578A JPS5535450A (en) | 1978-09-06 | 1978-09-06 | Electromagnetic focusing type cathode ray tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5535450A JPS5535450A (en) | 1980-03-12 |
| JPS6217348B2 true JPS6217348B2 (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=14490304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10865578A Granted JPS5535450A (en) | 1978-09-06 | 1978-09-06 | Electromagnetic focusing type cathode ray tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5535450A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0073472B1 (en) * | 1981-09-02 | 1987-01-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic focusing type cathode ray tube |
-
1978
- 1978-09-06 JP JP10865578A patent/JPS5535450A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5535450A (en) | 1980-03-12 |
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