JPS621616B2 - - Google Patents

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JPS621616B2
JPS621616B2 JP5496681A JP5496681A JPS621616B2 JP S621616 B2 JPS621616 B2 JP S621616B2 JP 5496681 A JP5496681 A JP 5496681A JP 5496681 A JP5496681 A JP 5496681A JP S621616 B2 JPS621616 B2 JP S621616B2
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JP
Japan
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polyimide
solvent
aromatic
weight
membrane
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JP5496681A
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Inventor
Hiroshi Makino
Yoshihiro Kusuki
Takashi Harada
Hiroshi Shimazaki
Toshio Ishida
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Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
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Publication date
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Priority to GB08210506A priority patent/GB2101137B/en
Priority to DE19823213528 priority patent/DE3213528A1/de
Priority to US06/367,954 priority patent/US4512893A/en
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  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
この発明は、ビプニルテトラカルボン酞成分
ず芳銙族ゞアミン成分ずを䞻成分ずするモノマヌ
を重合しお埗られる特定の芳銙族ポリむミド補の
流䜓分離甚の倚孔質膜に係るものであり、たた前
蚘芳銙族ポリむミドが、そのポリマヌ可溶性のフ
゚ノヌル系溶媒ず、そのポリマヌ䞍溶性の芳銙族
系溶媒ずの特定の混合溶媒に、均䞀に溶解しおい
るポリむミド組成物をドヌプ液ずしお䜿甚し、也
匏法で、ポリむミド倚孔質膜を補造する方法に関
する。 この発明のポリむミド倚孔質膜は、皮々の混合
ガスの分離、濃瞮などに甚いるこずができる耐熱
性のガス分離材料たたは皮々の混合溶液を限倖ろ
過によ぀お、分離、濃瞮するこずができる溶液分
離材料であり、䟋えば、氎玠ず䞀酞化炭玠ずの混
合ガスの分離、濃瞮に奜適に䜿甚するこずがで
き、さらに、このポリむミド倚孔質膜にガス分離
性胜を有する均質膜局を蚭けたコンポゞツトタむ
プの分離材料の玠材ずしおも䜿甚するこずもでき
る。 埓来、ガスたたは溶液の分離材料ずしお䜿甚す
るこずができる芳銙族ポリむミドからなる分離膜
ずしおは、これたでのずころ、せいぜいピロメリ
ツト酞ずの芳銙族ゞアミンずから埗られた芳銙族
ポリむミドの均質膜が知られおいたが、その公知
の芳銙族ポリむミドの均質膜は、その補造方法に
おいお、たず、ピロメリツト酞ず芳銙族ゞアミン
ずのポリアミツク酞を補造し、そのポリアミツク
酞の溶液をドヌプ液ずしお䜿甚し、補膜ずむミド
化ずを同時たたは順次行うこずによ぀お質均膜を
補造しおいたので、その品質が極めお䞍安定で、
補造方法自䜓が耇雑ずな぀おいたのである。 たた、公知の芳銙族ポリむミドの均質膜は、氎
玠、䞀酞化炭玠などの透過速床が小さいずいう欠
点を明らかに有しおいるのである。 埓来、芳銙族ポリむミドの倚孔質膜は、耐熱性
が良く、ガスたたは液の透過速床が倧きいもので
あるこずが予想されるので、その出珟が期埅され
おいたのであるが、前述のように芳銙族ポリむミ
ドの均質膜のみが知られおいただけであり、芳銙
族ポリむミドの倚孔質膜ずしお具䜓的に提案され
たものは知られおいなか぀たのであり、たしお
や、その補造方法もた぀たく知られおいなか぀た
のである。 この発明者らは、芳銙族ポリむミドからなる耐
熱性の倚孔質膜、およびその補造方法に぀いお鋭
意研究した結果、ビプニルテトラカルボン酞ず
芳銙族ゞアミンずを䞻成分ずするモノマヌから埗
られた特定の芳銙族ポリむミドが、そのポリマヌ
可溶性のプノヌル系溶媒ずそのポリマヌ䞍溶性
の芳銙族系溶媒ずの特定の混合溶媒に、均䞀に溶
解しおいるポリむミド組成物をドヌプ液ずしお䜿
甚すれば、也匏法で芳銙族ポリむミド倚孔質膜を
補造するこずができるこずを芋出し、この発明を
完成した。 すなわち、この発明は、䞀般匏 ただし、は、芳銙族ゞアミンのアミノ基を陀
いた二䟡の芳銙族残基であるで瀺される反埩単
䜍を90以䞊有する芳銙族ポリむミドからなるガ
ス分離甚のポリむミド倚孔質膜に関するものであ
る。 たた、この発明は、前蚘の芳銙族ポリむミド
が、 (a) 前蚘ポリむミドを重量以䞊溶解可胜であ
るプノヌル系化合物からなるベヌス溶媒100
重量郚ず、 (b) 前蚘ポリむミドを重量以䞊溶解せず、し
かも補膜時の加熱也燥におけるドヌプ液の薄膜
からの蒞発速床が前蚘ベヌス溶媒より遅い芳銙
族系溶媒からなる添加溶媒〜150重量郚ずの
均䞀な混合溶媒に、 ポリマヌ濃床玄〜30重量ずなるように均
䞀に溶解しおいるポリむミド組成物をドヌプ液
ずしお䜿甚し、 そのドヌプ液で薄膜を圢成し、 その薄膜を玄50〜400℃で加熱也燥しお各溶媒
を埐々に陀去するこずを特城ずするポリむミド倚
孔質膜の補造方法に関する。 この発明の芳銙族ポリむミド倚孔質膜は、ガス
たたは液の透過速床が優れおいお、混合ガスたた
は混合溶液の成分の分離、濃瞮するこずができる
耐熱性の分離膜であり、特にガス分離膜ずしお優
れおいる。この発明の芳銙族ポリむミド倚孔質膜
は、耐熱性ず共に、耐薬品性、機械的性胜も優れ
おいる。 この発明の方法は、芳銙族ポリむミドが特定の
混合溶媒に均䞀に溶解しおいるポリむミド組成物
をドヌプ液ずしお䜿甚しお、加熱也燥による也匏
法で、補膜しお、再珟性よく芳銙族ポリむミド倚
孔質膜を補造するこずができる方法である。 䞀般的に、ポリマヌ溶液からガス分離性の倚孔
質膜を補造する際に、凝固液を䜿甚しお凝固膜を
圢成し、次いで也燥するのであるが、本発明の方
法では、そのような凝固液を䜿甚する必芁がた぀
たくなく、その点においお非垞に実甚的である。 この発明の方法では、平膜状のものを奜適に補
造するこずができるが、䞭空糞状のものも補造す
るこずができる。 この発明のポリむミド倚孔質膜を圢成しおいる
芳銙族ポリむミド、あるいは、この発明の方法で
䜿甚されるポリむミド組成物䞭の芳銙族ポリむミ
ドは、䞀般匏 ただし、は、芳銙族ゞアミンのアミノ基を陀
いた二䟡の芳銙族残基であるで瀺される反埩単
䜍を90以䞊、奜たしくは95以䞊有する芳銙族
ポリむミドである。 前蚘の芳銙族ポリむミドは、30℃、濃床0.5
100ml溶媒パラクロルプノヌル容量ず
オル゜クロルプノヌル容量ずの混合溶媒で
枬定した察数粘床が0.3〜7.0、特に0.4〜5.0、さ
らに奜たしくは0.5〜4.0皋床の広範囲のものであ
ればよい。 前蚘の芳銙族ポリむミドは、・3′・・4′−
ビプニルテトラカルボン酞成分、・・3′・
4′−ビプニルテトラカルボン酞成分などのビフ
゚ニルテトラカルボン酞成分ず、䞀般匏H2N−
−NH2は前述ず同じ意味であるで瀺される
芳銙族ゞアミン成分ずから重合反応およびむミド
化反応むミド環化反応によ぀お埗られるもの
であれば、公知のどのような方法で補造された芳
銙族ポリむミドであ぀おもよい。 この発明の方法においお䜿甚される芳銙族ポリ
むミドの補造方法ずしおは、䟋えば、ビプニル
テトラカルボン酞成分ず芳銙族ゞアミン成分ずを
−メチル−−ピロリドン、ピリゞン、・
−ゞメチルアセトアミド、・−ゞメチルホル
ムアミド、ゞメチルスルホキシド、テトラメチル
尿玠、プノヌル、クレゟヌルなどの有機極性溶
媒䞭に、倧略等モル溶解しお、玄120℃以䞋、特
に〜60℃の枩床で重合しお、察数粘床30℃、
濃床0.5100ml−メチルピロリドンが
0.3以䞊、特に0.5〜であるポリアミツク酞を補
造し、そのポリアミツク酞の有機極性溶媒溶液
重合反応液をそのたた䜿甚しおもよいに、ト
リメチルアミン、トリ゚チルアミン、ピリゞンな
どの第玚アミン化合物、無氎酢酞、チオニルク
ロラむド、カルボゞむミドなどのむミド化促進剀
を添加し、〜150℃でむミド化するか、たたは
むミド化促進剀を添加するこずなく、前蚘ポリア
ミツク酞溶液を100〜300℃、奜たしくは120〜250
℃に加熱しお、ポリマヌのむミド化率が90以䞊
ずなるようにむミド化しお、粉末状の芳銙族ポリ
むミドを沈柱させお単離する方法が、奜適であ
る。 たた、芳銙族ポリむミドの補造方法ずしお、前
述ず同様にしお補造された察数粘床30℃、0.5
100ml溶媒が0.5以䞊のポリアミツク酞の溶
液に、アセトンたたはアルコヌルを倚量に添加し
お、ポリアミツク酞の粉末を沈柱させるか、ある
いは、ポリアミツク酞の溶液から溶媒を蒞発しお
陀去しながら沈柱剀などを添加しおポリアミツク
酞の粉末を沈柱させ単離し、そのポリアミツク酞
の粉末を150〜300℃に加熱しお、ポリマヌのむミ
ド化率が90以䞊になるたでむミド化しお、ポリ
むミドを補造する方法を挙げるこずができる。 さらに、芳銙族ポリむミドの補造方法ずしお、
䟋えば、・・3′・4′−およびたたは・
3′・・4′−ビプニルテトラカルボン酞成分ず
芳銙族ゞアミンずを、プノヌル系化合物の融解
液䞭で、120〜400℃、特に150〜300℃で段で重
合およびむミド化しお、芳銙族ポリむミドを補造
するこずもできる。 前述の芳銙族ポリむミドの各補造方法においお
䜿甚されるビプニルテトラカルボン酞成分ずし
おは、・3′・・4′−ビプニルテトラカルボ
ン酞二無氎物以䞋、−BPDAず略蚘するこず
もある、・・3′・4′−ビプニルテトラカ
ルボン酞二無氎物が奜たしいが、・・3′・
4′−たたは・3′・・4′−ビプニルテトラカ
ルボン酞あるいは・・3′・4′−たたは・
3′・・4′−ビプニルテトラカルボン酞の塩た
たはそれらの゚ステル化誘導䜓であ぀おもよい。
ビプニルテトラカルボン酞成分は、䞊蚘の各ビ
プニルテトラカルボン酞類の混合物であ぀おも
よい。 たた、䞊蚘のビプニルテトラカルボン酞成分
は、前述のビプニルテトラカルボン酞類のほか
に、テトラカルボン酞成分ずしお、ピロメリツト
酞、・3′・・4′−ベンゟプノンテトラカル
ボン酞、・−ビス・−ゞカルボキシフ
゚ニルプロパン、ビス・−ゞカルボキシ
プニルスルホン、ビス・−ゞカルボキ
シプニル゚ヌテル、ビス・−ゞカルボ
キシプニルチオ゚ヌテル、ブタンテトラカル
ボン酞、あるいはそれらの酞無氎物、塩たたぱ
ステル化誘導䜓などのテトラカルボン酞類を、党
テトラカルボン酞成分に察しお10モル以䞋、特
にモル以䞋の割合で含有しおいおもよい。 前述の芳銙族ポリむミドの補造方法に䜿甚され
る䞀般匏H2N−−NH2で瀺される芳銙族ゞアミ
ン成分ずしおは、䟋えば、䞀般匏
【匏】たたは
【匏】 ただし、前蚘䞀般匏においお、R1たたはR2は、
氎玠、䜎玚アルキル、䜎玚アルコキシなどの眮換
基であり、は−−、−−、−CO−、−SO2
−、−SO2−、−CH2−、−CH32−などの二䟡
の基であるで瀺される芳銙族ゞアミン化合物が
奜たしい。 䞀般匏
【匏】で瀺され る芳銙族ゞアミン化合物ずしおは、䟋えば、・
4′−ゞアミノゞプニル゚ヌテル以䞋、DADE
ず略蚘するこずもある、・3′−ゞメチル−
・4′−ゞアミノゞプニル゚ヌテル、・3′−
ゞメトキシ−・4′−ゞアミノゞプニル゚ヌテ
ル、・3′−ゞアミノゞプニル゚ヌテル、・
4′−ゞアミノゞプニル゚ヌテルなどのゞプニ
ル゚ヌテル化合物、・4′−ゞアミノゞプニル
チオ゚ヌテル、・3′−ゞメチル−・4′−ゞア
ミノゞプニルチオ゚ヌテル、・3′−ゞメトキ
シ−・4′−ゞアミノゞプニルチオ゚ヌテル、
・3′−ゞアミノゞプニル゚ヌテルなどのゞフ
゚ニルチオ゚ヌテル化合物、・4′−ゞアミノベ
ンゟプノン、・3′−ゞメチル−・4′−ゞア
ミノベンゟプノンなどのベンゟプノン化合
物、・3′−ゞアミノゞプニルメタン、・
4′−ゞアミノゞプニルメタン以䞋、DADMず
略蚘するこずもある、・3′−ゞメトキシ−
・4′−ゞアミノゞプニルメタン、・3′−ゞ
メチル−・4′−ゞアミノゞプニルメタンなど
ゞプニルメタン化合物、・−ビス−ア
ミノプニルプロパン、・−ビス−ア
ミノプニルプロパンなどのビスプニルプロ
パン化合物、・4′−ゞアミノプニルスルホキ
シド、・4′−ゞアミノゞプニルスルホン、
・3′−ゞアミノゞプニルスルホンなどを挙げ
るこずができる。 たた、䞀般匏
【匏】で 瀺される芳銙族ゞアミン化合物ずしおは、䟋え
ば、ベンチゞン、・3′−ゞメチルベンチゞン、
・3′−ゞメトキシベンチゞンオル゜ヌゞアニ
シゞン、・3′−ゞアミノビプニルなどを挙
げるこずができる。 前蚘の䞀般匏H2N−−NH2で瀺される芳銙族
ゞアミン成分ずしおは、䞀般匏
【匏】で瀺されるゞアミノピリゞ ンであ぀おもよく、䟋えば、・−ゞアミノピ
リゞン、・−ゞアミノピリゞン、・−ゞ
アミノピリゞン、・−ゞアミノピリゞンなど
を挙げるこずができる。 芳銙族ゞアミン成分ずしおは、特に・4′−ゞ
アミノゞプニル゚ヌテルDADE、・4′−
ゞアミノゞプニルチオ゚ヌテル、・4′−ゞア
ミノゞプニルメタンDADM、・3′−ゞメ
トキシベンチゞンオル゜−ゞアニシゞン、以䞋
−DANず略蚘するこずもある、・3′−ゞメ
チルベンチゞンからなる矀から遞ばれた皮たた
は皮以䞊の芳銙族ゞアミンが奜適である。 たた、芳銙族ゞアミンは、䞊蚘DADE、
DADMO−DANなどず他の芳銙族ゞアミンずの
混合物であ぀おもよい。 この発明の方法で、芳銙族ポリむミドが溶解し
おいる混合溶媒は、(a) 前蚘ポリむミドを重量
以䞊溶解可胜であるプノヌル系化合物からな
るベヌス溶媒100重量郚ず、(b) 前蚘ポリむミド
を重量以䞊溶解せず、しかも補膜時の加熱也
燥におけるドヌプ液の薄膜からの蒞発速床が前蚘
ベヌス溶媒より遅い芳銙族系溶媒からなる添加溶
媒〜150重量郚ずの均䞀な混合溶媒である。 前蚘のプノヌル系化合物は、前述の芳銙族ポ
リむミド粉末を、重量以䞊、奜たしくは重
量以䞊溶解するこずができるものであればよ
く、特に融点が玄100℃以䞋、特に奜たしくは80
℃以䞋であり、沞点が垞圧で玄300℃以䞋、特に
奜たしくは280℃以䞋であるプノヌル系化合物
が奜たしく、䟋えば、プノヌル、−、−
−クレゟヌル、・−キシレノヌル、カルバク
ロヌル、チモヌルなどの䞀䟡のプノヌル、ある
いはその䞀䟡のプノヌルのベンれン栞の氎玠を
ハロゲンで眮換したハロゲン化プノヌルを奜適
に挙げるこずもできる。 特に、ハロゲン化プノヌルずしおは、䞀般匏
【匏】たたは
【匏】 ただし、R3たたはR4は、氎玠たたは炭玠数〜
のアルキル基であり、はハロゲン原子であ
るで瀺され、しかもその融点が玄100℃以䞋で
あり、その沞点が垞圧で玄300℃以䞋であるハロ
ゲン化プノヌルが、ビプニルテトラカルボン
酞系の芳銙族ポリむミドを溶解する性胜が優れお
いるので、最適である。 この発明の方法においお、ハロゲン化プノヌ
ルずしお、䟋えば、−クロルプノヌル、−
クロルプノヌルパラヌクロルプノヌル、
PCPず略蚘するこずもある、−ブロムプノ
ヌル、−ブロムプノヌル、−クロル−−
ヒドロキントル゚ン、−クロル−−ヒドロキ
シトル゚ン、−クロル−−ヒドロキシトル゚
ン、−クロル−−ヒドロキシトル゚ン、−
ブロム−−ヒドロキシトル゚ン、−ブロム−
−ヒドロキシトル゚ン、−ブロム−−ヒド
ロキシトル゚ン、−ブロム−−ヒドロキシト
ル゚ン、−ブロム−−ヒドロキシトル゚ンな
どを挙げるこずができる。 混合溶媒の添加溶媒である芳銙族系溶媒は、前
述のポリむミド粉末を重量以䞊、奜たしくは
1.5重量以䞊溶解せず、しかも補膜時の加熱也
燥におけるドヌプ液の薄膜からの蒞発速床が前蚘
ベヌス溶媒より遅い芳銙族系溶媒であるが、ベヌ
ス溶媒ず互に盞溶性であるこずが必芁であるこず
は圓然のこずである。 その芳銙族系溶媒ずしおは、䟋えば、前述のベ
ヌス溶媒の沞点より少くずも℃、時に奜たしく
は10〜200℃高い沞点を有し、前蚘ポリむミド䞍
溶性の芳銙族系溶媒であればよいが、さらに、ベ
ヌス溶媒の沞点より℃高い沞点〜ベヌス溶媒の
沞点より30℃䜎い沞点の範囲の沞点を有するもの
であ぀おも、ベヌス溶媒にむオン化ポテンシダル
よりも0.1ev以䞊、時に奜たしくは0.2ev以䞊䜎い
むオン化ポテンシダルを有するものであ぀お、前
蚘ポリむミド䞍溶性の芳銙族系溶媒であればよい
のである。 その芳銙族系溶媒ずしおは、䟋えば、プナン
スレン、−たたは−タヌプニル、α−クロ
ルナフタリン、トリプニルフオスフむン、トリ
プニルアミン、アニリン、アントラセン、ナフ
タリン、−メチルナフタリン、−メチルナフ
タリン、・−ベンズアントラセンなどを挙げ
るこずができる。 この発明の方法では、混合溶媒は、ベヌス溶媒
プノヌル系溶媒100重量郚ず、前述の添加溶
媒〜150重量郚、特に奜たしくは10〜140重量郹
ずの混合溶媒である。 この発明の方法で䜿甚するポリむミド組成物
は、前述の芳銙族ポリむミドが、ベヌス溶媒ず添
加溶媒ずの混合溶媒に、ポリマヌ濃床が〜30重
量奜たしくは〜25重量ずなるように均䞀に
溶解しおいる溶液組成物である。 前蚘のポリむミド組成物は、公知のどのような
方法で調補されおいおもよいが、䟋えば、ポリむ
ミドの補造においお述べたように、ビプニルテ
トラカルボン酞成分ず芳銙族ゞアミン成分ずを、
プノヌル系化合物の溶解液䞭で120〜400℃で
段で重合およびむミド化しお、芳銙族ポリむミド
のプノヌル系溶媒の溶液を補造し、これに必芁
な量の添加溶媒を加えお、ポリむミド組成物を調
補するこずができ、あるいは、前述のポリむミド
の補造においお述べたように、たずポリむミドの
粉末を補造し単離しおおき、次に、前述のベヌス
溶媒ず添加溶媒ずの混合溶媒に、そのポリむミド
の粉末を溶解するこずによ぀お、ポリむミド組成
物を調補するこずができる。 この発明の方法で䜿甚するポリむミド組成物
は、補膜のためにドヌプ液の薄膜を圢成する際の
補膜枩床においお、その回転粘床が、少なくずも
500センチポアズ、特に奜たしくは10〜10000ポア
ズ皋床であるこずが奜たしく、たた、組成物党䜓
ずしお均䞀な液状の組成物であ぀お、補膜甚のド
ヌプ液ずしお䜿甚できるものである。 この発明の方法では、前述のポリむミド組成物
からなるドヌプ液を䜿甚し、そのドヌプ液で薄膜
を圢成し、その薄膜を玄50〜400℃で加熱也燥し
お各溶媒を埐々に陀去しお、ポリむミド倚孔質膜
を補造するのである。 この発明においお、ドヌプ液は、補膜に先立぀
お、20〜180℃、特に奜たしくは50〜150℃の枩床
で、ろ過および脱泡しお䜿甚するこずが奜適であ
る。 たた、この発明の方法においお、補膜の具䜓的
な方法ずしおは、各皮のポリマヌ溶液組成物のド
ヌプ液から也匏法で薄膜を圢成するこずができる
公知のどのような補膜方法でもよいが、䟋えば、
前述のポリむミド組成物のドヌプ液を、ろ過およ
び脱泡した埌、玄50〜180℃、特に奜たしくは60
〜150℃の枩床で、平滑面を有する基材の衚面䞊
に塗垃たたは流延し、ドヌプ液の薄膜を圢成し、
その基材䞊の薄膜から各溶媒を埐々に陀去するた
めに、その薄膜を、玄50〜400℃、特に奜たしく
は60〜350℃、さらに奜たしくは80〜300℃で加熱
也燥し、薄膜を固化し、最埌に、固化した薄膜を
基材から匕き剥すこずによ぀お、ポリむミド倚孔
質膜を補造するこずができるのである。 前蚘の加熱也燥は、ドヌプ液の薄膜から各溶媒
を埐々に陀去するためであるので、比范的䜎枩床
䟋えば50〜200℃、特に60〜150℃で長時間を
かけお行えばよいのであるが、生産性をよくする
ためには、段階的に也燥枩床を、50〜400℃の間
で、䞊昇しおいくこずが奜たしく、䟋えば、最初
の第段の也燥で玄50〜150℃特に奜たしくは60
〜120℃の枩床範囲で也燥し、次いで第段の也
燥枩床より玄30〜80℃高い枩床で第段の也燥を
行い、さらに第段の也燥枩床より30〜80℃高い
枩床で第段の也燥を行い、必芁であればさらに
高枩での也燥を行うこずができる。前述の倚段の
也燥においお、各段階の加熱也燥時間は、ドヌプ
液のポリマヌ、溶媒の皮類、ドヌプ液のポリマヌ
濃床、各也燥枩床などによ぀お倉わるものである
ので、各具䜓䟋で適宜決めればよい。 前述の補膜に䜿甚する平滑面を有する基材ずし
おは、䟋えば、ガラス板、衚面平滑な銅板、鋌板
たたは適圓な金属メツキが斜された金属板、ある
いは耐熱性で剥離性のある暹脂板など、さらに、
衚面平滑な金属ロヌルたたはベルトなどを挙げる
こずができる。 この発明の方法においお、吐出時の回転粘床
が、玄500〜100000センチポアズであるポリむミ
ド組成物からなるドヌプ液を、玄50〜150℃の枩
床で、玄0.1〜mmの間隔の空隙郚を有するスリ
ツトの間から吐出し抌し出し金属ロヌルたた
はベルト回動しおいる䞊に受けお、その金属
ロヌルたたはベルト䞊に蚭けたドクタヌナむフお
よびドヌプ液の自然流延によ぀お均䞀な厚さの薄
膜を圢成し、次いで、回動する金属ロヌルたたは
ベルト䞊の薄膜に加熱䞍掻性気䜓を吹き぀ける
か、電熱線を照射しお、玄30〜400℃で加熱也燥
しお溶媒を埐々に陀去し、薄膜をポリむミド膜ず
しお固化し、さらに固化したポリむミド膜を金属
ロヌルたたはベルトから匕き剥すこずによ぀お、
連続的にポリむミド倚孔質膜を也匏法で補造する
こずができる。なお、前述のようにしお補造した
ポリむミド倚孔質膜は、残留する溶媒を陀去する
ために、メタノヌル、アセトンなどの溶媒で充分
に掗浄するこずが奜たしい。 この発明の方法は、芳銙族ポリむミドずしお、
前述のビプニルテトラカルボン酞成分ず芳銙族
ゞアミンずから埗られるプノヌル系溶媒に可溶
性であ぀おしかも耐熱性、耐薬品性である特定の
芳銙族ポリむミドを䜿甚し、そのドヌプ液甚の溶
媒ずしお、前蚘ポリむミドを溶解可胜なプノヌ
ル系溶媒からなるベヌス溶媒ず、前蚘ポリむミド
の䞍溶性芳銙族系溶媒からなる添加溶媒ずの特定
の混合溶媒を䜿甚しお、ポリむミド組成物を調補
しお、ドヌプ液ずしお、䜿甚しお也匏法でポリむ
ミド倚孔質膜を、始めお補造するこずができたも
のである。 この発明の方法では、ポリむミド組成物のドヌ
プ液から、ドヌプ液の薄膜を溶液流延法によ぀お
補膜し、その薄膜から各溶媒を加熱也燥によ぀お
埐々に陀去するずいう簡単な工皋でポリむミド倚
孔質膜を補造するこずができ、工業的に安定しお
連続的に倚孔質膜を補造できる有益な方法であ
る。 この発明の方法によ぀お補造されるポリむミド
倚孔質膜は、極めお高い耐熱性を有しおおり、玄
50℃〜350℃で䜿甚するこずができるず共に耐薬
品性、機械的匷床が優れおおり、しかも、ガスた
たは液の透過速床も充分に高いガスたたは溶液の
分離膜ずしお䜿甚できる倚孔質膜である。 したが぀お、この発明のポリむミド倚孔質膜
は、皮々の混合ガスの分離、濃瞮に䜿甚するこず
ができ、䟋えば、氎玠ず䞀酞化炭玠ずの混合ガス
の分離、濃瞮に奜適に䜿甚するこずができる。 以䞋、実斜䟋および比范䟋を瀺す。 実斜䟋および比范䟋においお、ガス透過テスト
は、面積14.65cm2のステンレス補のセルにポリむ
ミド膜倚孔質膜などを蚭眮し、氎玠ガス、䞀
酞化炭玠ガス、Kgcm2に加圧しお垞枩で䟛絊
し、倚孔質膜などを透過しお来るガス容量を流量
蚈で枬定した。 䞊蚘のガス透過テストの結果は、次匏で瀺すガ
ス透過床の算出匏に埓぀お算出されたガス
透過床で瀺した。 ガス透過床透過ガス量膜面積×透過時間×圧力差cm3cm2・・cm 実斜䟋 〜 撹拌機、窒玠ガス導入管の蚭けられたセパラブ
ルフラスコに、・3′・・4′−ビプニルテト
ラカルボン酞二無氎物−BPDA40ミリモ
ル、・4′−ゞアミノゞプニル゚ヌテル
DADE40ミリモル、−クロルプノヌル178
を入れお、窒玠ガス流通を行いながら、撹拌し
ながら、180℃の反応枩床にたで玄時間で昇枩
し、さらに、その枩床で時間、撹拌䞋に重合反
応を続けた埌、垞枩近くたで冷华した。 その重合反応液に、撹拌しながら塩化メチレン
およびメタノヌルを倚量加えおポリむミドを沈柱
させ、ろ別、掗浄し、也燥しお、ポリむミド粉末
を埗た。 このポリむミド粉末は、むミド化率が、赀倖線
吞収スペクトルで枬定した結果、95以䞊であ
り、察数粘床〔30℃、濃床0.5100ml溶媒パ
ラクロルプノヌル容量ずオル゜クロルプノ
ヌル容量ずの混合溶媒〕が2.18であ぀た。な
お、察数粘床は、次匏で算出した。 察数粘床自然察数溶液の粘床溶媒の粘床溶液
䞭のポリマヌ濃床 前蚘のポリむミド粉末10ずパラクロルプノ
ヌルPCP90ずを、撹拌機のあるセパラブル
フラスコに入れ、玄100℃たで加熱し、撹拌し
お、ポリむミドが均䞀に溶解されおいるポリむミ
ド溶液を調補し、さらに第衚に瀺す沞点ずむオ
ン化ポテンシダルずを有する芳銙族系溶媒を、第
衚に瀺す量添加しお、均䞀なポリむミド組成物
を調補し、そのポリむミド組成物を、ろ過および
脱泡しお、補膜甚のドヌプ液ずした。 前蚘のドヌプ液を、60℃でガラス板䞊に流延し
ドクタヌブレヌドで均䞀な厚さ0.2mmずし
お、ドヌプ液の薄膜を圢成し、その薄膜を100℃
で時間、加熱也燥しお溶媒を埐々に陀去しお、
箄10Όの厚さのポリむミド倚孔質膜を補造した。 このポリむミド倚孔質膜を䜿甚しお、ガス透過
テストを行぀た。その結果を第衚に瀺す。 比范䟋 〜 添加溶媒ずしお、第衚に瀺すものを第衚に
にす量䜿甚したほかは、実斜䟋ず同様にしお、
ポリむミド膜を補造した。そのポリむミド膜のガ
ス透過テストの結果を第衚に瀺す。
【衚】
【衚】 なお、実斜䟋および比范䟋においお、添加溶媒
ずしお䜿甚しお各芳銙族系溶媒は、単独では、こ
の実斜䟋および比范䟋で䜿甚した芳銙族ポリむミ
ド粉末むミド化率95以䞊、察数粘床
2.18を実質的に溶解しない溶媒である。 実斜䟋および比范䟋の結果によれば、添加溶媒
ずしお、ベヌス溶媒の沞点よりはるかに高い沞点
を有する芳銙族系溶媒を䜿甚した堎合には、実斜
䟋、およびに瀺すように、優れた性胜のポ
リむミド倚孔質膜が埗られ、たた、添加溶媒ずし
おベヌス溶媒の沞点よりわずかに䜎い沞点を有す
る芳銙族系溶媒を䜿甚した堎合でも、実斜䟋に
瀺すように、その溶媒のむオン化ポテンシダル
が、ベヌス溶媒よりもかなり小さいず、補膜時の
加熱也燥においおベヌス溶媒より遅く添加溶媒が
蒞発するので、優れた性胜のポリむミド倚孔質膜
が埗られるのである。 ずころが、添加溶媒ずしお、ベヌス溶媒の沞点
よりかなり䜎い沞点を有する芳銙族系溶媒を䜿甚
した堎合には、比范䟋およびに瀺すように、
補膜時の加熱也燥においお、ベヌス溶媒より先に
添加溶媒が蒞発しお陀去しおしたうので、ガス透
過速床の倧きなポリむミド倚孔質膜は埗られず、
この比范䟋で埗られたポリむミド膜は、ガス透過
テストの結果から、むしろ均質膜に盞圓する枬定
倀を瀺すものである。 さらに、添加溶媒ずしお、ベヌス溶媒の沞点よ
りわずかに䜎い芳銙族系溶媒を䜿甚しおも、比范
䟋に瀺すように、その溶媒のむオン化ポテンシ
ダルが、ベヌス溶媒よりもかなり倧きいず、補膜
時の加熱也燥においおベヌス溶媒より早くたたは
ベヌス溶媒ず同時に添加溶媒が蒞発しお陀去され
おしたうので、ガス透過速床の倧きなポリむミド
倚孔質膜が埗られず、この比范䟋で埗られたポリ
むミド膜は、むしろ均質膜の性胜を有するもので
ある。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  䞀般匏 ただし、は、芳銙族ゞアミンのアミノ基を陀
    いた二䟡の芳銙族残基であるで瀺される反埩単
    䜍を90以䞊有する芳銙族ポリむミドからなる分
    離甚のポリむミド倚孔質膜。  䞀般匏 ただし、は、芳銙族ゞアミンのアミノ基を陀
    いた二䟡の芳銙族残基であるで瀺される反埩単
    䜍を90以䞊有する芳銙族ポリむミドが、 (a) 前蚘ポリむミドを重量以䞊溶解可胜であ
    るプノヌル系化合物からなるベヌス溶媒100
    重量郚ず、 (b) 前蚘ポリむミドを重量以䞊溶解せず、し
    かも補膜時の加熱也燥におけるドヌプ液の薄膜
    からの蒞発速床が前蚘ベヌス溶媒より遅い芳銙
    族系溶媒からなる添加溶媒〜150重量郚ずの
    均䞀な混合溶媒に、 ポリマヌ濃床玄〜30重量ずなるように均
    䞀に溶解しおいるポリむミド組成物をドヌプ液
    ずしお䜿甚し、 そのドヌプ液で薄膜を圢成し、 その薄膜を玄50〜400℃で加熱也燥しお各溶媒
    を陀々に陀去するこずを特城ずするポリむミド倚
    孔質膜の補造方法。
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GB08210506A GB2101137B (en) 1981-04-14 1982-04-08 Producing porous aromatic imide polymer membranes
DE19823213528 DE3213528A1 (de) 1981-04-14 1982-04-10 Verfahren zur herstellung einer poroesen aromatischen imidpolymer-membran und nach diesem verfahren hergestellte imidpolymer-membran
US06/367,954 US4512893A (en) 1981-04-14 1982-04-13 Porous aromatic imide polymer membrane and a process for its manufacture

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CN108352500A (zh) * 2015-10-30 2018-07-31 尀尌吉可株匏䌚瀟 蓄电元件电极甚聚酰亚胺溶液、蓄电元件电极的制造方法和蓄电元件电极

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