JPS62160648A - 集束イオンビ−ム装置 - Google Patents
集束イオンビ−ム装置Info
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- JPS62160648A JPS62160648A JP61002784A JP278486A JPS62160648A JP S62160648 A JPS62160648 A JP S62160648A JP 61002784 A JP61002784 A JP 61002784A JP 278486 A JP278486 A JP 278486A JP S62160648 A JPS62160648 A JP S62160648A
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- JP
- Japan
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- lens
- voltage
- deflecting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は集束イオンビーム装置に関し、更に詳しくは加
速電圧を変化させても色収差、レンズ軸外収差が増加せ
ず、又、ビームの照射位置も変化しない集束イオンビー
ム装置に関する。
速電圧を変化させても色収差、レンズ軸外収差が増加せ
ず、又、ビームの照射位置も変化しない集束イオンビー
ム装置に関する。
（従来の技術）
集束イオンビーム装置は、原子をイオン化させ、それを
取出してビームとし、このイオンビームを物質に照射し
て物質の形や性質を変え、或いはその物質から発生する
２次イオンの質ｉ数を測定することによりその物質を分
析しようとする装置である。第６図は従来のイオンビー
ム装置の電気的構成例を示す図である。図において、１
はイオンビーム加速用の高圧を発生する加速電圧発生回
路、２はイオンを出射するエミッタ、３はエミッタ２か
らイオンを発生させる引出し電極、４は該引出し電極３
に電位を与える引出し電圧印加用電源である。加速電圧
発生回路１の出力電圧としては例えば２００ＫＶ程度が
用いられ、引出し電圧印加用電源４の供給電圧としては
、例えば５ＫＶ程度が用いられる。５はその内部を通過
するイオンビ−ムを加速する多段加速管、６は該加速管
５に多段の加速電圧を与える分圧器である。該分圧ｉ３
６としては、例えば高耐圧用の分圧抵抗が用いられる。
取出してビームとし、このイオンビームを物質に照射し
て物質の形や性質を変え、或いはその物質から発生する
２次イオンの質ｉ数を測定することによりその物質を分
析しようとする装置である。第６図は従来のイオンビー
ム装置の電気的構成例を示す図である。図において、１
はイオンビーム加速用の高圧を発生する加速電圧発生回
路、２はイオンを出射するエミッタ、３はエミッタ２か
らイオンを発生させる引出し電極、４は該引出し電極３
に電位を与える引出し電圧印加用電源である。加速電圧
発生回路１の出力電圧としては例えば２００ＫＶ程度が
用いられ、引出し電圧印加用電源４の供給電圧としては
、例えば５ＫＶ程度が用いられる。５はその内部を通過
するイオンビ−ムを加速する多段加速管、６は該加速管
５に多段の加速電圧を与える分圧器である。該分圧ｉ３
６としては、例えば高耐圧用の分圧抵抗が用いられる。
７は静電型レンズで構成されイオンビームを集束させる
コンデンサレンズ、８は通過するイオンのうち質量の違
うイオンを分離する質ａ分１ｌｆｆ器である。該質ｍ分
離器８は、通過するイオンに磁界と、該磁界に直交する
電界を印加し、不要イオンを除去するものである。即ち
、磁界中を通過するイオンは貿司の小さいイオンから順
に軌道が大きく曲げられる性質を利用し、更に必要なイ
オンビームを直進させるように１１場に直交する電界を
与えて、不要イオンを除去するものである。９は同じく
静電型レンズで構成された対物レンズ、１０はイオンビ
ームをＸ、Ｙ２方向に走査する偏向器、１１は最終的に
イオンビームが照射する試料である。２２は加速電圧発
生回路１の出力電圧が印加される分圧器で、分圧器６と
同様に例えば高圧用の分圧抵抗が用いられる。分圧器２
２には図に示すようなタップ△、Ｂ ｔｆｉ設けられて
おりタップＡの分圧電圧は対物レンズ９に、タップＢの
分圧電圧はコンデンサレンズ７に印加されている。
コンデンサレンズ、８は通過するイオンのうち質量の違
うイオンを分離する質ａ分１ｌｆｆ器である。該質ｍ分
離器８は、通過するイオンに磁界と、該磁界に直交する
電界を印加し、不要イオンを除去するものである。即ち
、磁界中を通過するイオンは貿司の小さいイオンから順
に軌道が大きく曲げられる性質を利用し、更に必要なイ
オンビームを直進させるように１１場に直交する電界を
与えて、不要イオンを除去するものである。９は同じく
静電型レンズで構成された対物レンズ、１０はイオンビ
ームをＸ、Ｙ２方向に走査する偏向器、１１は最終的に
イオンビームが照射する試料である。２２は加速電圧発
生回路１の出力電圧が印加される分圧器で、分圧器６と
同様に例えば高圧用の分圧抵抗が用いられる。分圧器２
２には図に示すようなタップ△、Ｂ ｔｆｉ設けられて
おりタップＡの分圧電圧は対物レンズ９に、タップＢの
分圧電圧はコンデンサレンズ７に印加されている。
このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の
通りである。
通りである。
エミッタ２において発生し、引出し電極３の間口部を通
過した高輝度イオンビームは、６段の加速管５で加速さ
せられる。多段加速管５を通過した高速イオンビームは
、コンデンサレンズ７で集束された後、質量分離器８で
不要イオンが除去され、対物レンズ９で再度集束され、
偏向器１０で所定方向に偏向させられた後試料（被照射
物）１１を照射する。この結果試料１１の表面にイオン
注入が行われる。
過した高輝度イオンビームは、６段の加速管５で加速さ
せられる。多段加速管５を通過した高速イオンビームは
、コンデンサレンズ７で集束された後、質量分離器８で
不要イオンが除去され、対物レンズ９で再度集束され、
偏向器１０で所定方向に偏向させられた後試料（被照射
物）１１を照射する。この結果試料１１の表面にイオン
注入が行われる。
第７図はこのようにして形成されたイオンビームが試料
１１に照射されるまでの軌跡を示す図である。図中の番
号は、第６図の構成要素の番号と対応している。印加電
圧は一例として加速電圧２００ＫＶの場合コンデンサレ
ンズ７の電圧が５０ＫＶ１対物レンズ９の電圧が１００
ＫＶ程度である。
１１に照射されるまでの軌跡を示す図である。図中の番
号は、第６図の構成要素の番号と対応している。印加電
圧は一例として加速電圧２００ＫＶの場合コンデンサレ
ンズ７の電圧が５０ＫＶ１対物レンズ９の電圧が１００
ＫＶ程度である。
以上のように集束イオンビーム装置は試料にイオン注入
を行うが、注入の深さは物質により、又はその必要性に
より一様でないので注入深さを変える必要がある。注入
深さの制御は加速電圧を変えることによって行っている
。一方性入団を一定にする必政性及び正確な描画等の見
地から、試料１１上におけるイオンビームの径〈プロー
ブ径という）を損力小さくする必要があり、そのために
は特に色収差量を小さくする必要がある。集束イオンビ
ーム装置には一般に静電型レンズが用いられていて、上
記の色収差量を小さくするためにはレンズ強度を強くす
る必要があり、レンズ強度を強くづ−るとイオンビーム
の集束距離が短くなって動作距離が短くなるため、第２
図（イ）のようにレンズ１３の後に偏向器１０を置く方
式は出来なくなり、第２図（ロ）のようにレンズ１３の
前に置いた２段偏向器１２ａ、１２ｂで偏向しなくては
ならなくなる。又、色収差量△ＷＣは次式で表わされる
。
を行うが、注入の深さは物質により、又はその必要性に
より一様でないので注入深さを変える必要がある。注入
深さの制御は加速電圧を変えることによって行っている
。一方性入団を一定にする必政性及び正確な描画等の見
地から、試料１１上におけるイオンビームの径〈プロー
ブ径という）を損力小さくする必要があり、そのために
は特に色収差量を小さくする必要がある。集束イオンビ
ーム装置には一般に静電型レンズが用いられていて、上
記の色収差量を小さくするためにはレンズ強度を強くす
る必要があり、レンズ強度を強くづ−るとイオンビーム
の集束距離が短くなって動作距離が短くなるため、第２
図（イ）のようにレンズ１３の後に偏向器１０を置く方
式は出来なくなり、第２図（ロ）のようにレンズ１３の
前に置いた２段偏向器１２ａ、１２ｂで偏向しなくては
ならなくなる。又、色収差量△ＷＣは次式で表わされる
。
６ｗ（＝（ＣｃＸα）×ΔＶ／Ｖ −（１）但し、
Ｃｃ：色収差係数
α：ビームの開き角
■：加速電圧
ΔＶ：出射イオンのエネルギー幅
前述のように注入深さの副部のために加速電圧を変える
と（１）式のように色収差量が変化し、特に加速電圧を
下げて用いると色収差量が増加してビームが絞れなくな
ってしまう。これを解決するために次の様な静電レンズ
が使用されている。
と（１）式のように色収差量が変化し、特に加速電圧を
下げて用いると色収差量が増加してビームが絞れなくな
ってしまう。これを解決するために次の様な静電レンズ
が使用されている。
第３図において５枚電極構成のレンズを示しである。エ
ミッタ側から電極をＬｌ、Ｌ２．Ｌ３，１−４及びＬｓ
とすると、Ｌｒ、Ｌｓを接地し、Ｌ３に可変の電ｆｆＶ
ｉ 、Ｌ２ にＶｉ ／２、Ｌｌにスイッチ２１によっ
て切替える５０ｋＶと２５ｋＶの電源を接続する。この
構成の対物レンズ１３において前記加速電圧Ｖを例えば
２００，１００．５０ＫＶに変化させた際に、前記Ｖｉ
を変化させると共に、スイッチ２１を切り換えており、
そのため対物レンズ１３における電位分布は第４図に示
す通りになる。従って、レンズの主面位置が加速電圧の
低下に伴って試料１１の方へ前進する。ところで、色収
差係数Ｃｃは電界と物点の位置によって決まる常数であ
って、レンズの主面位置と集束点の距離が小さくなる程
色収差係数は小さくなる。そのため、加ａ電圧の低下に
伴って主面位置が試料側に移動する上記装置においては
、（１）式から明らかなように、加速電圧■が小さくな
ることによる色収差量の増加はＣｃの低下による色収差
量の減少によって相殺され、色収差量ΔＷＣは変化しな
い。
ミッタ側から電極をＬｌ、Ｌ２．Ｌ３，１−４及びＬｓ
とすると、Ｌｒ、Ｌｓを接地し、Ｌ３に可変の電ｆｆＶ
ｉ 、Ｌ２ にＶｉ ／２、Ｌｌにスイッチ２１によっ
て切替える５０ｋＶと２５ｋＶの電源を接続する。この
構成の対物レンズ１３において前記加速電圧Ｖを例えば
２００，１００．５０ＫＶに変化させた際に、前記Ｖｉ
を変化させると共に、スイッチ２１を切り換えており、
そのため対物レンズ１３における電位分布は第４図に示
す通りになる。従って、レンズの主面位置が加速電圧の
低下に伴って試料１１の方へ前進する。ところで、色収
差係数Ｃｃは電界と物点の位置によって決まる常数であ
って、レンズの主面位置と集束点の距離が小さくなる程
色収差係数は小さくなる。そのため、加ａ電圧の低下に
伴って主面位置が試料側に移動する上記装置においては
、（１）式から明らかなように、加速電圧■が小さくな
ることによる色収差量の増加はＣｃの低下による色収差
量の減少によって相殺され、色収差量ΔＷＣは変化しな
い。
（発明が解決しようとりる問題点）
前述のようにレンズの色収差を小さくするためレンズ強
度を強くし、従って前置２段偏向器を使って第３図の５
枚構成レンズを使用すると次の問題を生ずる。第５図に
おいて加速電圧Ｖ−２００ｋＶのときの対物レンズ１３
の主面位置を１３１１Ｖ−１００ｋＶのときの対物レン
ズ１３の主面位置を１３２ 、Ｖ−５０ｋＶ（７）とき
（７）それを１３３とすると、Ｖ−２００ｋＶのとき偏
向器１２で偏向されたイオンビームは対物レンズの主面
位置１３１の中心を通る。Ｖ−１００ｋＶになると対物
レンズ１３の主面位置は１３２に移動しているが、イオ
ンビームはレンズ１３１の中心を通るので同じように対
物レンズ１３に入ったイオンビームはレンズ主面位置１
３２において中心をずれているため、レンズ作用により
結像点が試料１１の中心軸寄りに移動する。Ｖ−５０ｋ
Ｖのときは対物レンズ１３のレンズ主面位置は１３３に
なっておりイオンビームはレンズ１３１の中心を通るの
で、レンズの中心位置を更にずれることになって試料１
１上の結像点が更に中心軸寄りに移動する。従ってレン
ズ軸外収差が発生し、同時に試料１１上でプロー１位置
が動いてしまう。
度を強くし、従って前置２段偏向器を使って第３図の５
枚構成レンズを使用すると次の問題を生ずる。第５図に
おいて加速電圧Ｖ−２００ｋＶのときの対物レンズ１３
の主面位置を１３１１Ｖ−１００ｋＶのときの対物レン
ズ１３の主面位置を１３２ 、Ｖ−５０ｋＶ（７）とき
（７）それを１３３とすると、Ｖ−２００ｋＶのとき偏
向器１２で偏向されたイオンビームは対物レンズの主面
位置１３１の中心を通る。Ｖ−１００ｋＶになると対物
レンズ１３の主面位置は１３２に移動しているが、イオ
ンビームはレンズ１３１の中心を通るので同じように対
物レンズ１３に入ったイオンビームはレンズ主面位置１
３２において中心をずれているため、レンズ作用により
結像点が試料１１の中心軸寄りに移動する。Ｖ−５０ｋ
Ｖのときは対物レンズ１３のレンズ主面位置は１３３に
なっておりイオンビームはレンズ１３１の中心を通るの
で、レンズの中心位置を更にずれることになって試料１
１上の結像点が更に中心軸寄りに移動する。従ってレン
ズ軸外収差が発生し、同時に試料１１上でプロー１位置
が動いてしまう。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、その目
的は加速電圧の変化によってレンズの主面位置がずれて
もイオンビームの試料１１上のプローブ位置が変化しな
い集束イオンビーム装置を実現することである。
的は加速電圧の変化によってレンズの主面位置がずれて
もイオンビームの試料１１上のプローブ位置が変化しな
い集束イオンビーム装置を実現することである。
（問題点を解決するための手段）
前記の問題点を解決するための本発明は、被照射物に照
射されるイオンビームの加速電圧を低下させた際に複数
枚電極構成の対物レンズの電極に与える電圧を変化させ
て、被照射物に対するレンズ主面位置を被照射物寄りに
移動させることにより色収差量の増加を抑制する手段を
有し、該手段の前に２段の偏向器を設け、該２段の偏向
器による偏向により被照射物へのイオンビームの照射位
置を所定位置に制御するようにした集束イオンビーム装
置において２、前記主面位置の移動にかかわらず、常に
該主面の中心を偏向支点としてイオンビームが偏向され
るように前記加速電圧を表わす情報に基づいて前記２段
の偏向器の偏向ゲインを切り換える手段を備えたことを
特徴とするものである。
射されるイオンビームの加速電圧を低下させた際に複数
枚電極構成の対物レンズの電極に与える電圧を変化させ
て、被照射物に対するレンズ主面位置を被照射物寄りに
移動させることにより色収差量の増加を抑制する手段を
有し、該手段の前に２段の偏向器を設け、該２段の偏向
器による偏向により被照射物へのイオンビームの照射位
置を所定位置に制御するようにした集束イオンビーム装
置において２、前記主面位置の移動にかかわらず、常に
該主面の中心を偏向支点としてイオンビームが偏向され
るように前記加速電圧を表わす情報に基づいて前記２段
の偏向器の偏向ゲインを切り換える手段を備えたことを
特徴とするものである。
（作用）
イオンの注入深さを変えるために加速電圧を変化させた
とき、対物レンズの構成電極に与える電圧が変化してレ
ンズの主面位置を移動させ、色収差量の増加を抑制する
集束イオンビーム装置において、レンズの主面位置の移
動量に応じて偏向器に直流偏向電圧を与えてイオンビー
ムにレンズの各主面位置の中心を通過させ、試料上のプ
ローブ位置を一定に保つ。
とき、対物レンズの構成電極に与える電圧が変化してレ
ンズの主面位置を移動させ、色収差量の増加を抑制する
集束イオンビーム装置において、レンズの主面位置の移
動量に応じて偏向器に直流偏向電圧を与えてイオンビー
ムにレンズの各主面位置の中心を通過させ、試料上のプ
ローブ位置を一定に保つ。
（実施例）
以下に図面を参照して本発明の実施例につき詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の実施例を示ずブロック図である。図中
、１４は走査信号発生器、１５ａ、１５ｂは掛算器、１
６は偏向ゲインメモリ、１７は加速電源、１８ａ、１８
ｂはアンプである。偏向器１２ａ、１２ｂには各々掛算
器１５ａ、１５ｂ。
、１４は走査信号発生器、１５ａ、１５ｂは掛算器、１
６は偏向ゲインメモリ、１７は加速電源、１８ａ、１８
ｂはアンプである。偏向器１２ａ、１２ｂには各々掛算
器１５ａ、１５ｂ。
ＯＡ変換器１９ａ、１９ｂ、アンプ１８ａ、１８ｂを介
して走査信号が走査信号発生１１４から与えられる。２
０はＣＰＵ′Ｃ−あり、ＣＰｔＪ２０より加速電圧Ｖを
指定する信号が加速電源１７に送られていると共に、指
定した加速電圧■に対応する偏向器１２ａ、１２ｂの偏
向ゲインデータＱａ。
して走査信号が走査信号発生１１４から与えられる。２
０はＣＰＵ′Ｃ−あり、ＣＰｔＪ２０より加速電圧Ｖを
指定する信号が加速電源１７に送られていると共に、指
定した加速電圧■に対応する偏向器１２ａ、１２ｂの偏
向ゲインデータＱａ。
Ｇｂを偏向ゲインメモリ１６より読み出すためのアドレ
ス指定信号がＣＰＵ２０より偏向ゲインメモリ１６に送
られるようになっている。加速電源１７の出力加速電圧
をそれぞれ２００ｋＶ、１００ｋＶ及び５０ｋＶにする
ことによって、対物レンズの主面位置は１３＋ 、１３
ｚ 、１３３と変化する。今、ＣＰＵ２０よりの制御信
号を加速電源１７に送ってＶ−２００ｋＶにすると、対
物レンズの主面位置は１３１になるが、この時ＣＰＵ
２０は偏向ゲインメモリ１６よりＶ−２００ｋＶに対応
した偏向ゲインデータＧａ Ｉ 、 Ｇｂ ＋を読み出
すため、走査信号発生器１４よりの走査信号Ｘ。
ス指定信号がＣＰＵ２０より偏向ゲインメモリ１６に送
られるようになっている。加速電源１７の出力加速電圧
をそれぞれ２００ｋＶ、１００ｋＶ及び５０ｋＶにする
ことによって、対物レンズの主面位置は１３＋ 、１３
ｚ 、１３３と変化する。今、ＣＰＵ２０よりの制御信
号を加速電源１７に送ってＶ−２００ｋＶにすると、対
物レンズの主面位置は１３１になるが、この時ＣＰＵ
２０は偏向ゲインメモリ１６よりＶ−２００ｋＶに対応
した偏向ゲインデータＧａ Ｉ 、 Ｇｂ ＋を読み出
すため、走査信号発生器１４よりの走査信号Ｘ。
ＹはＩＪ）ｉ器１５ａ、１５ｂにおいて各々Ｑａｌ。
Ｇｂ＋倍された後、ＤＡ変換１５１９ａ、１９ｂに送ら
れる。そのため、イオンビームは軌跡■を画いて対物レ
ンズの主面位置１３ ｌの中心を通るように偏向器１２
ａ、１２ｂにより偏向される。加速１源１７からの加速
電圧をＶ−１００ｋＶとすると、対物レンズの主面位置
は１３２になるが、この場合にはＣＰＵ２０は偏向ゲイ
ンメモリ１６より対応する偏向ゲインデータＱａ ｚ
、 Ｇｂ ２を読み出すため、イオンビームが軌跡■を
画き対物レンズ主面位置１３２の中心を通るように、偏
向器１２ａ、１２ｂにより偏向される。加速電圧がＶ−
５０ｋＶになったときも同様に、イオンビームの軌跡が
■になるように偏向ゲインメモリ１６より読み出された
データに基づいて偏向器１２ａ。
れる。そのため、イオンビームは軌跡■を画いて対物レ
ンズの主面位置１３ ｌの中心を通るように偏向器１２
ａ、１２ｂにより偏向される。加速１源１７からの加速
電圧をＶ−１００ｋＶとすると、対物レンズの主面位置
は１３２になるが、この場合にはＣＰＵ２０は偏向ゲイ
ンメモリ１６より対応する偏向ゲインデータＱａ ｚ
、 Ｇｂ ２を読み出すため、イオンビームが軌跡■を
画き対物レンズ主面位置１３２の中心を通るように、偏
向器１２ａ、１２ｂにより偏向される。加速電圧がＶ−
５０ｋＶになったときも同様に、イオンビームの軌跡が
■になるように偏向ゲインメモリ１６より読み出された
データに基づいて偏向器１２ａ。
１２ｂの偏向ゲインが変えられる。以上のように加速電
圧が変化すると対物レンズ１３の主面位置が変化するが
、それに応じて偏向器１２ａ、１２ｂの偏向ゲインが変
えられるため、常にレンズ主面位置の中心をイオンビー
ムが通過する。そのためレンズ軸外収差を生じないと共
に試料１１上のプローブの位置も変化しない。以上の偏
向ゲインの補正量は装置固有のものであり、又、今後こ
れらの集束イオンビーム装置では、制御は寸べてＣＰＵ
によって行われるものと考えられるので、偏向ゲイン量
は個々の装置についてメモリに書込んでおけばよい。
圧が変化すると対物レンズ１３の主面位置が変化するが
、それに応じて偏向器１２ａ、１２ｂの偏向ゲインが変
えられるため、常にレンズ主面位置の中心をイオンビー
ムが通過する。そのためレンズ軸外収差を生じないと共
に試料１１上のプローブの位置も変化しない。以上の偏
向ゲインの補正量は装置固有のものであり、又、今後こ
れらの集束イオンビーム装置では、制御は寸べてＣＰＵ
によって行われるものと考えられるので、偏向ゲイン量
は個々の装置についてメモリに書込んでおけばよい。
ここに挙げたのは一例であって、例えば５枚構成のレン
ズへの電圧の与え方はこれに限ったものでなく、如何よ
うにでもなし得るものである。又、上述した実施例にお
いては、５枚電橋構成の対物レンズを備えた装置に本発
明を適用したが、３枚構成の対物レンズを備えた装置に
も本発明は同様に適用できる。更に又、上述した実施例
においては、ディジタルＩＩ）算器により偏向ゲインを
切り換えるようにしたが、アナログ回路により偏向ゲイ
ンを切り換えるようにしてもよいし、ソフト的に偏向ゲ
インを切り換えるようにしてもよい。
ズへの電圧の与え方はこれに限ったものでなく、如何よ
うにでもなし得るものである。又、上述した実施例にお
いては、５枚電橋構成の対物レンズを備えた装置に本発
明を適用したが、３枚構成の対物レンズを備えた装置に
も本発明は同様に適用できる。更に又、上述した実施例
においては、ディジタルＩＩ）算器により偏向ゲインを
切り換えるようにしたが、アナログ回路により偏向ゲイ
ンを切り換えるようにしてもよいし、ソフト的に偏向ゲ
インを切り換えるようにしてもよい。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように本発明によれば、加速電圧を
変化さけても色収差量が増えないようにレンズ主面位置
を変化させる対物レンズにおいて、レンズ主面位置が変
化してもイオンビームがそれぞれの主面位置の中心を通
過して軌外収差を生ぜず試料面上のプローブの位置も動
かない。
変化さけても色収差量が増えないようにレンズ主面位置
を変化させる対物レンズにおいて、レンズ主面位置が変
化してもイオンビームがそれぞれの主面位置の中心を通
過して軌外収差を生ぜず試料面上のプローブの位置も動
かない。
第１図は本発明の実施例のブロック図、第２図はレンズ
強度と偏向器の位置に関する説明図、第３図は５枚構成
の対物レンズの構成図、第４図は加速電圧と対物レンズ
の電位分布の関係図、第５図は加速電圧とイオンビーム
の軌跡の関係図、第６図は従来の集束イオンビーム装置
の概略構成図、第７図はイオンビームの軌跡を示す図で
ある。 ２・・・エミッタ ３・・・引出し電極５・・・
加速管 ７・・・コンデンサレンズ８・・・質
量分離器 ９・・・対物レンズ１０．１２ａ、１２
ｂ−・・偏向器 １３・・・対物レンズ １３１．１３２．１３３ ・・・対物レンズの主面位置 １４・・・走査信号発生器 １５ａ、１５ｂ−・・掛算器 １６・・・偏向ゲインメモリ １７・・・加速電源 １８ａ、１８ｂ・・・アンプ
１９ａ 、 １９ｂ−ＯＡ変換器 ２０・・・ＣＰＵ
強度と偏向器の位置に関する説明図、第３図は５枚構成
の対物レンズの構成図、第４図は加速電圧と対物レンズ
の電位分布の関係図、第５図は加速電圧とイオンビーム
の軌跡の関係図、第６図は従来の集束イオンビーム装置
の概略構成図、第７図はイオンビームの軌跡を示す図で
ある。 ２・・・エミッタ ３・・・引出し電極５・・・
加速管 ７・・・コンデンサレンズ８・・・質
量分離器 ９・・・対物レンズ１０．１２ａ、１２
ｂ−・・偏向器 １３・・・対物レンズ １３１．１３２．１３３ ・・・対物レンズの主面位置 １４・・・走査信号発生器 １５ａ、１５ｂ−・・掛算器 １６・・・偏向ゲインメモリ １７・・・加速電源 １８ａ、１８ｂ・・・アンプ
１９ａ 、 １９ｂ−ＯＡ変換器 ２０・・・ＣＰＵ
Claims (1)
- 被照射物に照射されるイオンビームの加速電圧を低下さ
せた際に複数枚電極構成の対物レンズの電極に与える電
圧を変化させて、被照射物に対するレンズ主面位置を被
照射物寄りに移動させることにより色収差量の増加を抑
制する手段を有し、該手段の前に２段の偏向器を設け、
該２段の偏向器による偏向により被照射物へのイオンビ
ームの照射位置を所定位置に制御するようにした集束イ
オンビーム装置において、前記主面位置の移動にかかわ
らず、常に該主面の中心を偏向支点としてイオンビーム
が偏向されるように前記加速電圧を表わす情報に基づい
て前記２段の偏向器の偏向ゲインを切り換える手段を備
えたことを特徴とする集束イオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61002784A JPH063720B2 (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 集束イオンビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61002784A JPH063720B2 (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 集束イオンビ−ム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62160648A true JPS62160648A (ja) | 1987-07-16 |
| JPH063720B2 JPH063720B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=11538967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61002784A Expired - Lifetime JPH063720B2 (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 集束イオンビ−ム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063720B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1389794A2 (de) * | 2002-08-13 | 2004-02-18 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Strahlführungssystem, Abbildungsverfahren und Elektronenmikroskopiesystem |
| EP1389797A2 (en) * | 2002-08-13 | 2004-02-18 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Particle-optical apparatus, electron microscopy system and electron lithography system |
| WO2018003109A1 (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
| JP2021068529A (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-30 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置、複合荷電粒子ビーム装置、及び荷電粒子ビーム装置の制御方法 |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP61002784A patent/JPH063720B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1389794A2 (de) * | 2002-08-13 | 2004-02-18 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Strahlführungssystem, Abbildungsverfahren und Elektronenmikroskopiesystem |
| EP1389797A2 (en) * | 2002-08-13 | 2004-02-18 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Particle-optical apparatus, electron microscopy system and electron lithography system |
| EP1389797A3 (en) * | 2002-08-13 | 2005-08-03 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Particle-optical apparatus, electron microscopy system and electron lithography system |
| EP1389794A3 (de) * | 2002-08-13 | 2005-12-07 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Strahlführungssystem, Abbildungsverfahren und Elektronenmikroskopiesystem |
| US7135677B2 (en) | 2002-08-13 | 2006-11-14 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Beam guiding arrangement, imaging method, electron microscopy system and electron lithography system |
| WO2018003109A1 (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
| JPWO2018003109A1 (ja) * | 2016-07-01 | 2019-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
| JP2021068529A (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-30 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置、複合荷電粒子ビーム装置、及び荷電粒子ビーム装置の制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH063720B2 (ja) | 1994-01-12 |
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