JPS62160723A

JPS62160723A - アライメント装置

Info

Publication number: JPS62160723A
Application number: JP61001983A
Authority: JP
Inventors: Takechika Nishi; 健爾西
Original assignee: Nippon Kogaku KK
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1986-01-10
Filing date: 1986-01-10
Publication date: 1987-07-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は、例えば半導体ウェハ上のレジスト層などに対
し必要なパターンの焼き付けを行う露光装置にかかるも
のであり、特にそのアライメント装置の改良に関するも
のである。

【発明の背景〕

従来の露光装置では、一般に半導体ウェハのうち露光さ
れるべき面、すなわちレジス）ＩＮが形成されて光が照
射される面側にアライメント用のマークが形成されてい
る。そして、このマークと、レチクルないしマスクに形
成されたアライメントマークとを用いて半導体ウェハと
レチクル（ないしマスク）との位置合わせが行なわれる
。

しかしながら、かかるアライメント方式では、ウェハ表
面に塗布形成されたレジスト層を通してアライメントマ
ークを観察することとなるため、明瞭に観察することが
困難となり、結果的にアライメント誤差が増大すること
となる。特に近年においては、集積回路の集積度の向上
に伴って増々パターンが微細化する傾向にあり、かかる
アライメント誤差の低減が要望されるに至っている。

また、かかるアライメントとして、ダイバイダイアライ
メントを行う場合には、レチクル上にアライメント光学
系等の装置を設けなければならなあるいはダイバイダイ
用のマークを一定の位置に定める必要がある。

他方、かかるアライメント用の装置を分離すると、各ア
ライメント系間のマツチングを行う必要が生ずる。

〔発明の目的〕

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、アライ
メント精度の向上を図り、アライメント系間のマツチン
グを容易にとることができるとともに、マーク位置の選
択の自由度が高いアライメント装置を提供することをそ
の目的とするものである。

〔発明の概要〕

本発明によれば、感光基板が載置される載置台は、２次
元的に移動可能であるとともに、アライメント光学系に
よって感光基板裏面が観察できるように構成されている
う例えば、感光基板裏面に形成されたアライメント用の
マークがアライメント光学系によって観察される。

載置台のうち、感光基板の載置部分以外の他の部分には
、光路長補正手段が設けられる。この光路長補正手段は
、アライメント光学系の蕪点位置を、はぼ感光基板の厚
さに対応する量だけ補正し、これによってアライメント
光学系により載置台上の感光基板表面上の転写像を観察
できるようになっている。この手段により、アライメン
ト光学系は、感光基板の表に形成される転写像（パター
ン又はマーク〕と感光基板の裏に形成されたマーク等の
いずれも観察できることとなる。

〔実施例〕

以下、添附図面を参照しながら本発明の実施例について
説明する。第１図（では本発明の実施例の全体構成が示
されている。この図において、露光対象となるパターン
が形成されたレチクルＲは、レチクルホルダ１に保持さ
れており、このレチクルホルダ１はコラム２によって適
宜位置に支持されている。レチクルＲにはアライメント
用のマークｓｘ、ｓｙ、ｓθが各々設けられており、ま
た、レチクルホルダ１は駆動部３によりコラム２に対し
て移動可能に構成されている。

次に、コラム２の下方には、投影レンズ４が配置されて
おり、この投影レンズ４のレチクルＲと共役となる光学
位置にウェハＷが配置されている。

このウェハＷは、ガラスプレート５上に配置されており
、更にガラスプレート５は、θテーブル６によって支持
されている。このθテーブル６は、回転中心６ａを中心
として微小回転可能に構成されており、この駆動はθテ
ーブル駆動部７によって行なわれ、回転角度はθ角度読
み取りエンコーダ８によって読み取られるようになって
いる。前述したガラスプレート５には、適宜位置に光路
長補正手段としてのガラスブロック５Ａが設けられてお
り、その表面には、基学マークＦＭが形成されている。

この部分については後から詳述する。

次に、θテーブル６は、２方向すなわち上下方向に微動
可能な２テーブル９上に配置されている。

この２テーブル９の移動は、２テ一ブル駆動部１１によ
り２方向移動案内ローラ１０の案内のもとに行なわれる
ようになっている。

次に、前述した２テーブル９は、２方向移動案内ローラ
１０を介してＸステージ１２上に配置されている。この
Ｙステージ１２は、図の紙面と垂直の方向に直進移動可
能となっており、その駆動はＹステージ駆動部１６によ
って行なわれるようになっている。

次に、Ｙステージ１２は、Ｘステージ１４上て設けられ
ている。このＸステージ１４は、図の左右方向すなわち
ｚ、ｙ方向と各々直交する方向にＸステージ駆動部１５
によって移動可能に構成されて′いる。このＸステージ
１４は、定盤ないしコラムペース１６上に配置されてい
る。

次に、このコラムペース１６の上面略中央には、ガラス
プレート５との間に投影レンズ４の方向に向かって対物
光学系１７が固定して設けられている。この対物光学系
１７は、ウェハＷの裏面に形成されたマークを検出する
ためのものである。更に、この対物光学系１７は、ウェ
ハＷがガラスプレート５上にないとキ、レチクルＲのマ
ークＳθ。

ｓｘ、ｓｙの投影像も観察できるように、投影レンズ４
の光軸ＡＸと同軸に配置されている。

そして、コラムベース１６の内側には−、レーザなどの
光源１８が側方に設けられており、その光はハーフミラ
−１９によって対物光学系１７内に進入するように構成
されている。また、コラムベース１６の底側には、対物
光学系１７及びハーフミラ−１９に対応してアライメン
トセンサ部２０θ。

２０Ｘ、２０Ｙが各々設けられている。これらのアライ
メントセンサ部２０θ、２０Ｘ、２０Ｙは、各々ウェハ
Ｗの裏面に形成されたマーク、又はレチクルＲのマーク
Ｓθ、ｓｘ、ｓｙの投影像を光電検出し、これらのマー
クと所定の検出中心とのずれを検出するためのものであ
る。これらのアライメント光学系は、いずれも定盤すな
わちコラムベース１６に固定されているため、ステージ
の振動等による影響を受は難い。このため、精度よくア
ライメントを行うことができる。

次に、前述した２ステージ９上の側部には移動鏡３０が
設けられており、他方、投影レンズ４の鏡筒下部には固
定鏡３１が固定されている。移動鏡６０にはミラー３２
及びビームスプリッタ３３を介して干渉計３４の光が入
射しており、固定鏡３１にはビームスプリッタ３３を介
して干渉計６４の光が入射している、すなわちレーザ光
の発生源を含む干渉計３４の光が移動鏡３０及び固定鏡
３１に各々入射しており、各々の反射光の干渉を利用し
てＹ、Ｘステージ１２．１４によるウェハＷの座標値が
計測されるようになっている。

次に、前述したアライメントセンサ部２０θ・２０Ｘ、
２０Ｙは、各々アライメント処理部４０に接続されてい
る。このアライメント処理部４０は、アライメントセン
サ部２０θ、２０Ｘ、２０Ｙからのアライメント信号に
基づいてウェハＷのθ、　Ｘ、　Ｙ方向の位置補正量を
決定するものである。

次に、上述した駆動部３・θテーブル駆動部７、角度読
取エンコーダ８．２テ一ブル駆動部１１、Ｙステージ駆
動部１３、Ｘステージ駆動部１５、干渉計６４及びアラ
イメント処理部４０はいずれも主制御装置５０に接続さ
れている。この主制御装置５０は、（ａｌ　　レチクルＲのアライメントの際の駆動部６の
制御、由）　ウェハＷのグローバルアライメントの際のθテー
ブル駆動部７、角度読取エンコーダ８、Ｙステージ駆動
部１６、Ｘステージ駆動部１５、干渉計６４による制御
、（Ｃ）１回の露光ショット毎のアライメント（所謂ダイ
・パイ・ダイアライメント）の際の２テ一ブル駆動部１
１、Ｙステージ駆動部１３、Ｘステージ駆動部１５、干
渉計６４、アライメント処理部４０による制御などを統括するものである。

第２図には、ウェハＷ上におけるレチクルＲ上のマーク
ｓｘ、ｓｙ、ｓθの投影像の一例が示されている。この
図において、内側の枠は小さなショットサイズＳＳを示
し、外側の枠は大きなショットサイズＬＳを表わす。な
お、ショットサイズは、露光すべき１つのパターンのサ
イズである。いずれもショット中心ないしレチクル中心
ＳＣを合わせて表わされている。

マーク像ｓｘｓ、ｓｙｓ、ｓθＳは、ショットせイズＳ
ＳにおけるレチクルＲのマークｓｘ、ｓｙ。

Ｓθの投影像であり、マーク像３ＸＬ、ＳＹＬ。

ＳＯＬは、ショットサイズＬ８におけるレチクルＲのマ
ークｓｘ、ｓｙ、ｓθの投影像である。この図における
ｘ−ｙ座標は、ウェハステージ上に２ける走り座標であ
る。

次に第３図を参照しながら、第１図で示したガラスプレ
ート５のガラスブロック５Ａと基準マークＦＭ（ブイデ
ューシャルマーク）について説明する。

ガラスブロック５Ａは、ガラスプレート５に設けられる
がその位置は、ウェハ載置面以外のところであり、この
ガラスブロック５Ａの表面高さは、ガラスプレート５上
に配置されたウェハＷの表面ないし露光面の高さにほぼ
一致している。基準マークＦＭは、かかるガラスブロッ
ク５Ａ上にクロム等の桐料で形成されている。

第３図において、ガラスブロック５Ａは円形の平面を有
しており、第２図に示したウェハＷの走り座標ｘ、ｙと
同一の座標に対応して２組の基準マークＦＭＸ、ＦＭｙ
が各々形成されている。基準マークＦＭｘは、ｙ方向に
延びた平行な２本の線から成っており、基準マークＦＭ
ｙは、Ｘ方向に延びた平行な２本の線から成っている。

尚、ガラスブロック５Ａは、不図示の焦点合わせ装置が
組入込まれている場合は、ガラスプレート５を上下動で
きるため、投影レンズ４の結像面と正確に一致させろこ
とができる。

次に、第４図を参照しながら、アライメントセンせ１２
０Ｘ、２０Ｙ、２０θの構成について詳細に説明する。

なおいずれも同様の構成であるので、アライメントセン
せ部２０Ｙを代表して説明する。

対物光学系１７の結像面ＦＰ、は、第１図に示すように
、ウェハＷの裏面と一致しており、この結像面ＦＰｏ上
の物体ないし空中像Ｐ、、　Ｐ、は対物光学系１７を介
することにより像Ｑｔ、Ｑｔにて結像する。

空中像Ｐ、、Ｐ、としては、ウェハＷの裏面に形成され
たマークあるいは第２図に示したマークＳＹＬ。

ｓｙｓ、ｓθＬ、ＳＯ３が各々対応する。これらの像Ｑ
、・Ｑ、は、光源５５Ａ、５５Ｂの光によって形成され
る。

光源５５Ａの光は、シャッタ５４Ａを介してレンズ５３
Ａに入射する。そして更に、ハーフミラ−５２Ａ及び第
１対物レンズ５１Ａを通過した後、ミラー５０人によっ
て光軸が対物光学系１７の方向に曲折されるようになっ
ている。曲折された光は、対物光学系１７を透過後、結
像面ＦＰ、にある物体ないし空中像Ｐ、によって反射さ
れ、再び対物光学系１７を透過後、ミラー５０Ａに入射
する。

そしてミラー５ＤＡにより光軸が曲折されて第１対物レ
ンズ５１Ａを通過し、ハーフミラ−５２Ａにより反射さ
れる。反射された光は、窓ＡＰＹを有スルアパーチャプ
レート５７Ａ及び結像レンズ５８Ａを各々通過してテレ
ビカメラ５９ＡＫ：入射するようになっている。これら
のうち、ミラー５０Ａと第１対物レンズ５１Ａとは、全
体が一体として矢印ＰＡＹの方向にアライメント時を除
いて移動可能となっている。これは、第２図に示したシ
ョットサイズＬＳ、８８の変更に伴って行なわれろ操作
である。光源５５Ａは、第１図の光源１８に対応するも
のである。また、アパーチャプレート５７Ａの窓ＡＰＹ
は、アライメントセンチ部２０Ｙ　　の検出中心を規定
するものである。この窓ＡＰＹの位置と、物体Ｐ、の位
置と、像への位置はいずれも共役となっており、また、
窓ＡＰＹとテレビカメラ５９Ａの受光面の位置も共役と
なっている、以上の各部により、アライメントセンサ部２０Ｙが構成
されている。アライメントセンサ部２０Ｘ。

２０θについても同様子あり、第４図には、アライメン
トセンサ部２０θの各構成要素のうち、矢印へ〇の方向
に一体に移動するミラー５０Ｂと第１対物レンズ５１Ｂ
、シャッタ５４Ｂ、光源５５Ｂ１窓ＡＰθを有するアパ
ーチャプレート５７Ｂ及びテレビカメラ５９Ｂが各々示
されている。

次に第５図を参照しながら、第４図において説明した結
像面ＦＰ、におけるマークの配置例について説明する。

この図は、ウェハＷをガラスプレート５上から除いてレ
チクルＲ上のショットせイズＬＳのマークＳＸ、ＳＹ、
Ｓθを投影したものである。

第５図において、ウェハステージの走り座標に対応する
ｘｙ座標系の中心は、対物光学系１７の光軸ＡＸと一致
している。すなわち、ｘｙ座標系は、対物光学系１７に
固定されており、ガラスプレート５あるいはウェハＷの
移動があってもそれとともに原点が移動するものではな
い。

対物光学系１７の視野であるイメージフィールドＩＦ内
には、第２図において説明したように、レチクルＲのマ
ークｓｘ、ｓｙ、ｓθに対応する像ＳＸＬ、ＳＹＬ、Ｓ
θＬがあり、アライメントが良好に行なわれている場合
には、これらの像ＳＸＬ。

ＳＹＬ、　ＳθＬがアライメントセンサ部２０Ｘ、２０
Ｙ。

２０θの検出窓ＡＰＸ、ＡＰＹ、ＡＰθの中心にくろ。

そして、ステージ１２．１４等を移動させると、基醜マ
ークのうちショットサイズＬＳに対応する基準マークＦ
ＭｘＬ、ＦＭｙＬが各々像ＳＸＬ。

ＳＹＬを中心に挾むように配置することができる。

なお、基準マークＦＭｘＳ、ＦＭｙＳはショットせイズ
ＳＳに対応するものである１、次に、上述した図面の他に＠６図ないし第９図を参照し
ながら上記実施例の全体的動作について説明する。

なお、本実施例においては、レチクルＲのマークｓｘ、
ｓｙ、ｓθの形状が第６図（Ａｌの如くであり、また、
ウェハＷの裏面に形成されるダイバイダイアライメント
用のマークが同図（ＢＳの如くであり、更に、基準マー
クＦＭが同図（Ｃ１に示すような形状であるとする。ま
た、これらのマークを第６図（にないしｆｃｌの矢印方
向にセンサ手段によって走査したときのセンナ出力は、
同図ＣＤＩ　、　（Ｅｌ　、　ＩＦ＋に示す如くである
。第６図■）はレチクルＲを上方からの照明光で照射し
、マークｓｘ、ｓｙ、ｓθの投影像をアライメントセン
サで光電検出した場合の波形である。第６図（Ｆ’ｌも
投影レンズを介した光で基準マークＦＭを照明した場合
の波形である。いずれの場合も、マーク部分は遮光性な
のでセンナ出力は低レベルになる。従ってアライメント
センサ側からの照明光によってレチクルＲ上のマークＳ
Ｘ、ＳＹ、Ｓθや基準マーク１１’Ｍを照明する場合は
マーク部分での反射光がアライメントセンサに戻ってく
るため、第６図の）・ｆＦｌの波形は低レベルと高レベ
ルとが反転する。一方、ウエノ１裏面のマーク検出には
アライメントセンサ側からの照明光のみが使われるので
、第６図ｆＥｌのようにマークの両エツジ端では光が散
乱され、他の部分では正反射光が戻ってくるため、エツ
ジでボトムになるような波形になる。また第６図（Ｄｌ
のような波形でも、微分処理を行なえば、第６図（εの
ような波形が得られるので、電気的な処理回路は単純に
できる。

まず、第７図に示すようｆ、ステージ１２゜１子蝕動部
１３．１５により駆動し、ガラスプレート５のガラスブ
ロック５Ａが対物光学系１７のイメージフィールドＩＦ
（第５図参照）内に入るようにする。

次に、レチクルＲを照明光ＬＢ又は裏面を照射する照明
光（５５Ａ、５５Ｂ）により照明し、そのパターン、特
にマークｓｘ、ｓｙ、ｓθを投影レンズを介して投影す
る。このとき、駆動部６によってレチクルＲを移動させ
るか、あるいはステージ１２．１４を移動して、第５図
に示すように、レチクルＲのマークｓｘ、ｓｙが基準マ
ークＳＸ。

３Ｙが基準マークｐ’Ｍｘ、ＦＭｙ内に入るようにする
。

前述したように、投影レンズ４の焦点位置すなわち共役
となる位置は、ガラスプレート５上に載置されたウェハ
Ｗの上面位置である。従ってマークｓｘ、ｓｙは、ガラ
スブロック５Ａの表面上で結像する。

他方、対物光学系１７の共役位置は、ウニ／％　Ｗの裏
面位置であるが、ガラスブロック５への部分は、厚さが
異なっている関係でその表面が共役位置となる。この位
置は、ウェハＷの表面位置とほぼ一致しているため、マ
ークｓｘ、ｓｙの像ＳＸＩ、。

ＳＹＬと基準マークＦ’Ｍｘ、ＦＭｙとが同時に対物光
学系において観察可能となる。

ここで、マークＳＹを例として説明すると、その露光照
明系による像ＳＹＬが基準マークＦ’Ｍｙの間に形成さ
れることとなる。そこで、アライメントセンサ部分２０
Ｙにより検出窓ＡＰＹを走査すると、第９図（Ａ）に示
すような信号が得られる。

この図の両端のボトムは基準マークＦＭｙのものであり
、中間にあるボトムは像ＳＹＬのものである。この信号
から基準マークＦＭＹの中心と像ＳＹＬの中心とのずれ
童Δａを求めることができる。このずれ童Δａは基準マ
ークＦＭＹ　とし千クルＲのマークＳＹのずれ量に対応
する。また同図において、ずれ蓋ΔｂはレチクルＲのマ
ークＳＹとアライメントセンサ部２０Ｙのずれ量である
。

次に、アライメントセンサ部２０Ｙのシャッタ５４Ａ（
第４図参照）を開いて光源５５Ａにより下方から照明を
行うと、アライメントセンせ部２０Ｙの信号は、Ｗｊ９
図（Ｂ）に示す如くとなる。この場合は反射光であるか
ら、同図の両端のピークは基準マークＦＭＹのものであ
り、中間のピークはマークＳＹのものである。この信号
も同一の検出窓ＡＰＹによって得たものであるから、左
右いずれかの基準マークＦＭＹのピークを＠９図（Ａｌ
のものと比較すると、照明系のテレセン性、の誤差によ
るずれ量ΔＣを求めることができる。

以上のようにして求められたずれ量ないしオフセット量
Δａ、Δｂ、ΔＣの値に基づいて、対物光学系１７に対
するレチクルＲの正確な位置、すなわち対物光学系１７
を中心とする座標ｘ、ｙ中におけろレチクルＲの位置を
知ることが可能となる。

これらのデータは、アライメント処理部４０から主制御
装置５０に送られる。

次に、ウェハＷは、まずその裏面側にレジストが塗布さ
れ、レチクルＲのマークｓｘ、ｓｙ、ｓθが各ショット
毎に順次複数焼きつけられ、周知の方法で凹凸のマーク
が形成される。そしてこの裏面側に対するマーク形成の
後、ウェハＷはその表面側か投影レンズ４に対向するよ
うに、ガラスプレート５上に載置される。

そして、第８図に示すように、光源１８（又は５５Ａ、
５５Ｂ等）による照明に基づいてアライメントが行なわ
れるとともに、レチクルＲのパターンの焼き付けが行な
われる。このときのアライメントにおいてアライメント
センせ部２０Ｙの検出窓ＡＰＹの中心と、対象となるシ
ョットのアライメントマークＳＹの中心とのずれ蓋Δｄ
が第９図（Ｏに示すように求められ、同様にしてアライ
メント処理部４０から主制御装置５０に転送される。

これらのオフセット量Δａ、Δｂ、ΔＣ１Δｄを用いて
上記パターン焼付は前のアライメントが行なわれ、アラ
イメント位置が最終的に決定されることとなる、次に、第１０図及び第１１図を参照しながら、具体的な
アライメント位置の算出例について説明する。なお、こ
の例では、レチクルＲのマークＳθに対しても対応する
基準マークがガラスブロック５Ａに設けられている場合
を示す。

第１０図には、レチクルＲを上方より照明したときに生
じる第９図ＩＡＩに対応する信号波形がレチクルＲのマ
ークｓｘ、ｓｙ、ｓθに対して各々示されている。各ア
ライメントセンせ部２０Ｘ、２０Ｙ・２０θの検出窓、
ＡＰＸ、ＡＰＹ、ＡＰθ（第５図参照）の一方の端部か
ら基訊マーク中心までの距離を各々ＤＭＸ、ＤＭＹ、Ｄ
Ｍθとし、マークＳＸ。

ｓｙ、ｓθの像ＳＸＬ、ＳＹＬ、ＳθＬの中心までの距
離を各々ＲＸ、ＲＹ、Ｉ’ｔθとする。また、距離ＤＭ
Ｘ、ＤＭＹ、ＤＭθに対し、第９図（８１で説明した光
源１８（第１図参照）又は光源５５Ａ・５５Ｂ（第４図
参照）による自己照明によって得られた値を、ＳＤＭＸ
、ＳＤＭＹ、ＳＤＭθと表現する。

次に、第１１図（んないしｔｃ）Ｋ示すように、ダイバ
ダイアライメント時における検出ｆｉＡＰＸ・ＡＰＹ、
ＡＰθの一方の端部からマークｓｘ、ｓｙ。

Ｓθに対応するウェハＷ裏面のマーク中心までの距離を
各々ＤＸ・ＤＹ、Ｄθとする。

以上の場合において、各ｘ、ｙ、θのマーク検出におけ
るオフセットｔＸｏｆｆ、Ｙｏｆｆ・Ｄｏｆｆは、Ｘｏ
ｆｆ＝ＤＸ−ＲＸ−（ＳＤＭＸ−ＤＭＸ　）　　・・・
・・・（１）Ｙ　ｏ　ｆ　ｆ　＝ＤＹ−ＲＹ　−（Ｓ　
ＤＭＹ−ＤＭＹ　）　　・・・・・・（２）θｏｆｆ＝
Ｄθ−Ｒθ−（ＳＤＭθ−ＤＭθ）−ＹＯＦＦＳＥＴ・
・・・・・（３）で表わされる。

以上の例では、アライメントセンサ部２０Ｘ。

２０Ｙ、２０θの検出窓を基準としてオフセット量を求
めているが、例えば基準マークＦＭに対するオフセット
量を求めるようにしてもよい。

このように、ガラスブロック５Ａを利用することにより
、対物光学系１７は、ウェハＷの裏面に形成されるマー
クと、表面に投影されるレチクルＲのマークの双方を観
察することが可能となり、これによって上述したオフセ
ット量を求めろことができる。そして、かかるオフセッ
ト量の補正をステップ・アンド・リピート方式のアライ
メント時に行うことにより、ウェハＷの裏面のマークに
よるアライメントに尾づいて表面の対応位置に良好にパ
ターンの投影、転写を行うことができる。

なお、本発明は何ら上記実施例に限定されるものではな
く、例えばレチクルのマーク形状、基準マークの形状等
は任意に変更してよい。

また第４図に示したアライメント光学系内にレンズ素子
等を光軸方向に移動させる自動焦点合わせ機構を組み込
んでおくと、さらに好都合である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によるアライメント装置に
よれば、アライメント光学系が所定のベースに対して固
定されており、このアライメント使用する場合に生ずる
オフセットがなく、理想的なオフアキシスアライメント
を行うことができζマタ、レチクルないしマスクの照明
系とアライメント装置の自己照明系とのテレセン性、両
者の光量差から生ずるオフセットを取り除くオフセット
補正機能によってかかるアライメントがより完全なもの
となる。

更に、レチクルに対するアライメント結果は、直接クエ
へのアライメントにオフセット値とじて考虜されるので
、方向ｘ、ｙ、θのオフセットを同時に観察するよう１
（すれば、レチクルアライメントに要する時間は、し千
クルＲの照−系及び自己照明系におけるサンプリング時
間と演算時間のみであるから、スループットの向−ヒを
図ることができろ。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の全体構成を示す構成図、第
２図はレチクル上のマーク例な示す説明図、第３図は基
準マークの例を示す説明図、第４図はアライメントセン
サ部の詳細な例を示す構、我図、第５図は対物光学系の
イメージフィールド内のマーク配置例を示す説明図、第
６図はアライメントセンせ部の動作と出力信号波形例を
示す説明図、第７図はファインアライメント時の動作を
示す説明図、第８図はグイバダイアライメント時の動作
を示す説明図、第９図はオフセット量を得ろための動作
を示す説明図、第１０図及び第１１図はオフセット量の
具体例を示すための説明図である。主要部分の符号の説明、４・・・投影レンズ、５・・・ガラスプレート、５Ａ・
・・ガラスブロック、６・・・θテーブル、１２・・・
Ｙステージ、１４・・・Ｘステージ、１６・・・コラム
ペース、１８・・・光源、２０Ｘ、２０Ｙ、２０θ・・
・アライメントセンサ部、４０・・・アライメント処理
部、５０・・・主ｆ％ＩＩ　ｍ　’Ｓ　ｅｔ　、　Ｒ・
・・レチクル、Ｗ・・・ウェハ、ＦＭ、・・基をマーク
。代理人　弁理士　　佐　藤　正　年（Ａ）　　　　　　　　　ＣＢ）ＣＤ）　　　　　　　　　　　（Ｅ）６しくＣノＣＦ）

Claims

【特許請求の範囲】　マスク上のパターンを感光基板の感光層に転写するに
際し、該感光基板の裏面に予め形成されたアライメント
用マークをアライメント光学系を用いて検出することに
より、前記マスクと感光基板との相対的位置関係の整合
を行うアライメント装置において、前記感光基板が、２次元的に移動可能に載置されるとと
もに、前記アライメント光学系によつて感光基板裏面を
観察可能とした載置台と、該載置台のうち、前記感光基板の載置部分以外の部分に
設けられ、かつ、前記アライメント光学系の焦点位置を
ほぼ感光基板の厚さに対応する量だけ補正して前記アラ
イメント光学系により載置台上の感光基板表面位置の転
写像を観察可能とする光路長補正手段とを具備したこと
を特徴とするアライメント装置。